【課題】絶縁膜とＣｕを含む配線との間に介在する下地膜であって、特に酸素のバリア性が高い下地膜を含む電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、凹部の形成された絶縁膜と、凹部内に形成され、Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と前記配線層との間に形成され、Ｔａ及びＭｎを含む下地膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】信号配線の電子ノイズをより低減させた電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】走査配線１０１（２）、信号配線３、及び共通配線１０２（１８）をセンサ部１０３よりも下層に各々絶縁膜を介して設けられた異なる金属層により形成されており、信号配線３を走査配線１０１及び共通配線１０２よりも厚く形成した。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑化することなく、配線の信頼性低下を招かない、配線構造を有する半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】接続孔３０の底面及び側面上並びに配線用溝３１の底面及び側面上にＴａ／ＴａＮ積層バリア層１２を介して、ＮｉＦｅ磁性層１３をＰＶＤ装置のＮｉＦｅチャンバを用いたＰＶＤ法によって成膜する。次に、同一のＰＶＤ装置の同一のＮｉＦｅチャンバを用いて、成膜条件を変更することにより、接続孔３０及び配線用溝３１の底面上及び層間絶縁膜１１の表面上におけるＮｉＦｅ磁性層１３を選択的に除去する。さらに、同一のＰＶＤ装置のＴａチャンバ及びＣｕチャンバを用いて、接続孔３０の底面及び側面上並びに配線用溝３１の底面及び側面上にＴａバリア層及びＣｕシード層を順次形成する。 （もっと読む）

【課題】抵抗上昇や表面の電極パッドの突き抜けを防止できる構造を備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板６を貫通して形成された貫通電極５と、貫通電極５の上に形成され、貫通電極５と電気的に接続する導電体からなる導電体パッド１４と、半導体基板６の表面に形成され、導電体パッド１４と電気的に接続する配線層３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 キーホール・シームの形成を排除した信頼性が高い高アスペクト比のコンタクト構造体を含む半導体構造を提供する。
【解決手段】 キーホール・シームの形成は、本発明においては、誘電体材料内部に存在する高アスペクト比のコンタクト開口部内に高密度化貴金属含有ライナを設けることによって排除される。高密度化貴金属含有ライナは拡散バリアの上に配置され、これら両方の要素は、本発明のコンタクト構造体の導電性材料を、下層の半導体構造体の導電性材料から分離する。本発明の高密度化貴金属含有ライナは、第１の抵抗率を有する貴金属含有材料の堆積、及び、堆積した貴金属含有材料の抵抗率をより低い抵抗率に減少させる高密度化処理プロセス（熱又はプラズマ）を、堆積した貴金属含有材料に施すことによって形成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の水分による配線メタルの腐食を防止することができ、配線の信頼性向上をはる。
【解決手段】埋め込み配線を有する半導体装置であって、一部に配線用溝１１３が形成された配線間絶縁膜１１１，１１２と、配線間絶縁膜１１１，１１２の配線用溝１１３内に埋め込み形成され、且つ配線用溝１１３の側壁面との間にギャップを有する金属配線層１１５と、配線層１１５の側壁面と上面を覆うように形成された耐水性バリア層１１８とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造に組み込まれたキャパシタを有する半導体素子を提供する。
【解決手段】キャパシタ２５は、ダマシン構造内の半導体素子構成要素を有するダマシン構造の金属化層内全体に形成される。好ましくは、金属層の誘電体内にエッチングされる溝内にキャパシタは形成され、キャパシタは金属層の素子構成要素１６に電気的に接続する凹部内部に形成される第１のキャパシタ電極２６を包含する。絶縁体３０上に形成される第２のキャパシタ電極２７と共に絶縁体は前記第１のキャパシタ電極上に形成されるのが好ましい。これらの要素は凹部を形成するように、溝に適合するように堆積されるのが望ましく、その一部は溝内部に延在する。次に形成される素子構成要素は、第２のキャパシタ電極に電気的に接触するようにされる。 （もっと読む）

サブリソグラフィック寸法又は高アスペクト比を含む小寸法を有する開口内に均一で均質に電極材料を形成する方法を提供する。この方法は、内側に形成された開口を有する絶縁層を提供し、開口上及び開口内に均質な導電又は準抵抗材料を形成するステップを含んでいる。この方法は、金属窒化物、金属アルミニウム窒化物及び金属ケイ素窒化物電極組成を形成するＣＬＤ又はＡＬＤプロセスである。この方法は、アルキル、アリル、アルケン、アルキン、アシル、アミド、アミン、イミン、イミド、アジド、ヒドラジン、シリル、アルキルシリル、シリルアミン、キレーティング、ヒドリド、サイクリック、カルボサイクリック、シクロペンタジエニル、ホスフィン、カルボニル又はハライドから選択された１以上のリガンドを含む金属前駆体を利用する。公的な前駆体は、一般式ＭＲｎを有し、Ｍは金属、Ｒは上述のリガンド、ｎは主要な金属原子に結合したリガンドの数に対応している。Ｍは、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｒ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ又は他の遷移金属である。
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【課題】切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つ。
【解決手段】半導体装置２００は、基板上に形成された下層配線１２０と、下層配線１２０上に下層配線１２０に接続して設けられたビア１３０と、ビア１３０上にビア１３０に接続して設けられた上層配線１１０とを含み、切断状態において、上層配線１１０を構成する導電体が上層配線１１０の外方に流出してなる流出部が形成されることにより切断される電気ヒューズ１００と、少なくとも上層配線１１０と同層に形成され、上層配線１１０に生じる熱を吸収するガード上層配線１５２（導電吸熱部材）とを含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板（図示略）と、半導体基板上に設けられた第一の電気ヒューズ１２と、第二の電気ヒューズ１３とを備える。第一の電気ヒューズ１２は、異なる配線層に形成された第一の上層配線１２１および第一の下層配線１２２と、第一の上層配線１２１および第一の下層配線１２２を接続するビア１２３とを有する。第二の電気ヒューズ１３は、異なる配線層に形成された第二の上層配線１３１および第二の下層配線１３２と、第二の上層配線１３１および第二の下層配線１３２を接続するビア１３３とを有する。半導体装置１は、第一の電気ヒューズ１２の前記第一の上層配線１２１と、第二の電気ヒューズ１３の第二の下層配線１３２とを接続する接続部１４を有する。この接続部１４は、第一の電気ヒューズ１２および第二の電気ヒューズ１３を直列に接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造工程において、層間絶縁膜へのダメージを極力抑えることが可能な配線の還元処理方法の開発。
【解決手段】本発明は、基板上に導電部材および絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、該方法は、基板上に導電部材を形成する工程、該導電部材上に絶縁膜を形成する工程、該導電部材上の絶縁膜を除去する工程、該導電部材上の酸化された領域を還元するために有機シランガスおよび水素ガスをブローする工程からなり、ここで該導電部材上の酸化された領域は、該絶縁膜が除去されたときに形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電体内の欠陥の発生を抑制し、導電体が連続的に形成される三次元構造体の製造方法および三次元構造体を提供する。
【解決手段】第１の導電体上に、絶縁体と、この絶縁体内に、第１の導電体と異なる第２の導電体で構成される縦構造体と横構造体が組み合わされた三次元の擬似導電体構造とを形成する工程と、擬似導電体構造を溶解除去して三次元の空洞を形成し、第１の導電体を露出させる工程と、第１の導電体をシード層として、電解めっき法により第３の導電体を空洞に充填し、三次元の導電体構造を形成する工程を有することを特徴とする三次元構造体の製造方法およびこれによる三次元構造体。 （もっと読む）

【課題】基板上の凹部が形成された層間絶縁膜の露出面にバリア膜を成膜し、凹部内に下層側の金属配線と電気的に接続される銅配線を形成するにあたり、段差被覆性の良好なバリア膜を形成することができ、しかも配線抵抗の上昇を抑えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜に形成された凹部２１の底面に露出した下層側の銅配線１３の表面の酸化膜を還元あるいはエッチングして、当該銅配線１３の表面の酸素を除去した後、マンガンを含み、酸素を含まない有機金属化合物を供給することによって、凹部２１の側壁及び層間絶縁膜の表面などの酸素を含む部位に自己形成バリア膜である酸化マンガン２５を選択的に生成させる一方、銅配線１３の表面にはこの酸化マンガン２５を生成させないようにして、その後この凹部に銅を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】配線幅の変遷に影響されない、表面欠陥を実用可能なレベルよりさらに低いレベルまで低減できる基本的な結晶構造を具備したＣｕ配線を有する半導体装置及びその検査技術を提供する。
【解決手段】半導体装置において、バリア膜及びシード膜を特定すると共に、Ｃｕ配線の全ての結晶粒界に占める、粒界Σ値２７以下の対応（ＣＳＬ）粒界の割合（頻度）を６０％以上とすることにより、表面欠陥を実用可能な現状レベルの１／１０以下まで低減できる。または、該半導体装置において、バリア膜及びシード膜を特定すると共に、Ｃｕ配線の全ての結晶粒界に占める、粒界Σ値３の対応（ＣＳＬ）粒界の割合（頻度）を４０％以上とすることにより、表面欠陥低減の同様の効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングで実装されるチップとバンプ電極で実装されるチップとで、製造工程を共通化できる技術を提供する。
【解決手段】バンプ電極によりチップ１が外部との電気的接続を行う場合においても、ボンディングワイヤによりチップ１が外部との電気的接続を行う場合においても、１本の最上層の配線７にバンプ接続部１５およびボンディングパッド１６の両方を設ける。バンプ電極を用いる場合にはバンプ接続部１５上の絶縁膜に開口部を設け、ボンディングパッド１６上は絶縁膜で覆う。一方、ボンディングワイヤを用いる場合にはボンディングパッド１６上の絶縁膜に開口部を設け、バンプ接続部１５上は絶縁膜で覆う。 （もっと読む）

【課題】基板モジュールの製造工程中において、絶縁層の剥離ならびに接続電極の断線および剥離が発生する虞があった。
【解決手段】基板モジュール１では、接続電極４が基板２の第一の表面２ａ上に設けられており、第一の貫通孔部５が接続電極４の裏面に達するように基板２の厚み方向に貫通しており、第一の貫通孔部５の内部には貫通電極６が設けられている。貫通電極６は接続電極４の裏面に対向する部分に凹部６ａを有し、貫通電極６の上部は貫通電極６の側部よりも分厚い。貫通電極６は、基板２の第二の表面２ｂ上にも設けられており、第二の表面２ｂ上において配線電極７に接続されている。絶縁層８が配線電極７の表面を覆うように第二の表面２ｂ上に設けられており、貫通電極６の凹部６ａ内にも設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線間容量を低減する。
【解決手段】半導体装置７０には、積層形成される配線膜６及び１０から構成される配線層が設けられる。キャップ膜３上に形成される層間絶縁膜４の第１の開口部には、配線膜６が埋設される。配線膜６の底部及び側面部にはバリアメタル膜５が設けられる。層間絶縁膜４及び配線膜６上に形成されるキャップ膜７及び層間絶縁膜８の第２の開口部には、配線膜１０が埋設される。配線膜１０の底部及び側面部にはバリアメタル膜９が設けられる。層間絶縁膜８及び配線膜１０上に形成される。配線膜１０は配線膜６上に設けられ、配線膜１０の端部は配線層６の端部よりも内側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗率を維持しつつ、絶縁膜（例えばＳｉＮ膜）との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置における薄膜トランジスタの、ソース電極および／またはドレイン電極並びに信号線、および／または、ゲート電極および走査線に用いられるＣｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ材料をＣｕ配線のバリアメタル膜として使用した際、ＣＭＰ時にＣｕ溶出の発生しないＣｕ配線形成方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜上面の第１のバリアメタル上に形成された第２のバリアメタル膜（Ｒｕ膜）を除去する工程（ｄ）と、前記工程（ｄ）の後に、前記第１及び第２のバリアメタル膜上にシード銅（Ｃｕ）膜を堆積する工程（ｅ）とを有する。このように、シード銅膜を形成する前に、上面の第２のバリアメタル膜を除去してしまうことにより、この第２のバリアメタル膜と銅との電池効果で、銅がスラリー中に溶出することを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】エアギャップにビアが侵入することを防止すると共に配線間容量のさらなる低減を図り、また、空隙部を有する多層配線構造の機械的強度の向上及び酸化性物質の拡散防止を図り、歩留まりの低下を抑止できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第１の層間絶縁膜１０１と、第１の層間絶縁膜１０１に形成された複数の第１の配線１０５とを有している。第１の層間絶縁膜１０１における複数の第１の配線１０５の隣り合う配線同士の間には、空隙部１１２が選択的に形成されており、空隙部１１２の上で且つ配線同士の間に形成されたキャップ絶縁膜１１１が形成されている。空隙部１１２における下端部の幅及び上端部の幅は、空隙部１１２と隣接する配線同士の間隔と同一であり、空隙部１１２の下端部の位置は、該空隙部１１２と隣接する第１の配線１０５の下端部の位置よりも低い。 （もっと読む）