【課題】、ダマシンインターコネクトのエレクトロマイグレーション特性を向上させるべく銅線内に保護キャップを形成する方法を提供する。
【解決手段】ａ）酸化物を含まない銅または銅合金１０７の露呈領域と誘電体の露呈領域とを含む基板１００を、アルミニウムを含む化合物に、少なくとも約摂氏３５０度の基板温度で曝して、前記誘電体および前記銅または銅合金の層の両方の上にアルミニウムを含む第１の層を形成する工程と、（ｂ）前記第１の層の少なくとも一部を化学的に修正して、アルミニウムを含むパッシベーション層１０９を形成する工程と、（ｃ）前記パッシベーション層の上に誘電体層１１１．を堆積させる工程とを備える方法。 （もっと読む）

【課題】銅を含む層とチタニウムを含む層とをエッチングする時に、非過水系のエッチング液を使用して工程の安定性を向上させる。
【解決手段】本発明は、薄膜トランジスタ表示板に対する発明であって、より詳細には、銅（Ｃｕ）とチタニウム（Ｔｉ）とをそれぞれ含む二重層配線に形成される薄膜トランジスタ表示板に関し、構造的にはチタニウムを含む層が銅を含む層より幅が広くて、チタニウムと銅とを共にエッチングする段階と、別にエッチングする段階とを含めて製造することを特徴とする。また、ゲート絶縁膜に段差が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のパッド構造を提供する。
【解決手段】半導体装置２００は、半導体基板２０２、相互接続構造、複数のダミーメタルビア２３５及びパッド構造を備える。半導体基板２０２は、内部に複数の微小電子素子が設けられている。相互接続構造は、半導体基板２０２上に設けられ、複数の金属層２１０ａ〜２１０ｉと、金属層を隔離する複数のＩＭＤ層２２０とを有する。金属層２１０ａ〜２１０ｉは、最上金属層２１０ｉと、最下金属層２１０ａと、最上金属層２１０ｉと最下金属層２１０ａとの間に設けられた少なくとも２層の金属層とを含む。複数のダミーメタルビア２３５は、少なくとも２層の金属層間に設けられた１層又は２層以上のＩＭＤ層２２０内に形成される。パッド構造は、ダミーメタルビア２３５の上に直接設けられている。 （もっと読む）

【課題】パッド電極が設けられる層間絶縁膜に低誘電率膜を用いた場合にも、該層間絶縁膜の破壊及び界面剥離を発生させず、高い接続信頼性を確保できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の上方に、層間絶縁膜１１、２１等を介在させて形成された外部接続用電極を備えている。外部接続用電極は、上面を露出するパッドメタル層８と、該パッドメタル層８と半導体基板１との間に形成された第１のメタル層２と、層間絶縁膜２１を貫通してパッドメタル層８と第１のメタル層２とを電気的に接続し、且つ、層間絶縁膜２１に形成された少なくとも２つの第１のビア２２とを有している。第１のビア２２同士の最大の間隔ｂは、パッドメタル層８の幅寸法ａよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた、表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】銅配線層の接着性を改善するとともに、銅配線層の抵抗値が大きくなることを抑制する配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造１０では、ガラス基板１１上に、チタンからなる接着層１２と、酸化銅からなるバリア層１３と、純銅からなる銅配線層１４とが順に積層されている。接着層１２は、銅配線層１４をガラス基板１１に確実に接着させて、銅配線層１４がガラス基板１１から剥がれるのを防止する。バリア層１３は、配線構造１０を熱処理したときに、接着層１２を構成するチタン原子が銅配線層１４内に拡散しないようにして、銅配線層１４の抵抗値が大きくならないようにする。このため、銅配線層１４は、熱処理された後も、比抵抗を小さな値に保つことができるので、信号の遅延を防止できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層がデバイスの最終配線層と接触する銅プラグを有する、半導体デバイスを提供する。
【解決手段】銅プラグと絶縁層とを分離する障壁層も存在可能である。他の実施形態では、絶縁層と銅プラグとの間にアルミニウム層も存在可能である。半導体デバイスを生成するためのプロセスも開示される。 （もっと読む）

【課題】自己組織化材料を用いて制御性の良いコンタクトを形成可能なコンタクト形成方法及び半導体装置の製造方法が提供する。
【解決手段】基板上に形成され、異なる層を電気的に接続するコンタクトの形成方法であって、第一の層上に形成された層間絶縁膜をエッチングし、前記第一の層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール内に導電性高分子ブロック共重合体を含む高分子膜を形成する工程と、前記高分子膜を相分離させ、前記コンタクトホール内の露出した前記第一の層上に導電性の配列構造からなるコンタクトを形成する工程と、前記コンタクト上に第二の層を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】導電ビア（ＴＳＶ）に接続されるウェハ背部の相互接続構造を有する集積回路構造を提供する。
【解決手段】集積回路構造は、正面と背面を有する半導体基板と、半導体基板を貫通する導電ビアと、半導体基板の背面上の金属構造と、を備える。金属構造は、導電ビアを被覆して、接触する金属パッド、及び、導電ビア上の金属線を含む。金属線は、デュアルダマシン構造を含む。集積回路構造は、更に、金属線上のバンプを具備する。 （もっと読む）

【課題】電気的抵抗が低い相互接続構造、および、かかる相互接続構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】相互接続構造は、少なくとも１つの開口を含む誘電物質を含む。少なくとも１つの開口内には、任意のバリア拡散層、結晶粒成長促進層、凝集めっきシード層、任意の第２のめっきシード層、および導電性構造が配置される。典型的にはＣｕである金属含有導電性物質を含む導電性構造は、バンブー微細構造を有し、平均グレイン・サイズが０．０５ミクロンよりも大きい。いくつかの実施形態では、導電性構造は、（１１１）結晶方位を有する導電性結晶粒を含む。 （もっと読む）

【課題】基板側から順に、絶縁膜と、Ｃｕ合金膜と、薄膜トランジスタの酸化物半導体層と、を備えた配線構造であって、ＴｉやＭｏなどのバリアメタル層を省略してＣｕ合金膜を、基板および／または絶縁膜と電気的に直接接続しても、これらとの密着性に優れており、しかもＣｕ系材料の特徴である低電気抵抗、並びに酸化物半導体層および／または画素電極を構成する透明導電膜との低いコンタクト抵抗を実現できる新規な表示装置用Ｃｕ合金膜を有する配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造において、Ｃｕ合金膜は、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｗ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有している。上記Ｃｕ合金膜は、基板および／または絶縁性、並びに半導体層と直接接続されている。 （もっと読む）

【課題】AlCuプロセスのCMOSイメージセンサーの大ビアボンディングパッドのアプリケーションを提供する。
【解決手段】集積回路は、ボンディングパッド領域と非ボンディングパッド領域とを有する基板からなる。“大ビア”と称される相対して大きいビアが、ボンディング領域の基板上に形成される。大ビアは、基板向きの上面図にて、第一寸法を有する。集積回路は、非ボンディング領域の基板上に形成された複数のビアも有する。複数のビアは、それぞれ、上面図にて、第二寸法を有し、第二寸法は、第一寸法より相当小さい。 （もっと読む）

【課題】
太幅配線の添加元素を細幅配線の添加元素とは独立に制御する。
【解決手段】
層間絶縁膜に、第１の幅を有する第１の配線溝および第１の幅より広い第２の幅を有する第２の配線溝を形成し、第１の配線溝および第２の配線溝内に、第１の添加元素を含む第１のシード層を形成し、第１のシード層上に第１の銅層を形成し、第１の配線溝内の第１の銅層および第１のシード層を残存させつつ、第２の配線溝内の第１の銅層および第１のシード層を除去し、その後、第２の配線溝内に、第２の添加元素を含む又は添加元素を含まない第２のシード層を形成し、第２のシード層の上に第２の銅層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法を使用して配線を形成する半導体装置の製造技術において、信頼性の高い配線を形成する技術を提供する。
【解決手段】ハードマスク膜ＨＭ１上にハードマスク膜ＨＭ２が形成され、このハードマスク膜ＨＭ２上に有機樹脂膜ＯＲＦが形成された状態で、レジストＣＭＰを実施する。これにより、ハードマスク膜ＨＭ２上に形成されている有機樹脂膜ＯＲＦが除去されるとともに、ハードマスク膜ＨＭ２の膜厚が膜減りする。その後、膜減りしたハードマスク膜ＨＭ２を除去し、露出したハードマスク膜ＨＭ１をマスクにしてトレンチを加工する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率膜のゲート絶縁膜を含むＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置に関し、メタルゲート材料の仕事関数と半導体基板の仕事関数との間の関係によって閾値電圧を容易且つ浅い値に制御しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に酸化シリコンを主体とする第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化ハフニウムを主体とする第２の絶縁膜を形成し、熱処理を行い第２の絶縁膜上にシリコンを析出させ、シリコン上にシリコンに対して酸化作用を有する第３の絶縁膜を形成し、第３の絶縁膜上に金属膜のゲート電極を形成し、熱処理を行い第３の絶縁膜の酸化作用によってシリコンを酸化させる。 （もっと読む）

【課題】 ビア開口部の底部にガウジング構造部を含む相互接続構造体、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、ビア開口部の上に配置されるライン開口部内の堆積されたトレンチ拡散バリアの被覆率に影響を与えず、及び／又は、ビア開口部及びライン開口部を含む相互接続誘電体材料内にスパッタリングを行なうことによりビア開口部の底部にガウジング構造部を生成することに起因する損傷を生じさせない。こうした相互接続構造体は、最初に相互接続誘電体内にライン開口部を形成し、その後、ビア開口部、次いでガウジング構造部を形成することによって、ビア開口部の底部内にガウジング構造部を提供することにより達成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】半導体基板１上に積層された複数の層間絶縁膜１６、１９、２２と、複数の層間絶縁膜１６、１９、２２の最上面の上に形成され、外部からプローブが当てられるプローブ接触領域を有するパッド２５と、複数の層間絶縁膜１６、１９、２２の間に形成される複数層の配線１２，１５、１８と、パッド２５のプローブ接触領域の直下の領域に形成され、前記層間絶縁膜２２が充填される非直線状スリットか孔の少なくとも一方を有する導電性パターンを有する応力緩和部４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】実用上十分なエレクトロマイグレーション耐性及び動作速度を有する半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１の上に第１の絶縁膜２を形成し、第１の絶縁膜２に配線溝３を形成し、配線溝３の内部に金属膜５を埋め込んで第１の配線６を形成し、第１の絶縁膜２及び第１の配線６の上に保護膜７を形成し、第１の配線６と保護膜７との界面に反応層８を形成する。 （もっと読む）

【課題】良質な配線構造、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】第１の導電材及び第１の絶縁層を有する第１の配線層と、前記第１の絶縁層上の第２の配線層とを備え、前記第２の配線層は第２の絶縁層と、ヴィア及びトレンチを有する開口部とを有し、前記開口部は、第２の導電材と、前記第２の導電材と、前記第２の絶縁層との間の２層以上のバリア層とを有し、前記第２の導電材は、前記第１の導電材と電気的に接続され、前記２層以上のバリア層は、前記開口内の前記第２の絶縁層と第１のバリア層とが接触し、且つ前記第１のバリア層とＭｎＯ_ｘ含有バリア層とが接触する領域と、前記第２の絶縁層と前記ＭｎＯ_ｘ含有バリア層が接触する領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】実効誘電率を低減させて、高速かつ消費電力の低い半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された層間絶縁膜５１、５２と、層間絶縁膜５１、５２に埋め込まれたＣｕ配線１と、Ｃｕ配線１上に形成された第二のバリア絶縁膜４と、を有する。第二のバリア絶縁膜４は、炭素二重結合、アモルファスカーボン構造及び窒素を含む有機シリカ膜である。 （もっと読む）