【課題】高い信頼性を有する半導体装置と、当該半導体装置を歩留まり良く製造する方法とを提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１の層間絶縁膜１に埋め込まれ、上面に第１のキャップメタル６が設けられた配線材料膜５を形成する工程（ａ）と、配線材料膜５の上方に設けられた第２の層間絶縁膜８に溝１０およびビアホール９を形成する工程（ｂ）と、溝１０およびビアホール９の内面にバリアメタル１１を形成する工程（ｃ）と、ビアホール９の底部に位置するバリアメタル１１の部分と配線材料膜５および第１のキャップメタル６の一部とを除去する工程（ｄ）と、配線材料膜５の上面に第２のキャップメタル２１を形成する工程（ｆ）とを備える。配線材料膜５の上面に酸素との結合力が強い金属の酸化膜が形成される場合でも、当該金属の酸化物は工程（ｄ）で除去できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、空隙を含む複数レベルの相互接続構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】空隙を含む複数レベルの相互接続構造は、散在したライン・レベル及びビア・レベルの集合を含み、ビア・レベルは、１つ以上の誘電体層に埋め込まれた導電性ビアを含み、ビア・レベルの誘電体層は、隣接レベルのライン機構の上下に位置する固体であり、ライン機構の間でミシン目が入れられている。ライン・レベルは導電性ラインと、空隙を含む誘電体とを含む。導電性接点を含み、有孔誘電体層内に充填することによって形成された固体誘電性ブリッジ層は、散在したライン及びビア・レベルの集合上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つ。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板（不図示）上に形成され、導電体により構成された電気ヒューズ２００を含む。電気ヒューズ２００は、切断前状態において、それぞれ異なる層に形成された上層配線１３４と、上層配線１３４に接続されたビア１２８と、ビア１２８に接続された下層配線１２２とを含み、切断状態において、導電体が上層配線１３４から外方に流出してなる流出部１４２が形成されるとともに、下層配線１２２とビア１２８との間に空隙部１４０が形成される。 （もっと読む）

【課題】電気ヒューズが中途半端に切断されると、切断動作をリトライできない。
【解決手段】電気ヒューズ２００は、半導体基板（不図示）上に形成された第１の配線３００および第２の配線３０２と、半導体基板上に形成されるとともに一端が第１の配線３００に接続して設けられ、第２の配線３０２を第１の配線３００から電気的に切断するヒューズリンク３０４と、半導体基板上に形成され、第１の配線３００の一端および他端にそれぞれ設けられたヒューズリンク切断用の電流流入端子３０６および電流流出端子３０８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】集積回路に向けたシングル及びデュアルダマシン相互接続に関する技術を提供する。
【解決手段】ダマシン相互接続を製作する方法。本方法は、基板上に多孔性誘電体層を形成する段階、及び誘電体層内に少孔性誘電体副層を定めるために多孔性誘電体層の上部部分の中にポロゲン材料を与える段階によって開始される。キャップ層が少孔性誘電体副層上に形成され、第１の相互接続開口部を定めるためにキャップ層の上にレジストパターンが形成される。キャップ層及び誘電体層は、レジストパターンを通じてエッチングされ、第１の相互接続開口部を形成する。レジストパターンが除去され、第１の相互接続開口部を導電材料で充填することによって相互接続が形成される。余分な導電材料を除去するために、相互接続が平坦化される。 （もっと読む）

【課題】配線を低抵抗化するとともに、配線材料と層間絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成された第１の銅含有導電膜１２４と、第１の銅含有導電膜１２４上に形成され、第１の銅含有導電膜１２４に達する凹部が形成された絶縁膜（１０８、１１０、１１２、１１４）と、これら絶縁膜の凹部側壁を覆うように形成され、銅の拡散を防止する材料により構成された第２のバリア絶縁膜１２８と、凹部の底面で第１の銅含有導電膜１２４に接するとともに凹部の側壁で第２のバリア絶縁膜１２８に接して凹部内壁を覆うように形成された銅と銅とは異なる異種元素との第２の接着合金膜１３０と、銅を主成分として含み、第２の接着合金膜１３０上に第２の接着合金膜１３０に接して凹部を埋め込んで形成された第２の銅含有導電膜１３２とを含む。 （もっと読む）

【課題】長期間にわたり安定に作動させ、かつ、クロストークを防止することができるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減できることが可能なＴＦＴ基板及び反射型ＴＦＴ基板並びにそれらの製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】反射型ＴＦＴ基板１ａは、ガラス基板１０と、上面がゲート絶縁膜３０に覆われ、かつ、側面が層間絶縁膜５０に覆われることにより絶縁されたゲート電極２３及びゲート配線２４と、ゲート電極２３上のゲート絶縁膜３０上に形成されたｎ型酸化物半導体層４０と、ｎ型酸化物半導体層４０上に、チャンネル部４４によって隔てられて形成された反射金属層６０ａと、チャンネル部４４を保護するチャンネルガード５００とを備えた構成としてある。 （もっと読む）

【課題】 金属配線を構成する金属の拡散防止性能に優れ、絶縁性及び実効誘電率等に優れた半導体装置の多層配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層中に前記半導体基板と反対の面を露出して金属配線が埋設された配線層と、前記金属配線が露出する面側に前記金属配線を構成する金属の拡散を防止するためのバリア絶縁層とを備えた半導体装置であって、前記バリア絶縁層はシラン化合物で構成される第１のバリア絶縁層と、前記第１のバリア絶縁層の上に形成された第２のバリア絶縁層とを含むことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】貴金属シード層上への導体めっきの表面酸化問題を実質的に低減する、シングルまたはデュアル・ダマシン型の相互接続構造体およびそれを形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、貴金属シード層を処理するために水素プラズマ処理が用いられ、その結果、処理された貴金属シード層は表面酸化に対して非常に耐性がある。本発明の耐酸化性貴金属シード層は、低いＣ含有量または低い窒素含有量あるいはその両方を有する。 （もっと読む）

【課題】障壁冗長構成要素を有する相互接続構造体と、相互接続構造体を形成する方法とを提供する。
【解決手段】導電性ライン２０の部分の上にバイア拡散障壁３０が存在する。導電性ライン２０の上で障壁３０がない部分に存在する導電性材料５４は、導電性ライン拡散障壁２２とバイア拡散障壁３０との間の電気的経路を提供する。従って、導電性材料５４、導電性ライン拡散障壁２２およびバイア拡散障壁３０を用いて、内部障壁冗長構成要素が形成される。障壁冗長構成要素によって提供されるこの電気的経路によって、バイア底部のＥＭ不良から生じる突然の回路開放を回避することができる。従って、監視デバイスによってＥＭ不良が検出された後、チップ交換またはシステム操作調節のために十分な時間を提供する障壁冗長構成要素が相互接続構造体に提供される。 （もっと読む）

【課題】プロービング時にもクラックが発生しにくいパッド構造を持つ半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に形成された第１の絶縁膜に凹部が形成されている。凹部内に導電部材が充填されている。第１の絶縁膜及び導電部材の上に第２の絶縁膜が形成されている。凹部の上方の、第２の絶縁膜の表面上にパッドが形成されている。平面視において、凹部の外周線よりも内側に、凹部の底面から突出し、絶縁材料で形成された複数のピラーが配置されている。ピラーの各々の平面形状は、角部に曲率半径０．２μｍよりも大きな丸みを付した多角形である第１の形状、９０°よりも大きな内角のみからなる多角形である第２の形状、曲率半径０．２μｍ以上の湾曲部のみからなる曲線で囲まれた第３の形状、及び該第１〜第３の図形の外周線の一部同士を滑らかに接続した連続線で囲まれた第４の形状のいずれかである。 （もっと読む）

【課題】 多孔質有機シロキサン膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置の製造方法において、フォトレジスト膜をマスクにして多孔質有機シロキサン膜をパタン加工した後、多孔質有機シロキサン膜を劣化させずに、かつ簡便にフォトレジスト膜を除去する。
【解決手段】 炭素量／シリコン量が０．３以上０．７以下で比誘電率が２．４以上２．６以下或いは炭素量／シリコン量が０．４以上０．６以下で比誘電率が２．２以上２．６以下の多孔質有機シロキサン膜を製膜し、その上方にパタンを有するフォトレジスト膜を成膜し、これをマスクとして多孔質有機シロキサン膜をドライエッチング加工し、しかる後にアミン系剥離液でフォトレジスト膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】 キャパシタを形成するために必要となる追加工程数がより少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜に、第１の用凹部及び配線溝が形成されている。第１の用凹部内に下部電極が充填され、配線溝内に第１の配線が充填されている。層間絶縁膜の上にエッチングストッパ膜とビア層絶縁膜とが配置されている。第１のビアホールが、ビア層絶縁膜及びエッチングストッパ膜を貫通し、第１の配線の上面まで達し、その内部に第１のプラグが充填されている。平面視において下部電極と少なくとも部分的に重なる第２の用凹部が、ビア層絶縁膜に形成されている。上部電極が、第２の用凹部の底面と側面とを覆う。上部電極、エッチングストッパ膜、及び下部電極が、キャパシタを構成する。ビア層絶縁膜の上に、第１のプラグに接続された第２の配線が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半田接続部等の接続信頼性を改善することができるウェーハレベルパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】第２導電性パターン層７２上に、上面から見てほぼ楕円形状で断面形状がドーム形状の第１ポリマー層２６を形成し、この第１ポリマー層２６を第２ポリマー層２８で覆うことにより、多層構造体２７を形成する。この多層構造体２７は、信頼性検査や実際検査の際、ウェーハレベルパッケージの接合部又は接続線に加えられる熱機械的損傷と外部衝撃から半導体チップ２２を保護する。 （もっと読む）

【課題】エアギャップの大きさを確保して配線間容量の低下を促進すると共に、エアギャップの形成による半導体装置の形成精度の低下を防止することを目的とする。
【解決手段】エアギャップ溝１１１を形成するための絶縁膜のエッチングとして等方性の高いエッチングを実施することにより、配線側壁の近傍の絶縁膜が十分に除去できるようになるため、エアギャップの大きさを十分確保することができ、配線間の容量を十分に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、銅合金配線とビアとの接続面に、窒素を含むバリヤメタル膜が形成されている構造を有する半導体装置であって、銅合金配線とビアとの間における電気抵抗の上昇を抑制および電気抵抗のばらつきも抑制することができる半導体装置等を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置では、第一の銅合金配線３、ビア４および第一のバリヤメタル膜７を備えている。ここで、第一の銅合金配線３は、層間絶縁膜１内に形成されており、主成分であるＣｕに所定の添加元素が含まれている。ビア４は、層間絶縁膜２内に形成されており、第一の銅合金配線３の上面と電気的に接続している。第一のバリヤメタル膜７は、第一の銅合金配線３とビア４との接続部において第一の銅合金配線３と接触して形成されており、窒素を含む。所定の添加元素は、窒素と反応することにより高抵抗部を形成する元素である。また所定の添加元素の濃度は、０．０４ｗｔ％以下である。 （もっと読む）

無電解堆積および電気堆積プロセスをインサイチュで実行することによって、非常に信頼性のあるメタライゼーションが供給され、その際に、シード層を形成する、従来の化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）ならびに物理気相堆積（ＰＶＤ）技術にみられるような、汚染物質ならびにデバイススケーリングに関する欠点を克服することができる。ある実施例では、バリア層はさらに、ウェット堆積プロセスに基づいて堆積される。
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【課題】歩留り良く製造可能で、かつ高い信頼性を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１の層間絶縁膜１に形成された第１の配線溝内にバリアメタル３、シード膜４および配線材料膜５からなる第１の配線を形成する工程と、第１の層間絶縁膜１上に第２の層間絶縁膜７を形成した後に第２の層間絶縁膜７内にビアホール８および第２の配線溝９を形成し、配線材料膜５を露出させる工程と、半導体装置上にバリアメタル１０ａを形成する工程と、リスパッタリングなどにより配線材料膜５上のバリアメタル１０ａを除去した後、配線材料膜５上にバリアメタル２１を形成する工程とを含む。リスパッタリングによって配線材料膜５上に形成されたシード膜４中の不純物金属の酸化膜１３を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】歩留り良く製造可能で、かつ高い信頼性を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１の層間絶縁膜１に形成された第１の配線溝２内に、バリアメタル３、第１のシード膜４、第２のシード膜１４、銅膜５を有する埋め込み配線を備えている。第１のシード膜４は金属が添加された銅膜からなり、第２のシード膜１４は銅膜からなる。第２のシード膜１４は、製造工程中に第１のシード膜４に添加された金属が配線材料膜５中に拡散するのを抑える。 （もっと読む）

【課題】接続孔に埋め込まれる配線材料の埋め込み特性を向上させ、信頼性の高いデュアルダマシン配線構造の製造方法を提供することにある。
【解決手段】下層配線１１上に層間絶縁膜１３を形成し、当該層間絶縁膜１３に、上層配線を下層配線１１に接続するための接続孔、及び上層配線を埋め込むための配線溝を形成した後、配線溝と接続孔の接続部における層間絶縁膜１３の角部１１２をエッチングし、接続孔に傾斜面を形成する。然る後、接続孔及び配線溝内に、配線材料１１５を埋め込むことによって、下層配線１１と上層配線が接続孔プラグで接続されたデュアルダマシン配線構造を製造する。 （もっと読む）