【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、画素部に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを用い、さらに駆動回路の少なくとも一部の回路も酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯ層とＩＴＯ層とを電気的に接続する場合には、易加工性を備え電気抵抗率が低いアルミ等の金属と高融点金属としてのチタン等との積層構造を用いる必要があるが、積層構造を形成する場合、複数の金属層を形成する必要がある。そのため製造工程が増えると共に、パーティクル等の発生確率が増え、歩留まりを落とすという課題がある。
【解決手段】ＩＴＯ等の金属酸化物を用いた画素電極２ａが、層間絶縁層９に形成されたコンタクトホール９ａを介してＩＧＺＯ層を用いた配線層７ａと電気的に接続している。画素電極２ａとＡｌ−Ｎｄ合金を用いた上電極６ｃと直接接触させた場合、コンタクト抵抗が高くなるが、配線層７ａにＩＧＺＯ層を用い、画素電極２ａにＩＴＯ等の第２金属酸化物配線層を用いた場合、互いの構造が類似していることから、密接させるだけで接触抵抗の増大を招くことなく電気的に導通を取ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】メモリ機能等を有する機能膜の水による劣化を防止すること。
【解決手段】成膜装置内で、機能膜が形成された基板上に、上記機能膜を覆うように、絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、形成した上記絶縁膜の表面をプラズマに曝すプラズマ処理工程とを繰り返すこと。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層上にＣｕバンプを形成可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、シリコン基板１上に形成される保護層６と、前記保護層６に形成され、前記シリコン基板１に形成される半導体素子と電気的に接続するＣｕ配線層９と、前記Ｃｕ配線層９を被覆し、前記保護層６上に形成される樹脂膜１０と、前記樹脂膜１０に形成される開口領域を介して前記Ｃｕ配線層９と接続するパッド電極１２と、前記パッド電極１２上に形成されるＣｕから成るスタッドバンプ２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層上にＣｕワイヤを実装可能とする半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、シリコン基板１上に形成される保護層６と、前記保護層６に形成され、前記シリコン基板１に形成される半導体素子と電気的に接続するＣｕ配線層９と、前記Ｃｕ配線層９を被覆し、前記保護層６上に形成される樹脂膜１０と、前記樹脂膜１０に形成される開口領域１１を介して前記Ｃｕ配線層９と接続するパッド電極１２と、前記パッド電極１２上にワイヤボンディングされるＣｕワイヤ１４とを有し、前記Ｃｕワイヤ１４と前記Ｃｕ配線層９との間には合金層１３が配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルにおいて、Ａｌ系金属からなるゲート電極等がレジスト現像液およびレジスト剥離液によるダメージを受けにくいようにする。
【解決手段】 Ａｌ系金属からなるゲート電極２およびゲート配線３の上面にＡｌ酸化膜２ａ、３ａを形成すると、ゲート電極２およびゲート配線３の上面がレジスト膜４３ａ、４３ｂ、４３ｃ用の現像液および剥離液にさらされることがなく、ゲート電極２およびゲート配線３がレジスト膜４３ａ、４３ｂ、４３ｃ用の現像液および剥離液によるダメージを受けにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 ビア開口部の底部にガウジング構造部を含む相互接続構造体、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、ビア開口部の上に配置されるライン開口部内の堆積されたトレンチ拡散バリアの被覆率に影響を与えず、及び／又は、ビア開口部及びライン開口部を含む相互接続誘電体材料内にスパッタリングを行なうことによりビア開口部の底部にガウジング構造部を生成することに起因する損傷を生じさせない。こうした相互接続構造体は、最初に相互接続誘電体内にライン開口部を形成し、その後、ビア開口部、次いでガウジング構造部を形成することによって、ビア開口部の底部内にガウジング構造部を提供することにより達成される。 （もっと読む）

【課題】高誘電率膜のゲート絶縁膜を含むＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置に関し、メタルゲート材料の仕事関数と半導体基板の仕事関数との間の関係によって閾値電圧を容易且つ浅い値に制御しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に酸化シリコンを主体とする第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化ハフニウムを主体とする第２の絶縁膜を形成し、熱処理を行い第２の絶縁膜上にシリコンを析出させ、シリコン上にシリコンに対して酸化作用を有する第３の絶縁膜を形成し、第３の絶縁膜上に金属膜のゲート電極を形成し、熱処理を行い第３の絶縁膜の酸化作用によってシリコンを酸化させる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に、接着層等を形成するための別の工程を加えることなく、基板との密着性の高い導電性配線を簡単に形成することができる配線形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂基板１上に、導電性微粒子を含有する分散溶液の塗布層３を形成する工程と、レーザ光６を塗布層３の特定領域に連続的に照射していくことで、導電性微細配線４を形成する工程と、導電性微細配線４以外の領域の材料を除去する工程とを備え、塗布層３の厚さをｄ、塗布層３の光吸収係数をα、レーザ光６の入射光強度をＩ₀、樹脂基板１上に到達するレーザ光６の透過光強度をＩ₁とするとき、以下の関係式から成り立つことを特徴とする。
ｌｏｇ（Ｉ₁／Ｉ₀）＝−αｄ （もっと読む）

【課題】金属配線を保護する保護膜の被覆性を向上させることができる半導体装置を得る。
【解決手段】金属配線１４の屈曲部１６の配線幅が広くなると、配線をパターニングするためのレジストの塗布幅が広くなる。レジストの塗布幅が広くなるとレジストの量が増え、レジストプロファイルのテーパー形状が強くなる（側面が寝てくる）。これにより、パターニングされた金属配線１４の側面（メタルエッチング形状）もテーパー形状が強くなる（側面が寝てくる）ため、屈曲部１６を覆うパッシベーション保護膜の膜厚が厚くなる。これにより、金属配線を保護する保護膜の被覆性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性領域１１を有する下地と１０、下地の表面を覆う絶縁性エッチストッパ膜１２と、絶縁性エッチストッパ膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜表面から第１の深さで形成された配線用溝と、配線用溝底面から導電性領域に達する接続用孔と、配線用溝および接続用孔を埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線である。層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。接続用孔は、断面で見た時に第１種の絶縁層内で傾斜し、上方に向かって次第に開口が増大する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】半導体基板１上に積層された複数の層間絶縁膜１６、１９、２２と、複数の層間絶縁膜１６、１９、２２の最上面の上に形成され、外部からプローブが当てられるプローブ接触領域を有するパッド２５と、複数の層間絶縁膜１６、１９、２２の間に形成される複数層の配線１２，１５、１８と、パッド２５のプローブ接触領域の直下の領域に形成され、前記層間絶縁膜２２が充填される非直線状スリットか孔の少なくとも一方を有する導電性パターンを有する応力緩和部４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】既にデバイスや配線が形成されている半導体基板に対し、効率良く貫通電極を形成する貫通電極付き半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の主面に第１のシリコン酸化膜１２を形成し、主面Ａからもう一方の主面側の第１のシリコン酸化膜１２に達する細孔１３を形成し、細孔１３の孔壁に第２のシリコン酸化膜１４を形成し、第１のシリコン酸化膜１２上に第１の金属薄膜１５および第２の金属薄膜１６を形成し、細孔１３の端部における第１のシリコン酸化膜１２を除去し、細孔１３内に導電性物質を充填し貫通電極１７を形成する貫通電極付き半導体基板の製造方法。細孔１３を、ＤＲＩＥ法で形成する。導電性物質を、溶融金属吸引法または印刷法により細孔１３内に充填する。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＩＳＦＥＴのゲート抵抗を低減し、装置の特性の向上を図る。
【解決手段】チップ領域ＣＡのＹ方向にストライプ状に形成された複数の溝の内部の多結晶シリコン膜よりなるゲート部と電気的に接続されるゲート電極ＧＥを、前記ストライプ状の溝の間に形成されるソース領域と電気的に接続されるソース電極ＳＥと同層の膜で形成し、さらに、ゲート電極ＧＥを、チップ領域ＣＡの周辺に沿って形成されたゲート電極部Ｇ１と、チップ領域ＣＡをＸ方向に２分割するよう配置されたゲートフィンガー部Ｇ２とで構成し、ソース電極ＳＥを、ゲートフィンガー部Ｇ２の上部に位置する部分と、下部に位置する部分とで構成し、ゲート電極ＧＥおよびソース電極ＳＥをバンプ電極を介してリードフレームと接続する。 （もっと読む）

【課題】配線層による層間絶縁膜の凹凸の影響を排除することで、平坦化を容易とすることができる層間絶縁膜の平坦化方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜の平坦化方法は、まず、配線層１２ａ，１２ｂを形成し、高密度プラズマＣＶＤにより配線層１２ａ，１２ｂを覆って第１ＨＤＰ酸化膜１３を形成し、テトラエトキシシランガスを用いたプラズマＣＶＤにより第１ＨＤＰ酸化膜１３上にＰＬ−ＴＥＯＳ酸化膜１４を形成し、高密度プラズマＣＶＤによりＰＬ−ＴＥＯＳ酸化膜１４上に、第２ＨＤＰ酸化膜１５を形成する。次に、ＰＬ−ＴＥＯＳ酸化膜１４が露出するまでＣＭＰにより第２ＨＤＰ酸化膜１５を研磨する。そして、ＰＬ−ＴＥＯＳ酸化膜１４が除去されるまで、第２ＨＤＰ酸化膜１５とＰＬ−ＴＥＯＳ酸化膜１４とを同時にＣＭＰにより平坦化する。そうすることで、平坦化された層間絶縁膜１０を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】良質な配線構造、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】第１の導電材及び第１の絶縁層を有する第１の配線層と、前記第１の絶縁層上の第２の配線層とを備え、前記第２の配線層は第２の絶縁層と、ヴィア及びトレンチを有する開口部とを有し、前記開口部は、第２の導電材と、前記第２の導電材と、前記第２の絶縁層との間の２層以上のバリア層とを有し、前記第２の導電材は、前記第１の導電材と電気的に接続され、前記２層以上のバリア層は、前記開口内の前記第２の絶縁層と第１のバリア層とが接触し、且つ前記第１のバリア層とＭｎＯ_ｘ含有バリア層とが接触する領域と、前記第２の絶縁層と前記ＭｎＯ_ｘ含有バリア層が接触する領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面側で、Ａｌ電極膜表面にボイドが形成され難くすることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１の一方の主面側に半導体機能領域と所要のコンタクトホール８を含む層間絶縁膜７パターンを形成した後、該半導体基板１の前記一方の主面側の全面に、厚膜のアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を成膜して前記コンタクトホール８の底面を含む半導体基板１表面に導電接触させて所要の電極膜９を形成する際に、前記アルミニウムの成膜工程を膜厚に関して複数回に分け、複数回の前記アルミニウム成膜工程の間に、直前のアルミニウム膜表面の凹凸を等方性エッチングにより平坦化する工程を設ける半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層上にＣｕワイヤを実装可能とする半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、シリコン基板１上に形成される保護層６と、前記保護層６に形成され、前記シリコン基板１に形成される半導体素子と電気的に接続するＣｕ配線層９と、前記Ｃｕ配線層９を被覆し、前記保護層６上に形成される樹脂膜１０と、前記樹脂膜１０に形成される開口領域１１を介して前記Ｃｕ配線層９と接続するパッド電極１２と、前記パッド電極１２上にワイヤボンディングされるＣｕワイヤ１３とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、低コストで省資源である方法を採用し、実用性に富み、任意の場所、任意の形状に金属又は半導体を二次元的又は三次元的に形成できる半導体素子及びその製造装置を提供する。
【解決手段】炭素材料と金属酸化物材料又は半導体酸化物材料とを有する還元反応構造１Ａを持つ層構造３０Ａを準備し、還元反応構造１Ａに対して局所的にエネルギーを集中することが可能で、かつ還元反応構造１Ａに対して２次元的又は３次元的に走査することが可能な熱源を用い、この熱源によって酸化還元反応が起こる温度以上に還元反応構造１Ａの一部を走査しつつ選択的に加熱して、炭素材料により金属酸化物材料又は半導体酸化物材料をそれぞれ金属又は半導体に還元し、所望の形状の金属領域又は半導体領域（金属層又は半導体層３Ａ）を形成することによって製造されることを特徴とする半導体素子４０Ａとすることにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、多層配線構造におけるライン間容量を低減しながら、多層配線構造の機械的強度の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上に配された多層配線構造とを備え、前記多層配線構造は、第１の導電ラインと、前記第１の導電ラインを覆う絶縁膜と、前記半導体基板の表面に垂直な方向から透視した場合に前記第１の導電ラインと交差するように前記絶縁膜の上に配された第２の導電ラインとを含み、前記絶縁膜は、前記第１の導電ラインと前記第２の導電ラインとの交差する領域にギャップを有し、前記ギャップにおける前記第２の導電ラインに沿った方向の幅は、前記第１の導電ラインの幅以下である。 （もっと読む）