【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性をプラズマにより成膜する技術及びそのバリア膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】シリカ系絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法に関し、ドライエッチングのダメージに起因する誘電率増加を回復するとともに、大気放置による誘電率の増加を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、シリカ系の絶縁材料の絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜１０２をドライエッチングにより加工し、加工した絶縁膜１０２にシラン化合物を作用させることにより、ドライエッチングのダメージによって絶縁膜１０２内に導入されたＳｉ−ＯＨ結合にシラン化合物を反応させて疎水化し、絶縁膜１０２に光照射又は電子線照射を行うことにより、シラン化合物と反応していないＳｉ−ＯＨ結合を縮合させる。 （もっと読む）

【課題】２つの金属層の間でバリア層として用いられる窒素含有層による金属拡散防止機能を高くするとともに、それらの金属層と窒素含有層との密着機能を高くする。
【解決手段】第１の金属膜２と、第１の金属膜２の上に形成され、窒素濃度が第１の金属膜２から離れるほど低くなっている窒素濃度が異なる３層のＴｉＷＮ層５ａ〜５ｃよりなる第１のバリア膜５と、第１のバリア膜５の上に形成された第２の金属膜６と、第２の金属膜６の上に形成され、窒素濃度が第２の金属膜６から離れるほど低くなっている窒素濃度が異なる４層のＴｉＷＮ層１１ａ〜１１ｄよりなる第２のバリア膜１１と、第２のバリア膜１１の上に形成され、半田と接続するバンプ電極１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の製造工程におけるパーティクルの発生や組成比の変動を抑制させて、半導体装置の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】成膜チャンバ３３は、第１カソード４０ａと第２カソード４０ｂを備え、各カソード４０ａ，４０ｂに、それぞれＺｒを含む第１ターゲット４２ａと、ＢＮを主成分とする第２ターゲット４２ｂを搭載する。そして、成膜チャンバ３３は、各外部電源を駆動して第１ターゲット４２ａと第２ターゲット４２ｂとを同時にスパッタし、第１絶縁層の表面と第１配線の表面、又は、第２絶縁層の表面と第２配線の表面に、ＺｒＢＮを主成分とするメタルキャップ層を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の貫通接続部において、表面側配線層の貫通孔底部での剥離および破断が防止され、接続不良等が改善された半導体装置と、そのような半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆されている。第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の複数の開口６ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層７が充填・形成され、この第２の配線層７は第２の絶縁層６の複数の開口６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】正常な切断を実現できるレーザー光照射条件範囲を、従来のヒューズ層に比べて拡大することができるヒューズ層を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜３上に平行に配置された複数のヒューズ層５と、互いに隣接するヒューズ層５の間に、ヒューズ層５と平行に設けられたダミーヒューズ層１５とを備える。ヒューズ層５を切断するためのレーザー光照射の際、ダミーヒューズ層１５が横方向へ拡散する熱エネルギーを吸収するため、隣り合うヒューズ層５へのダメージを抑制することができる。また、ヒューズ層５が密集して配置された状況下であっても、レーザー光のエネルギーやビーム径を大きくすることが可能となるため、ヒューズ層を安定して切断することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ビアの断線不良の発生を防止することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】第２層間絶縁膜７およびＳｉＣ膜６を挟んで、Ｃｕからなる下層配線４および上層配線１１ａ，１１ｂが形成されている。下層配線４と上層配線１１ａとは、Ｃｕからなるビア１２ａにより電気的に接続されている。また、下層配線４と上層配線１１ｂとは、Ｃｕからなるビア１２ｂにより電気的に接続されている。そして、下層配線４には、Ｃｕからなり、下層配線４と上層配線１１ａ，１１ｂとの電気接続に寄与しないダミービア１３が接続されている。ダミービア１３は、ビア１２ａ，１２ｂよりも小さなビア径を有している。 （もっと読む）

【課題】貫通配線１６ａ〜１６ｃが基板１８から剥離することを抑制し、且つ貫通孔４４の内壁面に均一な膜厚の絶縁膜を膜厚制御性良く形成する。
【解決手段】シリコンからなる基板１８の表裏面を貫通孔４４が貫通し、貫通孔４４の内部に熱酸化膜４５を介して配線金属４７からなる貫通配線１６が充填され、基板１８の表面に緩衝膜１７が積層され、貫通配線１６は緩衝膜１７を貫通して緩衝膜１７上に延長されている貫通配線付基板を製造する方法であって、基板１８をエッチングして貫通孔４４を形成する第１の工程と、基板１８を加熱することにより第１の工程で形成された貫通孔４４の内壁に熱酸化膜４５を成膜する第２の工程と、第２の工程の後に基板１８の表面に緩衝膜材料４８を塗布及び熱硬化させて緩衝膜１７を形成する第３の工程と、第３の工程の後に貫通孔４４の内部に配線金属４７を充填して貫通配線１６ａ〜１６ｃを形成する第４の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程で発生する膜剥離やクラックがチップ内部に伝播するのを防ぐ。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２と、ビア層１３０および配線層１３２が形成される素子形成領域であるチップ内部２０２と、平面視においてチップ内部２０２を囲むようにチップ内部２０２の外周に形成されたシールリング部２０４と、を含む。シールリング部２０４において、シールリングは、平面視においてチップ内部２０２を囲むように形成された貫通孔１２２ａを有する第１のメタル層１２２と、第１のメタル層１２２上に第１のメタル層１２２に接して形成された第２のメタル層１２４と、を含み、第１のメタル層１２２の貫通孔１２２ａの下部分には絶縁性材料（層間絶縁膜１０６）が形成され、貫通孔１２２ａの上部分には第２のメタル層１２４を構成するメタル材料がくい込んで形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に貫通配線層を形成する際の貫通孔底部での壁状付着物や有機マスク残渣の発生を防ぐことにより、貫通接続部の接続不良や機械的信頼性が改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３よりも小径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆され、その上には拡散防止機能を有する高抵抗金属からなる金属マスク層７が形成されている。第２の絶縁層６および金属マスク層７は、第１の絶縁層４の開口４ａと同径の開口６ａ、７ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層８が充填・形成され、この第２の配線層８は第１の絶縁層４および第２の絶縁層６の開口４ａ、６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜に低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置であっても、膜剥がれを生じ難くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 溝７を有し、バリアメタル層８で被覆された層間絶縁膜６上に、銅を用いた導電膜９を形成し、層間絶縁膜６の溝７を、銅を用いた導電膜９で埋め込む工程と、銅を用いた導電膜９を、有機酸ガスと酸化性ガスとを用いてエッチングし、前記銅を用いた導電膜９を薄膜化する工程と、薄膜化された銅を用いた導電膜９及びバリアメタル層８を研磨し、層間絶縁膜６の上面と溝７内に残存する銅を用いた導電膜の上面とを平坦化する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】下層配線と上層配線とのビア導通性に優れ、信頼性が高い半導体装置を低廉なコストで提供することである。
【解決手段】下層配線膜形成工程、該下層配線膜形成工程後に行われる上層絶縁膜形成工程、該上層絶縁膜形成工程後に行われるビアホール形成工程、該ビアホール形成工程によるビアホールに充填材を充填する充填工程、及び該充填工程後に行われる上層配線溝形成工程を具備する半導体装置の製造方法において、
前記充填材がメタルバリア性を有する材である。 （もっと読む）

【課題】ウエハエッヂ部における膜はがれやパターン飛びを防止できる半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０１上には、トレンチ分離膜５００により分離された活性領域にゲート構造４００が形成されており、さらに、コンタクト層間膜１０３および、ｌｏｗ−ｋビア層間膜すなわちＶ層とｌｏｗ−ｋ配線層間膜すなわちＭ層とが交互に成膜された多層配線構造が形成されている。第一の層間膜１１３から第五の層間膜１５３までのFineレイヤにおいては、Ｍ層のウエハエッヂ部は除去されているが、Ｖ層のウエハエッヂ部は除去されていない。また、コンタクト層間膜１０３のウエハエッヂ部は除去されていない。 （もっと読む）

【課題】容量素子の歩留まりおよび信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板の上部に設けられ、ＳｉＯ₂膜１０３およびＳｉＯ₂膜１０３中に埋設された第一銅配線１０５を含む第一配線層、第一配線層上に設けられたＳｉＯ₂膜１０９、ＳｉＯ₂膜１０９上に設けられたＳｉＯ₂膜１１１、ＳｉＯ₂膜１１１上に設けられた容量素子１２１を含む。容量素子１２１は、ＳｉＯ₂膜１１１上に設けられた下部電極１１５、下部電極１１５の上部に対向して設けられた上部電極１１９およびこれらの間に設けられた容量絶縁膜１１７から構成されている。第一銅配線１０５の上面に突起部１３５が設けられている。ＳｉＯ₂膜１１１の上面は平坦である。 （もっと読む）

【課題】
ＣＭＯＳ装置の製造工程におけるコンタクト不良発生を抑制する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｓｉ基板に、ｎ型の第１の活性領域、ｐ型の第２の活性領域を形成する工程と、（ｂ）活性領域に、第１、第２のゲート電極構造、第１、第２のソース・ドレイン領域をそれぞれ形成する工程と、（ｃ）第１のソース／ドレイン領域に、凹部を形成する工程と、（ｄ）凹部にＳｉ−Ｇｅを含むｐ型の圧縮応力を有する半導体エピタキシャル層を形成する工程と、（ｅ）半導体基板上に引張応力を有する窒化シリコンのエッチストッパ膜、層間絶縁膜を形成する工程と、（ｆ）層間絶縁膜、エッチストッパ膜を貫通して、コンタクト孔をエッチングする工程と、（ｇ）半導体基板上方に酸素を含むプラズマを発生する工程と、（ｈ）コンタクト孔に導電性プラグを埋め込む工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】微細化による配線のＥＭ耐性の劣化を抑制することができる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０の絶縁膜１１に形成され、上面に凹部１２ｃを有する第１の配線１２ｂと、絶縁膜１１及び第１の配線１２ｂの上に形成され、凹部１２ｃを露出すると共に側壁が順テーパー形状の接続孔１４ｃと配線溝１４ｂとを有する第２の絶縁膜１４と、接続孔１４ｃ及び凹部１２ｃに埋め込まれ、第１の配線１２ｂと接続するビア１９ｂと、配線溝１４ｂに形成され、ビア１９ｂと接続する第２の配線１９ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】ビア抵抗の上昇を抑制できる構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１００上のビアホール１０５ｂを有する絶縁膜１０５と、ビアホール１０５ｂの底部及び壁部に沿うように形成されたIVa族、Ｖa族又はVIa族元素の金属窒化膜１０６と、金属窒化膜１０６の上に、ビアホール１０５ｂの底部及び壁部に沿うように形成されたＴａ膜１０７と、Ｔａ膜１０７の上に、ビアホール１０５ｂを充填するように形成された導電膜よりなるビア１０９ｂとを備える。ビアホール１０５ｂの底部における金属窒化膜１０６の膜厚は、４ｎｍ以上であって且つ８ｎｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】接続孔内から無電解めっき層が剥がれて抜け落ちるのを防止できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体層３２上に形成された第１の絶縁層３３，２０３と、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の絶縁層の上面から途中まで異方性エッチングにより形成された第１の接続孔２０３ｃと、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の接続孔に繋げられ、前記第１の接続孔下の前記第１の絶縁層が等方性エッチングにより形成され、前記半導体層上に位置する第２の接続孔２０３ｇと、前記第１の接続孔内の側面及び前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層２０３ｄと、前記第２の接続孔の底面の前記半導体層から成長され、前記第２の接続孔内及び前記第１の接続孔内に埋め込まれた無電解めっき層２０４ａと、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストでメタルキャップ膜が形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜１ｂに配線溝及び配線孔を形成し、バリアメタル２ｂを成膜した後、銅層３ｂを配線溝及び配線孔に埋め込むように形成する。次に、ＣＭＰ法により表面を平坦化して銅配線層を形成する。この際、ＣＭＰ用のスラリーに異種金属を有する水溶性金属化合物を添加してＣＭＰを行う。次に、不活性ガス又は還元性ガス雰囲気中で熱処理を行うことにより、銅配線層の表面に、異種金属が添加された銅層９ｂを形成する。その後、異種金属が添加された銅層９ｂを覆うようにバリア絶縁膜５ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率材料からなる層間絶縁膜の特性を回復することにより、層間絶縁膜中に形成される配線の信号伝達速度の遅延特性やリーク電流特性を向上させる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に低誘電率材料からなる絶縁膜１７を堆積し、ＲＩＥにより配線溝を形成する。この絶縁膜に真空中でＵＶ照射を行い、エッチングにより生じたダメージ層を回復し、誘電率と屈折率を下げる。この溝に拡散防止膜１９ａとＣｕを埋め込み、配線とする。 （もっと読む）