【課題】アクティブマトリクス基板の開口率と消費電力とを向上させる。
【解決手段】アクティブマトリクス基板１０１Ａは、透明基板１０と、透明基板１０上に形成された配線（Ｌ_Ｇ，Ｌ_Ｄ，Ｌ_Ｐ，Ｌ１，Ｌ２等）と、この配線（Ｌ_Ｇ，Ｌ_Ｄ，Ｌ_Ｐ，Ｌ１，Ｌ２等）の少なくとも一部を覆う透明半導体層４４と、配線（Ｌ_Ｇ，Ｌ_Ｄ，Ｌ_Ｐ，Ｌ１，Ｌ２等）および透明半導体層４４の少なくとも一部を覆う透明な絶縁膜と、を備える。配線（Ｌ_Ｇ，Ｌ_Ｄ，Ｌ_Ｐ，Ｌ１，Ｌ２等）は、主配線としての第１メタル配線４１Ｍと、これから分岐する副配線としての透明な配線（４１，４２，４３等）と、を含む。主配線としての第１メタル配線４１Ｍは、少なくとも一部が副配線としての配線（４１，４２，４３等）よりも高い導電性を備えた材料を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表裏両面間を貫通電極で接続するにあたって、貫通孔底部の角部におけるリーク電流の発生や絶縁膜のクラック等を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は貫通孔３を有する半導体基板２を備える。貫通孔３は半導体基板２の第１の面２ａに開口された第１の開口３ａの開口径が第２の面２ｂに開口された第２の開口３ｂに近い側の内径より大きくなるように、第１の面２ａの近傍を拡張させる拡張部４を備える。半導体基板２の第１の面２ａには第１の絶縁層５と第１の配線層６とが設けられている。貫通孔３には拡張部４を充填しつつ内壁面を覆う第２の絶縁層７が設けられており、さらに第１および第２の絶縁層５、７の開口を介して第１の配線層６と接続された第２の配線層８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。
【解決手段】マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板及びその作製方法に関する。また、マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板と、絶縁膜の表面に配線が露出した半導体素子層とを有し、前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層が前記配線基板と密接している半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に形成した空隙部を導電材料で充填して配線・接続部を形成する際に問題となる、下層の導電領域と配線・接続部との接続状態に起因する不都合を生ぜしめることなく、微細な配線及び接続部が所望の状態に正確且つ容易に実現されてなる信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】ダミー構造物１６を形成し、ダミー構造物１６の側面のみに側壁膜１７を形成する。このダミー構造物１６を覆うように層間絶縁膜１８を形成する。そして、側壁膜１７が残るようにダミー構造物１６のみを除去し、下層配線１４の表面の一部を露出させ、層間絶縁膜１８に形成された開口１８ａをＣｕで埋め込み、Ｃｕの表層を層間絶縁膜１８の表面に合わせて平坦化する。以上により、下層配線１４と直接的に接続されるＣｕ接続部２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】破壊検査をしなくても、形成された貫通孔に係る良否の状態を推定することができ、貫通電極の品質が保証された半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１は、半導体基板２の一方の面２ａに配された絶縁層３と、前記絶縁層上に配された導電層３と、前記半導体基板の他方の面２ｂから前記導電層の少なくとも一部が露呈するように前記半導体基板内に配された第一貫通孔６と、前記半導体基板の他方の面から前記絶縁層の少なくとも一部が露呈するように前記半導体基板内に配された第二貫通孔７と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁性に優れる均一な絶縁性被膜を有する構造体及びその製造方法、絶縁性被膜を形成することができる樹脂組成物並びに電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁性被膜を有する構造体の製造方法は、孔部を有する基板に、溶剤を塗布する工程と、樹脂組成物を、この樹脂組成物が孔部内の溶剤と接触するように、基板に塗布する工程と、塗膜を乾燥し、孔部の内壁面及び底面のうちの少なくとも内壁面に樹脂成分を含む被膜１１７、１１８、１１９を形成する工程と、孔部の内壁面及び底面を含む基板の全表面に形成されている被膜を加熱し、樹脂成分の硬化物を含む絶縁性被膜２１７、２１８、２１９とする加熱硬化工程と、基板の表面に形成されている絶縁性被膜２１９及び基板の孔部の底面に形成されている絶縁性被膜２１８を除去し、孔部の内壁面に形成されている絶縁性被膜２１７を残存させる表底面側絶縁性被膜除去工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に発生する応力を低減できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体素子が形成される素子領域を有する基板と、素子領域の隣接部分の基板に形成されるビアホールと、ビアホール内に絶縁層を介して設けられる導通部と、基板と絶縁層との間に設けられる緩衝層とを備え、緩衝層は、基板の熱膨張係数と緩衝層の熱膨張係数との差が、基板の熱膨張係数と絶縁層の熱膨張係数との差より小さい材料から形成される。 （もっと読む）

【課題】 ビア開口の下部分を多層ライナで内側を覆うことにより強化したエレクトロマイグレーション耐性を有する相互接続構造体を提供する。
【解決手段】 多層ライナは、誘電体材料のパターン付けされた表面から外側に、拡散障壁、マルチ材料層、及び金属含有ハード・マスクを含む。マルチ材料層は、下層の誘電体キャッピング層からの残留物からなる第１材料層と、下層の金属キャッピング層からの残留物からなる第２材料層とを含む。本発明はまた、誘電体材料内に形成されたビア開口の下部分内に多層ライナを含む相互接続構造体を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｆ添加カーボン膜を層間絶縁膜として使った多層配線構造ににおいて、開口部内のバリアメタル膜とＦ添加カーボン膜との反応を抑制し、配線と絶縁膜の密着性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部４４Ａ内のＦ添加カーボン膜４４の露出表面に、Ｔａバリアメタル膜４７の堆積に先立って、少なくとも前記開口部の側壁面および底面を覆うように、Ｆと反応した場合に安定な化合物を形成するＡｌなどの金属元素よりなる金属膜４９を堆積する。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の平坦性を保ちつつ、太幅配線におけるめっき膜の膜質を良好に保つ。
【解決手段】細幅凹部と太幅凹部とをめっき膜で埋設する際に、細幅配線をめっき膜で埋設する第１のめっき膜成長ステップ（Ｓ１０２）および太幅配線をめっき膜で埋設する第２のめっき膜成長ステップ（Ｓ１０８）を含み、Ｓ１０２の後、平坦化を促進するために逆バイアスステップで添加剤を除去する処理（Ｓ１０４）を行う場合、逆バイアスステップの後第２のめっき膜成長ステップの前に、第１のめっき膜成長ステップと同じ方向に、第２のめっき膜成長ステップよりも低い電流量で電流を流して、細幅凹部と太幅凹部上にめっき膜を成長させるスローステップ（Ｓ１０６）を挿入する。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸やコンタクト不良を大幅に低減した配線の作製方法を用いることによって半導体装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】層間絶縁膜２０７に設けられた開口部に液滴吐出法を用いてノズル２０８から導電性組成物が分散された液滴２０９を滴下し配線２１０を形成する。さらに、加熱処理を行うことで配線２１０をリフローする。これにより、配線表面を平坦化し、且つ配線のコンタクト不良を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上の受動素子を用いてインピーダンス制御を行うために、高精度の抵抗部を容易に形成する。
【解決手段】半導体装置１２１の能動面１２１ａの周縁部には、複数の電極パッド２４が配列形成され、半導体装置１２１の能動面全体に保護膜としてのパッシベーション膜２６が形成されており、上述した各電極パッド２４の表面に、パッシベーション膜２６の開口部２６ａが形成されている。パッシベーション膜２６上には、応力緩和性の高い有機樹脂膜が形成される。そのパッシベーション膜２６の表面であって、電極パッド列２４ａの内側には、樹脂突起１２が形成されている。樹脂突起１２は、半導体装置１２１の能動面１２１ａから突出して形成され、略同一高さで直線状に延在しており、電極パッド列２４ａと平行に配設されている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを含む配線について、配線抵抗を低く維持しつつ、しかも、ストレスマイグレーション耐性の劣化を伴うことなく、エレクトロマイグレーション耐性を向上し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】両面配線相互間の接続の信頼性の高い半導体装置を用い、３次元実装の小形／薄形化に好適な回路配線基板実装体を提供する。
【解決手段】回路配線基板実装体は、その半導体装置１が、個片化され一方の面に形成された素子領域に対する配線層・素子電極を有する半導体チップ２と、前記チップの一方の面に形成され素子電極用コンタクト孔を有する第１絶縁被膜４と、他方の面に形成された第２絶縁被膜６と、素子電極に接続され第１絶縁被膜の表面にパッド部を含んで形成された第１再配線層７と、第１再配線層のパッド部８に設けられた端子電極と、第２絶縁被膜の表面に形成された第２再配線層９と、チップのダイシングラインに沿つた側面に形成され第１及び第２再配線層相互を接続する層間配線層１０とを備え、回路配線基板ＰＣＢのランド部に、端子電極を重ねて接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ＩＣの表面から裏面に電極経路を形成する貫通電極形成方法において、界面での導電性材料の剥がれ等の機械的不良や、絶縁不良，導通不良等の電気的不良を抑制することを目的とする。
【解決手段】貫通孔に樹脂材料を形成する際に、貫通孔底部に電極ＰＡＤ１０２を形成し、インクジェット方法により貫通孔の周囲に絶縁材料１０４を中心部に導電性材料１０５を形成し、さらに、インクジェット吐出樹脂を表面に凹凸が形成されるように吐出することにより、絶縁材料１０４と導電性材料１０５との密着性、および絶縁性材料１０４と貫通孔内壁との密着性を向上することができるため、界面での導電性材料１０５の剥がれ等の機械的不良や、絶縁不良，導通不良等の電気的不良を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】密着性ガードリングを有する積層構造体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に形成された導電層と、導電層を覆うように形成された絶縁層を有し、基板上に形成された濡れ性変化層において、導電層が複数形成される回路形成領域の周囲を囲むように、高表面エネルギー領域が形成され、高表面エネルギー領域上に絶縁層を形成することにより、濡れ性変化層と絶縁層との間に密着性ガードリング領域が形成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】安定した利得が得られるアンテナ素子を備えた半導体装置、通信モジュールおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０は、能動素子が形成された能動面１ａを有する半導体基板１と、能動面１ａ上に少なくとも１層以上の絶縁性樹脂層を介して設けられた第１の配線層８と、第１の配線層８に形成されたスロットアンテナ１１と、スロットアンテナ１１に接続された共振用キャパシタ１３とを備え、スロットアンテナ１１は、矩形状の開口部１１ｂを有する平面型のアンテナ素子である。 （もっと読む）

【課題】新たなレイアウトパターンを作成せずにＮＭＯＳの駆動力を向上することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１は、半導体基板１００と、第１の導電型の第１の半導体素子が設けられる半導体基板１００に形成される第１の半導体素子領域と、第２の導電型の第２の半導体素子が設けられる半導体基板１００に形成される第２の半導体素子領域と、第１の半導体素子領域と第２の半導体素子領域とを分離する素子分離領域１２０とを備え、第１の半導体素子領域は、第１の半導体素子領域に隣接する素子分離領域１２０より高い位置に形成され、素子分離領域１２０の表面からの第１の半導体素子領域の表面までの距離が、第１の半導体素子領域の上面視における幅以下である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜にコンタクトホール有する回路基板を安価に提供する。
【解決手段】多層配線からなる回路基板であって、層間絶縁膜を介し下部電極と上部電極とが接続されるコンタクトホールがマトリックス状に二次元的に配列されている回路基板の形成方法において、二次元的に配列されている所定の形状のペースト吐出領域を有するスクリーン版であって、スクリーン版において近接する３つ以上のペースト吐出領域から吐出した絶縁ペースト同士がダレにより二次元的に接合することによりコンタクトホールが形成されるように印刷を行う印刷工程と、印刷された絶縁ペーストを硬化させる硬化工程とを含むことを特徴とする回路基板の形成方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ドライプロセスを用いて、アスペクト比が高い貫通部に、微細な貫通配線を形成可能な半導体装置及びその製造方法を実現する。
【解決手段】 配線１３に電流供給用のプローブを接触させて、貫通部１１ｅの方向に大電流を流すと、電流の方向に配線１３の金属元素が移動するエレクトロマイグレーションが生じる。配線１３は貫通部１１ｅの開口以外の領域がＳＯＩ基板１１の基板面１１ｄにより拘束されているために、拘束がない貫通部１１ｅの開口に金属元素が集約される。集約された金属元素は自己組織化によって細線状に配列され、金属細線１４が貫通部１１ｅの内部に電極２３に向かって成長し、配線１３と電極２３とを電気的に接続する。 （もっと読む）