配線形成用基板、配線の形成方法、及びプラズマディスプレイの製造方法
【課題】種々の形状からなる配線を精度良く形成できる汎用性の高い、配線形成用基板を提供する。また、前記配線基板を用いて信頼性の高いものを得る、配線の形成方法、プラズマディスプレイの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０Ａ上に、撥液領域１１に囲まれる多数のドット状の親液領域１２が、規則的に配設されてなる配線形成用基板１０である。
【解決手段】基板１０Ａ上に、撥液領域１１に囲まれる多数のドット状の親液領域１２が、規則的に配設されてなる配線形成用基板１０である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線形成用基板、配線の形成方法、及びプラズマディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線を形成する方法の一例として、インクジェット法（液滴吐出法）を用い、基板上に塗布した導電性インクを焼成させることで配線を形成することが知られている。このようにインクジェット法による工程は、基板上でインクが濡れ拡がってしまうと微細な配線を形成することが困難となってしまう。そこで、基板全面に導電性インクに対して撥液性を示す撥液処理を施した後、基板上に導電性インクを吐出するようにしている。しかしながら、撥液性を持つ基板上に導電性インクを吐出すると、液滴の液だまり（バルジ）が基板上に生じ、所望の形状に配線を形成することが難しくなってしまう。
【０００３】
そこで、基板表面に有機分子膜を用いて親液部と撥液部とを所定のパターンに形成し、前記親液部のみに選択的に導電性インクを塗布することで、配線を形成する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−１６４６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記方法では、前記親液部及び撥液部は、前記基板上に形成された有機分子膜にマスクを介して紫外線を照射することで所定のパターンに形成される。そのため、前記基板上には、所定のパターンに対応した配線しか形成することができず、別のパターンの配線を形成するには、各パターンに対応する親液部及び撥液部が形成された基板を用意する必要がある。このように、上記方法で用いられる基板（配線形成用基板）は、非常に汎用性に乏しいものであった。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、種々の形状からなる配線を精度良く形成できる汎用性の高い、配線形成用基板を提供することを目的としている。また、前記配線基板を用いて信頼性の高いものを得る、配線の形成方法、プラズマディスプレイの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の配線形成用基板は、基板上に、撥液領域に囲まれる多数のドット状の親液領域が、規則的に配設されてなることを特徴とする。
【０００７】
本発明の配線形成用基板によれば、例えば液滴吐出法により基板上に吐出した導電性機能液が親液領域からはみ出た場合でも、該導電性機能液は、親液領域を囲む撥液領域によってはじかれ、ドット状の親液領域に良好に保持される。また、隣接する親液領域間に亘って導電性機能液を吐出された場合、導電性機能液は、各親液領域に確実に保持され、前記隣接する親液領域間に存在する撥液領域も覆った状態となる。
【０００８】
したがって、導電性機能液を吐出する領域を変更することで、種々の形状からなる配線を精度良く形成できる汎用性の高い基板となる。
【０００９】
また、前記配線形成用基板においては、前記撥液領域は、前記基板上に格子状に設けられているのが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、格子状からなる撥液領域を有しているので、該撥液領域によって囲まれる親液領域は矩形状のものが規則的に配設されることとなり、上述したような汎用性の高い基板を良好に構成できる。
【００１１】
あるいは、前記配線形成用基板においては、前記親液領域は、前記基板上に千鳥状に配設されてなるのが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、親液領域が規則的に配設されたものとなり、上述したような汎用性の高い基板を良好に構成できる。
【００１３】
本発明の配線の形成方法は、基板上に、撥液領域に囲まれる多数のドット状の親液領域を、規則的に配設する工程と、前記基板上に、液滴吐出法を用いて導電性機能液を配線パターン状に吐出する工程と、該導電性機能液を焼成して配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の配線の形成方法によれば、液滴吐出法により基板上に吐出した導電性機能液が親液領域からはみ出た場合でも、該導電性機能液は、親液領域を囲む撥液領域ではじかれ、ドット状の親液領域に良好に保持される。また、隣接する親液領域間に亘って吐出された導電性機能液は、各親液領域に確実に保持され、前記隣接する親液領域間に存在する撥液領域も覆った状態となる。このように基板上に保持された導電性機能液を焼成することで、配線を精度良く形成することができる。また、種々の配線形状に対応した汎用性の高い配線形成用基板を用いているので、配線形成時における自由度が高いものとなる。
【００１５】
また、上記配線の形成方法においては、前記液滴吐出法により吐出される前記導電性機能液の着弾径が、前記撥液領域の幅よりも大きいのが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、吐出された導電性機能液の一部が親液領域に着弾して良好に濡れ拡がるので、撥液領域上に導電性機能液の液だまり（バルジ）が生じることを防止することができる。
【００１７】
本発明のプラズマディスプレイの製造方法は、互いに対向して配置される一対の基板と、一方の基板に設けられたアドレス電極と、他方の基板に設けられたバス電極とを備えたプラズマディスプレイの製造方法において、基板上に、撥液領域に囲まれる多数のドット状の親液領域を、規則的に配設する工程と、前記配線形成用基板上に、液滴吐出法を用いて導電性機能液を配線パターン状に吐出する工程と、該導電性機能液を焼成することで、前記アドレス電極及びバス電極の少なくとも一方を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１８】
本発明のプラズマディスプレイの製造方法は、汎用性が高く、しかも精度の良く配線を形成できる配線形成用基板を用いて、アドレス電極及びバス電極の少なくとも一方を製造しているので、該アドレス電極及びバス電極を備えたプラズマディスプレイ自体も信頼性が高いものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る実施形態について説明する。
【００２０】
はじめに、配線形成用基板の一実施形態について説明する。なお、本実施形態に係る配線形成用基板は、後述する配線の形成方法、及びプラズマディスプレイの製造方法に係る実施形態にて用いられるものである。
【００２１】
図１は、本実施形態の配線形成用基板の概略構成を示す平面図であり、同図中符号１０は配線形成用基板である。配線形成用基板１０は、ガラス基板（基板）１０Ａを主体として構成されるもので、図１に示すように、該ガラス基板１０Ａ上に撥液領域１１に囲まれてなる多数のドット状の親液領域１２が規則的に配設されることで構成されたものである。
【００２２】
なお、配線形成用基板を構成する基材としては、上記ガラス基板１０Ａに限定されることなく、例えば、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含まれる。
【００２３】
ここで、撥液領域１１及び親液領域１２とは、後述するようにインクジェット法（液滴吐出法）を用いて、吐出される配線形成用のインク（導電性機能液）に対して撥液性あるいは親液性を示す領域を意味している。
【００２４】
ここで、インクについて説明する。インクは導電性微粒子を分散媒に分散した分散液からなるものである。本実施形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００２５】
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。本実施形態では、分散媒として、炭化水素系化合物のものを用いた。
【００２６】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法により機能液を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、機能液のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、機能液の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２７】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて機能液を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部が機能液の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００２８】
前記親液領域１２は、インクに対する静的接触角が４０°未満となることが好ましい。これにより、親液領域１２に吐出されたインクは、濡れ拡がり良好に保持される。一方、前記撥液領域１１は、インクに対する静的接触角が４０°以上となることが好ましい。これにより、前記親液領域１２に吐出されたインクの基板上での濡れ拡がりを抑えることができる。例えば、親液領域１２における静的接触角を１０°〜２０°、撥液領域１１の静的接触角を４０°〜５０°のように設定すれば、前記各領域１１，１２の濡れ性の差が明確になる。
【００２９】
本実施形態では、前記撥液領域１１がガラス基板１０Ａ上に格子状に設けられている。よって、親液領域１２は、前記撥液領域１１に囲まれた正方形状（ドッド状）から構成され、ガラス基板１０Ａ上に規則的に配置される。
【００３０】
前記親液領域１２の大きさ（正方形の一辺の長さ）は、０．５μｍ〜１．０ｍｍが好ましい。また、撥液領域１１と親液領域１２の大きさの比は特に限定されることはないが、前記撥液領域１１の幅（隣接する親液領域１２間の間隔）は後述するインクジェット法により吐出されるインクの着弾径（一般的には３５μｍ程度）よりも小さくなっているのが好ましい。このように、撥液領域１１の幅がインクの着弾径よりも大きいため、撥液領域１１上に着弾したインク滴は、親液領域１２に濡れ拡がり、前記撥液領域１１上に液だまり（バルジ）が生じさせることがない。
【００３１】
上記配線形成用基板１０は、以下の方法により形成することができる。
【００３２】
本実施形態では、フッ素またはフッ素化合物を含有する材料として、例えばフッ素樹脂をスピンコート法によってガラス基板１０Ａ上に成膜する。フッ素樹脂は、前記炭化水素系の分散媒を含むインクに対して撥液性を示すようになっている。
【００３３】
続いて、図１に示したようなドット状の親液領域１２に対応する開口部が形成されたフォトマスクを介して、前記ガラス基板１０Ａ上に短波長のＵＶ（紫外線）を照射する。すると、前記フッ素樹脂における、短波長のＵＶが照射された領域は、インクに対して親液性を示す前記親液領域１２となる。また、マスクにより上記ＵＶ照射が行われなかった領域は、フッ素樹脂により撥液性を維持することで前記撥液領域１１となる。
【００３４】
以上の工程により、前記ガラス基板１０Ａ上に、撥液領域１１に囲まれた、ドット状の親液領域１２が規則的に配設されてなる配線形成用基板１０を形成できる。
【００３５】
また、上記配線形成用基板１０を製造する方法は、上記方法に限定されることはない。例えば、前記ガラス基板１０Ａ上に、ポジ型の感光性レジストとフッ素樹脂とを順に積層し、親液領域１２に対応する開口部が形成されたフォトマスクを介して、感光性レジストを露光する。これにより、露光された部分（親液領域１２に対応する領域）の感光性レジスト及び該感光性レジスト上に設けられたフッ素樹脂が除去されて、ガラス基板１０Ａの一部が露出する。なお、ガラス基板１０Ａの表面はインクに対し親液性となるため、ガラス基板１０Ａの露出面が前記親液領域１２として機能する。また、前記フッ素樹脂が設けられている部分が、前記撥液領域１１として機能する。以上の方法により、配線形成用基板１０を形成できる。
【００３６】
前記撥液領域１１、及び親液領域１２とは、基板上に吐出されるインクに対する濡れ性の差により相対的に規定されるもので、したがって使用されるインクに応じて撥液領域１１、及び親液領域１２を構成する材料が適宜選択される。
【００３７】
本実施形態のように、インクとして炭化水素化合物系の分散媒を含むものを用いた場合、前記撥液領域１１として、フッ素樹脂の他に、自己組織化膜（ＳＡＭ）等を形成してもよい。自己組織化膜（自己組織化単分子膜：ＳＡＭ（Self Assembled Monolayer））は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００３８】
また、前記インクとして水系の分散媒を含むものを用いた場合には、ＨＭＤＳ処理によって撥液領域１１を形成してもよい。ＨＭＤＳ処理は、ヘキサメチルジシラサン（(ＣＨ３)３ＳｉＮＨＳｉ(ＣＨ３)３）を蒸気状にして（例えば１２０ｓｅｃ）物体の表面に接触させた後、乾燥（例えば９５℃で６０ｓｅｃ）する方法である。このようにして形成されたＨＭＤＳ処理面は、インクに対して撥液性を示すため、撥液領域として機能するようになる。
【００３９】
また、上記方法以外にも、ガラス基板１０Ａ上の全面に撥液処理を施した後、レーザーや電子線を用い、スポット状の光を前記撥液処理面に照射することで、ドット状の親液領域を形成するようにしてもよい。このようにレーザーや電子線を用いることで、マスクを用いることなく配線形成用基板１０を形成することができる。
【００４０】
また、スリットコートやオフセット印刷等の印刷法を用いて、ガラス基板１０Ａ上に撥液層と親液層とを積層することで配線形成用基板１０を形成してもよい。
【００４１】
なお、形成する親液領域１２が大きい場合には、ガラス基板１０Ａの全面に撥液層を形成した後、インクジェット法を用いてドット状の親液領域１２を形成する材料を塗布し、配線形成用基板１０を形成するようにしてもよい。
【００４２】
なお、前記ドッド状の親液領域１２は、ガラス基板１０Ａ上に規則的に配置されていれば、上述した略矩形状のものに限られることはなく、例えば円形、三角等の多角形であってもよい。また、ドット状の親液領域１２は規則的に配置されていれば良く、例えば各親液領域１２を図２に示すように千鳥状に配置するようにしてもよい。
【００４３】
このような構成の配線形成用基板１０にあっては、後述するようにインクジェット法により基板上に吐出したインクが親液領域１２からはみ出た場合でも、このインクは、親液領域１２を囲む撥液領域１１ではじかれることで親液領域１２内に良好に保持される。また、隣接する親液領域１２間に亘り吐出されたインクは、これら隣接する親液領域間の撥液領域１１も覆った状態となる。また、前記親液領域１２は規則的に配置されていることから、該親液領域１２上に保持されることで描画される配線パターンは精度の高いものとなる。
【００４４】
したがって、インクを吐出する領域を変更することで、異なる配線パターンを精度良く形成できる、汎用性の高い基板となる。
【００４５】
（配線の形成方法）
次に、本発明の配線の形成方法に係る実施形態について説明する。本実施形態では、上記配線形成用基板１０を用い、該配線形成用基板１０上に配線を形成する場合について説明する。本実施形態では、インクジェット法を用いて、前記配線形成用基板１０上にインクを吐出している。
【００４６】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換方式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００４７】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。本実施形態では、特にピエゾ素子を用いた方式が好適に用いられる。
【００４８】
ここで、配線の形成工程を説明するに先んじて、配線形成用基板１０上にインクを吐出する場合について説明する。図３は配線形成用基板１０上にインク１３を吐出した状態を示す図であり、同図中、二点鎖線は、インク１３の着弾領域を示している。
【００４９】
配線形成用基板１０上に着弾したインク１３は、原則、撥液領域１１ではじかれ、該撥液領域１１に囲まれたドット状の親液領域１２に濡れ拡がるようになる。また、インク１３が隣接する親液領域１２間に亘って（図３に示すようにインクの着弾領域内に親液領域１２が複数含まれる場合）着弾されたインク１３は、各親液領域１２に確実に保持され、隣接する親液領域１２の間に存在する撥液領域１１も覆った状態となる。すなわち、図３中点状ハッチングで示される領域にインク１３が保持されることとなる。本実施形態に係る配線形成用基板１０によれば、インク１３の着弾領域に含まれる撥液領域１１及び親液領域１２上にインク１３を良好に保持することができる。したがって、インクを吐出する位置を変更することで、基板上に種々のパターンを描画できる。
【００５０】
続いて、前記配線形成用基板１０上にインク１３を吐出し、配線パターンを描画する場合について説明する。なお、配線パターンとは、前記配線形成用基板１０上にインク１３をパターン状に吐出したものを意味し、該配線パターンを乾燥、焼成させることで配線が形成される。
【００５１】
図４、５は、配線形成用基板１０上に配線パターンを描画した状態を示す概略図である。以下の説明では、図４、５に示されるように、インクジェットヘッドから吐出されたインク（インク滴）１３の着弾径が、およそ親液領域１２の２列分の幅に一致するものとし、インクジェットヘッドの移動方向に沿って配線パターンが形成される。
【００５２】
また、図４（ａ）は、配線形成用基板１０上に配線パターンを描画した状態を示す図であり、図４（ｂ），（ｃ）は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ´線矢視による配線形成用基板１０の断面図に対応するものである。
【００５３】
まず、配線形成用基板１０上に、インクジェットヘッド（図示しない）からインク１３を吐出し、基板上に配線パターンを描画する。このとき、図４（ａ）に示すように、インク１３が吐出された領域に含まれる、親液領域１２及び撥液領域１１上にインク１３が確実に保持されて、基板上に配線パターンＰ１，Ｐ２が形成される。
【００５４】
また、配線パターンＰ１，Ｐ２の端部が親液領域１２からはみ出た場合でも、周囲を囲む撥液領域１１にインク１３がはじかれて、図４（ｂ）に示すように親液領域１２内に保持される。
【００５５】
よって、インクジェット法により配線形成用基板１０上に描画された配線パターンＰ１，Ｐ２は、必要以上に基板上に濡れ拡がることがなく、しかも液だまり（バルジ）を生じさせることがない。
【００５６】
配線パターンＰ１，Ｐ２を描画した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理を行う。乾燥処理は、例えば配線形成用基板１０を加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる加熱処理を行うことができる。本実施形態では、例えば１８０℃加熱を６０分間程度行う。この加熱は窒素雰囲気化等、必ずしも大気中で行う必要はない。
【００５７】
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００５８】
続いて、配線パターンＰ１，Ｐ２における微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。
【００５９】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基板の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するために、約２５０℃で焼成することが必要である。以上の工程により配線パターンＰ１，Ｐ２の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換される。以上のようにして、図４（ｃ）に示すように配線形成用基板１０上に配線２１，２２が形成される。
【００６０】
このような配線２１，２２の形成方法によれば、配線形成用基板１０上に配線パターンＰ１，Ｐ２を描画し、該配線パターンＰ１，Ｐ２を焼成させることで、精度の良い配線２１，２２を形成することができる。また、上記配線形成用基板１０は、上記配線２１，２２の形状に限定されることなく、インク１３を吐出する位置を変更することで種々の形状からなる配線を良好に形成できる、汎用性の高いものである。よって、本発明に係る配線の形成方法は、汎用性の高い配線形成用基板１０上に配線を形成するので、配線形成時の設計の自由度が非常に高いものとなる。
【００６１】
なお、前記配線形成用基板１０の撥液領域１１の格子パターンをより微細なものとすれば、図５に示すように、インク１３を斜め方向に吐出し、斜め配線も精度良く形成できる。
【００６２】
続いて、本発明の配線の形成方法は、図６に示すような液晶装置等のスイッチング素子として用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の一部及びそれに接続する配線を形成する際に適用可能である。図６において、ＴＦＴを有するＴＦＴ基板Ｐ上には、ゲート配線４０と、このゲート配線４０に電気的に接続するゲート電極４１と、ソース配線４２と、このソース配線４２に電気的に接続するソース電極４３と、ドレイン電極４４と、ドレイン電極４４に電気的に接続する画素電極４５とを備えている。ゲート配線４０はＸ軸方向に延びるように形成され、ゲート電極４１はＹ軸方向に延びるように形成されている。また、ゲート電極４１の幅Ｈ２はゲート配線４０の幅Ｈ１よりも狭くなっている。これらゲート配線４０及びゲート電極４１を、本発明に係る配線パターンの形成方法で形成することができる。
【００６３】
以下、ＴＦＴを製造する方法について図７、８を参照しながら説明する。
【００６４】
まず、ＴＦＴを形成するための基板として、上記配線形成用基板１０を形成する。この配線形成用基板１０には、上述したように撥液領域１１に囲まれた、ドット状の親液領域１２が規則的に配置されている。
【００６５】
ゲート走査電極形成工程では、前記配線形成用基板１０上に導電性材料を含む液滴をインクジェット法を用いて吐出することでゲート配線４０及びゲート電極４１を形成する。
【００６６】
この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−Ｓｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ、導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。前記配線形成用基板１０上に形成されたゲート配線４０及びゲート電極４１を構成する導電性インク（インク１３）は、前記親液領域１２に良好に保持されるとともに、隣接する親液領域１２の間の撥液領域１１上も覆うことで、微細なパターンとなる。
【００６７】
また、図６に示したように、ゲート電極４１の幅Ｈ２はゲート配線４０の幅Ｈ１よりも狭く形成する必要がある。そこで、図７に示すように、ゲート電極４１を構成する領域には、親液領域１２が例えば２列含まれるようにインク１３を吐出することでパターンを描画しする。そして、ゲート配線４０を構成する領域には、親液領域１２が３列以上（図７中では３列）含まれるようにインク１３を吐出する。これにより、幅の異なるパターン（ゲート配線４０及びゲート電極４１）Ｐ３，Ｐ４を基板上に精度良く形成できる。そして、このパターンＰ３，Ｐ４を乾燥し焼成することで、前記パターンＰ３からゲート配線４０が形成され、前記パターンＰ４からゲート電極４１が形成される。以上の工程により、配線形成用基板１０上にゲート配線４０及びゲート電極４１が良好に形成できる。
【００６８】
次に、図８（ａ）に示すように前記ゲート電極４１及び図示されないゲート配線４０を覆って、例えばＣＶＤ法等を用いてゲート絶縁膜３１を形成する。なお、図８中では、ゲート電極４１周辺部を形成する工程を図示している。前記ゲート絶縁膜３１として窒化シリコンを形成した。なお、本実施形態では、ゲート絶縁膜３１を成膜した後、平坦化処理を施しており、これにより前記ゲート絶縁膜３１の上面は平坦面となる。
【００６９】
次に、図８（ｂ）に示すように、前記ゲート絶縁膜３１上に、プラズマＣＶＤ法により、活性層３０、及びコンタクト層２９の連続成膜を行う。活性層３０としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層２９としてｎ＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。
【００７０】
次に、図８（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜３１の上面に、フォトリソグラフィ法を用いてバンク３４を形成する。このバンク３４を構成する材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が好適に用いられる。
【００７１】
このバンク３４に撥液性を持たせるためにＣＦ４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク３４の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）が充填されたものを採用してもよい。この場合には、ＣＦ４プラズマ処理等を省略することができる。
【００７２】
次に、図８（ｃ）に示すように、前記バンク３４で区画された領域に、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することで、図８（ｄ）に示すように、前記ゲート電極４１に対して交差するソース電極４３及びドレイン電極４４を形成する。
【００７３】
ソース電極４３及びドレイン電極４４を形成する際には、最初にＮｉからなる金属保護層が形成され、次に銀からなる導電膜層が形成され、最後にＮｉからなる金属保護層が形成される。最初に金属保護層が形成されるのは、銀が窒化シリコン活性層、アモルファスシリコン膜、ｎ＋型シリコン膜に拡散することを防ぐためである。
【００７４】
この時の導電性材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ等の導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース電極４３及びドレイン電極４４は、バンク３４に十分な撥液性が予め与えられているので、バンク３４内からのはみ出しを抑制することができる。
【００７５】
また、ソース電極４３及びドレイン電極４４を配置した溝３４ａを埋めるように絶縁材料３７が配置される。以上の工程により、配線形成用基板１０上に設けられたゲート絶縁膜３１上には、バンク３４と絶縁材料３７からなる平坦な上面３２が形成される。
【００７６】
さらに、前記上面３２上に、コンタクトホール３９を介してドレイン電極４４に接続される画素電極（ＩＴＯ）４５が形成される。なお、前記ソース配線４２を形成する際に、本発明に係る配線の形成方法を用いてもよい。
【００７７】
（プラズマディスプレイの製造方法）
続いて、プラズマディスプレイの製造方法の一実施形態によって得られたプラズマディスプレイについて図面を参照しながら説明する。
【００７８】
図９は、プラズマディスプレイ１００を示す分解斜視図である。このプラズマディスプレイ１００は、互いに対向して配置されたガラス基板（一方の基板）１０１とガラス基板（他方の基板）１０２と、これらの間に形成された放電表示部１１０とから概略構成されている。
【００７９】
放電表示部１１０は、複数の放電室１１６が集合されてなり、複数の放電室１１６のうち、赤色放電室１１６（Ｒ）、緑色放電室１１６（Ｇ）、青色放電室１１６（Ｂ）の３つの放電室１１６が対になって１画素を構成するように配置されている。前記（ガラス）基板１０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極１１１が形成され、それらアドレス電極１１１と基板１０１の上面とを覆うように誘電体層１１９が形成され、さらに誘電体層１１９上においてアドレス電極１１１、１１１間に位置して各アドレス電極１１１に沿うように隔壁１１５が形成されている。なお、隔壁１１５においてはその長手方向の所定位置においてアドレス電極１１１と直交する方向にも所定の間隔で仕切られており（図示略）、基本的にはアドレス電極１１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極１１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これら長方形状の領域に対応するように放電室１１６が形成され、これら長方形状の領域が３つ対になって１画素が構成される。また、隔壁１１５で区画される長方形状の領域の内側には蛍光体１１７が配置されている。蛍光体１１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室１１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体１１７（Ｒ）が、緑色放電室１１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体１１７（Ｇ）が、青色放電室１１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体１１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００８０】
次に、前記ガラス基板１０２側には、先のアドレス電極１１１と直交する方向に複数のＩＴＯからなる透明表示電極１１２がストライプ状に所定の間隔で形成されるとともに、高抵抗のＩＴＯを補うために金属からなるバス電極１１２ａが形成されている。また、これらを覆って誘電体層１１３が形成され、さらにＭｇＯなどからなる保護膜１１４が形成されている。そして、前記基板１０１とガラス基板１０２とが、前記アドレス電極１１１…と表示電極１１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされ、基板１０１と隔壁１１５とガラス基板１０２側に形成されている保護膜１１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入することで放電室１１６が形成されている。なお、ガラス基板１０２側に形成される表示電極１１２は各放電室１１６に対して２本ずつ配置されるように形成されている。 前記アドレス電極１１１と表示電極１１２は図示略の交流電源に接続され、各電極に通電することで必要な位置の放電表示部１１０において蛍光体１１７を励起発光させて、カラー表示ができるようになっている。
【００８１】
本実施形態に係るプラズマディスプレイの製造方法では、前記ガラス基板１０１側に設けられた前記アドレス電極１１１と、前記ガラス基板１０２側に設けられた前記バス電極１１２ａとを上述した配線の形成方法によって形成している。
【００８２】
すなわち、これらアドレス電極１１１やバス電極１１２ａは、上述した撥液領域１１に囲まれた多数のドット状の親液領域１２が規則的に配置されてなる配線形成用基板１０上に導電性インク（インク１３）を吐出して、焼成することで形成されている。
【００８３】
したがって、前記プラズマディスプレイ１００の製造方法は、精度の良い形成されたアドレス電極１１１やバス電極１１２ａを形成できるので、高性能、かつ信頼性の高いプラズマディスプレイ１００を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】配線形成用基板の概略構成を示す平面図である。
【図２】配線形成用基板の変形例を示す図である。
【図３】配線形成用基板上にインクを吐出した状態を示す図である。
【図４】配線形成用基板上に配線パターンを描画する工程を説明する図である。
【図５】配線形成用基板上に斜め描画を行う工程を説明する図である。
【図６】薄膜トランジスタの構成を示す図である。
【図７】ゲート配線及びゲート電極を形成する工程を説明する図である。
【図８】図７に続くＴＦＴを製造する工程を説明する図である。
【図９】プラズマディスプレイを示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０Ａ…ガラス基板（基板）、１０…配線形成用基板、１１…撥液領域、１２…親液領域、１３…インク（導電性機能液）、１００…プラズマディスプレイ、１１１…アドレス電極、１１２ａ…バス電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線形成用基板、配線の形成方法、及びプラズマディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線を形成する方法の一例として、インクジェット法（液滴吐出法）を用い、基板上に塗布した導電性インクを焼成させることで配線を形成することが知られている。このようにインクジェット法による工程は、基板上でインクが濡れ拡がってしまうと微細な配線を形成することが困難となってしまう。そこで、基板全面に導電性インクに対して撥液性を示す撥液処理を施した後、基板上に導電性インクを吐出するようにしている。しかしながら、撥液性を持つ基板上に導電性インクを吐出すると、液滴の液だまり（バルジ）が基板上に生じ、所望の形状に配線を形成することが難しくなってしまう。
【０００３】
そこで、基板表面に有機分子膜を用いて親液部と撥液部とを所定のパターンに形成し、前記親液部のみに選択的に導電性インクを塗布することで、配線を形成する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−１６４６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記方法では、前記親液部及び撥液部は、前記基板上に形成された有機分子膜にマスクを介して紫外線を照射することで所定のパターンに形成される。そのため、前記基板上には、所定のパターンに対応した配線しか形成することができず、別のパターンの配線を形成するには、各パターンに対応する親液部及び撥液部が形成された基板を用意する必要がある。このように、上記方法で用いられる基板（配線形成用基板）は、非常に汎用性に乏しいものであった。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、種々の形状からなる配線を精度良く形成できる汎用性の高い、配線形成用基板を提供することを目的としている。また、前記配線基板を用いて信頼性の高いものを得る、配線の形成方法、プラズマディスプレイの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の配線形成用基板は、基板上に、撥液領域に囲まれる多数のドット状の親液領域が、規則的に配設されてなることを特徴とする。
【０００７】
本発明の配線形成用基板によれば、例えば液滴吐出法により基板上に吐出した導電性機能液が親液領域からはみ出た場合でも、該導電性機能液は、親液領域を囲む撥液領域によってはじかれ、ドット状の親液領域に良好に保持される。また、隣接する親液領域間に亘って導電性機能液を吐出された場合、導電性機能液は、各親液領域に確実に保持され、前記隣接する親液領域間に存在する撥液領域も覆った状態となる。
【０００８】
したがって、導電性機能液を吐出する領域を変更することで、種々の形状からなる配線を精度良く形成できる汎用性の高い基板となる。
【０００９】
また、前記配線形成用基板においては、前記撥液領域は、前記基板上に格子状に設けられているのが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、格子状からなる撥液領域を有しているので、該撥液領域によって囲まれる親液領域は矩形状のものが規則的に配設されることとなり、上述したような汎用性の高い基板を良好に構成できる。
【００１１】
あるいは、前記配線形成用基板においては、前記親液領域は、前記基板上に千鳥状に配設されてなるのが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、親液領域が規則的に配設されたものとなり、上述したような汎用性の高い基板を良好に構成できる。
【００１３】
本発明の配線の形成方法は、基板上に、撥液領域に囲まれる多数のドット状の親液領域を、規則的に配設する工程と、前記基板上に、液滴吐出法を用いて導電性機能液を配線パターン状に吐出する工程と、該導電性機能液を焼成して配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の配線の形成方法によれば、液滴吐出法により基板上に吐出した導電性機能液が親液領域からはみ出た場合でも、該導電性機能液は、親液領域を囲む撥液領域ではじかれ、ドット状の親液領域に良好に保持される。また、隣接する親液領域間に亘って吐出された導電性機能液は、各親液領域に確実に保持され、前記隣接する親液領域間に存在する撥液領域も覆った状態となる。このように基板上に保持された導電性機能液を焼成することで、配線を精度良く形成することができる。また、種々の配線形状に対応した汎用性の高い配線形成用基板を用いているので、配線形成時における自由度が高いものとなる。
【００１５】
また、上記配線の形成方法においては、前記液滴吐出法により吐出される前記導電性機能液の着弾径が、前記撥液領域の幅よりも大きいのが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、吐出された導電性機能液の一部が親液領域に着弾して良好に濡れ拡がるので、撥液領域上に導電性機能液の液だまり（バルジ）が生じることを防止することができる。
【００１７】
本発明のプラズマディスプレイの製造方法は、互いに対向して配置される一対の基板と、一方の基板に設けられたアドレス電極と、他方の基板に設けられたバス電極とを備えたプラズマディスプレイの製造方法において、基板上に、撥液領域に囲まれる多数のドット状の親液領域を、規則的に配設する工程と、前記配線形成用基板上に、液滴吐出法を用いて導電性機能液を配線パターン状に吐出する工程と、該導電性機能液を焼成することで、前記アドレス電極及びバス電極の少なくとも一方を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１８】
本発明のプラズマディスプレイの製造方法は、汎用性が高く、しかも精度の良く配線を形成できる配線形成用基板を用いて、アドレス電極及びバス電極の少なくとも一方を製造しているので、該アドレス電極及びバス電極を備えたプラズマディスプレイ自体も信頼性が高いものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る実施形態について説明する。
【００２０】
はじめに、配線形成用基板の一実施形態について説明する。なお、本実施形態に係る配線形成用基板は、後述する配線の形成方法、及びプラズマディスプレイの製造方法に係る実施形態にて用いられるものである。
【００２１】
図１は、本実施形態の配線形成用基板の概略構成を示す平面図であり、同図中符号１０は配線形成用基板である。配線形成用基板１０は、ガラス基板（基板）１０Ａを主体として構成されるもので、図１に示すように、該ガラス基板１０Ａ上に撥液領域１１に囲まれてなる多数のドット状の親液領域１２が規則的に配設されることで構成されたものである。
【００２２】
なお、配線形成用基板を構成する基材としては、上記ガラス基板１０Ａに限定されることなく、例えば、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含まれる。
【００２３】
ここで、撥液領域１１及び親液領域１２とは、後述するようにインクジェット法（液滴吐出法）を用いて、吐出される配線形成用のインク（導電性機能液）に対して撥液性あるいは親液性を示す領域を意味している。
【００２４】
ここで、インクについて説明する。インクは導電性微粒子を分散媒に分散した分散液からなるものである。本実施形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００２５】
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。本実施形態では、分散媒として、炭化水素系化合物のものを用いた。
【００２６】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法により機能液を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、機能液のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、機能液の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２７】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて機能液を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部が機能液の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００２８】
前記親液領域１２は、インクに対する静的接触角が４０°未満となることが好ましい。これにより、親液領域１２に吐出されたインクは、濡れ拡がり良好に保持される。一方、前記撥液領域１１は、インクに対する静的接触角が４０°以上となることが好ましい。これにより、前記親液領域１２に吐出されたインクの基板上での濡れ拡がりを抑えることができる。例えば、親液領域１２における静的接触角を１０°〜２０°、撥液領域１１の静的接触角を４０°〜５０°のように設定すれば、前記各領域１１，１２の濡れ性の差が明確になる。
【００２９】
本実施形態では、前記撥液領域１１がガラス基板１０Ａ上に格子状に設けられている。よって、親液領域１２は、前記撥液領域１１に囲まれた正方形状（ドッド状）から構成され、ガラス基板１０Ａ上に規則的に配置される。
【００３０】
前記親液領域１２の大きさ（正方形の一辺の長さ）は、０．５μｍ〜１．０ｍｍが好ましい。また、撥液領域１１と親液領域１２の大きさの比は特に限定されることはないが、前記撥液領域１１の幅（隣接する親液領域１２間の間隔）は後述するインクジェット法により吐出されるインクの着弾径（一般的には３５μｍ程度）よりも小さくなっているのが好ましい。このように、撥液領域１１の幅がインクの着弾径よりも大きいため、撥液領域１１上に着弾したインク滴は、親液領域１２に濡れ拡がり、前記撥液領域１１上に液だまり（バルジ）が生じさせることがない。
【００３１】
上記配線形成用基板１０は、以下の方法により形成することができる。
【００３２】
本実施形態では、フッ素またはフッ素化合物を含有する材料として、例えばフッ素樹脂をスピンコート法によってガラス基板１０Ａ上に成膜する。フッ素樹脂は、前記炭化水素系の分散媒を含むインクに対して撥液性を示すようになっている。
【００３３】
続いて、図１に示したようなドット状の親液領域１２に対応する開口部が形成されたフォトマスクを介して、前記ガラス基板１０Ａ上に短波長のＵＶ（紫外線）を照射する。すると、前記フッ素樹脂における、短波長のＵＶが照射された領域は、インクに対して親液性を示す前記親液領域１２となる。また、マスクにより上記ＵＶ照射が行われなかった領域は、フッ素樹脂により撥液性を維持することで前記撥液領域１１となる。
【００３４】
以上の工程により、前記ガラス基板１０Ａ上に、撥液領域１１に囲まれた、ドット状の親液領域１２が規則的に配設されてなる配線形成用基板１０を形成できる。
【００３５】
また、上記配線形成用基板１０を製造する方法は、上記方法に限定されることはない。例えば、前記ガラス基板１０Ａ上に、ポジ型の感光性レジストとフッ素樹脂とを順に積層し、親液領域１２に対応する開口部が形成されたフォトマスクを介して、感光性レジストを露光する。これにより、露光された部分（親液領域１２に対応する領域）の感光性レジスト及び該感光性レジスト上に設けられたフッ素樹脂が除去されて、ガラス基板１０Ａの一部が露出する。なお、ガラス基板１０Ａの表面はインクに対し親液性となるため、ガラス基板１０Ａの露出面が前記親液領域１２として機能する。また、前記フッ素樹脂が設けられている部分が、前記撥液領域１１として機能する。以上の方法により、配線形成用基板１０を形成できる。
【００３６】
前記撥液領域１１、及び親液領域１２とは、基板上に吐出されるインクに対する濡れ性の差により相対的に規定されるもので、したがって使用されるインクに応じて撥液領域１１、及び親液領域１２を構成する材料が適宜選択される。
【００３７】
本実施形態のように、インクとして炭化水素化合物系の分散媒を含むものを用いた場合、前記撥液領域１１として、フッ素樹脂の他に、自己組織化膜（ＳＡＭ）等を形成してもよい。自己組織化膜（自己組織化単分子膜：ＳＡＭ（Self Assembled Monolayer））は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００３８】
また、前記インクとして水系の分散媒を含むものを用いた場合には、ＨＭＤＳ処理によって撥液領域１１を形成してもよい。ＨＭＤＳ処理は、ヘキサメチルジシラサン（(ＣＨ３)３ＳｉＮＨＳｉ(ＣＨ３)３）を蒸気状にして（例えば１２０ｓｅｃ）物体の表面に接触させた後、乾燥（例えば９５℃で６０ｓｅｃ）する方法である。このようにして形成されたＨＭＤＳ処理面は、インクに対して撥液性を示すため、撥液領域として機能するようになる。
【００３９】
また、上記方法以外にも、ガラス基板１０Ａ上の全面に撥液処理を施した後、レーザーや電子線を用い、スポット状の光を前記撥液処理面に照射することで、ドット状の親液領域を形成するようにしてもよい。このようにレーザーや電子線を用いることで、マスクを用いることなく配線形成用基板１０を形成することができる。
【００４０】
また、スリットコートやオフセット印刷等の印刷法を用いて、ガラス基板１０Ａ上に撥液層と親液層とを積層することで配線形成用基板１０を形成してもよい。
【００４１】
なお、形成する親液領域１２が大きい場合には、ガラス基板１０Ａの全面に撥液層を形成した後、インクジェット法を用いてドット状の親液領域１２を形成する材料を塗布し、配線形成用基板１０を形成するようにしてもよい。
【００４２】
なお、前記ドッド状の親液領域１２は、ガラス基板１０Ａ上に規則的に配置されていれば、上述した略矩形状のものに限られることはなく、例えば円形、三角等の多角形であってもよい。また、ドット状の親液領域１２は規則的に配置されていれば良く、例えば各親液領域１２を図２に示すように千鳥状に配置するようにしてもよい。
【００４３】
このような構成の配線形成用基板１０にあっては、後述するようにインクジェット法により基板上に吐出したインクが親液領域１２からはみ出た場合でも、このインクは、親液領域１２を囲む撥液領域１１ではじかれることで親液領域１２内に良好に保持される。また、隣接する親液領域１２間に亘り吐出されたインクは、これら隣接する親液領域間の撥液領域１１も覆った状態となる。また、前記親液領域１２は規則的に配置されていることから、該親液領域１２上に保持されることで描画される配線パターンは精度の高いものとなる。
【００４４】
したがって、インクを吐出する領域を変更することで、異なる配線パターンを精度良く形成できる、汎用性の高い基板となる。
【００４５】
（配線の形成方法）
次に、本発明の配線の形成方法に係る実施形態について説明する。本実施形態では、上記配線形成用基板１０を用い、該配線形成用基板１０上に配線を形成する場合について説明する。本実施形態では、インクジェット法を用いて、前記配線形成用基板１０上にインクを吐出している。
【００４６】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換方式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００４７】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。本実施形態では、特にピエゾ素子を用いた方式が好適に用いられる。
【００４８】
ここで、配線の形成工程を説明するに先んじて、配線形成用基板１０上にインクを吐出する場合について説明する。図３は配線形成用基板１０上にインク１３を吐出した状態を示す図であり、同図中、二点鎖線は、インク１３の着弾領域を示している。
【００４９】
配線形成用基板１０上に着弾したインク１３は、原則、撥液領域１１ではじかれ、該撥液領域１１に囲まれたドット状の親液領域１２に濡れ拡がるようになる。また、インク１３が隣接する親液領域１２間に亘って（図３に示すようにインクの着弾領域内に親液領域１２が複数含まれる場合）着弾されたインク１３は、各親液領域１２に確実に保持され、隣接する親液領域１２の間に存在する撥液領域１１も覆った状態となる。すなわち、図３中点状ハッチングで示される領域にインク１３が保持されることとなる。本実施形態に係る配線形成用基板１０によれば、インク１３の着弾領域に含まれる撥液領域１１及び親液領域１２上にインク１３を良好に保持することができる。したがって、インクを吐出する位置を変更することで、基板上に種々のパターンを描画できる。
【００５０】
続いて、前記配線形成用基板１０上にインク１３を吐出し、配線パターンを描画する場合について説明する。なお、配線パターンとは、前記配線形成用基板１０上にインク１３をパターン状に吐出したものを意味し、該配線パターンを乾燥、焼成させることで配線が形成される。
【００５１】
図４、５は、配線形成用基板１０上に配線パターンを描画した状態を示す概略図である。以下の説明では、図４、５に示されるように、インクジェットヘッドから吐出されたインク（インク滴）１３の着弾径が、およそ親液領域１２の２列分の幅に一致するものとし、インクジェットヘッドの移動方向に沿って配線パターンが形成される。
【００５２】
また、図４（ａ）は、配線形成用基板１０上に配線パターンを描画した状態を示す図であり、図４（ｂ），（ｃ）は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ´線矢視による配線形成用基板１０の断面図に対応するものである。
【００５３】
まず、配線形成用基板１０上に、インクジェットヘッド（図示しない）からインク１３を吐出し、基板上に配線パターンを描画する。このとき、図４（ａ）に示すように、インク１３が吐出された領域に含まれる、親液領域１２及び撥液領域１１上にインク１３が確実に保持されて、基板上に配線パターンＰ１，Ｐ２が形成される。
【００５４】
また、配線パターンＰ１，Ｐ２の端部が親液領域１２からはみ出た場合でも、周囲を囲む撥液領域１１にインク１３がはじかれて、図４（ｂ）に示すように親液領域１２内に保持される。
【００５５】
よって、インクジェット法により配線形成用基板１０上に描画された配線パターンＰ１，Ｐ２は、必要以上に基板上に濡れ拡がることがなく、しかも液だまり（バルジ）を生じさせることがない。
【００５６】
配線パターンＰ１，Ｐ２を描画した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理を行う。乾燥処理は、例えば配線形成用基板１０を加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる加熱処理を行うことができる。本実施形態では、例えば１８０℃加熱を６０分間程度行う。この加熱は窒素雰囲気化等、必ずしも大気中で行う必要はない。
【００５７】
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００５８】
続いて、配線パターンＰ１，Ｐ２における微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。
【００５９】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基板の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するために、約２５０℃で焼成することが必要である。以上の工程により配線パターンＰ１，Ｐ２の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換される。以上のようにして、図４（ｃ）に示すように配線形成用基板１０上に配線２１，２２が形成される。
【００６０】
このような配線２１，２２の形成方法によれば、配線形成用基板１０上に配線パターンＰ１，Ｐ２を描画し、該配線パターンＰ１，Ｐ２を焼成させることで、精度の良い配線２１，２２を形成することができる。また、上記配線形成用基板１０は、上記配線２１，２２の形状に限定されることなく、インク１３を吐出する位置を変更することで種々の形状からなる配線を良好に形成できる、汎用性の高いものである。よって、本発明に係る配線の形成方法は、汎用性の高い配線形成用基板１０上に配線を形成するので、配線形成時の設計の自由度が非常に高いものとなる。
【００６１】
なお、前記配線形成用基板１０の撥液領域１１の格子パターンをより微細なものとすれば、図５に示すように、インク１３を斜め方向に吐出し、斜め配線も精度良く形成できる。
【００６２】
続いて、本発明の配線の形成方法は、図６に示すような液晶装置等のスイッチング素子として用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の一部及びそれに接続する配線を形成する際に適用可能である。図６において、ＴＦＴを有するＴＦＴ基板Ｐ上には、ゲート配線４０と、このゲート配線４０に電気的に接続するゲート電極４１と、ソース配線４２と、このソース配線４２に電気的に接続するソース電極４３と、ドレイン電極４４と、ドレイン電極４４に電気的に接続する画素電極４５とを備えている。ゲート配線４０はＸ軸方向に延びるように形成され、ゲート電極４１はＹ軸方向に延びるように形成されている。また、ゲート電極４１の幅Ｈ２はゲート配線４０の幅Ｈ１よりも狭くなっている。これらゲート配線４０及びゲート電極４１を、本発明に係る配線パターンの形成方法で形成することができる。
【００６３】
以下、ＴＦＴを製造する方法について図７、８を参照しながら説明する。
【００６４】
まず、ＴＦＴを形成するための基板として、上記配線形成用基板１０を形成する。この配線形成用基板１０には、上述したように撥液領域１１に囲まれた、ドット状の親液領域１２が規則的に配置されている。
【００６５】
ゲート走査電極形成工程では、前記配線形成用基板１０上に導電性材料を含む液滴をインクジェット法を用いて吐出することでゲート配線４０及びゲート電極４１を形成する。
【００６６】
この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−Ｓｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ、導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。前記配線形成用基板１０上に形成されたゲート配線４０及びゲート電極４１を構成する導電性インク（インク１３）は、前記親液領域１２に良好に保持されるとともに、隣接する親液領域１２の間の撥液領域１１上も覆うことで、微細なパターンとなる。
【００６７】
また、図６に示したように、ゲート電極４１の幅Ｈ２はゲート配線４０の幅Ｈ１よりも狭く形成する必要がある。そこで、図７に示すように、ゲート電極４１を構成する領域には、親液領域１２が例えば２列含まれるようにインク１３を吐出することでパターンを描画しする。そして、ゲート配線４０を構成する領域には、親液領域１２が３列以上（図７中では３列）含まれるようにインク１３を吐出する。これにより、幅の異なるパターン（ゲート配線４０及びゲート電極４１）Ｐ３，Ｐ４を基板上に精度良く形成できる。そして、このパターンＰ３，Ｐ４を乾燥し焼成することで、前記パターンＰ３からゲート配線４０が形成され、前記パターンＰ４からゲート電極４１が形成される。以上の工程により、配線形成用基板１０上にゲート配線４０及びゲート電極４１が良好に形成できる。
【００６８】
次に、図８（ａ）に示すように前記ゲート電極４１及び図示されないゲート配線４０を覆って、例えばＣＶＤ法等を用いてゲート絶縁膜３１を形成する。なお、図８中では、ゲート電極４１周辺部を形成する工程を図示している。前記ゲート絶縁膜３１として窒化シリコンを形成した。なお、本実施形態では、ゲート絶縁膜３１を成膜した後、平坦化処理を施しており、これにより前記ゲート絶縁膜３１の上面は平坦面となる。
【００６９】
次に、図８（ｂ）に示すように、前記ゲート絶縁膜３１上に、プラズマＣＶＤ法により、活性層３０、及びコンタクト層２９の連続成膜を行う。活性層３０としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層２９としてｎ＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。
【００７０】
次に、図８（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜３１の上面に、フォトリソグラフィ法を用いてバンク３４を形成する。このバンク３４を構成する材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が好適に用いられる。
【００７１】
このバンク３４に撥液性を持たせるためにＣＦ４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク３４の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）が充填されたものを採用してもよい。この場合には、ＣＦ４プラズマ処理等を省略することができる。
【００７２】
次に、図８（ｃ）に示すように、前記バンク３４で区画された領域に、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することで、図８（ｄ）に示すように、前記ゲート電極４１に対して交差するソース電極４３及びドレイン電極４４を形成する。
【００７３】
ソース電極４３及びドレイン電極４４を形成する際には、最初にＮｉからなる金属保護層が形成され、次に銀からなる導電膜層が形成され、最後にＮｉからなる金属保護層が形成される。最初に金属保護層が形成されるのは、銀が窒化シリコン活性層、アモルファスシリコン膜、ｎ＋型シリコン膜に拡散することを防ぐためである。
【００７４】
この時の導電性材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ等の導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース電極４３及びドレイン電極４４は、バンク３４に十分な撥液性が予め与えられているので、バンク３４内からのはみ出しを抑制することができる。
【００７５】
また、ソース電極４３及びドレイン電極４４を配置した溝３４ａを埋めるように絶縁材料３７が配置される。以上の工程により、配線形成用基板１０上に設けられたゲート絶縁膜３１上には、バンク３４と絶縁材料３７からなる平坦な上面３２が形成される。
【００７６】
さらに、前記上面３２上に、コンタクトホール３９を介してドレイン電極４４に接続される画素電極（ＩＴＯ）４５が形成される。なお、前記ソース配線４２を形成する際に、本発明に係る配線の形成方法を用いてもよい。
【００７７】
（プラズマディスプレイの製造方法）
続いて、プラズマディスプレイの製造方法の一実施形態によって得られたプラズマディスプレイについて図面を参照しながら説明する。
【００７８】
図９は、プラズマディスプレイ１００を示す分解斜視図である。このプラズマディスプレイ１００は、互いに対向して配置されたガラス基板（一方の基板）１０１とガラス基板（他方の基板）１０２と、これらの間に形成された放電表示部１１０とから概略構成されている。
【００７９】
放電表示部１１０は、複数の放電室１１６が集合されてなり、複数の放電室１１６のうち、赤色放電室１１６（Ｒ）、緑色放電室１１６（Ｇ）、青色放電室１１６（Ｂ）の３つの放電室１１６が対になって１画素を構成するように配置されている。前記（ガラス）基板１０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極１１１が形成され、それらアドレス電極１１１と基板１０１の上面とを覆うように誘電体層１１９が形成され、さらに誘電体層１１９上においてアドレス電極１１１、１１１間に位置して各アドレス電極１１１に沿うように隔壁１１５が形成されている。なお、隔壁１１５においてはその長手方向の所定位置においてアドレス電極１１１と直交する方向にも所定の間隔で仕切られており（図示略）、基本的にはアドレス電極１１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極１１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これら長方形状の領域に対応するように放電室１１６が形成され、これら長方形状の領域が３つ対になって１画素が構成される。また、隔壁１１５で区画される長方形状の領域の内側には蛍光体１１７が配置されている。蛍光体１１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室１１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体１１７（Ｒ）が、緑色放電室１１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体１１７（Ｇ）が、青色放電室１１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体１１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００８０】
次に、前記ガラス基板１０２側には、先のアドレス電極１１１と直交する方向に複数のＩＴＯからなる透明表示電極１１２がストライプ状に所定の間隔で形成されるとともに、高抵抗のＩＴＯを補うために金属からなるバス電極１１２ａが形成されている。また、これらを覆って誘電体層１１３が形成され、さらにＭｇＯなどからなる保護膜１１４が形成されている。そして、前記基板１０１とガラス基板１０２とが、前記アドレス電極１１１…と表示電極１１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされ、基板１０１と隔壁１１５とガラス基板１０２側に形成されている保護膜１１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入することで放電室１１６が形成されている。なお、ガラス基板１０２側に形成される表示電極１１２は各放電室１１６に対して２本ずつ配置されるように形成されている。 前記アドレス電極１１１と表示電極１１２は図示略の交流電源に接続され、各電極に通電することで必要な位置の放電表示部１１０において蛍光体１１７を励起発光させて、カラー表示ができるようになっている。
【００８１】
本実施形態に係るプラズマディスプレイの製造方法では、前記ガラス基板１０１側に設けられた前記アドレス電極１１１と、前記ガラス基板１０２側に設けられた前記バス電極１１２ａとを上述した配線の形成方法によって形成している。
【００８２】
すなわち、これらアドレス電極１１１やバス電極１１２ａは、上述した撥液領域１１に囲まれた多数のドット状の親液領域１２が規則的に配置されてなる配線形成用基板１０上に導電性インク（インク１３）を吐出して、焼成することで形成されている。
【００８３】
したがって、前記プラズマディスプレイ１００の製造方法は、精度の良い形成されたアドレス電極１１１やバス電極１１２ａを形成できるので、高性能、かつ信頼性の高いプラズマディスプレイ１００を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】配線形成用基板の概略構成を示す平面図である。
【図２】配線形成用基板の変形例を示す図である。
【図３】配線形成用基板上にインクを吐出した状態を示す図である。
【図４】配線形成用基板上に配線パターンを描画する工程を説明する図である。
【図５】配線形成用基板上に斜め描画を行う工程を説明する図である。
【図６】薄膜トランジスタの構成を示す図である。
【図７】ゲート配線及びゲート電極を形成する工程を説明する図である。
【図８】図７に続くＴＦＴを製造する工程を説明する図である。
【図９】プラズマディスプレイを示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０Ａ…ガラス基板（基板）、１０…配線形成用基板、１１…撥液領域、１２…親液領域、１３…インク（導電性機能液）、１００…プラズマディスプレイ、１１１…アドレス電極、１１２ａ…バス電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、撥液領域に囲まれる多数のドット状の親液領域が、規則的に配設されてなることを特徴とする配線形成用基板。
【請求項２】
前記撥液領域は、前記基板上に格子状に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線形成用基板。
【請求項３】
前記親液領域は、前記基板上に千鳥状に配設されてなることを特徴とする請求項１に記載の配線形成用基板。
【請求項４】
基板上に、撥液領域に囲まれる多数のドット状の親液領域を、規則的に配設する工程と、
前記基板上に、液滴吐出法を用いて導電性機能液を配線パターン状に吐出する工程と、該導電性機能液を焼成して配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線の形成方法。
【請求項５】
前記液滴吐出法により吐出される前記導電性機能液の着弾径が、前記撥液領域の幅よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の配線の形成方法。
【請求項６】
互いに対向して配置される一対の基板と、一方の基板に設けられたアドレス電極と、他方の基板に設けられたバス電極とを備えたプラズマディスプレイの製造方法において、
基板上に、撥液領域に囲まれる多数のドット状の親液領域を、規則的に配設する工程と、
前記配線形成用基板上に、液滴吐出法を用いて導電性機能液を配線パターン状に吐出する工程と、該導電性機能液を焼成することで、前記アドレス電極及びバス電極の少なくとも一方を形成する工程と、を備えたことを特徴とするプラズマディスプレイの製造方法。
【請求項１】
基板上に、撥液領域に囲まれる多数のドット状の親液領域が、規則的に配設されてなることを特徴とする配線形成用基板。
【請求項２】
前記撥液領域は、前記基板上に格子状に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線形成用基板。
【請求項３】
前記親液領域は、前記基板上に千鳥状に配設されてなることを特徴とする請求項１に記載の配線形成用基板。
【請求項４】
基板上に、撥液領域に囲まれる多数のドット状の親液領域を、規則的に配設する工程と、
前記基板上に、液滴吐出法を用いて導電性機能液を配線パターン状に吐出する工程と、該導電性機能液を焼成して配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線の形成方法。
【請求項５】
前記液滴吐出法により吐出される前記導電性機能液の着弾径が、前記撥液領域の幅よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の配線の形成方法。
【請求項６】
互いに対向して配置される一対の基板と、一方の基板に設けられたアドレス電極と、他方の基板に設けられたバス電極とを備えたプラズマディスプレイの製造方法において、
基板上に、撥液領域に囲まれる多数のドット状の親液領域を、規則的に配設する工程と、
前記配線形成用基板上に、液滴吐出法を用いて導電性機能液を配線パターン状に吐出する工程と、該導電性機能液を焼成することで、前記アドレス電極及びバス電極の少なくとも一方を形成する工程と、を備えたことを特徴とするプラズマディスプレイの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００８−２８２９２（Ｐ２００８−２８２９２Ａ）
【公開日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２０１６６４（Ｐ２００６−２０１６６４）
【出願日】平成１８年７月２５日（２００６．７．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月２５日（２００６．７．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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