【課題】エアギャップにより配線間の寄生容量を低減しつつ、ボトムボーダーレスビアによるエアギャップを介した隣接配線との短絡を防ぐことができる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜上に所定間隔で設けられた少なくとも一対の第１の金属配線と、第１の金属配線を覆う配線間絶縁膜と、配線間絶縁膜上で、第１の金属配線と交差する第２の金属配線と、一対の第１の金属配線の一方又は両方と第２の金属配線とに接続されるプラグとを備え、配線間絶縁膜が、一対の第１の金属配線の間において、エアギャップを含む領域と、配線間絶縁膜のみからなる領域とを備え、配線間絶縁膜のみからなる領域が、プラグと接続される部位に対応する前記一対の第１の金属配線間に位置することを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】配線層に空隙部を設けた半導体装置における配線間容量を確実に低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１の上に形成された第１絶縁膜１０２と、該第１絶縁膜１０２に選択的に形成された複数の配線１０８とを有している。第１絶縁膜１０２における複数の配線１０８のうちの一部の配線同士の間の領域にはエアギャップ１０２ｃが形成されており、第１絶縁膜１０２におけるエアギャップ１０２ｃの底部及び該エアギャップ１０２ｃと隣接する配線１０８の下側部分の誘電率は、第１絶縁膜１０２におけるエアギャップ１０２ｃと隣接しない配線１０８の下側部分の誘電率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 電子装置及びその製造方法に関し、エッチングストッパ膜となる絶縁膜に過度のダメージを与えることなく、塗布系の低誘電率膜との密着性をバラツキなく改善する。【解決手段】 基板９上に形成されたＳｉ−ＣＨ₂ −Ｓｉ構造を１０〜９０重量％含有するシリコンオキシカーバイドからなる第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１上に形成されたポーラスシリカ系の第２の絶縁膜３とを有し、第１の絶縁膜１と第２の絶縁膜３の界面において、第１の酸素４と二重結合している炭素５を介して、第１の珪素６と、第２の珪素７と結合した第２の酸素８とが連結された構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板における貫通電極形成を短時間でしかも低温で形成可能とし、また貫通孔への絶縁膜形成工程を削減できる貫通電極形成方法を提案する。
【解決手段】半導体ウェハ１表裏の電気的導通を得るための貫通電極用の貫通孔７を形成する前に、予め該貫通孔７を包含する大きさの表裏貫通部６を形成し、この表裏貫通部６に絶縁材３を充填して硬化させた後、前記絶縁材３に前記貫通孔７をエッチング加工あるいはレーザ加工にて形成し、さらに前記貫通孔７の内部または内壁に導電材料からなる導通経路４を設けることにより貫通電極構造とする。 （もっと読む）

【課題】ディッシングやエロージョンなどの過剰研磨を防止しつつ、コンタクトプラグや配線形成領域以外の導電膜を迅速に除去することができる電解複合研磨方法を提供する。
【解決手段】電圧を高める工程では、接触面圧を０とした状態で、電圧を高めた場合に、電流密度が増加から減少に転じる第１変化点Ｃ電圧を閾値電圧とし、バリア膜を露出させた領域における電圧が、閾値電圧を超えるように、電圧を高めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ層間絶縁層を介して積層している半導体装置とする。複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は層間絶縁層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている。複数の電界効果トランジスタはそれぞれ前記半導体層に歪みを与える絶縁膜で覆われている。 （もっと読む）

【課題】 スクリーン印刷法により微細パターン印刷を可能にする絶縁性ペースト組成物の提供。
【解決手段】 シリカ及び／又はチタニアの微粒子を含む絶縁性充填材と、少なくとも表面はシリカ及びチタニアとは異なる絶縁性粒子と、からなるフィラー並びに樹脂を含有し、前記絶縁性充填材の体積が、前記フィラー全体の体積の２０％以上、８０％以下であることを特徴とするペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、トレンチ形成層或いはビア形成層の低誘電率性と機械的強度を確保するとともに、膜剥がれを防止する。
【解決手段】 基体上に所定の原料ガスを用いてＳｉＯＣを主成分とする第１の多孔質絶縁膜２を予め定めた所定の膜厚まで気相成長させたのち、同一チャンバー内において連続して所定の原料ガスにポロジェン前駆体を添加してポロジェン４を包含するＳｉＯＣを主成分とする第２の多孔質絶縁膜３を気相成長させ、次いで、第１及び第２の多孔質絶縁膜３に２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外線５を照射する。 （もっと読む）

【課題】高い耐電圧特性、および耐リーク特性を有する配線構造を備える半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態による半導体装置は、半導体素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第１の導電部材と、前記第１の導電部材と同じ層に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の導電部材の上面の一部と接して形成された第２の導電部材と、前記第１の絶縁膜上に、前記第１の導電部材の上面の一部に接して形成された、前記第１の絶縁膜と実質的に同一の材料からなる第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に、前記第２の導電部材の側面の一部と接して形成されたエッチングストッパ膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の近くにインダクタが配置されるときにも、半導体基板の内部インダクタのインダクタンスに影響を与え難い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板２に形成される絶縁膜３と、絶縁膜３上に形成されるインダクタ７と、を備える半導体装置１にかかり、半導体基板２上には内部インダクタ９が形成され、内部インダクタ９と対向する場所には、インダクタ７が放出する磁力線を減衰させる内部用シールド膜５を有し、内部インダクタ９が内部用シールド膜５により変化するインダクタンスを補正する補正インダクタ６を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線に低抵抗な材料を用いることにより、画素部の大面積化に対応し得る半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
ゲート電極及び第１の配線上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上にゲート電極と重なって形成された半導体層と、絶縁膜上に形成され、かつ、半導体層に電気的に接続された接続電極と、を有し、接続電極は、絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して第１の配線に電気的に接続され、ゲート電極及び第１の配線は、第１の導電層と、第１の導電層上の第２の導電層と、第２の導電層上の第３の導電層とでなる積層構造を有し、第２の導電層は、第１の導電層及び第３の導電層より低抵抗であり、第１の導電層及び第３の導電層は、第２の導電層より高融点の導電材料からなり、第２の導電層の端部における断面形状はテーパー形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バリア層とシード層の境界に生じる隙間を低減して２層間の密着性を向上させ、貫通電極部分の信頼性に優れた貫通配線基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る貫通配線基板１０は、半導体基板１１と、該半導体基板の一方の面側に配された電極部１４と、前記半導体基板の他方の面側から一方の面側に至って配され、前記電極部の一部を露呈する貫通孔１６と、前記貫通孔の内側面にシード層１８を介して配された電解メッキ層１９と、を少なくとも備えた貫通配線基板であって、前記シード層は、第一金属層１８ａと、該第一金属層に重ねて配された第二金属層１８ｂとから構成され、前記第一金属層は、柱状形状をなす被膜であり、該柱状形状が、前記貫通孔の開口側に向かって指向性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持基板を貼り合せた半導体基板の位置検出を容易化することによって、半導体装置の製造効率の向上や製造コストの低減等を図る。
【解決手段】第１の切り欠き部７を有する半導体基板１と第２の切り欠き部８を有する支持基板とを、第１の切り欠き部７と第２の切り欠き部８とが重なるように貼り合せる。支持基板２が貼り合わされた半導体基板１の支持基板２と対向する面１ａとは反対側の面１ｂを加工し、半導体基板１の厚さを所定の厚さまで薄厚化する。さらに、必要に応じて半導体基板１の加工面１ｂに対して成膜工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】安定した低誘電率と高い硬度（ヤング率）を有するＢＣＮ膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供する。
【解決手段】従来のＢＣｌ_３ガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてＢＣＮ膜を成膜する。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、プラズマＣＶＤにより成膜を行うことで、 比誘電率が２．５以下で弾性率（ヤング率）が８ＧＰａ以上であるＢＣＮ系の低い誘電率を持つ絶縁体材料膜を得る。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩチップなどの半導体チップをより薄型化することが可能な技術を提供する。また、三次元半導体集積回路において、ＬＳＩチップをより薄型化して積層することで集積密度を向上させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】ＬＳＩなどの集積回路が形成された半導体基板をＣＭＰ等により研磨し、半導体基板中に脆化層を形成して半導体基板の一部を分離することにより半導体基板を薄膜化して、従来にない薄さのＬＳＩチップなどの半導体チップを得る。また、このような薄型化したＬＳＩチップを積層し、半導体基板を貫通する配線によって電気的に接続することで、集積密度が向上した三次元半導体集積回路を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に配置される光透過性保護部材にキズやクラック等が生じることを抑制することによって、半導体装置の受光特性や製造歩留り等を向上させる。
【解決手段】半導体装置１は、第１の主面２ａに受光部３と電極４とが設けられた半導体基板２を具備する。半導体基板２は第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを繋ぐ貫通配線層６を有する。半導体基板２上には第１の主面２ａを覆うように光透過性保護部材９が配置されている。受光部３上には所定の間隙１１が形成される。光透過性保護部材９の表面９ａには保護膜１２が形成されている。保護膜１２は受光部３に対応する領域に設けられた開口１２ａを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線のクラックを防止することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、電極１４上からパッシベーション膜１６上を通って樹脂突起１８上に至るように延びる配線２０を有する。配線２０は、積層された第１の層２２及び第２の層２４を含む。第１の層２２は、電極１４、パッシベーション膜１６及び樹脂突起１８に接触し、Ｔｉ及びＷを含む材料から形成され、３００Å以上１０００Å以下の膜厚を有する。第２の層２４は、Ａｕ、Ａｇ、鉛フリーはんだ及びＰｔからなるグループのうち少なくとも１つの材料から、第１の層２２の上に形成されている。第２の層２４の膜厚は、第１の層２２の膜厚の８倍以上２０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表裏両面間を貫通配線層で接続した半導体装置において、グランド特性や放熱性を改善する。
【解決手段】半導体装置１は貫通孔３を有する半導体基板２を備える。半導体基板２の第１の主面２ａには活性層４が設けられている。貫通孔３の内壁面、活性層４で塞がれた貫通孔３の底面、および半導体基板２の第２の主面２ｂは絶縁層５で覆われている。貫通孔３の底面に存在する絶縁層５には第１の開口部６が設けられている。半導体基板２の第２の主面２ｂに存在する絶縁層５には第２の開口部７が設けられている。第１の配線層８は貫通孔３内から半導体基板２の第２の主面２ｂに亘って設けられている。第２の配線層９は第２の開口部７を介して第２の主面２ｂと接続するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】微小ビアでの接続信頼性を確保した信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１上に配されるとともに、少なくとも１以上の第１配線層、少なくとも１以上の第１絶縁層、及び第１ビアを有する第１配線構造体１２と、第１配線構造体１２上に配されるとともに、少なくとも１以上の第２配線層１５、少なくとも１以上の第２絶縁層１４、第２ビア１６、及び第３ビア１９を有する第２配線構造体１７と、第２配線構造体１７上に設けられた外部端子１８と、を備える半導体装置において、第２配線構造体１７の第２配線層１５と外部端子１８に接合される第２ビア１６は、外部端子１８側の端部に接合界面１６ａが配されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の貫通接続部において、表面側配線層の貫通孔底部での剥離および破断が防止され、接続不良等が改善された半導体装置と、そのような半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆されている。第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の複数の開口６ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層７が充填・形成され、この第２の配線層７は第２の絶縁層６の複数の開口６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）