金属間化合物導体材料は、集積回路において相互接続を形成するために使用される。いくつかの場合では、この金属間化合物導体材料は、アルミニウムの金属間化合物合金であり得る。
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【課題】フォト工程の低減を図った表示装置の製造方法。
【解決手段】第１導電型ＴＦＴと第２導電型ＴＦＴの各形成領域に、半導体層、第１絶縁膜、ゲート電極が形成され、前記半導体層のチャネル領域の各外側に第１導電型不純物領域が形成されている基板上に第２絶縁膜を形成し、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極を露出させることなく、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極のうち半導体層と交差する各辺の一部を露出させるようにして、ドレインおよびソースの各電極の接続用のコンタクトホールを形成し、多層導電層によって、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域における前記各コンタクトホール、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において前記各コンタクトホールのゲート電極の一部を被うようにして、ドレインおよびソースの各電極を形成し、第２導電型不純物をドープして、半導体層に第２導電型不純物領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】蓄積容量素子の占有面積を小さくすることが可能な薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、基板１上に形成され、ソース／ドレイン領域を有する半導体層３と、ゲート絶縁膜４と、ゲート電極５と、層間絶縁膜６ａと、ソース／ドレイン領域に接続する配線電極７１、７２と、保護膜８と、配線電極７２に接続する画素電極９と、半導体層３より延在して形成された下部容量電極３ａと、ゲート電極５と同じ層によって形成され、ゲート絶縁膜４を介して下部容量電極３ａの対面に配置された共通配線電極５ａと、層間絶縁膜６ａより膜厚の薄い誘電体膜（保護膜８）を介して共通配線電極５ａの対面に配置された上部容量電極９ａと、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層１１と層間絶縁膜１２とが順に形成され、層間絶縁膜１２にトレンチ溝１３とトレンチ溝１３中に配線層１１に達するビア孔１４とが形成され、トレンチ溝１３とビア孔１４と層間絶縁膜１２との表面に金属膜１５が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔１４の底部の金属膜１５をエッチングするとともに、全面に金属膜１６が成膜されて、さらに、ビア孔１４の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔１４とトレンチ溝１３とを導電性材料１７ａで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】 密着性の確保と抵抗値の上昇を抑制した下地膜あるいはカバ−膜を有する金属薄膜配線を提供する。
【解決手段】 Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜の下地膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。また、Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜のカバー膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。 （もっと読む）

【課題】金属抵抗素子の形成位置を画定するための写真製版技術における露光時にレジスト膜中に定在波が発生するのを防止して金属抵抗素子の寸法バラツキを低減する。
【解決手段】金属抵抗素子２７の下地絶縁膜２３は、金属抵抗素子２７の長手方向において、金属抵抗素子２７の接続孔２５，２５間における上面の４０％以上の部分を占める上側に凸の１つの曲面を備えている。金属抵抗素子２７はその長手方向において下地絶縁膜２３の曲面に起因して、コンタクト、コンタクト間における上面及び下面の４０％以上の部分を占める上側に凸の１つの曲面を備えている。金属抵抗素子２７の形成位置を画定するための写真製版技術における露光時に、金属抵抗素子２７を形成するための金属膜の上面及び下面で露光光の反射光は上記曲面により散乱されるので、反射光と入射光によるレジスト膜中での定在波の発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の端子部において界面抵抗の増加を抑制することである。
【解決手段】電気光学装置である液晶表示装置の下基板の画素部１４において、画素用接続配線２４、画素用透明導電膜２８の導電積層膜が形成され、端子部２０において、端子用接続配線１２４、端子用透明導電膜１２８の導電積層膜が形成される。ここで、画素用接続配線２４と端子用接続配線１２４とは同一工程で形成され、下層側から上層側に向かって、チタン／アルミニウム／チタンがこの順に積層されて構成される。その後に平坦化膜６４と保護絶縁膜６２の開口部処理が行われ、表面エッチング液によって最上層のチタンの表面生成物が除去される。そして、画素用透明導電膜２８と端子用透明導電膜１２８とが同一工程で形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性及び生産性を向上させる。
【解決手段】本発明では、半導体基板上に形成させた第１の絶縁膜内に金属配線を配設し、配設した金属配線の表面に第１のプラズマ処理を施し、第１のプラズマ処理を施した金属配線の表面にシリコン系ガスを晒し、シリコン系ガスを晒した金属配線の表面に第２のプラズマ処理を施し、金属配線上にシリコン含有層を形成し、シリコン含有層上に第２の絶縁膜を形成するようにした。これにより、半導体装置の微細化に伴うエレクトロマイグレーションが抑制されると共に、ストレスマイグレーションが充分抑制され、半導体装置の電気的信頼性が向上し、生産性の高い半導体装置の製造方法が実現する。 （もっと読む）

【課題】基板の画素領域の外側のパッド領域に具備されたパッド電極が製造工程中に損傷するのを防止できる、表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１２上の画素領域Ａ１００に薄膜トランジスタを形成するとともに第１基板１２上のパッド領域Ａ１１０にパッド電極２４を形成する段階と、薄膜トランジスタと連結する第１画素電極６０及びパッド電極２４を覆うパッド保護層６２を同時に形成する段階と、パッド保護層６２を除去し、パッド電極２４を露出させる段階と、を含むことを特徴としており、パッド電極２４上にパッド保護層６２を形成することによって、第１画素電極６０をパターニングする際のエッチング液によるパッド電極２４の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線膜のエッチング加工において、溶け残り不良を抑制する。
【解決手段】酢酸濃度を５％以上含有する燐酸を主成分とするエッチング液、または、ヘキサン酸等の脂肪酸を含有するエッチング液により、レジスト上でのエッチング液の接触角を低減することができ、濡れ性を改善できる。このエッチング液を用いることによって、エッチング残りが生じ易いパターンにおいても、エッチング残りがないパターンを形成することができ、歩留まりよく液晶表示装置を製造できる。 （もっと読む）

【課題】特に半導体製造プロセスにおける基板表面に形成された銅等の導電性物質の研磨において、低い印加電圧で導電性物質に対するより高い加工速度を確保しつつ、高い平坦化特性を有する加工面を得ること、ディッシングやエロージョン、バリア膜と金属（導電性物質）の界面でのエッチングを生じさせることなく、不要な導電性物質を除去してバリア膜を露出させることができるようにする。
【解決手段】被研磨物表面の導電性物質を研磨する電解研磨に用いる電解液であって、有機酸またはその塩の１種類以上と、スルホン酸基を有する強酸の１種類以上と、腐食抑制剤と、水溶性高分子化合物を含む水溶液であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気的な特性が向上される半導体素子の形成方法を提供する。
【解決手段】この方法は、導電パターン１０５を有する半導体基板１００の上に絶縁膜１１０を形成する。絶縁膜をパターニングして導電パターンの一部を露出する開口部１１５を形成し、開口部の内壁及び絶縁膜の上部面に予備拡散防止膜１２０を形成する。予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜１２０ａを形成する。第１拡散防止膜により囲まれている開口部を埋める金属膜１５２を形成する。この方法により製造された半導体素子及び半導体素子の製造に利用する半導体クラスタ装備を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置に係り、特に、液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、液晶表示装置用アレイ基板にデータ配線と薄膜トランジスタを構成する時、アクティブ層がデータ配線の外側及びゲート電極の外側へと露出されないように構成することを特徴とする。また、前述した構成を含む液晶表示装置用アレイ基板を、３マスク工程によって製作する。従って、本発明による液晶表示装置は、前記アクティブ層に光による光電流が発生しないので、波状ノイズ及び薄膜トランジスタの漏洩電流の特性を最小化する長所があって、マスク工程の単純化により費用及び時間を節約することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ／誘電体の界面に沿ったエレクトロマイグレーション不良は、ＶＬＳＩ回路の用途において大きな信頼性の問題として認識されている。
【解決手段】 Ｃｕ／誘電体の界面におけるＣｕ移動および原子ボイド形成を低減させるために、Ｃｕ相互接続の上に高い引っ張り応力のキャッピング層を設ける。引っ張り応力の高い誘電膜は、薄い誘電体材料を多層に堆積することによって形成する。これらの層は各々、厚さが約５０オングストローム（５ｎｍ）未満である。各誘電体層にプラズマ処理を行った後に、これに続く各誘電体層を堆積することで、誘電体キャップが内部引っ張り応力を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】ソース／ドレイン電極用金属膜による基板のストレスを減少させて素子の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置し、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域を有する半導体層と、前記半導体層を含む基板上に位置するゲート絶縁膜と、前記半導体層のチャネル領域に対応するように、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極を含む基板上に位置し、前記半導体層のソース／ドレイン領域に連結されるコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記コンタクトホールを介してソース／ドレイン領域に連結されるソース／ドレイン電極と、を備え、前記ソース／ドレイン電極は、第１金属膜、第２金属膜及びこれら間に介在された金属酸化膜を有する。 （もっと読む）

【課題】不良が生じにくい素子構造及び当該素子を有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の電極層と第２の電極層からなる一対の電極層間に有機化合物を含む層を有する素子構造とし、一対の電極層のうち、少なくとも一方の電極層のヤング率を７．５×１０^１０Ｎ／ｍ^２以下とする。作製される素子の用途に応じた有機化合物を用いて有機化合物を含む層を形成し、記憶素子、発光素子、圧電素子、有機トランジスタ素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ画像構造及びその製造方法を提供する。３回のレジストマスキングで薄膜トランジスタを形成し、アレイ形成工程のコスト及び設備の使用時間を削減し、生産率を向上する。
【解決手段】基板上に形成されたゲートライン及びゲート電極と、ゲートライン及びゲート電極上に形成された第１のゲート絶縁層、活性層及びドップト層と、ドップト層に形成されたデータライン、第１のソース・ドレイン電極及び第２のソース・ドレイン電極とを含む。第１のソース・ドレイン電極と第２のソース・ドレイン電極は離間し、データラインは第１のソース・ドレイン電極に接続する。ゲートラインに、その上のドップト層及び活性層を分断する分断溝が形成され、第２の絶縁層はその分断溝とゲートライン及びゲート電極以外のガラス基板を覆うように配置され、画素電極は第２のソース・ドレイン電極と一体となるように第２の絶縁層上に形成する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入とホトリソグラフィーの工程数を削減できる構造をもつ薄膜トランジスタとすることで、製造にかかる時間を短縮した画像表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極ＧＴを薄い下層金属ＧＭＢと上層金属ＧＭＴの積層構造とし、保持容量Ｃｓｔ部分の上層電極を下層金属ＧＭＢのみとする。そして、保持容量Ｃｓｔの下部電極用インプラを、薄い下層金属ＧＭＢを通過させて、ソース・ドレインのインプラと同時に行う。ＰＭＯＳＴＦＴのゲート電極も下層金属ＧＭＢのみとし、ソース・ドレインのインプラと閾値調整インプラを同じレジストを利用して行う。薄膜トランジスタと保持容量をこのような構造としたことで、ホト工程とイオン注入工程が各々１工程削減でき、より短時間で、より廉価に画像表示装置のためのアクティブ・マトリクス基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】 Ｔｉ合金を用いることにより被処理体の表面の凹部におけるコーナエッチング耐性を向上させることができるバリヤ層を提供する。
【解決手段】被処理体２の表面に絶縁層６と導電層１２とを形成する際に前記絶縁層と前記導電層との間に介在されるバリヤ層１０において、このバリヤ層は、Ｔｉ（チタン）金属よりなる母材に、遷移金属群より選択された１又は２以上の金属を混合してなるＴｉ合金膜８８を含むように構成する。これにより、被処理体の表面の凹部におけるコーナエッチング耐性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ、それを備えた平板ディスプレイ装置、該有機薄膜トランジスタの製造方法及びその製造に使われるシャドーマスクを提供する。
【解決手段】それぞれドレイン電極と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とソース電極との間の半導体要素のチャンネルと、を備えた複数個の薄膜トランジスタを備えた基板が提供されるが、一トランジスタのドレイン電極とソース電極との間の最小距離は、隣接したトランジスタの電極間の最小距離または基板の他の配線と電極との間の最小距離より小さく、薄膜トランジスタの半導体要素のチャンネルは、規則的なパターンの半導体要素で形成されるが、半導体要素の最大サイズは、隣接した対の電極間の最小距離（または基板の他の配線と電極との間の最小距離）より小さいが、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離とは少なくとも同じある薄膜トランジスタを有する基板である。 （もっと読む）