【課題】貫通孔底部にノッチを有する半導体装置のノッチ部に被覆性良好な連続した金属膜を積層するプロセスを提供し、半導体装置の歩留まりと信頼性向上をはかること。
【解決手段】ノッチ部を含む貫通孔にＣＶＤ絶縁膜を積層した後に、バリア層およびシード層のメタル層をスパッタ法により形成する。メタル層のスパッタ成膜中に基板バイアス（負電圧）を印加して、アルゴンやクリプトン等の希ガスのプロセスガスイオンを貫通孔内部へ引き込み、既にある程度貫通孔底部に積層したメタル層をスパッタエッチングするか、貫通孔底部にメタル層を積層すると同時にスパッタエッチングしたメタル材料を貫通孔底部周辺のノッチ部分へ飛散させる。飛散したメタル材料はノッチ部分の絶縁膜上に付着し積層する。Ａｒ＋イオン等により飛散されたメタルは高いエネルギーを有する為、メタル層がノッチ内部へ強固に付着する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板（図示略）と、半導体基板上に設けられた第一の電気ヒューズ１２と、第二の電気ヒューズ１３とを備える。第一の電気ヒューズ１２は、異なる配線層に形成された第一の上層配線１２１および第一の下層配線１２２と、第一の上層配線１２１および第一の下層配線１２２を接続するビア１２３とを有する。第二の電気ヒューズ１３は、異なる配線層に形成された第二の上層配線１３１および第二の下層配線１３２と、第二の上層配線１３１および第二の下層配線１３２を接続するビア１３３とを有する。半導体装置１は、第一の電気ヒューズ１２の前記第一の上層配線１２１と、第二の電気ヒューズ１３の第二の下層配線１３２とを接続する接続部１４を有する。この接続部１４は、第一の電気ヒューズ１２および第二の電気ヒューズ１３を直列に接続する。 （もっと読む）

【課題】 コンタクトプラグの凸形状部の電界集中による絶縁破壊を抑制したＶｉａパターンを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 第一の配線層１及び第一の絶縁層２上に形成された層間絶縁膜３と、層間絶縁膜３内に第一の配線層１との接続部から上方にいくにつれて断面形状が大きくなるように形成された接続孔４と、接続孔４の側壁全面に所定の深さから上方にいくにつれて膜厚が大きくなるように連続的にスペーサ膜５と、スペーサ膜５の内側に第一の配線層１と電気的に接続されるコンタクトプラグ７と、コンタクトプラグ７上に形成され、コンタクトプラグと電気的に接続された第二の配線層８と、第二の絶縁層９とを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】銅ダマシン関連のバック・エンド領域におけるエッチング装置等の運用に関して、無駄時間が発生していることが明らかとなった。すなわち、たとえば、銅ダマシン配線における層間膜のドライ・エッチング工程においては、５分に１度程度の高頻度でステージ温度の切り替えが発生していることが明らかとなった。これは、ドライ・エッチングのステージ温度等のデータが製造実行システムに登録されていないために、ロット優先度の高いロットが仕掛となるたびに、高頻度でステージ温度の切り替えが発生しているからである。
【解決手段】本願発明は、エッチング・ステージ温度等のように、条件変更に比較的長い準備時間を要する処理条件を製造実行システムに登録しておくことによって、効率のよいウエハ・プロセスの進行管理を実現するものである。 （もっと読む）

【課題】１３０ｎｍ、９０ｎｍおよび６５ｎｍテクニカル・ノードのプロセス等に適用されるＣｕ-ＣＭＰ工程においては、Ｃｕ配線の腐食を防止する目的で防食剤を添加したスラリが主流となっている。ところが、防食剤を添加したスラリを用いたＣｕ-ＣＭＰ工程について、本願発明者らが検討したところによると、防食剤はＣｕと錯体を形成する場合が多く、異物としてウェハ上に多量に残留し歩留の低下や、Ｃｕ配線におけるＴＤＤＢ特性といった信頼度を劣化させる要因となることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ポストＣＭＰ洗浄において、ウエハのデバイス面をほぼ水平上向きで、当該面に薬液又は純水等の洗浄液体を供給するとともに、ウエハを水平面内で、ほぼその中心の周りで自転させながらウエット洗浄するときに、その自転速度をデバイス面上における洗浄液体の厚さがほぼ均一になる程度に低速にするものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。
【解決手段】半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ（１）上に形成した第１の絶縁層（２）と、前記第１の絶縁層上（２）に形成されるＣｕ配線層（４）と、前記Ｃｕ配線層上（４）に形成される第２の絶縁層（６）と、前記Ｃｕ配線層（４）と前記第２の絶縁層（６）との界面に形成される金属酸化物層（５）と、を備える。金属酸化物層（５）は、Ｃｕ配線層（４）上にＳｎまたはＺｎなどの金属を浸漬メッキし、その後このメッキ層を酸化性雰囲気中で加熱処理して形成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い不揮発性半導体メモリを提供できる。
【解決手段】本発明の例に関わる不揮発性半導体メモリは、複数のメモリセルが配置されるメモリセルアレイ領域１００と、メモリセルアレイ領域１００の周囲を取り囲む周辺回路領域と、周辺回路領域とメモリセルアレイ領域１００との境界部分であるセルアレイ隣接領域１０５と、メモリセルアレイ領域１００内に層間絶縁膜を介して設けられる複数の第１導電線ＳＬと、セルアレイ隣接領域１０５内に層間絶縁膜を介して設けられる複数の第２導電線Ｍ２とを具備し、複数の第２導電線Ｍ２はその配線内にスリット５０が形成されていることを備える。 （もっと読む）

【課題】銅配線層を電解メッキ法で形成する際に電極となるシード層の溶解に起因する銅メッキ層の欠陥の発生を抑制する電解メッキ液及び該メッキ液を用いた電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】電解メッキ液として、極性溶媒と、前記極性溶媒中に溶解した硫酸銅を含み、さらに添加剤として、硫黄化合物よりなるアクセラレータと、前記アクセラレータよりも小さい分子量を有する還元剤とを添加した電解メッキ液を使う。 （もっと読む）

集積回路中の銅線を完全に取り囲んでいるケイ酸マンガン層及び窒化ケイ素マンガン層を組み込んだ集積回路用の配線構造、及びその製造方法を提供する。ケイ酸マンガンは、銅が配線から拡散しないためのバリアを形成し、それにより、絶縁体が磁気尚早に損しないよう保護し、トランジスタが銅により劣化しないように保護する。また、ケイ酸マンガン及び窒化ケイ素マンガンは、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、これゆえに製造及び使用の間のデバイスの機械的な完全性が保持される。また、銅−ケイ酸マンガン界面及び窒化ケイ素マンガン界面における強い接着は、デバイスの使用の間の銅のエレクトロマイグレーションによる損傷から保護する。また、マンガン含有シースは、銅がその周囲の酸素又は水により腐食しないよう保護する。 （もっと読む）

【課題】配線幅の変遷に影響されない、表面欠陥を実用可能なレベルよりさらに低いレベルまで低減できる基本的な結晶構造を具備したＣｕ配線を有する半導体装置及びその検査技術を提供する。
【解決手段】半導体装置において、バリア膜及びシード膜を特定すると共に、Ｃｕ配線の全ての結晶粒界に占める、粒界Σ値２７以下の対応（ＣＳＬ）粒界の割合（頻度）を６０％以上とすることにより、表面欠陥を実用可能な現状レベルの１／１０以下まで低減できる。または、該半導体装置において、バリア膜及びシード膜を特定すると共に、Ｃｕ配線の全ての結晶粒界に占める、粒界Σ値３の対応（ＣＳＬ）粒界の割合（頻度）を４０％以上とすることにより、表面欠陥低減の同様の効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】材料にガラスを用いた基体上にＴａＮ（６方晶）、αＴａ、銅がこの順形成された溝配線構造の場合、配線と基体との間で十分な密着強度が得られない場合があった。
【解決手段】本発明は、ガラスからなる基体上に銅配線が形成された、配線基板であって、銅配線が、Ｔａ₂Ｎ膜、αＴａ膜、および、銅あるいは銅を主成分とする合金からなる膜がこの順に形成された積層構造であることを特徴とする配線基板である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜としてＬｏｗ−ｋ膜を有する半導体装置において、温度サイクル試験時における層間絶縁膜の剥離を防止し、信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】銅を主導電層とする埋め込み配線５、８、１１を内部に形成した層間絶縁膜４、７、１０と、埋め込み配線５、８、１１のキャップ絶縁膜６、９、１２を積層した構造を備えた半導体装置において、相対的にヤング率の小さいＬｏｗ−ｋ膜からなる層間絶縁膜７と上面で接する相対的にヤング率の大きいキャップ絶縁膜６は、半導体装置の端部において、非設置となるように形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、下層配線層を損傷させず、その上部にデュアルダマシン構造の配線要素を形成する半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】下層配線上に絶縁物で構成され該下層配線の金属材料の拡散を防止する拡散防止膜を形成し、該拡散防止膜の上部に第１絶縁膜を形成し、該第１絶縁膜の上部にエッチングストッパ膜を形成し、該エッチングストッパ膜の上部に第２絶縁膜を形成し、該下層配線の上部に、該第２絶縁膜、該エッチングストッパ膜、および、該第１絶縁膜を貫通して該拡散防止膜を露出するビアホールを形成し、該ビアホールの内部に、そのビアホールの内壁を覆う有機層を形成し、該第２絶縁膜の所定部位をエッチングにより除去して配線溝を形成し、該配線溝底に露出した該エッチングストッパ膜および該ビアホール底に露出した該拡散防止膜を同時に除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線間容量を低減する。
【解決手段】半導体装置７０には、積層形成される配線膜６及び１０から構成される配線層が設けられる。キャップ膜３上に形成される層間絶縁膜４の第１の開口部には、配線膜６が埋設される。配線膜６の底部及び側面部にはバリアメタル膜５が設けられる。層間絶縁膜４及び配線膜６上に形成されるキャップ膜７及び層間絶縁膜８の第２の開口部には、配線膜１０が埋設される。配線膜１０の底部及び側面部にはバリアメタル膜９が設けられる。層間絶縁膜８及び配線膜１０上に形成される。配線膜１０は配線膜６上に設けられ、配線膜１０の端部は配線層６の端部よりも内側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングで実装されるチップとバンプ電極で実装されるチップとで、製造工程を共通化できる技術を提供する。
【解決手段】バンプ電極によりチップ１が外部との電気的接続を行う場合においても、ボンディングワイヤによりチップ１が外部との電気的接続を行う場合においても、１本の最上層の配線７にバンプ接続部１５およびボンディングパッド１６の両方を設ける。バンプ電極を用いる場合にはバンプ接続部１５上の絶縁膜に開口部を設け、ボンディングパッド１６上は絶縁膜で覆う。一方、ボンディングワイヤを用いる場合にはボンディングパッド１６上の絶縁膜に開口部を設け、バンプ接続部１５上は絶縁膜で覆う。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ材料をＣｕ配線のバリアメタル膜として使用した際、ＣＭＰ時にＣｕ溶出の発生しないＣｕ配線形成方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜上面の第１のバリアメタル上に形成された第２のバリアメタル膜（Ｒｕ膜）を除去する工程（ｄ）と、前記工程（ｄ）の後に、前記第１及び第２のバリアメタル膜上にシード銅（Ｃｕ）膜を堆積する工程（ｅ）とを有する。このように、シード銅膜を形成する前に、上面の第２のバリアメタル膜を除去してしまうことにより、この第２のバリアメタル膜と銅との電池効果で、銅がスラリー中に溶出することを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く且つ配線間容量を十分に低減でき、且つ機械的強度を十分に得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の上に形成された第１の層間絶縁膜１０１と、第１の層間絶縁膜１０１に形成された複数の配線１０５と、第１の層間絶縁膜１０１に複数の配線１０５の少なくとも１つと接続するように形成されたビア１１３及びダミービア１０６とを有している。第１の層間絶縁膜１０１における互いに隣り合う配線１０５同士の間には空隙部１０９が選択的に形成されており、ダミービア１０６は、空隙部１０９と接する配線１０５Ａの下側に該配線１０５Ａと接続して形成され、ビア１１３及びダミービア１０６は、空隙部１０９を介することなく第１の層間絶縁膜１０１により周囲を覆われている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、ダマシン構造を有する銅多層配線を構成するトレンチのＣＭＰ工程後に露出した低誘電率膜表面のダメージを回避して配線信頼性を確保するとともに、直列抵抗の増大を抑制する。
【解決手段】 ポーラス絶縁膜に設けた凹部に埋め込まれた第１の金属膜の少なくとも頂面を、前記ポーラス絶縁膜の頂面と整合する高さまでＺｒ及びＢを含む第２の金属膜で覆う。 （もっと読む）

【課題】十分なＥＭ耐性および配線間ＴＤＤＢ寿命を確保しつつ、層間絶縁膜の低誘電率化を行っても絶縁膜ライナー膜厚を薄くすることができ、配線間の実効比誘電率Ｋｅｆｆを低減した高速で高信頼性な配線を得ることができる。
【解決手段】第１の絶縁膜１には配線溝Ｍ１が形成されており、配線溝Ｍ１内にはＣｕ膜２ｂが設けられている。Ｃｕ膜２ｂの上にはＳｉＣＮ膜３ａ、ＳｉＣＯ膜３ｂおよびＳｉＯＣ膜４ａが順に設けられており、ＳｉＯＣ膜４ａはＳｉＣＮ膜３ａおよびＳｉＣＯ膜３ｂよりも低誘電率な絶縁膜である。ＳｉＣＯ膜３ｂの上面には、高密度化処理が施されて高密度膜３ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド層の電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体素子の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にニッケル−白金合金膜を形成した後、熱処理温度が２１０〜３１０℃の１回目の熱処理をヒータ加熱装置で行うことで、ニッケル−白金合金膜とシリコンとを反応させて（ＰｔＮｉ）_２Ｓｉ相の白金添加ニッケルシリサイド層３３を形成する。続いて未反応のニッケル−白金合金膜を除去した後、１回目の熱処理よりも熱処理温度が高い２回目の熱処理を行い、ＰｔＮｉＳｉ相の白金添加ニッケルシリサイド層３３を形成する。１回目の熱処理の昇温速度は１０℃／秒以上（例えば３０〜２５０℃／秒）とし、２回目の熱処理の昇温速度は１０℃／秒以上（例えば１０〜２５０℃／秒）とする。 （もっと読む）