【課題】半導体装置の信頼性及び生産性を向上させる。
【解決手段】本発明では、半導体基板上に形成させた第１の絶縁膜内に金属配線を配設し、配設した金属配線の表面に第１のプラズマ処理を施し、第１のプラズマ処理を施した金属配線の表面にシリコン系ガスを晒し、シリコン系ガスを晒した金属配線の表面に第２のプラズマ処理を施し、金属配線上にシリコン含有層を形成し、シリコン含有層上に第２の絶縁膜を形成するようにした。これにより、半導体装置の微細化に伴うエレクトロマイグレーションが抑制されると共に、ストレスマイグレーションが充分抑制され、半導体装置の電気的信頼性が向上し、生産性の高い半導体装置の製造方法が実現する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を構成する金属に残留するフッ素を低減して、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】被処理基板に形成される半導体装置の電極あるいは配線を形成している金属に生成した金属フッ化物を除去する処理を行うフッ化物除去工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記フッ化物除去工程では、前記被処理基板に気体状態の蟻酸を供給し、前記金属フッ化物を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数の接続孔を用いて配線間を接続する半導体装置において、信頼性を向上させる。
【解決手段】第１の絶縁膜８上及び第１の配線１０ａ上に形成された第２の絶縁膜１１と、第２の絶縁膜１１に形成されており、第１の配線１０ａの上方を通る溝１２ａと、溝１２ａの底部に位置していて第１の配線１０ａ上に配置された第１の接続孔及び第２の接続孔１２ｂと、溝１２ａ、並びに第１の接続孔及び第２の接続孔１２ｂに埋め込まれた第２の配線１３ａとを具備する、第２の配線１３ａは、第１の配線１０ａとは同一長さにおける抵抗値が異なり、第２の接続孔は第１の配線１０ａ又は第２の配線１３ａの幅方向において第１の接続孔と異なる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板の画素領域の外側のパッド領域に具備されたパッド電極が製造工程中に損傷するのを防止できる、表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１２上の画素領域Ａ１００に薄膜トランジスタを形成するとともに第１基板１２上のパッド領域Ａ１１０にパッド電極２４を形成する段階と、薄膜トランジスタと連結する第１画素電極６０及びパッド電極２４を覆うパッド保護層６２を同時に形成する段階と、パッド保護層６２を除去し、パッド電極２４を露出させる段階と、を含むことを特徴としており、パッド電極２４上にパッド保護層６２を形成することによって、第１画素電極６０をパターニングする際のエッチング液によるパッド電極２４の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】アンテナを複数設ける場合であっても、アンテナの配置が制限されず集積回路部とアンテナの接続不良を低減し、且つ通信機との通信距離の低減を防止することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁性を有する基体の第１の面上に薄膜トランジスタを具備する集積回路部を設け、当該集積回路部上に第１のアンテナを設け、基体の第２の面上に第２のアンテナを設け、第１のアンテナを集積回路部と接続させ、第２のアンテナを基体に形成された貫通孔を介して集積回路部と接続させ、第１のアンテナ及び第２のアンテナを集積回路部と重畳させて設ける。 （もっと読む）

【課題】結晶配向が揃った良好な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、第１の層間絶縁膜４の貫通孔４３に形成された第１プラグ導電層４４と、この第１プラグ導電層４４上に設けられた導電部材６１とを備えた半導体装置であって、第１の層間絶縁膜４上には、第１プラグ導電層４４に通じる孔部５４を有したスペーサ絶縁膜５１が形成され、この孔部５４内には、第１プラグ導電層４４に接続し、かつ、導電部材６１に接続するスペーサ導電部５２が埋め込まれて形成されている。スペーサ導電部５２は自己配向性を有する導電材料からなり、スペーサ絶縁膜５１上とスペーサ導電部５２上とは、平坦化処理されていることを特徴とする。スペーサ導電部５２を所定の厚さにすることで、第１プラグ導電層４３に確実に蓋することができ、結晶配向のずれが導電部材６１に伝わることが防止される。 （もっと読む）

【課題】銅に対する十分なバリア性を備え、配線間の電気容量を低下させて配線の遅延時間を小さく抑え、かつ配線間の密着性を向上させた積層構造により、半導体装置の信頼性を高め、高性能化を実現する技術を提供する。
【解決手段】銅配線層を有する半導体装置において、半導体装置が、銅配線、バリア層、このバリア層に直接接する酸化ケイ素系ポーラス絶縁層、このケイ素系ポーラス絶縁層に直接接するバリア層、銅配線をこの順に有する積層構造を少なくとも一つ有し、バリア層の少なくとも一つが密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜であり、このアモルファス炭素膜と銅配線との間にこれらに直接接するケイ素系絶縁層が存在する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、耐エッチング性、耐薬液性等の耐ダメージ性に優れた絶縁膜の形成に好適に使用可能な絶縁膜材料、並びに多層配線及びその効率的な製造方法の提供。
【解決手段】絶縁膜材料は、下記構造式（１）で表される立体構造を有するシリコン化合物を少なくとも含む。


ただし、前記構造式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、これらのうちの少なくとも１つは、炭化水素及び不飽和炭化水素のいずれかを含む官能基を表す。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】第２層間絶縁膜と第１配線、あるいは、第２配線層とハードマスクをシリコン基板２の表面に形成し、そのシリコン基板２を反応室Ｓに搬送させ、その反応室Ｓに、マイクロ波によって励起されたＮ_２ガスを導入する。そして、供給タンクＴに収容されるＺｒ（ＢＨ_４）_４をＡｒガスによってバブリングし、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４を含むＡｒガスをＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスとして反応室Ｓに導入する。 （もっと読む）

【課題手段】 本発明は、容量素子の下部電極５０３の上層バリア膜１１３及びこれと同層に形成されている金属配線層５０２の上層バリア膜１１３の膜厚を、他の金属配線層５０１，５０２，５０５の上層バリア膜１０３，１０８，１２２の膜厚よりも厚くする。
また、本発明は、容量素子の下部電極５０３の上層バリア膜１１３の膜厚を、１１０ｎｍ以上，更に好ましくは１６０ｎｍ以上とする。
【効果】 上層バリア膜のクラックによる容量絶縁膜の絶縁耐圧低下も生じさせることなく、容量絶縁膜の成膜温度を高温化することができ、容量絶縁膜の絶縁耐圧が向上した高性能で高容量なＭＩＭキャパシタを有する半導体装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 配線材料に銅を用いた場合においても、好適な水素終端化処理を行なうことが可能な光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、半導体基板上に多層配線構造が配された光電変換装置の製造方法であって、層間絶縁膜の、前記トランジスタの電極に対応する領域にホールを形成する工程と、前記ホールに導電体を埋め込む工程と、水素供給膜を形成する工程と、第一の温度で熱処理し前記水素供給膜から前記半導体基板へ水素を供給する工程と、配線材料に銅を用いて前記多層配線構造を形成する工程と、前記多層配線構造を覆って保護膜を形成する工程と、を有し、多層配線構造を形成する工程及び保護膜を形成する工程は第１の温度よりも低い温度で行なう。 （もっと読む）

【課題】微細に並べられたコンタクトのリソグラフィーマージンを確保し、更に配線とのあわせずれを解決する。
【解決手段】第一の方向に第一のピッチで交互に繰り返し配置されたストライプ状の素子領域および素子分離領域と、素子領域に接続され、第一の方向に第一のピッチで配置された導電材料からなるコンタクトプラグおよびコンタクトプラグに接続された配線とを備え、コンタクトプラグを第一の方向と直交する平面で切断した断面における幅が、配線に接続される場所での幅で定義されるコンタクト上端幅よりも、素子領域に接続される場所で定義されるコンタクト下端幅が大きく、かつ、コンタクト下端幅が、素子領域の幅よりも大きいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。ゲート間を導電材料で埋め込んだ後に、コンタクトを形成する際に、エッチング時のパターンをライン状にしてコンタクトの導電材料で同時に配線層を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高くかつ初期のビア抵抗値のばらつきが小さい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、第１の絶縁層１０内に形成されている第１の配線１２と、第１の絶縁層１０および第１の配線１２上に形成されている第２の絶縁層２０内に形成されている第２の配線１２とを有する半導体装置である。ここで、第１の配線１２および第２の配線２２の少なくともいずれかはＣｕＡｌ配線である。また、第２の配線２２は、そのビアプラグ部２２ｖで、複数のバリア層２４を介在して、第１の配線１２に電気的に接続している。また、バリア層において、ＣｕＡｌ配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は、窒素原子含有量が１０原子％未満である。 （もっと読む）

導電ビアを形成する方法について説明され、そして該方法は、シード層を半導体基板（１０３）の第１面（１２５）に形成する工程であって、該半導体基板が該第１面を第２面（１２７）の反対側に含む、前記シード層を形成する工程と、ビアホール（３２９）を、該半導体基板の該第２面側の半導体基板中に形成する工程であって、該ビアホールが該シード層を露出させる、前記ビアホールを形成する工程と、そして電気メッキ法で導電ビア材料（６０１，６０３）を該ビアホールに、該材料が該シード層上に堆積するように充填する工程と、を含む。一つの実施形態では、連続導電層（１１６）を該シード層の上に形成し、かつ該シード層に電気的に接続する。該連続導電層は、電気メッキ法で導電ビア材料を充填する際の電流供給源として機能することができる。
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【課題】信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を有している。層間絶縁膜１内に下部配線５を備えた第一層を準備する。第一層上にライナー膜１１を設ける。層間絶縁膜１２をライナー膜１１上に設ける。層間絶縁膜１２およびライナー膜１１を貫通して下部配線５に達するトレンチ１４を形成する。トレンチ１４の側壁に沿った層間絶縁膜１２上及びライナー膜１１上と、下部配線５上に位置するトレンチ１４の底部とにバリアメタル１３を形成する。トレンチ１４底部を物理エッチングすることにより、トレンチ１４底部のバリアメタル１３と下部配線５とを削り、円錐形状又は半球形状の孔６をトレンチ１４の下側に設ける。トレンチ１４の側壁上のバリアメタル１３上及び孔６内に導電膜１５を形成する。トレンチ１４及び孔６内にＣｕ膜１９を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの低抵抗化により配線抵抗の低抵抗化を図ると共に、バリアメタルのＣｕに対する拡散バリア性を高める。
【解決手段】層間絶縁膜１０内に下層配線１４が形成される。層間絶縁膜１０及び下層配線１４上にライナー膜２０と層間絶縁膜２２とが順次形成される。ライナー膜２０と層間絶縁膜２２内にビア２８と上層配線３０とが形成される。下層及び上層配線１４，３０とビア２８とは、バリアメタル１６，３２とＣｕ１８，３６とを有している。バリアメタル１６，３２は、Ｒｕ_ｘＳｉ_ｎＯ_ｙ膜とＲｕ_ｘＯ_ｙ膜とＲｕ_ｘＳｉ_ｎ膜の少なくとも１つの膜１７Ａ，３４Ａと、Ｒｕ_ｘＮ_ｙ膜１７Ｂ，３４Ｂと、Ｒｕ膜１７Ｃ，３４Ｃとが積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ配線１０を、その中央部のＣｕ粒子１０ａが比較的大きく、その上部や下部のＣｕ粒子１０ａが比較的小さくなるような構造にする。このような構造は、Ｃｕ配線１０をダマシン法により形成する際の電解めっき時の電流密度を制御することによって形成することができる。このような構造にしたＣｕ配線１０では、その上部よりも中央部に比較的電流が流れやすくなり、その上部のＣｕ原子の拡散が抑えられるようになり、また、それにより、キャップ膜１４界面からのＣｕ原子の拡散が抑えられるようになる。 （もっと読む）

【課題】 酸素の含有量の少ないシリコンカーバイドからなる絶縁膜の上に、低誘電率絶縁材料からなる膜を形成する場合にも、十分な密着性を得ることができる絶縁膜形成方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、シリコンカーバイド、酸素含有シリコンカーバイド、シリコンオキシカーバイドからなる群より選択された絶縁材料からなる第１の膜を形成する。第１の膜の上に、比誘電率が２．７以下の低誘電率絶縁材料で形成されている絶縁膜であるか、または塗布法により形成される絶縁膜である第２の膜を形成する。第２の膜が形成された基板を、水素プラズマに晒す。 （もっと読む）

【課題】配線溝とスルーホール形成時の洗浄でキャップ金属が溶解して初期不良率の低下、エレクトロマイグレーション耐性の低下を防止することを目的とする。
【解決手段】上層配線開口部１１２の底部となる下部銅配線上に密着性を向上させるために形成されるキャップ金属の少なくとも上部のプラグと接続する部分を、科学的に安定するように変性された変性膜にすることにより、配線溝１１３形成後の洗浄工程においてキャップ金属の溶解を防止でき、初期不良率の低減及びエレクトロマイグレーション耐性の向上を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】アライメントずれが生じる場合に、配線にダメージを与えることがなく、また、AirGapと接続孔とが貫通することがない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１の絶縁膜１０１中に、複数の下層配線１０３を形成する工程と下層配線１０３間に存在する部分を除去して配線間ギャップを形成する工程と、下層配線１０３と配線間ギャップが形成された第１の絶縁膜１０１との上に、エアギャップ１０８が形成されるように、第２の絶縁膜１０７を形成する工程と、第２の絶縁膜１０７中に、下層配線１０３と接続するビア１０９を形成すると共に、ビア１０９と接続する上層配線１１０を形成する工程とを備える。ビア１０９は、エアギャップ１０８とは接触しないように形成される。 （もっと読む）