【目的】配線抵抗の上昇を抑制したまま、ＥＭ特性を改善させる半導体装置或いはその製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０６）と、開口部内に、ケイ化物の形成エネルギーがＣｕケイ化物の形成エネルギーよりも小さい金属含有膜を形成する工程（Ｓ１０８）と、前記金属含有膜が形成された開口部内に銅（Ｃｕ）膜を埋め込む工程（Ｓ１１２）と、Ｃｕ膜上に、３００℃未満の温度でＣｕとＳｉとを含有する化合物膜を選択的に形成する工程（Ｓ１２０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】微細配線であっても、Ｃｕ配線の配線抵抗上昇の低減と信頼性向上とを両立する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁膜２と、絶縁膜２に形成された溝５と、溝５の側壁及び底面に形成された、チタン（Ｔｉ）とタンタル（Ｔａ）との合金からなるバリアメタル膜３と、バリアメタル膜３に積層され、溝５の中に位置する銅（Ｃｕ）配線４と、を有する。バリアメタル膜３のチタン濃度は、０．１ａｔ％以上１４ａｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置への出し入れ回数を減らした表示装置の製造方法および表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置の製造方法は、絶縁基板上に第１の電極膜と第２の電極膜とを含む導電層、第１の絶縁層、半導体膜、第２の絶縁層および保護層を形成する工程と、半導体膜の上方の第１の領域に配置される所定の厚さの第１のレジスト膜と、第２の電極膜の上方の第２の領域に配置される開口部と、それら以外の領域に配置される厚い第２のレジスト膜と、を保護層上に形成する工程と、第２の領域下をエッチングする工程と、第１のレジスト膜をアッシングにより除去する工程と、第１の領域下に半導体膜に達する第１の孔を形成し、かつ第２の領域下に第２の電極膜に達する第２の孔を形成する工程と、第２のレジスト膜を除去する工程と、半導体膜および第２の電極膜と接続される配線を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】銅、銅／モリブデンまたは銅／モリブデン合金の食刻組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量を基準に、１２〜３５重量％の過酸化水素、０．５〜５重量％の硫酸塩、０．５〜５重量％のリン酸塩、０．０００１〜０．５重量％のフルオロイオンを提供できるフッ化物、０．１〜５重量％の第１水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のキレート剤、０．１〜５重量％の第２水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のグリコール、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする脱イオン水を含む銅膜、銅／モリブデン膜または銅／モリブデン合金膜の食刻組成物。 （もっと読む）

【解決手段】
進歩的なメタライゼーションシステムを製造する間、敏感な誘電体材質上に形成される誘電体キャップ層が、過剰な金属を除去するためのＣＭＰプロセスの間に部分的に維持されてよく、それにより、ＣＭＰプロセスの間に誘電体キャップ材質を実質的に完全に消耗する場合に従来の手法で必要であろうような専用のエッチング停止層を堆積させる必要性が回避され得る。従って、低減されたプロセスの複雑性及び／又は高い柔軟性が低ｋ誘電体材質の高い完全性との組み合わせにおいて達成され得る。 （もっと読む）

【課題】ダマシン銅配線等おける無電解銅めっきでシード層を形成した際の、成膜均一性、および密着性を、単体の金属上に無電解銅めっきを行った場合と比較して向上させ、さらに、銅シード層の成膜に先立つバリア層と触媒金属層との二つの層形成の煩雑さを解消して、超微細配線の形成が可能な、薄くかつ均一な膜厚でシード層を成膜しためっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上に、無電解めっき液に含まれる銅イオンと置換めっきが可能でかつ銅に対してバリア性を持つ金属Ｂと、銅に対してバリア性を持つ金属Ａからなる銅拡散防止用バリア合金薄膜が形成され、該銅拡散防止用バリア合金薄膜が、前記金属Ａを１５原子％以上、３５原子％以下とする組成であり、その上に無電解置換めっきにより銅薄膜が形成されたことを特徴とするめっき物。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜とＣｕを含む配線との間に介在する下地膜であって、特に酸素のバリア性が高い下地膜を含む電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、凹部の形成された絶縁膜と、凹部内に形成され、Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と前記配線層との間に形成され、Ｔａ及びＭｎを含む下地膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】電磁波検出素子の製造に際し、フォトダイオードなどの半導体層の下層に配置される層間絶縁膜の材料制約を緩和する。例えば、有機系材料からなる層間絶縁膜の配置を可能にする。
【解決手段】ＴＦＴアレイが形成された基板１の上に、ＴＦＴアレイを覆うように層間絶縁膜１２を形成した後、ＰＩＮ型のフォトダイオード層６の形成前に、フォトダイオード層６よりエッチング速度の遅いＩＺＯ膜１４を形成し、フォトダイオード層６の一部を、ＩＺＯ膜１４が露出するまでドライエッチング処理により除去してパターニングした後、露出したＩＺＯ膜１４をフォトリソグラフィー技術により除去してパターン化することにより下部電極１４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗物質からなると同時に低抵抗の接触特性を有する配線の接触構造及びその製造方法の提供にある。本発明の他の課題は、接触特性の良い配線の接触構造を含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手段】基板上に開口部を有する配線を形成する工程、前記配線を覆う絶縁膜を積層する工程、前記絶縁膜をパターニングし前記開口部を露出する接触孔を形成する工程、及び前記絶縁膜上に前記接触孔を通じて前記配線と接触する第１導電層を形成する工程を含む配線の接触構造形成方法。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下がなく、配線間容量を実用上十分に低減できる配線構造を有する半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１００の上に形成された第１の層間絶縁膜１０１と、該第１の層間絶縁膜１０１に形成された複数の溝部に埋められた、導電性部材からなる複数の下部配線１０５とを有している。第１の層間絶縁膜１０１における複数の下部配線１０５の隣り合う配線同士の間には、第１の層間絶縁膜が除去されてなる空隙部１０１ｃが選択的に形成されている。また、空隙部１０１ｃの下端部の位置は、各下部配線１０５の下端部の位置よりも低い。 （もっと読む）

【課題】微細化によっても配線間ショートによる不良の発生を確実になくしつつ、ＥＭ耐性をより向上することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の第一の層間絶縁膜２に配線溝を形成し、その配線溝に第一のＣｕ膜４を堆積して第一のＣｕ配線５を形成し、その第一のＣｕ配線５上および第一の層間絶縁膜２上に第一のライナー膜６を形成し、その第一のライナー膜６に第一のＣｕ配線５の表面が露出するように第一のＣｕ配線５上に開口部１３を部分的に形成し、その開口部１３内に露出した第一のＣｕ配線５の表面にキャップメタル膜７を形成する。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板の低抵抗配線を具現する。
【解決手段】アレイ基板１００はベース基板１０１、ゲート配線ＧＬ、第１絶縁層１２０、第２絶縁層１６０、データ配線、及び画素電極ＰＥを含む。ゲート配線ＧＬはベース基板１０１に形成された第１シード層１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、第１シード層１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの上に形成された第１金属層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃからなる。第１絶縁層１２０はゲート配線ＧＬが形成されたベース基板１０１の上に形成され、第２絶縁層１６０はその上にゲート配線ＧＬと交差する方向に配線トレンチＨ３が形成される。データ配線ＤＬは配線トレンチＨ３の下に形成された第２シード層１４１ｄ及び配線トレンチ内に形成された第２金属層１４２ｄからなる。このように絶縁層を利用して一定の深さを有するホールを形成し、ホール内にめっき方式で金属層を形成することで、金属配線の厚さを厚く形成できる。 （もっと読む）

【課題】薄膜抵抗層を損傷することなく形成して、抵抗値の制御性を向上するとともに、微細化にも有利な薄膜抵抗体の製造方法を提供する。
【課題の解決手段】半導体基板１上に設けた絶縁層２上に薄膜抵抗層３のパターンを形成する工程と、レジストのパターンを用いて薄膜抵抗層３の配線接続領域に金属層６を形成する工程と、レジストを除去した後に金属層６を含む薄膜抵抗層３全体を覆うように層間絶縁膜７を形成する工程と、層間絶縁膜７に金属層６に達する開口部（コンタクトホール）１０を形成する工程と、少なくとも開口部（コンタクトホール）１０を含む領域に金属層６と接続される配線層１２を形成する工程とを、順次施す。 （もっと読む）

【課題】配線に低抵抗な材料を用いることにより、画素部の大面積化に対応し得る半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
ゲート電極及び第１の配線上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上にゲート電極と重なって形成された半導体層と、絶縁膜上に形成され、かつ、半導体層に電気的に接続された接続電極と、を有し、接続電極は、絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して第１の配線に電気的に接続され、ゲート電極及び第１の配線は、第１の導電層と、第１の導電層上の第２の導電層と、第２の導電層上の第３の導電層とでなる積層構造を有し、第２の導電層は、第１の導電層及び第３の導電層より低抵抗であり、第１の導電層及び第３の導電層は、第２の導電層より高融点の導電材料からなり、第２の導電層の端部における断面形状はテーパー形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微小ビアでの接続信頼性を確保した信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１上に配されるとともに、少なくとも１以上の第１配線層、少なくとも１以上の第１絶縁層、及び第１ビアを有する第１配線構造体１２と、第１配線構造体１２上に配されるとともに、少なくとも１以上の第２配線層１５、少なくとも１以上の第２絶縁層１４、第２ビア１６、及び第３ビア１９を有する第２配線構造体１７と、第２配線構造体１７上に設けられた外部端子１８と、を備える半導体装置において、第２配線構造体１７の第２配線層１５と外部端子１８に接合される第２ビア１６は、外部端子１８側の端部に接合界面１６ａが配されている。 （もっと読む）

【課題】
互いにパターン（平面形状）の異なる２種類以上の薄膜を積層した積層構造を形成する工程にて、１回のフォトリソグラフィ工程で夫々の薄膜形状を画定すること。
【解決手段】
基板１上に２層の薄膜３，２を順次成膜し、次に薄膜２の上面に形成された第１マスクパターン４を用いて薄膜２のエッチングを行い、第１の薄膜パターン６を形成する。その後、第１マスクパターン４を残した状態で第１マスクパターン４及び薄膜２の上に、有機材料のオフセット印刷、インクジェット印刷、又はディスペンサノズルによる追加塗布で第２マスクパターン５を形成する。最後に、薄膜３を第１マスクパターン４及び第２マスクパターン５を用いて第２の薄膜パターン７に成形し、続いて２つのマスクパターン４，５を除去する。以上の工程により、フォトリソグラフィが第１マスクパターン４を形成する１回のみに制限されるも、基板１の主面に所望の積層構造が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の選択範囲を広げることのできる導電膜の形成方法と、描画面積が大きくなった場合の生産性の低下を抑制可能な導電膜の形成方法とを提供する。また、これらの方法によって形成された導電膜からなる電極を提供する。
【解決手段】金属超微粒子を含むインクを基板の上に塗布した後、荷電粒子ビームを照射しながら２００℃以下の温度でインクを焼成して導電膜を得る。荷電粒子ビームは電子ビームとすることができる。また、金属超微粒子を含むインクを基板の上に塗布した後、紫外線ランプで紫外線を照射しながら２００℃以下の温度でインクを焼成して導電膜を得る。いずれの場合においても、塗布はインクジェット法によって行われることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】活性層の表面の酸化を防止できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ソース領域およびドレイン領域の露出した表面上の自然酸化膜を、フッ酸を含有する洗浄液Ａで洗浄除去する。二酸化炭素を超純水Ｐ中に溶解させた洗浄水Ｗでソース領域およびドレイン領域の表面を洗浄する。洗浄水Ｗ中の二酸化炭素が洗浄水Ｗの比抵抗を低下させる。洗浄水Ｗが供給配管48内を通過する際に生じる摩擦帯電を防止できる。洗浄水Ｗが帯電しなくなる。ソース領域およびドレイン領域の表面の帯電を防止できる。ソース領域およびドレイン領域の露出した表面の酸化が防止できる。 （もっと読む）