【課題】被処理体の凹部の径が小さくても、例えばバリヤ層として機能する薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させることが可能な薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部６が形成されている被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、凹部の内面を含む被処理体の表面にチタン化合物ガスと還元ガスとを用いてチタン膜１００を形成するチタン膜形成工程と、窒化ガスを用いてチタン膜を全て窒化して第１の窒化チタン膜１０４を形成する窒化工程と、凹部の内面を含む被処理体の表面に第２の窒化チタン膜１０６を堆積させて形成する窒化チタン膜堆積工程と、を有する。これにより、被処理体の凹部の径が小さくても、薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化処理に用いる薬液により、半導体基板と保護膜との剥離を抑制する多孔質構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】拡散層１２が形成された半導体基板１０に酸化膜１４を形成する工程と、酸化膜１４の所定の位置に複数の接続孔を設け、該接続孔に配線２２を形成した後、配線２２で挟まれた領域に拡散層１２の表面が露出するような開口部２４を設ける工程と、開口部２４の外周縁部に溝２６を形成し、溝２６を埋め込むように半導体基板１０の拡散層１２が形成された面の全面に保護層２８を堆積する工程と、開口部２４の外周縁部に保護層２８が残存するように開口部２４の保護層２８を除去し、拡散層１２を露出する工程と、開口部２４に残存した保護層２８を保護膜３２として、露出した拡散層１２を陽極酸化処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタクト抵抗の安定性を確保して、コンタクト抵抗にばらつきを抑えることを可能にする。
【解決手段】基板１１のシリコン領域１２上に第１金属シリサイド層１３を形成する工程と、前記基板１１上に前記第１金属シリサイド層１３を被覆する絶縁膜１４を形成する工程と、前記絶縁膜１４に前記第１金属シリサイド層１３に通じるコンタクトホール１５を形成する工程と、前記コンタクトホール１５の内面および前記絶縁膜１４上にシリサイド化される第２金属層１６を形成する工程と、前記第２金属層１６と前記コンタクトホール１５の底部のシリコンとを反応させて前記第１金属シリサイド層１３上に第２金属シリサイド層１７を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を介して隣接し、それぞれ低い抵抗値を有する複数のシリサイド層を備え、かつ複数のシリサイド層間の耐電圧特性の劣化および短絡を抑えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、絶縁膜を介して前記半導体基板の表面に略平行な方向に隣接する複数のＳｉ系パターン部を形成する工程と、前記複数のＳｉ系パターン部および前記絶縁膜上に、前記複数のＳｉ系パターン部に接するように金属膜を形成する工程と、熱処理により前記複数のＳｉ系パターン部と前記金属膜とをシリサイド反応させ、前記複数のＳｉ系パターン部の全部または上側の一部をそれぞれシリサイド層に加工する工程と、前記複数のシリサイド層に平坦化処理を施し、前記絶縁膜上に形成されたシリサイド層を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】コンタクト構造物の形成方法及びこれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクト領域１０３を有する対象体１００上に絶縁層１０６を形成した後、絶縁層１０６をエッチングしてコンタクト領域１０３を露出させる開口を形成する。露出されたコンタクト領域１０３上にシリコン及び酸素を含む物質膜を形成した後、シリコン及び酸素を含む物質膜上に金属膜を形成する。シリコン及び酸素を含有する物質膜と金属膜を反応させて、少なくともコンタクト領域１０３上に金属酸化物シリサイド膜１２１を形成した後、金属酸化物シリサイド膜１２１上の開口を埋める導電膜を形成する。コンタクト領域とコンタクトとの間に金属、シリコン、及び酸素が三成分系を成す金属酸化物シリサイド膜を均一に形成することができるため、改善された熱安定性及び電気的特性を有する。 （もっと読む）

【課題】配線間をCuプラグによって電気的に接続する構成において、Cuプラグとの電気的接続の信頼性が高く、リーク電流が少ない半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明における半導体装置１００は、拡散層４３およびゲート電極４２を形成した半導体基板１と、半導体基板１上に形成された層間絶縁膜５と、層間絶縁膜５を貫通し、拡散層４３およびゲート電極４２上に形成されたコンタクトホール６１と、コンタクトホール６１の内面に形成されたTiバリアメタル層６２と、バリアメタル層６２上に形成されたW、Co、Ru、Ptのいずれかを含むシード層６３と、シード層６３上であってコンタクトホール６１を充填するように形成されたCuプラグ６４と、Cuプラグ６４上に形成された配線層７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 微細化に伴うコンタクト抵抗の増加を防止した、信頼性の高い素子特性を有する薄膜半導体装置を提供すること。
【解決手段】 透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１導電型の不純物を含むソース領域及び第１導電型の不純物を含むドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜、及び前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続する、前記層間絶縁膜に形成された第１及び第２のコンタクト孔内にそれぞれ埋め込まれた第１導電型の不純物を含む凸型ソース多結晶半導体層並びに第１導電型の不純物を含む凸型ドレイン多結晶半導体層を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

サブリソグラフィック寸法又は高アスペクト比を含む小寸法を有する開口内に均一で均質に電極材料を形成する方法を提供する。この方法は、内側に形成された開口を有する絶縁層を提供し、開口上及び開口内に均質な導電又は準抵抗材料を形成するステップを含んでいる。この方法は、金属窒化物、金属アルミニウム窒化物及び金属ケイ素窒化物電極組成を形成するＣＬＤ又はＡＬＤプロセスである。この方法は、アルキル、アリル、アルケン、アルキン、アシル、アミド、アミン、イミン、イミド、アジド、ヒドラジン、シリル、アルキルシリル、シリルアミン、キレーティング、ヒドリド、サイクリック、カルボサイクリック、シクロペンタジエニル、ホスフィン、カルボニル又はハライドから選択された１以上のリガンドを含む金属前駆体を利用する。公的な前駆体は、一般式ＭＲｎを有し、Ｍは金属、Ｒは上述のリガンド、ｎは主要な金属原子に結合したリガンドの数に対応している。Ｍは、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｒ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ又は他の遷移金属である。
（もっと読む）

【課題】上層側と下層側の導電プラグの接続抵抗が低減された、形成が容易な積層プラグ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】不純物含有多結晶シリコンからなる第１の導電プラグと、金属からなる第２の導電プラグと、第１の導電プラグと第２の導電プラグを接続する接続導電層とを有する半導体装置であって、前記接続導電層は、第１の導電プラグの端部に接続する金属シリサイド層と、この金属シリサイド層に積層され、第２の導電プラグの端部に接し且つ第２の導電プラグを構成する金属と同種の金属からなる金属層とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数層の埋め込み配線を有する半導体集積回路装置において、埋め込み配線と底部にて接続するプラグとその埋め込み配線との界面でのストレスマイグレーションによる導通不良を防ぐ。
【解決手段】たとえば、Ｃｕ配線３３Ｗの幅が約０．９μｍ以上かつ約１．４４μｍ未満であり、Ｃｕ配線４３の幅およびプラグ４３Ｐの径が約０．１８μｍである場合において、Ｃｕ配線３３Ｗ上にてＣｕ配線３３ＷとＣｕ配線４３とを電気的に接続するプラグ４３Ｐを２個以上配置する。 （もっと読む）

【課題】Ｏリングをシール部材に用いた処理室で、半導体基板上の金属シリサイド形成を行う熱処理工程において、処理室に酸素等不純物ガスを引込まない半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理室２０に連通する第１の排気管３２と、第１の排気管３２の排気を遮断するためのバルブ３３と、第１の排気管３２より排気量の小さな第２の排気管３４と、を有し、第２の排気管３４をバルブ３３と処理室２０との間に前記第１の排気管３２から分岐して設け、バルブ３３を閉じることにより、処理室２０を大気圧より高い圧力の状態に維持する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体素子は、第１素子、第１素子の上側に形成されるシリコンエピ層、シリコンエピ層上に形成される第２素子、第１素子と第２素子とを電気的に連結する連結ビアを含む。この半導体素子の製造方法は、第１素子が形成される段階、第１素子の上側にシリコンエピ層が形成される段階、シリコンエピ層を貫通する連結ビアが形成される段階、及びシリコンエピ層上に形成されて連結ビアと電気的に連結される第２素子が形成される段階を含む。 （もっと読む）

【課題】チタンのシリサイド構造を揃えることによりモホロジー等を改善することが可能なチタン膜の成膜方法及びチタン膜の成膜装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内に、チタンを含む原料ガスと還元ガスと不活性ガスとを供給すると共に、前記処理容器内にプラズマを立てて表面にシリコン部６と絶縁膜２とが露出している被処理体Ｗの表面にチタン膜８を形成するチタン膜の成膜方法において、前記還元ガスと不活性ガスとの合計流量に対する前記還元ガスの供給量の比率が６７％以下となるように設定する。これにより、チタンのシリサイド構造を揃えて、モホロジー等を改善する。 （もっと読む）

【課題】高密度に搭載可能な構造を有する電界効果トランジスタを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板と、この基板上に設けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層に埋め込まれた導電層と、この導電層に電気的に接続し直上に配置された下部拡散層、この下部拡散層上の半導体層、及びこの半導体層上の上部拡散層を有する柱状半導体部と、前記半導体層の周囲側面に設けられたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、このゲート電極および前記柱状半導体部を埋め込むように設けられた第２の絶縁層を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 電子装置及びその製造方法に関し、エッチングストッパ膜となる絶縁膜に過度のダメージを与えることなく、塗布系の低誘電率膜との密着性をバラツキなく改善する。【解決手段】 基板９上に形成されたＳｉ−ＣＨ₂ −Ｓｉ構造を１０〜９０重量％含有するシリコンオキシカーバイドからなる第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１上に形成されたポーラスシリカ系の第２の絶縁膜３とを有し、第１の絶縁膜１と第２の絶縁膜３の界面において、第１の酸素４と二重結合している炭素５を介して、第１の珪素６と、第２の珪素７と結合した第２の酸素８とが連結された構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】内部に貫通電極を容易に形成することができ、製造歩留を向上させることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体シリコン層上に、導電性ポリシリコンから構成される第１コンタクトパッドを有する第１絶縁層、第２コンタクトパッドを有する第２絶縁層を形成する。この後、貫通電極用のビアホールを、少なくとも半導体シリコン層および第１コンタクトパッドを貫通して第２コンタクトパッドに到達するまで形成する。 （もっと読む）

【課題】二重ダマシン構造を有する集積回路および余分な工程を削減し二重ダマシン構造を形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】
二重ダマシン構造を製造する工程である。この工程は、スタックの上方に２個のマスクが形成される絶縁体層とストップ層を含むスタックを形成するものである。マスクのうちの１個は、絶縁体層のビアあるいはコンタクト開口を形成するのに用いられ、第ニのマスクは集積回路に相互接続のための凹部を形成するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ４０Ｄの内部空間Ｓに吸着期間の間だけＺｒ（ＢＨ_４）_４を導入した。そして、シリコン基板２の表面、すなわち第２層間絶縁膜の表面及び第１配線の表面に、あるいはハードマスクの表面及び第２配線の表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４を吸着させ、吸着分子からなる単分子層を形成した。また、吸着期間の経過後、照射管４７の内部に改質期間の間だけマイクロ波を照射し、プラズマ化したＨ_２を、すなわち水素活性種をシリコン基板２の表面に供給した。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４の供給と、水素活性種の供給と、を交互に繰り返した。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内に配した保護部に起因する応力が小さく、接続信頼性の向上した半導体装置を提供する。
【解決手段】機能素子１１を一面に配した半導体基板１２、半導体基板１２の一面にあって、機能素子１１と電気的に接続して配した電極１４、半導体基板１２の他面から電極１４に向けて設けた貫通孔１２ａ、機能素子１１の配した領域を除く半導体基板１２の一面、及び他面と、貫通孔１２ａを覆うように配した絶縁層１３、並びに半導体基板１２の他面側に絶縁層１３を介して配し、かつ貫通孔１２ａを覆うように配した導電部１５、から少なくともなる半導体装置であって、導電部１５に沿って貫通孔１２ａ内に配した第一保護部１６と、半導体基板１２の他面側にあって、絶縁層１３、導電部１５、及び第一保護部１６を覆うように配した第二保護部１７とで囲まれる間隙１６ａを、貫通孔１２ａ内の少なくとも電極近傍に有することを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、トレンチ形成層或いはビア形成層の低誘電率性と機械的強度を確保するとともに、膜剥がれを防止する。
【解決手段】 基体上に所定の原料ガスを用いてＳｉＯＣを主成分とする第１の多孔質絶縁膜２を予め定めた所定の膜厚まで気相成長させたのち、同一チャンバー内において連続して所定の原料ガスにポロジェン前駆体を添加してポロジェン４を包含するＳｉＯＣを主成分とする第２の多孔質絶縁膜３を気相成長させ、次いで、第１及び第２の多孔質絶縁膜３に２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外線５を照射する。 （もっと読む）