【課題】 高周波半導体装置において、空間伝搬による高周波信号の漏れが発生し入力部の高周波信号が出力部に悪影響を及ぼす問題がある。これを回避するために入力部と出力部を離間したり、これらの間にボンディングワイヤを固着して接地するなどの方法がとられるが何れもチップ上の入力部と出力部間に十分な離間距離を確保する必要があった。
【解決手段】 基板表面に第１素子と第２素子を設け、基板裏面に接地電位の第１電極を設ける。第１素子と第２素子間に基板を貫通する第２電極を設け、第１電極と接続する。第１素子と第２素子間で空間伝搬による高周波信号の漏れが発生しても、接地電位の第２電極によるトラップにより接地することができる。トラップのために基板表面にワイヤボンド固着領域を確保する必要がなく、チップの小型化寄与し配線レイアウトの自由度も大きくなる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ及びそれを用いる電子回路並びにＴＦＴによって形成される表示装置の製造工程において、フォトリソグラフィ工程を使用せず、さらに工程を簡略化し、生産能力を向上させる技術を提供する。
【解決手段】レーザビームを射出するレーザ発振器と、前記レーザビームを被照射体の表面において線状ビームに形成する光学系と、前記光学系と前記被照射体との間に設けられたマスクと、を有し、前記線状ビームは前記マスクを介して複数のレーザビームに分割され、前記複数のレーザビームは前記被照射体に照射される。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上からフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有する。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透過層表面に撥液処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に第１の開口を形成し、第１の開口を有する絶縁層をマスクとして光吸収層を選択的に除去し、絶縁層及び光吸収層に第２の開口を形成し、第２の開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように第２の開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率の熱ビアを提供し、もって層間絶縁の低誘電率化と高熱伝導率化を同時に実現することができる多層配線基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】多層配線構造の第１の配線層１０１と第２の配線層１０２との間に比誘電率が平均して２．５以下の気体または絶縁物を介在させるとともに、第１の配線層１０１における配線と第２の配線層１０２における配線との間に所望の導電接続体を設け、さらに第１の配線層１０１における所定の配線と第２の配線層１０２における所定の配線との間に比誘電率が５以下の絶縁物熱伝導体を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例に係る半導体素子は、トランジスタが形成されたトランジスタ層を備える第１基板と、金属配線が形成された金属配線層を備える第２基板と、前記第１基板に形成されたトランジスタと前記第２基板に形成された金属配線とを電気的に連結する連結電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、光吸収層の照射領域及び絶縁層の照射領域を除去し光吸収層及び絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】パッケージ型の半導体装置及びその製造方法において、製造工程の簡素化、コストの削減、薄型化、小型化を図る。
【解決手段】半導体基板２上にデバイス素子１が形成され、当該デバイス素子１と電気的に接続されたパッド電極４が形成されている。半導体基板２の表面には、接着層６を介して支持体７が貼り付けられている。そして、パッド電極４と対応する位置が開口し、半導体基板２の側面及び裏面を被覆した保護層１１が形成されている。保護層１１に形成された当該開口の位置のパッド電極４上に導電端子１２が形成されている。半導体基板２の裏面上には配線層や導電端子を形成せずに、支持体７の外周部上であって、半導体基板２の側壁の外側に隣接するように導電端子１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】出力特性劣化などの不具合の発生を抑え、良好な信頼性を得ることが可能な高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１１に形成される動作領域１２と、動作領域１２上に形成されるゲート電極１３と、動作領域１２上にゲート電極１３を挟んで交互に形成されるソース電極１４及びドレイン電極１５と、外部回路と接続されるためのボンディングパッド１８、１９と、一方の端部がソース電極１４又はドレイン電極１５と動作領域１２外上で接続され、他方の端部がボンディングパッド１８、１９と接続されるエアブリッジ２０を備える。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】導電層を形成する際、形成したいパターンの外側（パターンの輪郭、端部に相当する）に液状の導電性材料を含む組成物を付着させ、枠状の第１の導電層（又は絶縁層）を形成する。枠状の第１の導電層の内側の空間を充填するように、液状の第２の導電性材料を含む組成物を付着させ第２の導電層を形成する。第１の導電層及び第２の導電層は接して形成され、第２の導電層の周囲を囲むように第１の導電層が形成されるので、第１の導電層及び第２の導電層は連続した一つの導電層として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】種々の形状からなる配線を精度良く形成できる汎用性の高い、配線形成用基板を提供する。また、前記配線基板を用いて信頼性の高いものを得る、配線の形成方法、プラズマディスプレイの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０Ａ上に、撥液領域１１に囲まれる多数のドット状の親液領域１２が、規則的に配設されてなる配線形成用基板１０である。 （もっと読む）

【課題】高信頼性かつ低コストに製造することが可能な、多層間にまたがる配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１の上方に位置するＡｕを含むインダクタ配線４と、インダクタ配線４の上に位置し、Ｆとの化合物の沸点または昇華温度が３００℃以上となるＡｌを含むインダクタ配線上層５とを上層の層間絶縁膜６で覆った後、Ｆを含むガスでインダクタ配線上層５が露出するまで上層の層間絶縁膜６をドライエッチングし、上層の層間絶縁膜６のエッチングで露出したインダクタ配線上層５をＣｌを含むガスでドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】再配線層のエッジ部付近に界面剥離やクラックが生じることを防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板１００と、半導体基板１００上に形成され、開口１１０ａ（第１開口）を有する第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）と、第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）上の一部から開口１１０ａ（第１開口）内にかけて形成され、最上面の大きさが第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）と接する面の外周に囲まれた領域の大きさよりも小さい第１再配線層１１と、第１再配線層１１上及び第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）上に形成された第２層間絶縁膜１２０（第２絶縁膜）とを有する。 （もっと読む）

【課題】工程数の低減と共に、バービア底部での抵抗値異常や断線を抑制しうるＲＦ集積回路及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基体上にボンディングパッド層と積層インダクタとを備え、該積層インダクタが、最下層インダクタ層上に上層インダクタ層を積層させた構成を有し、前記最下層インダクタ層が、前記ボンディングパッド層と同一の材料からなることを特徴とするＲＦ集積回路により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】犠牲層残渣の発生や配線細りなどの不具合を抑制する、エアギャップ構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に複数の配線を形成する半導体装置の製造方法であって、基板１上に、複数の配線と、複数の配線に対して選択してエッチングできる金属からなり、複数の配線の間隙に埋め込まれている犠牲層とを形成する工程と、犠牲層を複数の配線に対して選択比を有するエッチングにより除去して、複数の配線の間隙にエアギャップ構造を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】導電体材料配線材料が、バリアメタル膜、多孔質層間絶縁膜および非多孔質層間絶縁膜内を拡散することを防ぐことのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成される半導体素子４と、半導体素子４上に積層される複数の絶縁膜と、複数の絶縁膜内に埋め込まれた状態で形成され半導体素子４を電気的に接続する埋込配線とを備えており、さらに、複数の絶縁膜には多孔質層間絶縁膜１０が含まれるとともに、埋込配線には、少なくとも多孔質層間絶縁膜１０に形成される配線溝に配線材料を埋め込んで形成される導電体材料配線１５が含まれている半導体装置の製造方法において、配線溝の内壁となる多孔質層間絶縁膜１０表面の多孔を誘電体材料で埋め込む誘電体埋込工程と、誘電体埋込工程の後に、無酸素雰囲気下で配線溝の内壁にバリアメタル膜１４を形成するバリアメタル形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】入力信号のＨレベルとＬレベルとを同時にレベルシフトすることができ、且つ低コストで製造できるレベルシフタ、及びレベルシフタを具備する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単一の導電型のトランジスタで構成されたオフセット回路を用いて、入力信号をオフセットする。そして、オフセットされた入力信号をオフセット回路と同じ導電型のトランジスタで構成された論理回路に供給することによって、入力信号のＨレベルとＬレベルとを同時にレベルシフトすることができる。また、オフセット回路と論理回路は単一の導電型のトランジスタで構成されているため、表示装置を低コストで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率な層間絶縁膜のダメージを十分に修復することで、配線信頼性を向上させることを可能とする。
【解決手段】層間絶縁膜２１に配線溝２３および接続孔２２の少なくとも一方を形成する工程でのプラズマ処理により、プラズマダメージを受けた層間絶縁膜２１のダメージ層３１を修復する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記層間絶縁膜２１のダメージ層３１の修復工程は、プラズマダメージを修復するためのダメージ修復剤４１に前記層間絶縁膜２１のダメージ層３１をさらすとともに、該ダメージ修復剤４１を加圧することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体装置に形成されたアライメントマークは、該アライメントマークが形成された上層金属配線膜の直下層に配置される層間膜のコンタクトホールの段差形状が転写されていたが、該コンタクトホールの段差形状がなだらかであったため、アライメントマークの窪み深さが浅く、認識精度が低下する傾向にあった。
【解決手段】 複数層の機能膜を備え、前記複数層の機能膜のうち上層機能膜にアライメントマーク１０が形成される半導体装置１であって、前記上層機能膜である上層金属配線膜８の一層下に、層間膜７を介して形成される下層機能膜である下層金属配線膜３における、前記アライメントマーク１０形成箇所に相当する箇所に、所定幅の抜きパターンとなる段差部１１が形成される。 （もっと読む）