【課題】電気的抵抗が低い相互接続構造、および、かかる相互接続構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】相互接続構造は、少なくとも１つの開口を含む誘電物質を含む。少なくとも１つの開口内には、任意のバリア拡散層、結晶粒成長促進層、凝集めっきシード層、任意の第２のめっきシード層、および導電性構造が配置される。典型的にはＣｕである金属含有導電性物質を含む導電性構造は、バンブー微細構造を有し、平均グレイン・サイズが０．０５ミクロンよりも大きい。いくつかの実施形態では、導電性構造は、（１１１）結晶方位を有する導電性結晶粒を含む。 （もっと読む）

【課題】印刷塗布して形成された絶縁膜の絶縁特性を良好に保持した状態で、生産性を向上することが可能なアクティブマトリックスアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地層３４上に絶縁膜インクを印刷塗布する。印刷塗布された絶縁膜インクに含まれる溶媒が所定の絶縁特性が得られるまで十分に揮発させる前に終了するように絶縁膜インクを焼成して絶縁膜３２を形成する。下地層３４上に形成された絶縁膜３２上に１つ以上の開口部３３を有する導電層３１を形成する。それにより、導電層３１に設けられた開口部３３から絶縁膜３２内に残っている溶媒を揮発させることができるので、導電層３１におおわれた絶縁膜３２の絶縁特性を良好にすることができる。また、絶縁膜３２が十分に揮発する前に、絶縁膜３２上に導電層３１を形成することができるので、生産性を良くすることができる。 （もっと読む）

本方法は、例えば相互接続ラインを形成するために、薄い結晶（８）のシートを、基板（１）のトレンチに堆積される、このシートと同一のタイプであるが、アモルファスであるか小さな粒径である金属（６）に固定することを含む。焼鈍しは、このラインにシートの結晶構造を徐々に与える。結晶（８）が除去されると、高度の導電結晶ラインが得られる。それは、その粒径が非常に拡大されているからである。金属は、銅、銀及びアルミニウムから選択される。
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有機誘電体材料（１１０）中に埋め込まれた第２構造（９１）への金属相互接続（１８１）を提供する方法であって、有機誘電体材料（１１０）中に埋め込まれた、例えば金属ピラー（９１）のような第２構造を有する第１構造を得る工程と、少なくとも第１構造のいくつかの位置で、有機誘電体材料（１１０）の上に硬い層（１３０）を提供する工程であって、硬い層（１３０）は有機誘電体材料（１１０）の剛性より高い剛性を有する工程とを含む方法。この方法は、第１構造（９１）と有機誘電体材料（１１０）との間の界面でクラックの無い相互接続構造を提供する。
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【課題】 ブロック共重合体を用いて所定の位置にホール又はビアを有するデバイスを形成する方法を提供する。
【解決手段】 例えば、光リソグラフィを用いて、輪郭を付けられた凸状のセグメントによって与えられる断面を有する開口部を基板内に形成する。開口部の断面は、例えば、重なった円形領域によって与えることができる。側壁は、種々の点で隣接し、そこで突起を画定する。ブロック共重合体を含むポリマーの層を開口部及び基板の上に塗布し、自己集合させる。開口部内に個別分離ドメインが形成され、これらを除去してホールを形成し、これを下層の基板に転写することができる。これらのドメイン及びこれらの対応するホールの位置は、側壁及びそれらに付随する突起によって所定の位置に誘導される。これらのホールを隔てる距離は、何も側壁がない場合にブロック共重合体（及び何れかの添加剤）が自己集合したとする場合よりも大きく又は小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】
転写型に形成された薄膜電子材料層を、転写型から良好に離型して転写することのできる薄膜電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
凹凸パターンが形成された転写型４に親液処理をする親液処理工程と、親液処理がされた転写型４に剥離層を形成する剥離層形成工程と、剥離層が形成された転写型４に薄膜電子材料層を形成する薄膜電子材料層形成工程と、前記転写型４に形成された薄膜電子材料層を基板上に転写する転写工程と、を備えている。剥離層を形成する前に親液処理を行うことで、剥離層をムラなく均一に広がるように形成することができる。それにより、転写型４に形成された薄膜電子材料層を転写型４から良好に離型して転写することができる。 （もっと読む）

【課題】複合体の樹脂層に形成された高密着、高信頼性、高周波対応の微細配線やビアを有する複合体、複合体の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂層１と導体層２とを含む第１の複合体１００であって、前記樹脂層１の表面に最大幅が１μｍ以上、１０μｍ以下の溝３と当該溝３内部に導体層２を有し、当該導体層２と接する前記樹脂層１の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以上、０．４５μｍ以下である、及び／又は、前記樹脂層１に直径が１μｍ以上、２５μｍ以下のビア孔と当該ビア孔内部に導体層２を有し、前記ビア孔内部の樹脂層１の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以上、０．４５μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いることなく導電層間を接続することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に第１導電層と層間絶縁膜と第２導電層とを順に積層形成する導電層工程と、前記第２導電層の表面から物理的加工を施すことで、前記第２導電層と前記層間絶縁膜とを貫通して前記第１導電層に達する凹部を形成するコンタクトホール形成工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、厚膜金属層１４を有する集積回路１０を製造する装置に関する。金属ペースト１４の層は、熱伝導基板１２上に適用手段２４によって適用される。金属ペースト１４は、予め決められたサイズの金属粒子を含む。ＲＦ生成器１６は、金属ペースト１４にＲＦエネルギー１８を選択的に誘導結合させる。金属粒子を加熱するために、金属ペースト１４の金属粒子の予め決められたサイズは、ＲＦエネルギー１８の結合周波数に対応する。このようにして、金属ペースト１４の金属粒子は、従来のプロセスのパワーの何分の一かのパワーで、金属ペースト１４を予備焼結する必要なく、加熱される。
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【課題】電極パッドよりも径の小さな貫通孔を半導体基板自体に設けることなく、上下に積層された半導体チップ間の電気的な接続を行う。
【解決手段】半導体基板Ｓ１の横にはみ出すように電極パッドＰ１を配置し、半導体基板Ｓ１の周囲を取り囲むように配置された樹脂層Ｊ１上にて支持し、電極パッドＰ１が上下に重なるように半導体チップＣ１を積層し、貫通孔Ｔ１内に導電体Ｄ１を埋め込むことで、上下の電極パッドＰ１を電気的に接続し、上下に積層された半導体チップＣ１間の電気的な接続を行う。 （もっと読む）

【課題】耐マイグレーションに強い積層構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、第１の高表面エネルギー領域及び第２の高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、第１の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された第１の導電層と、第２の高表面エネルギー領域上及び第１の導電層上に形成された第２の導電層を有し、第１の導電層を第２の導電層により覆われた積層構造の導電層が形成されているものであることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】コバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長方法によるコバルト膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】上記コバルト膜の形成方法は、基体上にコバルト膜を形成する方法であって、少なくとも（Ａ）一酸化炭素を含む気体の存在下でコバルトカルボニル錯体を昇華する工程と（Ｂ）基体上にコバルトカルボニル錯体の昇華物を供給してコバルトに変換する工程とを含むことを特徴とする方法である。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ（セミコンダクタ・オン・インシュレータ）基板内の底部半導体層からの半導体デバイスについて強化された信号分離を可能とする半導体構造、これを製造する方法、およびこれを操作する方法を提供する。
【解決手段】底部半導体層１０と反対の導電性タイプを有するドープ接点領域１８は底部半導体層１０内の埋め込み絶縁体層２０の下に設ける。少なくとも１つの導電ビア構造４７，７７は、相互接続レベル金属ライン９４から、中間工程（ＭＯＬ）誘電体層８０、最上部半導体層３０内の浅いトレンチ分離構造３３、および埋め込み絶縁体層２０を通り、ドープ接点領域１８まで延びる構造とする。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を低減することが可能な有機トランジスタアレイ、表示パネル及び表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に設けられている走査線１１及び信号線１２と、走査線１１と接続するゲート電極２１と、ゲート電極２１及び走査線１１を覆うように形成されている第１のゲート絶縁膜と、信号線１２と接続するソース電極２３と、チャネル領域Ｃを挟んでソース電極２３と対向して形成されているドレイン電極２４と、チャネル領域Ｃに形成されている有機半導体層２５とを備え、走査線１１及び信号線１２が交差して形成されている画素領域Ａ１、Ａ２に設けられる有機トランジスタ２０とを有する有機トランジスタアレイ１０において、ゲート電極２１は、更に平面視でドレイン電極２４と信号線１２とに挟まれる領域Ｓに形成され、有機半導体層２５は、更に平面視でドレイン電極２４と信号線１２に挟まれる領域Ｓ１に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 薄くて軽く、しかも、酸素や水などの外部物質の侵入を阻止する封止性能に優れた封止部材を備えた、カラ−ディスプレイなどに好適な機能性有機物素子及び機能性有機物装置を提供すること。
【解決手段】 まず、絶縁性基板１の上に、有機半導体層４を有する有機薄膜トランジスタを形成する。次に、有機半導体層４への外部物質の侵入を阻止する第１の封止層３１を、形成時に有機半導体層４にダメージを与えることが少ない蒸着法や塗布法などで、有機薄膜トランジスタを被覆するように形成する。これとは別に、プラズマＣＶＤ法などによって、封止性能の高い第２の封止層３３を有機高分子樹脂材３２に形成する。次に、第１の封止層３１が設けられた基板１に、第２の封止層３３が設けられた有機高分子樹脂材３２を、防湿性樹脂３４によって貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体装置において、薄膜トランジスタの半導体層を、金属元素が添加された酸化物半導体層とする。金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類以上の金属元素を用いる。また、酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】ｐ電極にＴＣＯ膜を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子に関して、その高出力化および信頼性向上の少なくともいずれかを実現すること。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ系半導体層の上にＧａＮ系半導体からなる活性層とｐ型ＧａＮ系半導体層とを順次積層してなり、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の前記活性層側の主面とは反対側の主面上に形成されたＴＣＯ膜と該ＴＣＯ膜に接続されたｐ側ボンディングパッドとを含むｐ電極と、前記ＴＣＯ膜の前記ｐ型ＧａＮ系半導体層側とは反対側の主面上の一部に形成された抵抗制御膜と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層と前記ＴＣＯ膜との界面に形成されて前記抵抗制御膜の下方の領域において前記活性層を流れる電流を減少させる抵抗増加領域と、前記ｎ型層に接続されたｎ側ボンディングパッドと、を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子。 （もっと読む）

【課題】塗布プロセス（印刷やＩＪ）により製造が可能であって、電磁波照射による異常放電がなく、生産効率及び生産安定性が高く、かつキャリア移動度及びｏｎ／ｏｆｆ比が向上した電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、電極を有し、少なくとも１部に熱変換材料または熱変換材料を含むエリアと、前記熱変換材料または熱変換材料を含むエリアに隣接もしくは近接して電磁波吸収能を持つ物質または電磁波吸収能を持つ物質を含むエリアを配置し、電磁波を照射して、該電磁波吸収能を持つ物質が発生する熱により、熱変換材料を機能材料に変換する電子デバイスの製造方法において、前記電極の辺が形成する角が全て９０°より大きく１８０°より小さい、または、曲面であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路デバイス基板におけるビア構造をメタライズするための方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路デバイス基板は、前面、背面、ビア構造を備え、ビア構造は、基板の前面に開口部、基板の前面を内向きに伸びる側壁部、および底部を備え、前記方法は以下からなる：
半導体集積回路デバイス基板に、（ａ）銅イオン源、および（ｂ）レベラー化合物からなる電解銅沈積組成物を接触させて、前記レベラー化合物はジピリジル化合物およびアルキル化剤の反応生成物からなり；
電流を電解銅沈積組成物に供給し銅金属をビア構造の底部および側壁部に沈積し、これによって銅充填ビア構造を得る。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比の貫通電極を有する半導体装置を低温プロセスによって製造する。
【解決手段】 半導体基板１の表面側に配置された第１の電極３と裏面側の第２の電極６は、接続孔４に充填された導電物７と、接続孔４内に延在する第２の電極６の延在部６ａとによって電気的に接続される。接続孔４が高アスペクト比であっても、第２の電極６を接続孔４の底部まで形成する代わりに導電物７を用いることで、低温プロセスによる成膜が可能となる。 （もっと読む）