【課題】複雑な工程を用いることなく、コストの増加や破損の発生などを抑制した状態で、より均一な深さの孔部を形成することで貫通電極配線が形成できるようにする。
【解決手段】酸化シリコン層１０４をマスクとしたＲＩＥにより、シリコン基板１０１を選択的にエッチングすることで、シリコン基板１０１の一方の面（埋め込み酸化層１０２との界面）に到達する貫通孔１０６を形成する。貫通孔１０６の形成のためのエッチング処理（ＲＥＩ）においては、シリコン基板１０１の深さ方向に、シリコン基板１０１と埋め込み酸化層１０２との界面までしかエッチングが進行しない。この結果、シリコン基板１０１の板厚が均一であれば、貫通孔１０６の深さも均一に形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比の貫通電極を有する半導体装置を低温プロセスによって製造する。
【解決手段】 半導体基板１の表面側に配置された第１の電極３と裏面側の第２の電極６は、接続孔４に充填された導電物７と、接続孔４内に延在する第２の電極６の延在部６ａとによって電気的に接続される。接続孔４が高アスペクト比であっても、第２の電極６を接続孔４の底部まで形成する代わりに導電物７を用いることで、低温プロセスによる成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 集積回路デバイスのヒューズ構造を提供する。
【解決手段】 本発明のヒューズ構造は、半導体基板の一部の上に配置された金属含有導電性材料のストリップを含み、ストリップは、第１方向に沿って延伸し、均一な線幅を有する。誘電体層は、導電層を覆う。誘電体層内は、第１ビアと第２ビアを有し、第１インターコネクトと第２インターコネクトをそれぞれ含む。第１インターコネクトは、ストリップ上の第１位置と物理的且つ電気的に接触しており、第２インターコネクトは、ストリップ上の第２位置と物理的且つ電気的に接触している。導電ストリップ上の第１と第２位置は、シリコンを含まない。誘電体層の上方は、第１インターコネクトに電気的に接続された第１配線構造と、第２インターコネクトに電気的に接続された第２配線構造である。 （もっと読む）

【課題】上層配線の幅によらずにコンタクトプラグの底面がアンカー構造となり、下層配線との接続抵抗を低減できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板に下層配線Ｗ１となる第１導電層を形成し、絶縁膜を形成し、上層配線用溝とこれに連通するようにコンタクトホールＣＨを形成する。次に、コンタクトホール及び上層配線用溝の内壁面を被覆してバリアメタル層を形成し、その上層にコンタクトホール及び上層配線用溝に埋め込んで第２導電層を形成する。ここで、上層配線用溝及びコンタクトホールを形成する工程において、上層配線Ｗ２と下層配線Ｗ１の交差する領域に、上層配線にスリットＳＬ１，ＳＬ２または切り欠きを設けて幅が狭くなった部分ＮＰが設けられるように上層配線用溝を形成し、この幅が狭くなった部分ＮＰにおいてコンタクトホールＣＨを形成する。 （もっと読む）

【課題】 ディッシング効果を低減する接合パッドの設計を提供する。
【解決手段】 集積回路構造は半導体チップを含み、このチップはさらに第１面と、この第１面を介して露出されるパターン化接合パッドを備え、パターン化接合パッドは、互いに電気的接続された複数の部分を含み、且つその中に少なくとも１つの開口を含むもので、集積回路はさらに、この少なくとも１つの開口の少なくとも１つの部分の中に充填された誘電材料を含む。 （もっと読む）

【課題】溶剤乾燥や熱硬化のための熱処理工程を用いずに形成した欠陥の少ない絶縁層を有する薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】バンプ１０７と、バンプ１０７により貫通される層間絶縁層１０５とを含む薄膜トランジスタにおいて、バンプ１０７がフッ素化合物を含み、層間絶縁層１０５がフィルム状ホットメルト接着剤の加熱圧着により形成され、バンプがフッ素化合物を含み、フッ素含有量が、０．０１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】絶縁体に蓄積した電荷が放電を起こすことにより、アンテナ又は薄膜トランジスタを有する回路を破壊してしまう問題（静電気破壊の問題）を解決することを目的とする。
【解決手段】第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に設けられた薄膜トランジスタを有する回路と、前記回路上に設けられ、前記回路と電気的に接続されたアンテナと、前記アンテナ上に設けられた第２の絶縁体と、を有し、前記第１の絶縁体と前記回路との間に第１の導電膜が設けられ、前記第２の絶縁体と前記アンテナとの間に第２の導電膜が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 容易に貫通穴を埋めることができ、環境負荷を小さくする。
【解決手段】 テーパ状の貫通穴を有するウェハの貫通穴の開口の径が小さい側の主面を把持し、貫通穴の開口の径が大きい側から、貫通穴に球状の金属材料を埋め込むウェハの金属材料埋込装置であって、ウェハの表面を吸引把持する第一の吸引部と、ウェハの貫通穴から金属材料を吸引する第二の吸引部とを有する把持本体部と、第一の吸引部と第二の吸引部とに配管を介して接続される吸引手段と、配管を流れる流体の流量と圧力とを検出する検出手段と、金属材料が吸引されて貫通穴を塞ぐことで変化した流量と圧力の値が所定の値となっているか否かを判定する判定手段と、判定手段によって値が所定の値であると判定された場合に把持本体部で吸引している前記ウェハからはみ出て入る金属材料を所定の加圧平面に押し当てる加圧手段と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】 容易に貫通穴を埋めることができ、環境負荷を小さくする。
【解決手段】 貫通穴が設けられたウェハの貫通穴の開口の径が小さい側の主面を把持し、前記貫通穴の開口の径が大きい側から貫通穴に金属材料を埋め込むウェハの金属材料埋込装置であって、枠状に形成される第一の吸引部と、貫通穴から金属材料を吸引し第一の吸引部に嵌め込まれる第二の吸引部とを有する把持本体部と、第一の吸引部に沿って形成され、流路と吸引穴と第三の貫通孔とが形成されたアダプター部と、吸引穴に接続される吸引手段と、吸引配管の流量と圧力とを検出する検出手段と、金属材料が吸引されて変化した流量と圧力の値が所定の値となっているか否かを判定する判定手段と、所定の値であると判定された場合に把持本体部で吸引しているウェハからはみ出て入る金属材料を所定の加圧平面に押し当てる加圧手段と、第三の貫通孔接続される吐出手段と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス及びその製造において、直接的に最適なアライメント位置を検出する。
【解決手段】
電子デバイス１００は、第１基板Ｗｆ１と、第１基板Ｗｆ１を搭載し且つ少なくとも一つの所定領域において第１基板Ｗｆ１と電気的に接続された第２基板Ｗｆ２とを備える。所定領域は、第１基板Ｗｆ１を貫通する少なくとも一つの貫通ビア１１０と、第１基板Ｗｆ１に、所定領域の一部を囲み且つ両端が接するのを避けて設けられた第１の配線１１１と、第１基板Ｗｆ１上に設けられ、第１の配線の両端にそれぞれ電気的に接続する一対の端子パッドと、第２基板Ｗｆ２上に設けられ、貫通ビア１１０と接続された少なくとも一つの導電部２２３とを有する。 （もっと読む）

【課題】周辺表面を汚染もしくは乱さずに、スパッタリングした銅シード層を堆積させて、所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】底部５１６と、側壁５１４と、上側開口５２６とを有する複数の凹状のデバイス特徴を含む基板上に銅シード層を堆積させる方法であって、ａ）基板表面からのスパッタリングを引き起こす態様において前記凹状のデバイス特徴の基板表面に衝突することなく前記銅シード層の第１の部分を前記基板上にスパッタ堆積するステップと、ｂ）前記銅シード層の第２の部分を前記基板上にスパッタ堆積すると同時に、銅シード層の前記第１の部分の少なくとも一部を、前記複数の凹状のデバイス特徴のそれぞれの底部から対応する側壁へと再配分するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成される貫通孔底部での絶縁層のノッチの発生、貫通孔下の配線層へのダメージを抑制し、電気的絶縁性の低下や配線層の接続不良を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一の絶縁層２０３と、第一の絶縁層上の第一の配線層２０４と、半導体基板２０１を貫通し、底部に第一の絶縁層を厚さ方向に除去した部分的なエッチ部を備えた貫通孔２０１ａと、貫通孔の部分的なエッチ部の底部を除く内壁部から半導体基板の第二の面までを覆う第二の絶縁層２０６と、貫通孔の底部に、第一の配線層が露出するように第一の絶縁層に形成された開口部２０３ａと、該開口部で第一の配線層と接すると共に貫通孔の第二の絶縁層上から半導体基板の第二の面の第二の絶縁層上に亘る第二の配線層２０２とを有し、開口部に接する第一の絶縁層が、半導体基板に接する第一の絶縁層より小さい厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体上にもグラファイト層を容易に形成することができる集積回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１上に触媒層２を形成し、その上にサポート層３を形成しておく。触媒層２としてＣｏ層を形成し、サポート層としてＴｉＮ層を形成する。これらは、例えばスパッタリング法により形成する。次いで、アセチレンを含む原料ガスを用いて熱ＣＶＤ処理を行う。この結果、触媒層２が絶縁基板１及びサポート層３に挟み込まれているが、カーボン原料はサポート層３を透過して触媒層２まで到達するので、グラファイト１１が絶縁基板１と触媒層２との間に成長する。 （もっと読む）

【課題】 外部からの荷重による絶縁膜の耐圧力を短時間かつ正確に評価することができる耐性評価用ウェハ及び耐性評価方法を提供するものである。
【解決手段】 耐性評価用ウェハ１００は、基板１上にｌｏｗ−ｋ絶縁膜２を介して対向して配設される一対の第１の配線３及び第２の配線４と、一対の配線のうち第１の配線３に第１のビア５を介して接続され、最上層に配設される第１の接続パッド６と、一対の配線のうち第２の配線４に第２のビア７を介して接続され、最上層に配設される第２の接続パッド８と、基板１に対して垂直な方向における第１の配線３及び第２の配線４の一部に重畳し、ｌｏｗ−ｋ絶縁膜２を介して最上層に電気的に浮遊状態で平面端子として複数配設され、所定の荷重で押圧される押圧パッド９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程で生成される反応生成物による配線信頼性の低下を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電極の側壁にスペーサを有する半導体装置の製造方法であって、電極を覆う絶縁膜を形成する工程と、電極の側壁にスペーサを形成するために絶縁膜にドライエッチングを行う工程と、水素単体ガスまたは窒素を含むガスによるプラズマ放電により、ドライエッチングにより生じた反応生成物を除去する工程と、反応生成物を除去した後、少なくとも絶縁膜にオーバーエッチングを行う工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線上面部からの金属拡散を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、半導体基板上の第一層間膜１内に形成された溝２内に、銅と第一金属元素とを含有する銅シード膜４を形成する。その後、銅メッキ処理を施す。その後、銅層の酸化が行われない第一雰囲気中にて第一熱処理を行う。そして、余分な銅合金金属層を除去し、溝２内に銅合金配線６を形成する。その後、酸素を含有する第二雰囲気中にて第二熱処理を行うことにより、銅合金配線６表面に、第一金属元素の酸化物である酸化物層７を形成する。 （もっと読む）

【課題】隣接するシェアードコンタクト間の短絡が発生するおそれの少ないＳＲＡＭセルを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、トランスファトランジスタ、ドライバトランジスタおよびロードトランジスタをそれぞれ２つずつ含むＳＲＡＭセルと、前記ＳＲＡＭセル上に形成された層間絶縁膜と、前記トランスファトランジスタに属する第１のゲート電極、および前記ドライバトランジスタと前記ロードトランジスタに共有される第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極と、前記ロードトランジスタのソース・ドレイン領域との両方に接続される、前記層間絶縁膜中に形成されたシェアードコンタクトと、を有し、前記ＳＲＡＭセル内において、前記第１のゲート電極が、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極のゲート幅方向の中心との間に、前記第２のゲート電極の前記シェアードコンタクトが接続される領域が配置されない位置に配置される。 （もっと読む）

【解決手段】
進歩的なメタライゼーションシステムを製造する間、敏感な誘電体材質上に形成される誘電体キャップ層が、過剰な金属を除去するためのＣＭＰプロセスの間に部分的に維持されてよく、それにより、ＣＭＰプロセスの間に誘電体キャップ材質を実質的に完全に消耗する場合に従来の手法で必要であろうような専用のエッチング停止層を堆積させる必要性が回避され得る。従って、低減されたプロセスの複雑性及び／又は高い柔軟性が低ｋ誘電体材質の高い完全性との組み合わせにおいて達成され得る。 （もっと読む）

【課題】半導体加工において有機化合物含有絶縁層に小さな穴を形成する方法を提供する。
【解決手段】有機化合物含有絶縁層１２を、この有機化合物含有絶縁層１２上に形成されたレジストハードマスク層１３とこのレジストハードマスク層１３上に形成されたレジスト層１４からなる２重層で覆い、次に、この２重層をパターニングする。そして、反応チャンバー内に、自然エッチングが実質的に避けられるように選ばれる、あらかじめ決められた割合で存在する酸素ガスと窒素ガスとからなる混合気体を流入し、有機化合物含有絶縁層１２をプラズマエッチングする。これにより、レジスト層１４を部分的に除去しつつ少なくとも一つの穴を形成する。 （もっと読む）

【課題】高集積化された半導体集積回路の厚さを薄くする手段を提供する。
【解決手段】基板１１上に、第１のバンプと接続する第１の半導体素子層５１と、第１の貫通電極１０４を作製し、第２のバンプに接続する第２の半導体素子層５９と、第２のシート状繊維体と第２の有機樹脂を有する第２の構造体１２０を作製し、第３のシート状繊維体と第３の有機樹脂を有する第３の構造体１２１の、未硬化の第３の有機樹脂１１４上に金属粒子を有する導電性樹脂を配置することより未硬化の第３の有機樹脂が溶解し、金属粒子が第３のシート状繊維体の間を移動し、第３の構造体を貫通する第３の貫通電極２０１が形成され、基板上で第１の貫通電極、第３の貫通電極、第２のバンプが重なり合うように配置し、第３の有機樹脂を硬化させる半導体装置及びその作製方法。 （もっと読む）