【課題】メモリを有するＲＦＩＤにおいて、プロセスもしくは回路面積を増大させることなくアンテナの配置を行うことを課題とする。
【解決手段】メモリを中央に配置し、メモリ共通電極を囲むようにアンテナの配線を行う。さらに、メモリ共通電極とアンテナの距離は５００μｍ以上、好ましくは１０００μｍ以上離して配置する。このような構成により、メモリ共通電極とアンテナとを共通の絶縁層上に形成することが可能となり、余剰プロセスを防ぐことができる。 （もっと読む）

マイクロ電子アセンブリを形成する方法は、第１の表面（２２）でアクセスできる接点を有する半導体ウエハ（２０）を設け、第１の表面（２２）上にわたってコンプライアントバンプ（３２）を形成し、コンプライアントバンプ（３２）上にわたって犠牲層（３４）を堆積させることを含む。この方法は、犠牲層（３４）およびコンプライアントバンプ（３２）を研削して、コンプライアントバンプ（３２）の上面（３６）を平坦化することを含むことにより、平坦化された上面（３６）が前記犠牲層（３４）を通じてアクセスできるようにする。犠牲層（３４）は、コンプライアントバンプ（３２）および接点（３８）を露出させるために除去される。コンプライアントバンプ（３２）上にわたってシリコン層（４０）が堆積され、半導体ウエハ（２０）の第１の表面（２２）でアクセスできる接点（３８）を露出させるために、シリコン層（４０）の一部が除去される。接点（３８）と電気的に接続される第１の端部とコンプライアントバンプ（３２）上に位置する第２の端部とを有する導電トレース（４２）が形成され、トレース（４２）の第２の端部上に導電要素が設けられる。
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【課題】抵抗が比較的小さく、信頼性が高い金属配線を形成する。
【解決手段】第１の表面１０ａから反対側の第２の表面１０ｂに貫通する貫通穴１３と、第１の表面１０ａ上に形成されたアルミ電極１１と、第２の表面１０ｂと貫通穴１３の内周面とに跨って形成されアルミ電極１１に電気的に接続された金属配線１７とを有する。そして、金属配線１７は、貫通穴１３の内周面に形成された一部が、第２の表面１０ｂ側に形成された部分よりも厚くされている。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下することなく、接続信頼性の高い貫通電極を備えた半導体装置とその製造方法、および電子機器提供する。
【解決手段】基体２の能動面３上に形成された電極パッド５，６と、基体２の裏面７から電極パッド５，６に向けて形成された貫通電極８，９とが、電極パッド５，６から貫通電極８，９に向けて立設された先細形状のプラグ１５，１６を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】露光装置の解像限界を超えた微細なパターンを有するＤＲＡＭやＦｅＲＡＭおよびクロスバー素子等の電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上にダミー１１膜を基板１０上の素子領域１０Ａおよびその外側の外部領域１０Ｂを覆うように形成してパターニングし、ダミーパターン１１を素子領域１０Ａにおいては第１の高さＨ１に、外部領域１０Ｂにおいては第１の高さＨ１よりも小さい第２の高さＨ２を有するように形成し、基板１０上に別の膜１２をダミーパターン１１Ａ，Ｂを覆うように形成し、膜１２を異方性エッチングして素子領域中のダミーパターン１１Ａの側壁面に沿って第１および第２のパターン１２Ａ、Ｂを形成し、かつ、外部領域１０Ｂにおいては膜１２消失させ、素子領域１０Ａにおいて、第1および第2のパターン１２Ａ，Ｂを使って電子装置を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気的性能の向上が図れる貫通孔配線構造およびその形成方法を提供することにある。
【解決手段】貫通孔配線構造は、ベース基板１の厚み方向に貫設した貫通孔１０の内側に形成された貫通配線部２と、ベース基板の厚み方向の両表面側それぞれに貫通配線部２の端面および貫通孔１０の周部に重なる形で形成されたパッド５ａ，５ｂとを備え、貫通配線部２においてパッド５ａ，５ｂそれぞれに接する端部からなるコンタクト部３ａ，３ｂが、貫通配線部２における他の部位である主部４よりも弾性率が高い導電性材料を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程を簡略化する半導体装置の製造技術を提供して、製造コストを低減し、スループットを向上させる。
【解決手段】基板上に第１材料層、第２材料層を順次積層して被照射体を形成する。当該被照射体に、第１材料層に吸収される第１のレーザビームと、第２材料層に吸収される第２のレーザビームを重畳するように照射し、該重畳するようにレーザビームが照射された領域の一部或いは全部をアブレーションさせ、開口を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対して大きな高さを有するＰＩＮダイオードを歩留りよく製造する。
【解決手段】半導体基板１１０上に順次積層された、下部半導体層１１２、真性半導体層１２２および上部半導体層１２４を含むＰＩＮ構造体１２０と、下部電極１４０および上部電極１６０とを有するＰＩＮダイオード１００を製造する製造方法であって、半導体基板１１０の表面にＰＩＮ構造体１２０を形成する工程と、半導体基板１１０の表面にレジスト材料を塗布して、半導体基板１１０の表面に対してその表面がＰＩＮ構造体１２０より高くなる厚さを有するレジスト層１５０を形成する工程と、レジスト層１５０の一部を除去する工程と、レジスト層１５０から露出した領域に導体材料を堆積させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。露出された導電層と接するように開口に導電膜を形成し、導電層と導電膜を絶縁層に設けられた開口において電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】半絶縁性半導体基板を使用して有機絶縁材料の層間絶縁膜を省き、小型化及び低背化を図ることができ、配線容量が少なく、耐湿性が高く、しかも、電極構造全体を大型化すことなく外部接続用バンプの十分な接合強度を得ることができる新規な半導体装置を提供する。
【解決手段】表面に回路部３が形成された半絶縁性半導体基板２に裏面側から表面側に貫通するようにビアホール７を形成し、半絶縁性半導体基板２の裏面にビアホール７の基板裏面側端部から延出する裏面配線９を形成し、裏面配線９に電気的に接続された外部接続用バンプ１０を備え、有機絶縁材料の層間絶縁膜を省いて外部接続用バンプ１０を基板裏面側に形成した半導体装置１ａを提供する。 （もっと読む）

【課題】実装信頼性を向上することができる半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板および電子機器を提供する。
【解決手段】基板１０の能動面１０ａ側に設けられた第一絶縁膜２２と、第一絶縁膜２２上に設けられた電極パッド１２と、電極パッド１２の表面から延設された配線層３５と、電極パッド１２の形成位置に対応し、基板１０および第一絶縁膜２２に形成された貫通孔Ｈ３と、貫通孔Ｈ３の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜２３と、第二絶縁膜２３の内側で、貫通孔Ｈ３に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極３０と、を備えた半導体装置１の製造方法において、基板１０の能動面１０ａ側に配線層３５を形成した後に、基板１０の裏面１０ｂ側から貫通孔Ｈ３が形成される。 （もっと読む）

【課題】官能性電極上の選択的結合事象を電気的に読み取ることにより分子及びナノ材料を分析する方法及びＣＭＯＳ型デバイスを提供する。
【解決手段】プローブ分子を含む官能性電極を備え、ブローブ分子とターゲット分子との分子結合事象を官能性電極の分極変化により電気的に検出することができるデバイスを開示する。デバイスには、プローブ分子を含まない非官能性電極を備えてもよく、デバイスはプローブ分子とターゲット分子との分子結合事象を官能性電極と非官能性電極との間の分極変化により電気的に検出することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板１０１の裏面から半導体基板１０１の表面にある金属配線１０８ｂまで至るよう形成されたビアホール１１６を有する半導体基板１０１と半導体基板１０１の表面にありビアホール１１６によって半導体基板１０１の表面に開口部を有する位置にある金属配線１０８ｂとの密着性を向上させた半導体装置１００の構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された金属層と、前記金属層の下に前記半導体基板と前記金属層が合金化反応して形成された合金化反応層と、前記半導体基板の裏面側から前記金属層または前記合金化反応層に至るよう形成されたビアホールとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージの影響を抑止するシール層を用いて、ビア抵抗を増大させることなく信頼性不良を低減することを可能とする。
【解決手段】層間絶縁膜１１に凹部（ビアホール１３、配線溝１４）を形成する工程と、前記凹部の内面にアルキル基を有するシラン系のガスをプリカーサとして用いたシール層１５を形成する工程と、前記シール層１５に対して電子線キュアもしくは紫外線キュアを行う工程と、前記凹部に導電体１７を埋め込む工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装効率を向上する。
【解決手段】表面側に電子デバイスが形成されてなる半導体基板と、前記半導体基板の裏面側に形成されるインダクタと、前記半導体基板の表面と裏面との間を貫通し、前記電子デバイスと前記インダクタとを電気的に接続する貫通電極と、前記半導体基板の裏面側の前記インダクタの形成位置と相反する前記半導体基板の表面側の位置に形成される、前記インダクタのインダクタンスを安定化させるための導電パターンと、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクやレジストを使用することなく、簡単な工程で開口部を形成する方法を提示する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に複数の光吸収層を形成し、当該複数の光吸収層上に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層側から複数の光吸収層に線状または矩形状のレーザビームを照射して、少なくとも複数の光吸収層上の層間絶縁膜を除去して開口部を形成することにより、複数の光吸収層及び当該複数の光吸収層上に形成される絶縁層を除去して、複数の開口部を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】導電層上にマスクを設け、マスクを設けた導電層上に絶縁膜を成膜し、マスクを除去することで開口を有する絶縁層を形成する。露出した導電層と接するように開口に導電膜を形成することによって、導電層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。開口の形状はマスク形状を反映し、柱状（角柱、円柱、三角柱など）、針状などを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】両面基板ビアホールを有する従来の半導体装置は、表面ビアホールと裏面ビアホールとの間の電気的な接続を確実に確保することが困難であった。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、半導体基板１の第１の面に形成される半導体素子と、半導体基板１の第１の面に凹状に形成される第１のビアホール２内に設けられる阻止膜７と、阻止膜７に接して半導体素子の電極に接続される第１のビア配線３と、半導体基板１の第１の面と対向する第２の面に阻止膜７に達するように凹状に形成される第２のビアホール４内に形成され、第１のビア配線３と阻止膜７を介して電気的に接続され、第２の面に形成される配線の一部となる第２のビア配線と、を備え、阻止膜７は、少なくとも１種類以上の第８族元素を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】下地の材質に拘らず、微細でアスペクト比の高い孔や凹部あるいは溝等の内部に超臨界流体を用いて導電体を効率よく選択的に、かつ、容易に設けることができる導電体の選択形成方法を提供する。
【解決手段】導電体２１を設ける凹部１５が形成された被処理体１６および導電体２１の主成分となる金属２０を含む金属化合物１８を超臨界流体を含む雰囲気下に配置するとともに、金属化合物１８の少なくとも一部を超臨界流体中に溶解させる。超臨界流体中に溶解した金属化合物１８ａを被処理体１６の表面に接触させて凹部１５内に選択的に導入するとともに、凹部１５内に導入された金属化合物１８ａを凹部１５内で凝集させて金属化合物１８ａから金属２０を析出させる。凹部１５内に析出した金属２０を固化させることにより凹部１５内に導電体２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上に選択的に光吸収層を形成し、絶縁表面上及び光吸収層上に絶縁層を形成し、絶縁表面、光吸収層及び絶縁層にレーザ光を照射し、絶縁層のレーザ光照射領域において光吸収層上の絶縁層のみを選択的に除去し絶縁層に光吸収層に達する開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）