【課題】半導体装置のテスト構造物及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置のテスト構造物は、トランジスタ１５０、ダミートランジスタ１６０、及びパッドユニットを具備する。トランジスタ１５０は、基板の第１アクティブ領域１２０上に形成される。ダミートランジスタ１６０は、基板の第２アクティブ領域１３０上に形成され、トランジスタ１５０に接続される。パッドユニットは、トランジスタ１５０に接続される。ダミートランジスタ１６０により、トランジスタ１５０が受けるプラズマダメージが減少する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に形成されたダングリングボンドを効果的にキュアリングして向上した電気的特性を確保しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００上にゲート構造物１１０が形成される。ゲート構造物１１０の形成された基板１００に水素を含むガス雰囲気下で第１熱処理が行われる。基板１００上に金属配線が形成される。これによって、ゲート絶縁膜パターン１１２のダングリングボンドがキュアリングされ、信頼性のある半導体装置が製造される。 （もっと読む）

【課題】半導体マスクを製造する方法が記載されている。
【解決手段】最初に、犠牲マスク及びスペーサマスクを有する半導体スタックが提供される。犠牲マスクは、一連のラインを含み、スペーサマスクは、一連のラインの側壁に近接するスペーサラインを有する。次に、スペーサマスクをトリミングする。最後に、犠牲マスクを除去して、トリミングされたスペーサマスクを与える。トリミングされたスペーサマスクは、犠牲マスクの一連のラインの頻度を２倍にする。 （もっと読む）

【課題】微細化、集積化が可能で、製造プロセスが単純であり、出力電圧特性の対称性が良好な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】第一ゲート電極１１、第一ゲート絶縁膜１２、第一半導体膜１３、第一ソース電極１４および第一ドレイン電極１５を含む第一トランジスタ１０と、第二ゲート電極２１、第二ゲート絶縁膜２２、第二半導体膜２３、第二ソース電極２４および第二ドレイン電極２５を含む第二トランジスタ２０と、を備え、第一半導体膜１３がｐ型有機半導体材料を含み、第二半導体膜２３がｎ型有機半導体材料を含み、第一ゲート電極１１と第二ゲート電極２１とが電気的に接続され、第一ドレイン電極１５と第二ドレイン電極２５とが電気的に接続され、第一ゲート絶縁膜１２の膜厚Ｔ１が、第二ゲート絶縁膜２２の膜厚Ｔ２よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで効率的なプロセスで、トップ導体とボトム導体との間に電気的接続をもたらす誘電ポリマー薄膜における自己整合ビアを形成する方法の提供。
【解決手段】このプロセスは、第１のパターン化された導電層上に導電ポスト２０５を印刷し、次にパターン化されていない誘電層２０７を堆積させ、次に第２のパターン化された導電層を堆積させることによりなし得る。ビア２０８は、誘電体を堆積した後、第２の導電層を堆積する前に、ポストをフラッシュアニールする間に形成される。このプロセスでは、ポスト材料は閃光によってアニールされ、その結果、ポスト上部の誘電体を除去するエネルギーが放出される。 （もっと読む）

【課題】貫通電極と導電性パッドとを電気的に連結すると同時に、貫通電極と半導体基板とを絶縁させることによって信頼性を高めた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】第１面１０５１及び第２面１０５２を持つ半導体基板１０５と、半導体基板１０５の第１面上１０５１の層間絶縁層１１５と、層間絶縁層１１５の一部分上の導電性パッド１２０と、第２面１０５２から半導体基板１０５を貫通して伸張する第１部分、及び第１部分から層間絶縁層１１５を貫通して導電性パッド１２０と電気的に連結された第２部分を備える貫通電極１５５と、半導体基板１０５から貫通電極１５５の第１部分を分離するスペーサ絶縁層１４５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 他の部分にダメージを与えることなく優れた絶縁性が得られる絶縁膜及びその製造方法、並びに絶縁膜を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】 基板１上に、蒸着法により、Ａｌ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＳｉからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含む酸化物又は窒化物からなる蒸着絶縁膜２を形成する。そして、この蒸着絶縁膜２に対して、基板１の温度を３００乃至５００℃にして、水素プラズマ処理及び酸素プラズマ処理からなる群から選択された少なくとも１種の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】段差部における配線の被覆性の向上と、微細な配線の形成と、配線間における寄生容量の増加の抑制とが可能である半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の一方の主面側に、接続孔が形成された絶縁膜と上記絶縁膜上に形成された配線とを備える半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、液状導電性材料を用いて少なくとも接続孔内に導電部を形成する工程（導電部形成工程）と、ウェットエッチングにより接続孔内以外に形成された導電部を除去する工程（導電部除去工程）とを含む半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 印刷法では位置ずれが生じるため、絶縁膜を介して下部電極と上部電極が良く位置合せされた電極基板を形成できにくい。位置合わせのためにフォトマスクを使用して、飛躍的にコスト低減することである。
【解決手段】 開示した技術は、感光性を有し、感光前は撥液性を示し、感光後は親液性を示す自己組織化単分子膜（感光性SAM膜）を基板上に成膜し、
その基板の前記成膜した面を液体中に漬けた状態とするか、もしくは感光面を下にして液体に接触させた状態とした上で、前記基板に対して露光を行うものであり、
露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であり、
前記液体は芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることを特徴とする感光性SAM膜の露光方法である。 （もっと読む）

【課題】高い段差の上方から下方に掛けて段切れすることなく良好にパターン形成された導電性パターンを備えたことにより歩留まりの向上が図られた半導体装置および電子機器、さらには半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０に達する第１開口部１１ａを備えて基板１０上に形成された第１絶縁膜１１と、第１開口部１１ａ内において基板１０に達する第２開口部１３ａを備えて第1絶縁膜１１上を覆う第２絶縁膜１３と、第２開口部１３ａを介して基板１０に接する状態で第２絶縁膜１３上に設けられた導電性パターン１５とを備えた。第２絶縁膜１３は、第１開口部１１ａの上方肩部をラウンド形状に覆う。 （もっと読む）

【課題】焼成を必要とする液滴吐出法をはじめとする塗布法において、配線や導電膜の作製時における焼成温度を低減することを課題とする。
【解決手段】液滴吐出法等の塗布法を用いて導電性材料よりなるナノ粒子が分散された組成物を吐出し、その後乾燥することで該溶媒を気化させる。そして、活性酸素による前処理を行った後、焼成を行うことで、配線もしくは導電膜を作製する。このように、焼成前に活性酸素による前処理を行うことで、作製時における焼成温度を低減することが可能となる。 （もっと読む）

歪みSiN膜及び該歪みSiN膜を含む半導体デバイスの作製方法。当該方法は、シリコン先駆体を含む気体に前記基板を曝露する工程、第1レベルのプラズマ出力のプラズマ源によって励起されて前記シリコン先駆体と第1反応特性で反応する窒素先駆体を含む気体に前記基板を曝露する工程、及び、前記第1レベルとは異なる第2レベルのプラズマ出力のプラズマ源によって励起されて前記シリコン先駆体と第2反応特性で反応する窒素先駆体を含む気体に前記基板を曝露することで、前記の基板上に作製されたシリコン窒化物膜の特性が前記歪みSiN膜を供するように変化する、工程を有する。
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【課題】有機半導体層の形成に印刷法を適用しても高スループットでアライメント精度良く、高いオンオフ比を有し、素子間でのばらつきが小さい薄膜トランジスタアレイを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイの配置を（１）半導体層１２の電流が流れる方向をソース配線２８の方向と同じにする、（２）ソース・ドレイン電極２７、２６をクシ型形状の電極とする、等の最適化を行い、印刷法による有機半導体層１２をストライプ形状とする。 （もっと読む）

【課題】アンテナを複数設ける場合であっても、アンテナの配置が制限されず集積回路部とアンテナの接続不良を低減し、且つ通信機との通信距離の低減を防止することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁性を有する基体の第１の面上に薄膜トランジスタを具備する集積回路部を設け、当該集積回路部上に第１のアンテナを設け、基体の第２の面上に第２のアンテナを設け、第１のアンテナを集積回路部と接続させ、第２のアンテナを基体に形成された貫通孔を介して集積回路部と接続させ、第１のアンテナ及び第２のアンテナを集積回路部と重畳させて設ける。 （もっと読む）

【課題】信頼性が良好であって容量密度が大きなキャパシタ素子、当該キャパシタ素子を有する半導体装置、および当該キャパシタ素子を製造するキャパシタ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】組成が（Ｂａ_１−ｘ，Ｓｒ_ｘ）Ｔｉ_１−ｚＳｃ_ｙＯ_３＋δ（但し、０<ｘ<１，０．０１<ｚ<０．３，０．００５<ｙ<０．０２，−０．５<δ<０．５）となるとともに、結晶の面内歪みεが、−０．４<ε<０．４である誘電体層と、前記誘電体層を上下に挟持する上部電極および下部電極と、前記上部電極、下部電極、および誘電体層が設置される基板と、を有することを特徴とするキャパシタ素子。 （もっと読む）

【課題】スクリーン印刷法により、インクの滲みや裏周りが防止され、印刷形状が安定化されたパターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、ソース・ドレイン電極１２と、ゲート絶縁膜と、有機半導体層と、ゲート電極とをこの順に積層してなる半導体装置の製造方法において、基板１１上に導電性膜１２’を介して撥液層Ａ₁を形成した後、スクリーン印刷法により、レジストインクＲ₁’を印刷することで、撥液層Ａ₁上にレジストパターンＲ₁を形成し、このレジストパターンＲ₁をマスクに用いて、導電性膜１２’をエッチングすることで、ソース・ドレイン電極１２を形成することを特徴とするパターン形成方法および半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】動作特性及び信頼性の向上した新規な構造の半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を含む島状の半導体層と、半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、チャネル形成領域上に設けられ、半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、チャネル形成領域及びゲート電極の間に設けられた第２絶縁層と、を有する。半導体層は局所的に薄膜化され、薄膜化された領域にチャネル形成領域が設けられており、第２絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳する領域の半導体層の側面に設けられた第１絶縁層を覆う。 （もっと読む）

【課題】また、従来のＣＡＤツールによる半導体装置の設計図を用いる場合、インクジェット装置で形成できるパターンが限られるため、半導体装置の回路の中には、そのまま転用することができない回路も生じる恐れがある。
【解決手段】インクジェット装置で吐出して描くことの可能な基本パターンを複数用意し、それらを組み合わせて所望の集積回路のレイアウトを行う。得られたレイアウトを基にして露光マスクを形成する。露光マスクを用いて露光を行った後、現像して液滴の径よりも幅の細い露光領域にレジスト膜を残存させる。そして、被処理表面の露呈部分に対して撥液処理を行った後、レジスト膜上に材料液滴を滴下する。液滴吐出法により選択的に吐出を行い、ドット径よりも幅の細い配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は多孔性誘電材料の誘電特性をレストアする方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この方法は基材を提供することを含み、該基材は多孔性誘電材料の少なくとも一の層を含み、該誘電材料は混入物質を含み、該混入物質は表面張力を有する少なくとも一の取り込まれた液体を含み、ここでその少なくとも一の混入物質を含む多孔性誘電材料は第一の誘電率を有する。該基材は表面張力を有する少なくとも一の化合物と水を含むレストア流体と接触させられ、該表面張力は多孔性誘電材料の少なくとも一の層において少なくとも一の取り込まれた液体の表面張力よりも低い。乾燥の間に、該多孔性誘電材料は第二の誘電率を有し、該誘電率は第一の誘電率より低く、そして該レストア流体の全ての構成要素が乾燥の間に除去される。 （もっと読む）

【課題】針などを用いた物理的なコンタクトホールの形成において導通不良の生じ難いコンタクトホールの形成方法（半導体装置の製造方法）を提供する。
【解決手段】基板１０上に電極又は配線としてパターン化された導電性膜１２ｃを形成する工程と、基板１０及び導電性膜１２ｃ上に有機絶縁膜１４を形成する工程と、導電性膜１２ｃ上に有機絶縁膜１４を通過して、内部に空洞Ｓａを有する第１中空針１００ａと、これを囲む第２中空針１００ｂであって、その内部に空洞Ｓａの外周に位置する空洞Ｓｂを有する第２中空１００ｂとから成る二重中空針１００を当接させる工程と、空洞Ｓａ内に有機絶縁膜１４の溶解性液体を注入し、空洞Ｓｂを介して溶解した絶縁膜を吸引することによりコンタクトホールを形成する。 （もっと読む）