【課題】信頼性の高い半導体集積回路装置の製造プロセスを提供する。
【解決手段】銅ダマシン配線プロセスのバリアメタル膜のタンタル系積層膜に関し、スパッタリング成膜チャンバ内のシールド内面に、比較的薄い窒化タンタル膜およびタンタル膜が交互に成膜されるが、この連続成膜プロセスを断続的に繰り返すと、膜の内部応力により剥がれて、異物やパーティクルの原因となる。この異物やパーティクルの防止のため、繰り返し、成膜するに際して、所定の間隔を置いて、厚い膜厚を有する異物防止用タンタル膜をチャンバの実質的な内壁に成膜する工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】 貫通穴の開口寸法が小さく小型化や微細化を容易にでき、貫通穴全体の金属層形成速度を向上する事が容易で、金属層形成工程に要する時間を短縮する事が容易な貫通穴形状を構成した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板の表面と裏面とを接続する貫通穴内に金属層を設けた半導体装置において、貫通穴側壁に表面と裏面とを結ぶ向きに複数の突起を設けた事を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導体の亀裂、基板のクラック、絶縁膜の破壊等を生じ難い高信頼度・高品質の回路基板及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】基板１と、導体３とを含んでおり、導体３は、金属または合金でなり、基板１に設けられ、少なくとも基板１と対面する領域に、等軸晶３１の領域を有する。この構造によれば、基板１と対面する領域で、導体３の等軸晶組織による等方性が得られるため、導体３の亀裂、絶縁膜の破壊及び基板１のクラックなどの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ法の露光解像限界未満のラインアンドスペースパターンとなる被加工膜のパターンの上層に、その被加工膜のパターンと接続するコンタクトを容易に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された第２の膜１４を、複数の線状部とそれぞれの線状部の一端に形成された線状部よりも幅の広い端部を有するパターンへと加工し、このパターンをスリミングして第１のパターン１６を形成し、第１のパターン１６の端部１４１ａ上を横断する第１の開口１８０を有する第２のパターンを形成し、第１の開口１８０内に露出する第２の膜１４をエッチングし、端部１４１ａを線状部１４０ａに近い第１の端部１４２ａと、線状部１４０ａと遠い第２の端部１４３ａとに分割することを含む。 （もっと読む）

【課題】他の物体によって損傷、剥離、または亀裂を生じることなく、より粗野な処理、運送、および使用を可能にするよりよい緩衝を、半導体デバイスの金属化層に配置された低k誘電体層、ELK誘電体層、および／またはULK誘電体層の半導体ダイのコンタクトを形成するシステム、方法を提供する。
【解決手段】複数の誘電体層および導電層を含む基板１０１、複数の導電層の最上層１１５の１つと電気的に接続し、約１５，０００Åより大きい厚さを有する金属コンタクト１０５、および金属コンタクトと電気的に接続したコネクタを含む半導体デバイス。 （もっと読む）

システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

【課題】直線状又は螺旋状の深い孔を有する単結晶基板を低コストで提供する。
【解決手段】単結晶基板１は、主成分がシリコンからなり、＜１００＞方向に孔３が形成されており、その孔の底に銀粒子及び／又はパラジウム粒子が存在し、孔径／粒子径の比が１以上２以下であることを特徴とする。また、単結晶基板１は、主成分がシリコンからなる単結晶基板であって、孔径１０〜２００ｎｍ、螺旋径１００〜６００ｎｍの螺旋状の孔が形成されており、その孔の底に銀、白金及びパラジウムのうちから選ばれる一種以上の金属の微粒子が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

半導体材料（１）上に少なくとも１つの導体を形成する方法は、（Ｅ１）−シルクスクリーン印刷によって第１の高温ペーストを堆積させるステップと、（Ｅ２）−前のステップの間に堆積された第１の高温ペーストに少なくとも部分的に重ねて、シルクスクリーン印刷によって、低温ペーストを堆積させるステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化と製造コストの高価格化を招くことなく、多層電極間の接続を容易に行うことが可能な電極基板の製造方法、電極基板、及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下地層の上に、下層電極、層間絶縁膜、上層電極がこの順番で積層され、下層電極と上層電極とが層間絶縁膜に形成された開口部を介して電気的に接続された電極基板の製造方法であって、下地層の上に、電極材料を含有する溶液を塗布した後、乾燥させて下層電極を形成する工程と、下層電極が形成された下地層の上に、開口部を有する層間絶縁膜を形成する工程と、開口部に溶液の溶媒を滴下し、開口部に位置する下層電極を溶解した後、乾燥させることにより、電極材料を開口部の内壁に沿ってコーヒーステイン形状に形成する工程と、電極材料が開口部の内壁に沿ってコーヒーステイン形状に形成された層間絶縁膜の上に上層電極を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【解決手段】
半導体ダイのためのルーティング層が開示される。ルーティング層は、半田バンプを取り付けるためのパッドと、集積回路を有するダイのバンプパッドにボンディングされるボンドパッドと、ボンドパッドをパッドと相互接続するトレースと、を含む。ルーティング層は誘電体材質の層上に形成される。ルーティング層は、パッドに取り付けられる半田バンプからの応力を吸収するように、幾つかのパッドを少なくとも部分的に包囲する伝導性トレースを含む。パッドを包囲するトレースの一部は、半田バンプに隣接する下層の誘電体材質の一部を応力から保護する。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時で半導体チップに発生するチッピング、割れ、或いは欠けを低減する。
【解決手段】半導体装置８０は、半導体チップ５０がガラス基板６０にFace Downして載置され、接着層１０で半導体チップ５０とガラス基板６０が接着される。半導体チップ５０には、シリコン基板１、集積回路部２、受光部３、層間絶縁膜４、樹脂層５、表面電極６、貫通電極８、裏面電極９、裏面保護膜１２、ボール端子１３が設けられる。樹脂層５は、シリコン基板１上に層間絶縁膜４と接するように半導体チップ５０の端部に設けられる。樹脂層５は、層間絶縁膜４をエッチングした開口領域に設けられる。半導体装置８０は、接着層１０により固着されたシリコンウェハ１００とガラス基板６０をブレードダイシングにより個片化されたものである。 （もっと読む）

【課題】基板上の微細な貫通孔へ貫通電極となる金属を充填する方法であって、基板への熱的影響を軽減することができ、且つ、効率的な製造を可能とする方法を提供する。
【解決手段】本発明は、貫通孔を有する基板の貫通孔に導電性金属を充填する貫通電極の形成方法であって、所定の純度及び粒径の金属粉と有機溶剤とからなる金属ペーストを用いるものである。このとき、金属ペーストに周波数６０Ｈｚ〜１００ｋＨｚの機械的振動を印加しながら基板に塗布し、金属ペーストの塗布と同時、又は、金属ペーストの塗布後に貫通孔を他端側から減圧して金属ペーストを貫通孔内に吸引し、その後金属ペーストを焼結して貫通電極とする。この金属ペーストの塗布は、機械的振動が印加されたブレードを基板と非接触な状態で移動させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い実装信頼性が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体構造部１３、１４と、半導体構造部の主面側に設けられた配線層１６、１７と、配線層における半導体構造部が設けられた面の反対側の面に設けられ、配線層と電気的に接続された電極パッド２１、２２と、電極パッド２１、２２に対して各々が互いに離間して接合された複数の金属ピラー３１と、複数の金属ピラー３１の先端部に共通に設けられた外部端子４１とを備え、個々の金属ピラー３１の径が外部端子４１の径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】より効率良く光学装置を製造できる光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 複数の光学素子１を備える光学素子シート６を、配線パターン３が形成された基板シート７に接合する工程と、上記接合する工程の後に、光学素子シート６を切断することにより、複数の光学素子１どうしを分離する工程と、上記接合する工程の後に、基板シート７を切断することにより、光学素子１と接合している配線基板を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングにより形成される配線の線幅のばらつきが抑えられた半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、半導体層１４上に電極１１を形成する工程と、半導体層１４上に、電極１１に達する配線接続孔１２ａを有し、配線接続孔１２ａの周りに凹部１２ｂが形成された層間絶縁膜１２を形成する工程と、層間絶縁膜１２上から配線材料１８を堆積する工程であって、層間絶縁膜１２の凹部１２ｂに対応して配線材料１８に凹部１８ａが形成される工程と、配線材料１８上に、電極１１に配線接続孔１２ａを介して接続される配線１３を形成するためのレジスト膜１９を、配線材料１８に形成された凹部１８ａを覆うように形成する工程と、レジスト膜１９をマスクとしてウェットエッチングを行い、配線材料１８を選択的に除去して配線１３を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

半導体基板のスルーインターコネクトを製造する方法は、基板の第１側部上に基板を部分的に通るビアを形成するステップと、第１側部上及びビア内に電気絶縁層を形成するステップと、絶縁層上にビアを少なくとも部分的にライニングする導電層を形成するステップと、ビア内の導電層上に第１コンタクトを形成するステップと、ビア内の、少なくとも絶縁層まで基板の第２側部から基板を薄層化するステップとを含む。また、本方法は、第１コンタクトと電気接続状態にある第２コンタクトを基板の第２側部に形成するステップをも含み得る。本方法は、ウエハスケールのインターコネクト要素を形成するように半導体ウエハ上で実行可能である。さらに、インターコネクト要素を、発光ダイオード（ＬＥＤ）システムのような半導体システムを構築するのに使用可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の再配線層において配線を狭ピッチ化して隣接する配線間距離が著しく近接しても、配線間でイオンマイグレーションを効果的に抑制する。
【解決手段】一方の主面１１ａに半導体デバイスおよび電極１１ｃが設けられた半導体基板１１と、一方の主面１１ａの上に形成された層間絶縁層１２と、層間絶縁層１２上において個々の配線パターンに沿って複数形成されたポリイミドからなる樹脂パターン部１３と、樹脂パターン部１３の上にそれぞれ形成された再配線層１４と、再配線層１４の上を封止する封止絶縁層１５とを有し、樹脂パターン部１３の側面１３ａが、配線パターンの長手方向に垂直な断面において凹凸状とされている。 （もっと読む）

【課題】電界メッキ法やＣＭＰ法を使わないことで製造コストを落として配線を形成する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上にマスクを形成する工程と、選択的にエッチングして絶縁膜に開口部を形成する工程と、マスク上および開口部に第１導電膜を形成する工程と、液滴吐出法により開口部の第１導電膜上に導電材料を含む液滴を滴下する工程と、レーザー光を選択的に照射して導電材料を加熱して第２導電層を形成する工程と、マスク上および第２導電層上に第３導電膜を形成する工程と、マスクを除去すると同時にマスク上に形成された第１導電膜および第３導電膜を除去し、第１導電層および第３導電層を形成する工程とを有する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】配線構造が積層化された回路基板において、回路特性の劣化を防止できる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に下層配線パターン３を形成し、下層配線パターン３を覆う状態で絶縁膜５を形成し、この絶縁膜５に下層配線パターン３を露出する開口部５ａを形成する。絶縁膜５上に上層配線パターン７を形成し、その後下層配線パターン３と上層配線パターン７とを接続する接続材料パターン９を絶縁膜５の開口部５ａの側壁に形成する。接続材料パターン９は、例えば有機半導体材料を用いて形成する。これにより、有機半導体材料からなる接続材料パターン９の劣化を防止した回路基板１１-1が得られる。 （もっと読む）

【課題】生産性がよく、信頼性を向上した配線の作製方法とそれを用いた半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】液滴吐出法によりゲート電極を形成する半導体装置の作製方法であって、基板上に半導体を形成し、半導体上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールにバリア膜として機能する金属膜をスパッタリング法または蒸着法により形成し、液滴吐出法により、コンタクトホールに銅からなる導電層をコンタクトホールを充填するように形成し、金属膜と導電層からなるゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）