【目的】 配線抵抗を低減させながら歩留まりを向上させたバリアメタル膜を形成することを目的とする。
【構成】 基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜に開口部を形成する開口部形成工程（Ｓ１１０）と、ＰＶＤ法を用いて、前記絶縁膜上と開口部内とに第１のバリアメタル膜を形成する第１のバリアメタル膜形成工程（Ｓ１１６）と、その上に、ＣＶＤ法を用いて第２のバリアメタル膜を形成する第２のバリアメタル膜形成工程（Ｓ１１８）と、その上に、ＰＶＤ法を用いて第３のバリアメタル膜を形成する第３のバリアメタル膜形成工程Ｓ１２０）と、その上に、導電性材料を堆積させる堆積工程（Ｓ１１２，Ｓ１２４）と、を備え、前記絶縁膜上に形成された前記第１と第２と第３のバリアメタル膜の合計膜厚が、８ｎｍより小さくなるように形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンプラグ上のプラグコンタクトの抵抗ばらつきを低減する。
【解決手段】半導体基板上の第１の絶縁膜１２中にポリシリコンよりなるプラグ１３を形成する工程と、ポリシリコンよりなるプラグの上に、酸化物層１４を形成する工程と、ポリシリコンよりなるプラグと第１の絶縁膜の上に、第２の絶縁膜１６を形成する工程と、第２の絶縁膜の上に、所定の形状にパターニングされたレジストを形成する工程と、パターニングされたレジストをマスクとして第２の絶縁膜の中に、コンタクト孔１７ｂを設ける工程と、酸化物層を、ポリシリコンよりなるプラグの上に残した状態で、コンタクト孔の内部を洗浄する工程と、酸化物層を除去した後に、コンタクト孔の内部を導電性金属１９で埋め込むことにより導電性金属よりなるプラグを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性のあるトレンチのプロファイルを確保することができるデュアルダマシン配線の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のデュアルダマシン配線の製造方法は、（ａ）基板上に下部配線を形成する段階と、（ｂ）下部配線上に絶縁膜を形成する段階と、（ｃ）絶縁膜上にハードマスクを形成する段階と、（ｄ）ハードマスクをエッチングマスクで用いて絶縁膜内にビアを形成する段階と、（ｅ）ハードマスクをビアと連結されるとともに配線が形成されるトレンチを規定するトレンチ用ハードマスクに再パターニングする段階と、（ｆ）トレンチ用ハードマスクをエッチングマスクとして用いて絶縁膜を一部エッチングしてビアと連結されるとともに配線が形成されるトレンチを形成する段階と、（ｇ）トレンチ用ハードマスクを湿式エッチングで除去する段階と、（ｈ）トレンチ及びビアを配線物質で充填して配線を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】コンタクト間のショートが効果的に防止され、微細化に対応可能な半導体装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を介して複数の積層ゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記積層ゲート電極の伸長方向の側面にサイドウォールを形成するサイドウォール形成工程と、前記半導体基板上に前記積層ゲート電極およびサイドウォールを覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記複数の積層ゲート電極間の前記絶縁層を選択的にエッチング除去してライン状のコンタクト用溝を形成するコンタクト用溝形成工程と、 前記コンタクト用溝に導電性材料を埋め込むことによりライン状のコンタクトプラグを形成するコンタクトプラグ形成工程と、前記コンタクトプラグをその長手方向で分断して、互いに電気的に分離されたコンタクトを形成するコンタクト形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 多孔質絶縁膜を含む層間絶縁膜の誘電率を実効的に低減させ、微細で高信頼性のダマシン配線を有する半導体装置の実用化を容易にする。
【解決手段】 下層配線１上に多孔質の第１低誘電率膜２ｂを含む第１層間絶縁膜２が形成され、第１低誘電率膜２ｂに設けられたビアホール３の側壁に第１サイドウォールメタル４が形成され、その後に第１エッチングストッパー層２ａがエッチングされて下層配線１が露出される。そして、ビアホール３内にビアプラグ５が埋め込まれる。同様に、多孔質の第２低誘電率膜６ｂを含む第２層間絶縁膜６のトレンチ７内の側壁に第２サイドウォールメタル８設けられた後に第２エッチングストッパー層６ａがエッチングされ上記ビアプラグ５に接続する上層配線９が形成される。 （もっと読む）

【課題】 機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ絶縁膜に対する密着性の高いバリアメタル膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板（１）上に形成された絶縁膜（６）と、絶縁膜（６）中に形成された埋め込み金属配線（１０）と、絶縁膜（６）と金属配線（１０）との間に形成されたバリアメタル膜（Ａ１）とを備えた半導体装置において、バリアメタル膜（Ａ１）は、絶縁膜（６）が存在している側から金属配線（１０）が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜（７）、金属化合物膜（８）及び金属膜（９）よりなる。金属化合物膜（８）の弾性率は、金属酸化物膜（７）の弾性率よりも大きい。 （もっと読む）

高アスペクト比ビア内に連続シード層を形成する方法とそれに関連付けられる構造体を記載する。この方法は、基板内に凹部（１０４）を形成する段階と、凹部内に非連続金属層を形成する段階と、凹部内の非連続金属層（１１２）と、少なくとも１つの非堆積領域（１０９）を活性化させる段階と、凹部内の非連続金属層及び少なくとも１つの非堆積領域上にシード層（１１６）を無電解メッキする段階と、実質的にボイドがなく、金属が充填された凹部を形成するようシード層上に金属充填層を形成する段階を含む。
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【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜１０３が多層形成され、絶縁膜１０３に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜１０３のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜１０３の層間にはバリア絶縁膜１０４を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子２０１の上にＷプラグ２０３（下層配線）が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜２０４（絶縁膜）を形成する工程と、第二層間絶縁膜２０４に電子線を照射して、第二層間絶縁膜２０４を露光する工程と、第二層間絶縁膜２０４を現像して未露光部を除去し、配線溝および／またはビアホールおよび／またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 （もっと読む）