【課題】微細化による配線のＥＭ耐性の劣化を抑制することができる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０の絶縁膜１１に形成され、上面に凹部１２ｃを有する第１の配線１２ｂと、絶縁膜１１及び第１の配線１２ｂの上に形成され、凹部１２ｃを露出すると共に側壁が順テーパー形状の接続孔１４ｃと配線溝１４ｂとを有する第２の絶縁膜１４と、接続孔１４ｃ及び凹部１２ｃに埋め込まれ、第１の配線１２ｂと接続するビア１９ｂと、配線溝１４ｂに形成され、ビア１９ｂと接続する第２の配線１９ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】容量素子の歩留まりおよび信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板の上部に設けられ、ＳｉＯ₂膜１０３およびＳｉＯ₂膜１０３中に埋設された第一銅配線１０５を含む第一配線層、第一配線層上に設けられたＳｉＯ₂膜１０９、ＳｉＯ₂膜１０９上に設けられたＳｉＯ₂膜１１１、ＳｉＯ₂膜１１１上に設けられた容量素子１２１を含む。容量素子１２１は、ＳｉＯ₂膜１１１上に設けられた下部電極１１５、下部電極１１５の上部に対向して設けられた上部電極１１９およびこれらの間に設けられた容量絶縁膜１１７から構成されている。第一銅配線１０５の上面に突起部１３５が設けられている。ＳｉＯ₂膜１１１の上面は平坦である。 （もっと読む）

【課題】低誘電率材料からなる層間絶縁膜の特性を回復することにより、層間絶縁膜中に形成される配線の信号伝達速度の遅延特性やリーク電流特性を向上させる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に低誘電率材料からなる絶縁膜１７を堆積し、ＲＩＥにより配線溝を形成する。この絶縁膜に真空中でＵＶ照射を行い、エッチングにより生じたダメージ層を回復し、誘電率と屈折率を下げる。この溝に拡散防止膜１９ａとＣｕを埋め込み、配線とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、配線用トレンチ或いはビアホールの側壁に無孔質保護絶縁膜を均一に成膜する。
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板上に形成された空孔を含有する第１絶縁膜３と、第１絶縁膜３に形成された凹部４と、凹部４の側壁に形成された第２絶縁膜５と、第２絶縁膜５を介して凹部４に埋め込まれた導体７とを有するとともに、第１絶縁膜３と第２絶縁膜５との界面において、第１絶縁膜３の表面のボンドが官能基で終端している比率より第２絶縁膜５を構成する材料の主鎖と化学的に結合している比率を高くする。 （もっと読む）

【目的】多層配線において配線層間の剥がれ耐性を向上させた装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、基板２００上に多層配線構造で形成され、最上層に電極パッド３０を有する実効配線１０と、多層配線構造内で実効配線１０の周囲を取り囲むように形成されたビアリング２０と、多層配線構造の最終表面を保護する積層保護膜ＰＦと、積層保護膜ＰＦと接する位置であって実効配線１０が形成される領域とチップ領域端との間に形成された、電極パッド３０を構成する導体とビアリング２０を構成する導体とのいずれよりもヤング率が大きい膜パターンで構成されるクラックストッパ膜４０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線間の容量が低く、歩留りや信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ギャップ１１０の形成によりキャップ膜１０８厚が薄くなったまたは消失したとしても、ギャップ１１０を形成した後に、下層配線１０７上にキャップ膜１１１を選択的に成長させることにより、キャップ膜の厚さを確保することができるため、配線間の容量を十分に低減でき、かつ、歩留りや信頼性を高く維持することができる。 （もっと読む）

【課題】銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。前記研磨工程、前記洗浄工程及び前記リセスエッチング工程の少なくとも２工程で用いる薬液の主たる成分が同一である。 （もっと読む）

【課題】ヒロック発生を防止し、密着性とバリア性に優れた配線膜を形成する。
【解決手段】成膜対象物２１が配置された真空槽１３に酸素又は窒素を含有する添加ガスを導入し、Ｚｒ等の添加元素を含む銅ターゲット１１をスパッタリングし、アルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４を形成する。バリア膜２４は銅を主成分とするため、アルミニウム膜２３と同じエッチング液でエッチング可能であり、添加元素と酸素を含むため、アルミニウム膜２３にヒロックが発生しない。また、配線膜２５の表面にＩＴＯを密着させた場合には、アルミニウム膜２３は直接ＩＴＯに接触しないからコンタクト抵抗も高くならない。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ配線から低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）絶縁膜へのＣｕの拡散を防止することができるとともに、Ｃｕ配線の抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１では、ＳｉＯＣからなる層間絶縁膜５には、配線溝８が形成されている。配線溝８の内面（ビアホール６の側面６Ｂおよびトレンチ７の側面７Ｂ）には、ＳｉＯ₂からなる第１バリア膜９が形成されている。配線溝８の内面（第１バリア膜９の表面、トレンチ７の底面７Ａおよび第１Ｃｕ配線２の露出面）には、第２バリア膜１０が形成されている。配線溝８には、Ｃｕ配線部１９が埋設されている。Ｃｕ配線部１９の配線溝８との対向面（Ｃｕ配線１１の底面１１Ａおよび側面１１Ｂ、ならびに接続ビア１８の底面１８Ａおよび側面１８Ｂ）は、第２バリア膜１０で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを含有する配線層及びＡｌを含有するビアプラグ層を備える半導体装置に関し、配線層及びビアプラグ層の信頼性を向上させること。
【解決手段】Ｃｕを含有する配線層と、前記配線層上に形成された層間絶縁膜と、前記配線層上の前記層間絶縁膜内に形成されたビアホールと、前記ビアホール内における前記配線層上に形成された第１のバリア層と、前記第１のバリア層上及び前記ビアホールの側壁に形成された第２のバリア層と、前記第２のバリア層上に形成され、Ａｌを含有する導電層と、を備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕの層間絶縁膜中への拡散を防止することができるＣｕ配線を備えた半導体装置を実現する。
【解決手段】 半導体装置１は、半導体基板１０の基板面１０ａの上方に、順番に積層形成された第１配線層３３、第２配線層３４及び第３配線層３５を備えている。第１配線層３３は、ＳＯＩ基板などの半導体基板１０の基板面１０ａ上に形成されており、層間絶縁膜１２、側面バリアメタル層１５、Ｃｕ配線１８及び上面バリアメタル層１９を備えている。Ｃｕ配線１８の上面部１８ａは、側面バリアメタル層１５と同様の材料により形成された上面バリアメタル層１９により覆われている。ここで、上面バリアメタル層１９の幅は、上面部１８ａの幅よりも大きく形成されている。この上面バリアメタル層１９により、Ｃｕ配線１８から上層の層間絶縁膜１２へのＣｕの拡散を防止することができる。 （もっと読む）

【目的】多層配線において配線層間の剥がれ耐性を向上させた装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、基板２００上に積層配置され、共に第１の最小配線幅の配線と積層された複数の絶縁膜部とを有する複数の第１の配線層１１１〜１１４と、複数の第１の配線層の最上層１１４上に積層配置され、共に第２の最小配線幅の配線と積層された複数の絶縁膜部とを有する複数の第２の配線層１２１〜１２４と、を備え、複数の第２の配線層の最下層１２１の主たる絶縁膜３２０として、比誘電率が他の第２の配線層１２２〜１２４の主たる絶縁膜３２５の比誘電率と略同一で、ヤング率が他の第２の配線層１２１〜１２４の主たる絶縁膜３２５のヤング率より小さく第１の配線層１１１〜１１４の主たる絶縁膜２２０，２２１のヤング率より大きい絶縁膜が用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】合わせずれにより下層配線層の絶縁膜が大きくエッチングされてしまうことを抑制する半導体装置の製造方法及びその方法で製造された半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、下層配線となるＣｕ膜２６０と、Ｃｕ膜２６０の側面側に配置された有機絶縁膜２２０と、Ｃｕ膜２６０の側面側であって有機絶縁膜２２０上に配置された有機絶縁膜２２０よりも比誘電率が高いＳｉＯＣ膜２２２と、ＳｉＯＣ膜２２２側に一部がはみ出して配置された、Ｃｕ膜２６０を上層配線２６５側へと接続するプラグ２６３と、Ｃｕ膜２６２のＳｉＯＣ膜２２２側にはみ出した部分の下部に配置された、ＳｉＯＣ膜２２２よりもエッチングレートが低い膜質の改質膜２８０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高温環境下で作動する半導体装置に好適な電極または配線形成方法及びこれらを備えた半導体装置を実現する。
【解決手段】 半導体基板１０の基板面１０ａ上に、下層配線１１を覆って層間絶縁膜１２を形成し、層間絶縁膜１２に配線溝１３を形成する。次に、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより、層間絶縁膜１２の表面、配線溝１３の内壁及び下層配線１１を覆う金属膜１４を形成する。続いて、酸素プラズマによる酸化処理を行い、金属膜１４を酸化してバリア層１５を形成する。これにより、２００℃を超える高温使用環境においても化学的に安定であり、バリア層として効果的に作用するバリア層１５をＣｕ配線１８と層間絶縁膜１２との間に介在させることができるので、配線材料たるＣｕの層間絶縁膜１２への拡散を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 埋込配線が形成される絶縁性基板の材料が耐熱性の高いものに限定されず、当該埋込配線の端子部の耐食性を向上でき、パターニングが少ない工程で且つ良好な膜厚精度で確実に行われる埋込配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板１の表面に形成したマスク１７を用いて絶縁性基板１の表面を選択的に除去し、配線パターンに対応する平面形状を持つ溝１８を形成する。マスク１７を除去せずに絶縁性基板１の表面全体に金属ナノ粒子インクを塗布し、加熱により仮硬化させて金属ナノ粒子インク膜２０を形成する。マスク１７の剥離により膜２０の当該マスク上にある部分を選択的に除去して溝１８の内部に膜２０を残す。加熱により溝１８内の膜２０を本硬化させ所望のゲート配線２を得る （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性及び生産性を向上させる。
【解決手段】本発明では、半導体基板上に形成させた第１の絶縁膜内に金属配線を配設し、配設した金属配線の表面に第１のプラズマ処理を施し、第１のプラズマ処理を施した金属配線の表面にシリコン系ガスを晒し、シリコン系ガスを晒した金属配線の表面に第２のプラズマ処理を施し、金属配線上にシリコン含有層を形成し、シリコン含有層上に第２の絶縁膜を形成するようにした。これにより、半導体装置の微細化に伴うエレクトロマイグレーションが抑制されると共に、ストレスマイグレーションが充分抑制され、半導体装置の電気的信頼性が向上し、生産性の高い半導体装置の製造方法が実現する。 （もっと読む）

【課題】最下層配線に埋め込み配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】
半導体基板１の主面にＭＩＳＦＥＴＱｎ，Ｑｐが形成され、その主面上に絶縁膜１０，１１が形成されている。絶縁膜１０，１１にはコンタクトホール１２が形成されてプラグ１３が埋め込まれている。プラグ１３が埋め込まれた絶縁膜１１上には、絶縁膜１４，１５，１６が形成され、絶縁膜１４，１５，１６に開口部１７が形成されて配線２０が埋め込まれている。絶縁膜１５は、開口部１７を形成するために絶縁膜１６をエッチングする際のエッチングストッパ膜であり、シリコンと炭素を含有する。絶縁膜１１は吸湿性が高く、絶縁膜１５は耐湿性が低いが、それらの間に絶縁膜１４を介在させ、絶縁膜１４を絶縁膜１１よりもＳｉ（シリコン）原子の数密度が大きな膜とすることで、電気的に弱い界面が形成されるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】ブロービングおよびボンディング時のボンディングパッドへの衝撃に対する耐性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上にボンディングパッド１３０を有する半導体装置であって、ボンディングパッド１３０の下面にバリアメタルを介して形成され、回路配線が形成される層よりもＣｕ面積率が大きな上部Ｃｕ層１００と、上部Ｃｕ層１００と電気的に絶縁され、上部Ｃｕ層１００よりも半導体基板１０側に形成された下部Ｃｕ層２００とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線を絶縁分離する絶縁膜のアスペクト比が大きくなると、配線の不良（配線抵抗の上昇や配線間の絶縁耐圧の低下）が発生するという問題があった。
【解決手段】半導体装置１は、層間絶縁膜１０上に形成された低誘電率膜１４を含む絶縁膜１８と、絶縁膜１８に形成された配線溝２６内に形成された配線２４を有している。２本の配線２４は、長さＬを有している。２本の配線２４の間に挟まれ、かつ、２本の配線２４に接している部分の絶縁膜１８ａは、高さＨ、長さＬ、幅Ｗを有している。絶縁膜１８ａは、配線２４と接する側壁面を有しており、絶縁膜１８ａのアスペクト比Ｙと絶縁膜１８ａの側壁面の面積Ｘ［ｎｍ^２］とが、Ｙ≦−２．９×１０^−７・Ｘ+９．４９なる関係を満たすように設定されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の凹部に沿って成膜した銅及び添加金属の合金膜を利用してバリア膜と銅膜とを形成し、その後銅配線を埋め込むにあたって、前記銅膜の酸化を抑え、配線抵抗の上昇を抑える技術を提供すること。
【解決手段】銅に添加金属を添加した合金膜を、基板表面の層間絶縁膜における凹部の壁面に沿って形成する工程と、次いで、前記添加金属と層間絶縁膜の構成元素との化合物からなるバリア層を形成すると共に余剰の添加金属を合金膜の表面に析出させるために、有機酸、有機酸無水物またはケトン類を含む雰囲気で基板を加熱する工程と、凹部に銅を埋め込む工程と、を含むように半導体装置の製造方法を実施する。有機酸、有機酸無水物及びケトン類は銅に対して還元性を持つため、合金膜に含まれる銅の酸化を抑えつつ、添加金属と絶縁膜中の構成元素との化合物からなるバリア層を形成することができる。 （もっと読む）