【課題】金属パッドの下方に位置する層間絶縁膜にクラックが発生し、クラック内に水分が進入することがあっても、金属パッドの近傍の配線の信頼性が低下することを防止する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された層間絶縁膜１８と、層間絶縁膜１８を貫通して設けられたリング用金属配線２０Ａと、層間絶縁膜１８を貫通して設けられたコンタクト用金属配線２０Ｂと、層間絶縁膜１８上及びリング用金属配線２０Ａの全上面上に形成された第１の保護絶縁膜２１と、第１の保護絶縁膜２１上に形成された金属パッド２３とを備え、リング用金属配線２０Ａは、層間絶縁膜１８のうち金属パッド２３の下方に位置する領域にリング状に設けられており、金属パッド２３は、第１の保護絶縁膜２１に形成された第１の開口部２１ａを通じてコンタクト用金属配線２０Ｂに接続されている。 （もっと読む）

【課題】電気特性を高い精度で予測し、かつその予測式を用いて電気特性を一定化制御する、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、半導体装置の製造途中で、半導体装置の拡散パラメータの値が取得される。次いで、後続の工程において実施される所定処理により決定される拡散パラメータのターゲット値が算出される。当該拡散パラメータは、予め取得された電気特性予測式に、取得された拡散パラメータの値と所望の電気特性値とを代入することにより算出される。電気特性予測式とは、半導体装置の電気特性と複数種の拡散パラメータとの対応関係を示す式である。続いて、当該ターゲット値を実現する、後続工程の所定処理の処理条件が決定される。そして、決定された処理条件で、後続工程の所定処理が実施される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子及び第１の電極上に絶縁膜を形成し、絶縁膜中に第１の加速電圧で第１のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さに第１の欠陥の多い領域を形成し、第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で、第２のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さとは異なる第２の深さに第２の欠陥の多い領域を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域のうちの上方の領域から下方の領域に、金属元素を拡散させることにより、絶縁膜中に、第１の電極と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】貫通ビアと電極パッドとの接合強度を増大させることにより、３次元配線構造を有する半導体装置の機械的強度を増大させる。
【解決手段】第１の半導体チップ１００と第２の半導体チップ２００とが貼り合わされている。第１の半導体チップ１００の表面部に電極パッド１０４が形成されている。第２の半導体チップ２００中に貫通ビア１１４が形成されている。電極パッド１０４には掘り込み部１１１が形成されており、当該掘り込み部１１１内に貫通ビア１１４の底部が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２バリア膜１３の形成後に、ＳｉＨ_４を含むガスを用いたＰＥＣＶＤ法により、Ｃｕ層２０上にＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる犠牲層２１が積層される。犠牲層２１にＳｉおよびＯが含まれるので、犠牲層２１の積層過程で、Ｃｕ層２０と犠牲層２１との界面にＭｎＳｉＯからなる反応生成膜２２が生じる。この反応生成膜２２の生成にＭｎが使用されることにより、Ｃｕ層２０に含まれるＭｎの量が減少する。よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、ガラス基板との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、ガラス基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１０．０原子％含有することを特徴とする。本発明は、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が薄膜トランジスタに用いられている点に特徴を有する表示装置も含むものである。該表示装置としては、該薄膜トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであって、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が、該薄膜トランジスタのゲート電極および走査線に用いられ、ガラス基板に直接接触されている態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に形成される半導体素子を覆う絶縁膜１１が、埋め込み特性が良好とされる熱ＣＶＤ法等によって形成される。その絶縁膜１１を覆うように、耐湿性に優れているとされるプラズマＣＶＤ法によって絶縁膜１４が形成される。その絶縁膜１１および絶縁膜１４を貫通するようにプラグ１３が形成される。さらに、その絶縁膜１４上に、誘電率が比較的低いＬｏｗ−ｋ膜からなる絶縁膜１６が形成され、その絶縁膜１６に、ダマシン技術によって、プラグ１３に電気的に接続される配線２０が形成される。 （もっと読む）

【解決手段】
進歩的なメタライゼーションシステムを製造する間、敏感な誘電体材質上に形成される誘電体キャップ層が、過剰な金属を除去するためのＣＭＰプロセスの間に部分的に維持されてよく、それにより、ＣＭＰプロセスの間に誘電体キャップ材質を実質的に完全に消耗する場合に従来の手法で必要であろうような専用のエッチング停止層を堆積させる必要性が回避され得る。従って、低減されたプロセスの複雑性及び／又は高い柔軟性が低ｋ誘電体材質の高い完全性との組み合わせにおいて達成され得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線上面部からの金属拡散を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、半導体基板上の第一層間膜１内に形成された溝２内に、銅と第一金属元素とを含有する銅シード膜４を形成する。その後、銅メッキ処理を施す。その後、銅層の酸化が行われない第一雰囲気中にて第一熱処理を行う。そして、余分な銅合金金属層を除去し、溝２内に銅合金配線６を形成する。その後、酸素を含有する第二雰囲気中にて第二熱処理を行うことにより、銅合金配線６表面に、第一金属元素の酸化物である酸化物層７を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体加工において有機化合物含有絶縁層に小さな穴を形成する方法を提供する。
【解決手段】有機化合物含有絶縁層１２を、この有機化合物含有絶縁層１２上に形成されたレジストハードマスク層１３とこのレジストハードマスク層１３上に形成されたレジスト層１４からなる２重層で覆い、次に、この２重層をパターニングする。そして、反応チャンバー内に、自然エッチングが実質的に避けられるように選ばれる、あらかじめ決められた割合で存在する酸素ガスと窒素ガスとからなる混合気体を流入し、有機化合物含有絶縁層１２をプラズマエッチングする。これにより、レジスト層１４を部分的に除去しつつ少なくとも一つの穴を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐性を向上することが可能な半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成され、トレンチが形成された層間絶縁膜と、前記トレンチの内面に成膜された第１の拡散防止膜と、前記トレンチ内に前記第１の拡散防止膜を介して埋め込まれたＣｕ配線層と、前記層間絶縁膜上および前記Ｃｕ配線層上に形成された第２の拡散防止膜と、前記Ｃｕ配線層と前記第２の拡散防止膜との間の第１の界面に形成され、Ｃｕを主成分とする合金層と、Ｃｕ以外の前記合金層を構成する元素と同じ種類の元素が前記層間絶縁膜の上層部と反応して前記層間絶縁膜と前記第２の拡散防止膜との間の第２の界面に形成された前記第１の反応層と、Ｃｕ以外の前記合金層を構成する元素と同じ種類の元素が前記第２の拡散防止膜の下層部と反応して前記第１の界面および前記第２の界面に形成された第２の反応層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つ。
【解決手段】半導体装置２００は、基板上に形成された下層配線１２０と、下層配線１２０上に下層配線１２０に接続して設けられたビア１３０と、ビア１３０上にビア１３０に接続して設けられた上層配線１１０とを含む電気ヒューズ１００であって、切断状態において、電気ヒューズ１００を構成する導電体が外方に流出してなる流出部が形成されることにより切断される電気ヒューズ１００と、上層配線１１０および下層配線１２０の一方と同層に上層配線１１０および下層配線１２０の一方の側方に形成されるとともに、上層配線１１０および下層配線１２０と電気的に接続された熱拡散用上層配線１５２ａを含む熱拡散部１５０ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】溝の側面上における金属膜の膜剥がれの発生を防止することができながら、Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を低減させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線５上に、ＳｉおよびＯを含む第２絶縁層６が形成された後、第２絶縁層６に、第２溝１１およびビアホール１２が形成される。次に、スパッタ法により、溝の内面およびビアホールの内面に、ＭｎＯからなる金属膜１８が被着される。このとき、第２溝１１の内面およびビアホール１２の側面には、スパッタリングのエネルギーによって、金属膜１８中のＭｎＯが入り込み、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。そして、金属膜１８におけるビアホール１２の底面に形成された部分が除去された後、ビアホール１２にビア１５が埋設されるとともに、第２溝１１に第２配線１４が埋設される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線を高信頼性化する。
【解決手段】半導体装置７０には、キャップ膜３上の層間絶縁膜４に第１の開口部が設けられ、第１の開口部には、バリアメタル膜５とＣｕ（銅）からなる配線層６が埋設される。層間絶縁膜４及び配線膜６上のキャップ膜７及び層間絶縁膜８に第３の開口部が設けられ、層間絶縁膜８上の層間絶縁膜９に第３の開口部に接するように第２の開口部が設けられる。第２及び第３の開口部はＴ字型開口部を形成する。Ｔ字型開口部には、バリアメタル膜１０とＣｕ（銅）からなる配線層１１が埋設される。配線層６は、Ｃｕ（銅）よりも応力が高い高応力膜２６と熱処理により膜中の原子空孔（Vacancy）が排出される。配線層１１は、Ｃｕ（銅）よりも応力が高い高応力膜３６と熱処理により膜中の原子空孔（Vacancy）が排出される。 （もっと読む）

【課題】ビアホール開口後の洗浄において、ウエハがチャージアップした場合に下層配線に電荷が励起され、ビアホール底部で酸化反応が生じることによる配線の通電不良を防ぐ。
【解決手段】電気的に機能する第１の配線１１１ａに隣接して、電気的に機能せず基板や他の配線から独立した第１のダミー配線１１２ａを形成し、チャージアップによって励起される電荷を第１の配線１１１ａと第１のダミー配線１１２ａに分散させる事により、配線上に形成されたビアホール２１３ａ底部での酸化反応によって生成されるＴｉ酸化物３０の量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に形成した空隙部を導電材料で充填して配線・接続部を形成する際に問題となる、下層の導電領域と配線・接続部との接続状態に起因する不都合を生ぜしめることなく、微細な配線及び接続部が所望の状態に正確且つ容易に実現されてなる信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】ダミー構造物１６を形成し、ダミー構造物１６の側面のみに側壁膜１７を形成する。このダミー構造物１６を覆うように層間絶縁膜１８を形成する。そして、側壁膜１７が残るようにダミー構造物１６のみを除去し、下層配線１４の表面の一部を露出させ、層間絶縁膜１８に形成された開口１８ａをＣｕで埋め込み、Ｃｕの表層を層間絶縁膜１８の表面に合わせて平坦化する。以上により、下層配線１４と直接的に接続されるＣｕ接続部２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 選択性トップバリアを用いた配線におけるリークを抑制することができ、配線の信頼性の向上をはかる。
【解決手段】 埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法であって、配線間絶縁膜１０２上に該絶縁膜１０２とは材料の異なる犠牲膜１０３を形成した後、犠牲膜１０３及び配線間絶縁膜１０２を選択的にエッチングして配線用溝１０５を形成し、次いで配線用溝１０５内にＣｕを主成分とする導電膜１０７を埋め込み形成し、次いで導電膜１０７の上面に選択的にトップバリア層１０８を形成し、次いで犠牲膜１０３を除去することによりメタル残渣１０８ａを除去する。 （もっと読む）

【課題】ＷＰＰ技術を使用する半導体装置の信頼性向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷ３に形成されている製品チップ領域（例えば、製品チップ領域ＣＡや製品チップ領域ＣＢ）に製品パターンを形成する。そして、製品チップ領域の外側にある外周領域の大部分にも製品パターンの一部を形成する。一方、外周領域に形成されているネーミング領域ＮＲを覆うように開口部を有さないレジストパターンＲＭを形成する。外周領域に形成されているレジストパターンＲＭと製品チップ領域ＣＢとの間に開口パターンＫＰ１を形成する。このようなパターンが形成された半導体ウェハＷ３に対して、電解めっきを実施する。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法によるＣｕ配線構造の形成において、Ｃｕ−Ｍｎ合金をバリアメタル膜に組み合わせて欠陥の自己修復および密着性の向上を図る際に、Ｍｎの拡散によるＣｕ配線パターンの抵抗増加を抑制する配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上方に形成された酸素を含む絶縁膜２１と、前記絶縁膜に形成された凹部２１Ｔと、凹部の内壁に形成された高融点金属膜２２と、高融点金属膜上に形成された銅とマンガンと窒素を含む金属膜２３と、金属膜上に形成され、凹部を充填する銅膜２４Ａと、を含む構造とする。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を低く維持したままエレクトロマイグレーションの信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅配線層ＣＬ１は層間絶縁膜ＩＩ２の表面の配線溝ＩＴ１内に形成されている。拡散防止絶縁膜ＤＰは、銅配線層ＣＬ１上を覆うように形成されており、かつＳｉＣおよびＳｉＣＮの少なくともいずれかよりなっている。絶縁膜ＳＩは、拡散防止絶縁膜ＤＰを介して銅配線層ＣＬ１上に形成されており、かつＳｉＮよりなっている。 （もっと読む）