【課題】配線回路基板において、コンタクト抵抗の上昇を抑制し、熱応力による断線を防止することのできるコンタクト構造を提供する。
【解決手段】 配線回路基板は、第１配線層（５）、第２配線層（７）、及び前記第１配線層と前記第２配線層を電気的に接続するコンタクト配線（６）を有する。前記コンタクト配線は、前記第１配線層のコンタクト面を被覆する第１被覆部（６ａ）と、前記第２配線層のコンタクト面を被覆する第２被覆部（６ｃ）と、前記第１被覆部と前記第２被覆部の間に延びるプラグ部（６ｂ）を有する。前記第１被覆部、前記プラグ部、及び前記第２被覆部は、同一の導電性材料で一体的に形成された内部に界面のないコンタクト配線である。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの表面から補強プレートを容易に剥離可能なウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスを有するウエーハの加工方法であって、外周に至る複数の溝が支持面に形成された補強プレートの該支持面にウエーハの表面を対面させ、耐熱性ボンド剤を介して該補強プレートにウエーハを配設する補強プレート配設工程と、該補強プレートをチャックテーブルで保持したウエーハの裏面研削工程と、該補強プレートに配設されたウエーハの裏面からウエーハの表面に形成されたデバイスの電極に接続する貫通電極形成工程と、該補強プレートの外周に露出した溝から耐熱性ボンド剤を溶融する溶剤を供給し該溝内に浸透させて、該耐熱性ボンド剤を溶融する耐熱性ボンド剤溶融工程と、ウエーハの表面から該補強プレートを除去する補強プレート除去工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの表面から補強プレートを容易に剥離可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に耐熱性ボンド剤を塗布するとともに外周余剰領域に対応する補強リングを該外周余剰領域に貼着して該耐熱性ボンド剤を固化させて、該耐熱性ボンド剤と該補強リングとで補強プレートを形成する補強プレート形成工程と、該補強プレートをチャックテーブルで保持してウエーハの裏面を研削砥石で研削する裏面研削工程と、該補強プレートに配設されたウエーハの裏面からウエーハの表面に形成されたデバイスの電極に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、該補強プレートに該耐熱性ボンド剤を溶融する溶剤を供給して該補強プレートを溶融するとともに該補強リングを除去する補強プレート除去工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの表面から補強プレートが容易に剥離可能なウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスを有するウエーハの加工方法で、ウエーハの表面に耐熱性ボンド剤で補強プレートを配設して、該補強プレートをチャックテーブルで保持してウエーハの裏面を研削し、該補強プレートに配設されたウエーハの裏面からウエーハの表面に形成されたデバイスの電極に接続する貫通電極を形成する。ウエーハの裏面をチャックテーブルで保持し該補強プレートを切削して耐熱性ボンド剤に至る深さの複数の溝を形成し、該補強プレートを複数のペレットに分割して、該補強プレート側から該耐熱性ボンド剤を溶融する溶剤を供給して該溝内に浸透させて、該耐熱性ボンド剤を溶融するようにしたので、ウエーハの表面からペレットに分割された該補強プレートを容易に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】パッド電極に荷重または衝撃力が加わっても、周囲の絶縁膜にクラックが発生しにくい構造の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、平面形状が、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形、ならびに、これらの少なくとも一部分を含む形状の組合せからなる群から選ばれた平面形状となるような凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の内面に少なくとも一部を被覆する下敷膜を形成する下敷膜形成工程と、絶縁膜で覆われた前記凹部に導電性の電極材質を埋め込むパッド部形成工程とを含み、前記凹部形成工程は、第１の凹部を形成する工程と、前記第１の凹部の一部分においてさらに深く凹む第２の凹部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置において、貫通電極によって被覆された貫通孔の内部を充填する保護層にクラック等が発生する不具合を防止する。
【解決手段】
貫通電極９を被覆するとともに、貫通孔６内を充填する保護層１０を備える半導体装置１において、保護層１０が複数層１１、１２からなり、複数層の保護層のうち最も半導体基板２の一面２ａに近い層が、少なくとも貫通電極の底面９ａと側面９ｂの交差部を被覆し、かつ、ポジ型感光性樹脂を用いて形成されることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】任意の方向に傾斜した開口部を形成可能な基板の製造方法、半導体装置の製造方法、およびこれを適用した半導体装置を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】本適用例の素子基板１０１の製造方法は、素子基板１０１上に設けられた半導体装置としてのＴＦＴ１１０を覆うと共に第１開口部としての孔１０４ａが設けられた第２絶縁膜としての層間絶縁膜１０４をマスクとして、素子基板１０１の面法線１０１ａと交差する一の方向からドライエッチングを第１絶縁膜としてのゲート絶縁膜１０３に施して、孔１０４ａに連通すると共にＴＦＴ１１０のドレイン電極１１０ｄに開口する第２開口部としての孔１０３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における高周波伝送特性に優れ、コストが安価で、しかも、化学的安定性、電気絶縁性、耐熱衝撃性及び耐熱変形性に優れた絶縁構造を有する電子デバイス用基板及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】環状絶縁部３は、ガラスを主成分とする無機絶縁層３３を含み、無機絶縁層３３は、縦導体２を取り囲んで、半導体基板１に設けられた環状溝３０の内部に充填されている。 （もっと読む）

【課題】表側と裏側とを有する基板を含むマイクロエレクトロニクス・デバイスに基板を貫通する相互接続部を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板の表側に回路素子（１３４）を形成するステップと、回路素子（１３４）に達するトレンチ（１３８）を基板の裏側に形成するステップと、ポリマー絶縁材料からなる層（１４０）をトレンチ（１３８）内に形成するステップと、ポリマー絶縁材料からなる層（１４０）を基板の表側から露出させるために、回路素子（１３４）に開口（１５０）を形成するステップと、ポリマー絶縁材料からなる層（１４０）のうち開口（１５０）によって露出された部分を基板の表側から除去するステップと、回路素子（１３４）と電気的に通じている導電相互接続層（１４２）をトレンチ（１３８）内に形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板２に形成した貫通電極６の導電率及び熱伝導率を向上させる。
【解決手段】電子デバイス１は、表面に窪み４を有し、この窪み４の底面から裏面に貫通する貫通孔３が形成された絶縁基板２と、貫通孔３に充填され、ナノ金属粒子と１０μｍ以下の平均粒径導電性フィラーを混合した金属ペーストの熱処理により形成された貫通電極６と、窪み４に収納され、貫通電極６に電気的に接続される電子部品７と、この電子部品７を封止する封止部９とを備えており、貫通電極６の導電率及び熱伝導率を向上させた。 （もっと読む）

【課題】工程時間を短縮し、平坦度(又は、ボンディングの均一性)を高め、絶縁層(絶縁基板)とチップとの間の接着力が向上したパッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパッケージは、パターニング層上に形成された第１導電層と、前記パターニング層上に前記第１導電層を埋め込むように形成された絶縁層と、前記絶縁層の外面に形成された第２導電層と、前記第１導電層と第２導電層とを電気的に接続するように前記絶縁層の内部に形成された第３導電層とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を貼り合わせる積層半導体装置を効率よく製造できる方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を貼り合わせて積層半導体装置を製造する半導体装置製造方法であって、回路が形成された複数の基板のうちの一の基板に凹部を形成する凹部形成ステップと、一の基板を複数の基板のうちの他の基板に重ね合わせる重ね合わせステップと、重ね合わせステップの後に、一の基板の凹部に導電性材料を導入することにより、一の基板の回路と他の基板の回路との間の電気的な導通路を形成する導通形成ステップとを備える半導体装置製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等のパターンを作製する方法、さらには、層間絶縁膜、平坦化膜、ゲート絶縁膜等の絶縁膜、配線、電極、端子等の導電膜、半導体膜等の半導体素子の各部位の膜、良好なマスクパターン、及びコンタクトホールを形成する方法を提案し、更には低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一は、膜上にぬれ性の低い１のマスクパターンを形成した後、第１のマスクパターンを介して、膜上にぬれ性の高い材料を塗布又は吐出して第２のマスクパターンを形成し、第１のマスクパターンを除去して、第２のマスクパターンをマスクとして第１の膜の一部を除去する。 （もっと読む）

トランジスタは、基板と、基板上の一対のスペーサと、基板上且つスペーサ対間のゲート誘電体層と、ゲート誘電体層上且つスペーサ対間のゲート電極層と、ゲート電極層上且つスペーサ対間の絶縁キャップ層と、スペーサ対に隣接する一対の拡散領域とを有する。絶縁キャップ層は、ゲートにセルフアラインされるエッチング停止構造を形成し、コンタクトエッチングがゲート電極を露出させることを防止し、それにより、ゲートとコンタクトとの間の短絡を防止する。絶縁キャップ層は、セルフアラインコンタクトを実現し、パターニング限界に対して一層ロバストな、より幅広なコンタクトを最初にパターニングすることを可能にする。
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【課題】溶融温度が低く、凝固後は高い融点を確保し得る導電性組成物を提供すること。
【解決手段】第１の金属粒子１は、平均粒径が、微細サイズ効果を生じ融点よりも低い温度で溶融可能なｎｍ領域にある。第２の金属粒子２は、第１の金属粒子１の溶融により溶融する。 （もっと読む）

【課題】配線が形成される多孔質絶縁膜がプラズマダメージ等を受けるのを防ぐことにより、高歩留り且つ高信頼性な半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体基板の上に、化学気相成長法により、炭素濃度、空孔形成剤濃度及び酸素濃度がそれぞれ異なる複数の領域を有する空孔形成剤含有膜を形成する工程を備えている。この工程は、前駆体、空孔形成剤及び酸化剤を第１の流量で流す第１の期間と、第１の期間の後に、前駆体の流量に対する空孔形成剤の流量を減少させる第２の期間と、第２の期間の後に、前駆体の流量に対する空孔形成剤の流量の減少を停止し、前駆体、空孔形成剤及び酸化剤を第２の流量で流す第３の期間と、第３の期間の後に、前駆体の流量に対する酸化剤の流量を増大させる第４の期間と、第４の期間の後に、前駆体、空孔形成剤及び酸化剤を第３の流量で流す第５の期間とを含む。 （もっと読む）

【課題】研磨時にバリア膜が溶解することを抑制することができるような半導体装置及びその製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された、溝１０９を有する絶縁膜１０７と、溝１０９に形成された第１のバリア膜１１１と第２のバリア膜１１２とを有する配線１１５とを備えている。第１のバリア膜１１１は、溝１０９の側壁及び底面上に形成され、第２のバリア膜１１２は、第１のバリア膜１１１を覆うように溝１０９に形成されている。さらに、第２のバリア膜１１２は、配線１１５の上面よりも下側に形成されている。 （もっと読む）