【課題】残留分極値を向上させることのできる誘電体キャパシタを提供する。
【解決手段】本発明にかかる誘電体キャパシタ１００は、基体１０上に形成されたＴｉＡｌＮ膜１２と、ＴｉＡｌＮ膜の上方に形成された第１電極２０と、第１電極の上方に形成された誘電体膜３０と、誘電体膜の上方に形成された第２電極４０と、を含み、ＴｉＡｌＮ膜は、結晶質であり、前記基体の表面と平行に（２００）面が優先配向している。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された濡れパターンの検査を、簡易にかつ確実に実行する。
【解決手段】パターン形成装置は、同一のゲート電極パターンが多数規則的に形成された透明な基板にパターンを形成する。液膜塗布手段は、基板１６に感光性撥液膜１８を塗布可能である。露光装置１０は、基板の裏面側に配置され基板上に塗布された撥液膜をゲート電極１３に応じたパターンに形成する。滴下装置５５は、露光手段が形成した撥液膜パターンを有する基板表面に検査液を滴下する。計測手段５８は、滴下装置が滴下した液滴を検出する。検出手段が検出した液滴に応じて露光装置の形成した撥液膜パターンの良否を判断手段が判断する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０１上に形成されたＣＭＯＳ回路において、Ｎチャネル型ＴＦＴにサブゲート配線（第１配線）１０２aとメインゲート配線（第２ゲート配線）１０７aを設ける。ＬＤＤ領域１１３は第１配線１０２aとは重なり、第２配線１０７aとは重ならない。このため、第１配線にゲート電圧を印加すればＧＯＬＤ構造となり、印加しなければＬＤＤ構造となる。回路仕様に応じてＧＯＬＤ構造とＬＤＤ構造とを使い分けることができる。 （もっと読む）

【課題】入力信号のＨレベルとＬレベルとを同時にレベルシフトすることができ、且つ低コストで製造できるレベルシフタ、及びレベルシフタを具備する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単一の導電型のトランジスタで構成されたオフセット回路を用いて、入力信号をオフセットする。そして、オフセットされた入力信号をオフセット回路と同じ導電型のトランジスタで構成された論理回路に供給することによって、入力信号のＨレベルとＬレベルとを同時にレベルシフトすることができる。また、オフセット回路と論理回路は単一の導電型のトランジスタで構成されているため、表示装置を低コストで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子の発光輝度の面内分布をより均一にすることができる有機ＥＬ装置を提供すること。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ装置は、少なくとも一方面に導電性を有する基板(10)と、上記基板の一方面上に形成される絶縁膜(50)と、各々、ソースが上記基板と接続されたｐチャネル型のトランジスタ(58,62,64,66)を含み、上記絶縁膜上に形成される複数の駆動回路と、上記駆動回路の各々に対応して上記基板上に形成され、一方端子が上記トランジスタのドレインと接続され、他方端子が共通グランドと接続される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子(82,88,90)と、を含む。また、導電性を有する基板の画素が形成される領域の外周部に電源供給用のパッドを設ける。 （もっと読む）

【課題】塗布による安価な有機トランジスタを作成しようとするとき、安価な電極材料では半導体との接触抵抗が大きく、接触抵抗の小さい電極材料は高価であるという問題がある。これを解決するために、材料費も製造コストも安価に済み、且つ半導体との接触抵抗が小さい高性能な有機トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電極本体は主に安価な第１の金属で作成し、その表面を高価だが高性能な第２の金属の薄膜で覆う構造を作成する。この構造を安価に安定に得るために、第１の金属と第２の金属の合金において第２の金属が表面偏析しやすいという性質を利用する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により、原料となるガスとして有機材料ガスを用いて絶縁膜を形成する際、温度の上昇を抑制しつつ、有機材料ガスの乖離を十分に行い、絶縁膜を良好なものとする。
【解決手段】 基板にプラズマＣＶＤ法を用いて絶縁膜を成膜する方法であって、前記プラズマＣＶＤ法において、絶縁膜の原料となるガスとして有機材料ガスを用い、且つプラズマを発生させるために印加する高周波電力を、一定の時間間隔を設けて印加することを特徴とする絶縁膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】下地層に対する導電層の密着性を向上させる。
【解決手段】基板Ｐ上に下地層形成材料を含む第１液状体を塗布する工程と、塗布した第１液状体を加熱処理して下地層Ｆ１を形成する工程と、下地層Ｆ１上に金属微粒子を含む第２液状体を塗布する工程と、塗布した第２液状体を加熱処理して導電層Ｆ２を形成する工程とを有する。下地層Ｆ１が未硬化状態となる条件で第１液状体を加熱処理した後に、第２液状体を塗布する。 （もっと読む）

【課題】本発明はオフ電流が低く、オンオフ比の大きい有機半導体トランジスタを比較的に低いコストで提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板上に配置された複数の電極(105)と、上記電極の相互間に配置された有機半導体層(108)と、上記有機半導体層の両側にそれぞれ配置された第１及び第２のゲート電極(102,110)と、上記有機半導体層と上記第１及び第２のゲート電極との相互間に配置されるゲート絶縁層(103,109)とを含み、上記第１及び第２のゲート電極は互いに接続され、両ゲート電極のうち少なくとも一方の電極が印刷法によって形成されている。 （もっと読む）

本発明は、導電または絶縁基板上に成長されるナノ構造体およびそれを作る方法を提供する。請求項の方法によって成長されるナノ構造体は、電子装置における相互接続および／または熱の散逸体に適切である。
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【課題】 高い配置精度を有する導電性パターンを、簡便な工程で得ることのできる手段を提供すること。
【解決手段】 基板１表面上にあらかじめ導電性パターンに応じて形成した凹部２に、機能液を注入し、機能液を導電膜６に変換することにより導電性パターンを形成させる。これにより、高精度に配置された導電性パターンを、大掛かりな設備を必要とせずに形成させることができる。しかも、材料を無駄に廃棄することがないので、材料使用率を向上させることができる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板上に形成されたデバイスに高品質コンタクトレベル接続部を形成するプロセスを提供する。一実施形態において、基板上に物質を堆積させるための方法であって、基板を酸化物エッチング緩衝液にさらして、前処理プロセスで水素化シリコン層を形成するステップと、基板上に金属シリサイド層を堆積させるステップと、金属シリサイド層上に第一金属層（例えば、タングステン）を堆積させるステップと、を含む前記方法が提供される。酸化物エッチング緩衝液は、フッ化水素とアルカノールアミン化合物、例えば、エタノールアミン、ジエタノールアミン、又はトリエタノールを含有することができる。金属シリサイド層は、コバルド、ニッケル、又はタングステンを含有することができ、無電解堆積プロセスによって堆積させることができる。一例において、基板は、溶媒と金属錯体化合物を含有する無電解堆積溶液にさらされる。 （もっと読む）

【課題】 既存のＣＶＤタングステン・プラグ金属化技術と比べて減少したプラグ抵抗を示し得る構造体を提供すること。
【解決手段】 基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、キャビティの底部に配置された、コバルト及び／又はニッケルのようなシリサイド又はゲルニウム化物層と、誘電体層の上部及びキャビティの内部に配置され、前記底部においてシリサイド又はゲルニウム化物層に接触する、Ｔｉ又はＴｉ／ＴｉＮを含むコンタクト層と、コンタクト層の上部及びキャビティの内部に配置された拡散バリア層と、バリア層の上部に配置された、めっきのための随意的なシード層と、ビア内の金属充填層とを含むコンタクト金属（メタラジ）構造体が、その製造方法と共に提供される。金属充填層は、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、亜鉛、及びこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材を用いて電着される。金属充填層がロジウム、ルテニウム、又はイリジウムである場合、金属充填物と誘電体との間に有効な拡散バリア層を必要としない。バリア層が、ルテニウム、ロジウム、又はイリジウムのようにめっき可能である場合、シード層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】シリコン−ゲルマニウム立体構造ＣＭＯＳにおいて、シリコンＣＭＯＳ素子とゲルマニウムＣＭＯＳ素子との間の局所配線を容易に形成する。
【解決手段】シリコンＣＭＯＳ素子を有するシリコン基板を準備し（１２）、該素子の上部に絶縁層を形成する（１４）。上記絶縁層を部分的に開口し（１６）、その上にゲルマニウム薄膜を形成する（１８）。アニール処理により、上記薄膜のゲルマニウムを流動化する（２４）。これにより、開口部に上記ゲルマニウムが流れ込み、該ゲルマニウムと上記シリコン基板および上記シリコンＣＭＯＳ素子との間に接点が形成される。さらに冷却することで、上記ゲルマニウムがＬＰＥ成長により結晶化される（２６）。そして、単結晶のゲルマニウム上にゲルマニウムＣＭＯＳ素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基材の形態に関わらず、透明性、緻密性、密着性等に優れた金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を霧化し、霧化された上記金属酸化物膜形成用溶液と金属酸化物膜形成温度以上の温度以上に加熱した基材とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材を上記金属酸化物膜が形成される成膜面側から加熱することを特徴とする、金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】隔壁により区画領域を設けて液滴吐出法により液滴を配置する際に、液滴吐出しない細線部にコンタクトホールなどの孔や段差があるとその部分に機能液がぬれ広がらない。
【解決手段】液滴吐出のために設けられる幅広部とコンタクトホールなどの孔や段差がある部分を一致させて、コンタクトホールの場合には上下導通の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】入出力配線やゲート配線などのように、長い距離にわたって形成されるような配線を低抵抗化し、動作性能の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】画素部に形成されたゲート配線、若しくは駆動回路と外部入力端子とを電気的に接続する入出力信号配線、を有し、前記ゲート配線若しくは前記入出力配線は、前記第１及び第２の薄膜トランジスタのゲート電極と同一層で且つ同一材料からなる第１配線と、前記第１配線の上に形成された第２配線と、を有し、前記第２配線は、前記第１配線よりも抵抗率が低い材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】チップ面積及び製造コストの増大を抑制しつつ、レーザ照射用の冗長回路を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の能動層として、本来の機能を有する回路を形成する工程と、前記第１の能動層に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、微細孔を形成する工程と、前記微細孔が形成された絶縁層上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層に対してレーザ照射による熱処理を行うことで、前記微細孔を起点として略単結晶化された結晶粒を形成する工程と、前記略単結晶化された結晶粒を用いて第２の能動層としてのレーザリペア用の冗長回路を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

第１電極層が接触し且つ第２電極層が誘電体層(8)により分離されている半導体層を含む多層半導体デバイスのための電極構造体を製造する方法は、デバイス内の支持層の選択されたエリアのみにパターン化材料(20)を付与して、第１電極層の構成体を画成するステップと、パターン化材料(20)に応答するようにされた触媒(24)を前記支持層に付与するステップと、支持層に導電性材料(26)を付与して、第１電極層を形成するステップと、を備え、前記支持層、パターン化材料(20)、及び触媒(24)が協働して、触媒(24)が付与された支持層の選択されたエリアのみに導電性材料(26)が堆積されるようにする。薄膜トランジスタ(2)は、エポキシド材料を含むゲート絶縁層(8)を有する。 （もっと読む）

少なくとも１つの金属層が含まれている半導体デバイスを基板上に製造するための方法。この方法は、上記基板を除去して第２基板を付着するステップと、少なくとも１つの金属層上に電磁放射線のビームを照射することによって、少なくとも１つの金属層をアニーリングするステップとを含む。 （もっと読む）