【課題】 絶縁膜中に形成されている配線用の溝に埋め込まれている配線層の上部に選択的に金属拡散防止膜を形成する半導体装置において、部分的選択破れ等に起因する配線間リーク電流を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ダマシン法により配線１５を第１の絶縁膜１１中に形成する。そして、電解メッキ法等により、配線１５上のみに選択的に金属拡散防止膜１６を形成する。その後、第２の絶縁膜１９形成前に、第１の絶縁膜１１上に存在する部分的選択破れにより意図せず生じた金属拡散防止膜１６や、残留金属イオン１７等を除去するＣＭＰ工程をする。 （もっと読む）

【目的】 ｐ−ｌｏｗｋ膜上にバリアメタルを連続に形成することを目的とする。
【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に、表面にメチル（ＣＨ_３）基が結合している絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜表面に、イミド系の高融点金属化合物を原料として、バリアメタル膜を形成するバリアメタル膜形成工程（１１４）と、を備えたことを特徴とする。そして、前記バリアメタル膜形成工程において、原子層気相成長法によりバリアメタル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 疎水性の低誘電率絶縁膜を用いて、信頼性および電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】 アンモニアプラズマ１４によって、ＳｉＯＣ膜８の表面に形成された疎水性のダメージ層を親水性の改質層１５に変える。改質層１５はフッ酸水溶液などに可溶であるので、改質層１５を除去することによって、表面に清浄なＳｉＯＣ膜８を露出させることができる。改質層１５の膜厚は０．５ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましく、１ｎｍ〜５ｎｍであることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ウェハのダイシングにより半導体チップの端部に発生するクラック（裂け目）が回路領域に到達するのを抑制する。
【解決手段】 シリコン基板１上に形成した半導体チップの端部付近で回路領域の周囲を覆うように形成されたシールリング５として、底面および側面をバリア膜で被覆した埋め込み銅配線１４、１８、２２を積層し、それぞれの上層に積層される埋め込み配線１８、２２、２６の第一の面６側の側面位置が、上層ほど半導体チップの端部側（左側）にずれるようにした。
このような構成とすることにより、層間絶縁膜２の中で埋め込み銅配線１４、１８、２２の上面の銅が第一の面６側に露出するのを抑制することができる。これによりウェハをダイシングする際に半導体チップの端部からクラックが入った場合、銅の酸化による新たなクラック発生を抑制し、クラックが回路領域に侵入するのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 二つの素子領域間に介在するガードリングを通じたノイズ伝搬を抑制する。
【解決手段】 半導体チップ１００は、ロジック部およびアナログ部１５３を有する。また、半導体チップ１００は、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に設けられた第一絶縁膜１２３〜第六絶縁膜１４３と、第一絶縁膜１２３〜第六絶縁膜１４３中に埋設された第一導電リング１２５〜第六導電リング１４５により構成されロジック部およびアナログ部１５３外周を取り囲む環状のシールリング１０５と、を有する。そして、ロジック部からシールリング１０５を経由してアナログ部１５３に至る経路の導通を遮断する非導通部１０４として機能するｐｎ接合部が、シールリング領域１０６中に設けられている。 （もっと読む）

【目的】 選択的に拡散防止膜を形成する場合でも、配線同士間でショートが生じてしまう原因となる導電性材料の研磨残りを生じさせないようにすることを目的とする。
【構成】 基体上の開口部に形成された導電性材料膜上に前記導電性材料膜に用いる導電性材料の拡散を防止する拡散防止膜を選択的に形成する拡散防止膜形成工程（Ｓ１２０〜Ｓ１２２）と、前記拡散防止膜が形成された後、前記基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１２４〜Ｓ１２８）と、前記絶縁膜形成工程の後、前記絶縁膜表面を研磨する平坦化工程（Ｓ１３０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シールリングまで剥離が進行することを防止して、さらに生産性の優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、銅配線１９が内部に形成された低誘電率膜５ａ〜５ｃと、低誘電率膜５ｃの上側に配置された酸化珪素膜６，７ａと、酸化珪素膜６，７ａの上側に配置された表面保護膜４３と、回路形成領域の周りを取り囲むように形成されたシールリング２３と、平面視したときにシールリング２３の外側に形成された溝部２２とを備える。溝部２２は、底部が低誘電率膜５ｃよりも上側に位置するように形成され、底部が、銅配線１９の上端よりも低くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ系金属を充填したダマシン配線の信頼性、特にストレスマイグレーション（ＳＭ）耐性を向上させる。
【解決手段】 下地絶縁膜１上の層間絶縁膜２にトレンチ３を設け、トレンチ３に第１バリアメタル膜５を介して埋め込む第１Ｃｕ膜６を成膜し、２０℃〜２００℃範囲の第１の熱処理を施し清浄化した第１Ｃｕ膜６ａにする。次に、第１Ｃｕ膜６ａの第１キャップ層２ｃ上の不要部分を化学的機械研磨で除去し、上記トレンチ３にＣｕ配線８を形成する。その後に、３００℃〜４００℃の温度でＣｕ配線８に第２の熱処理を施し、結晶性の優れたＣｕ配線８ａを形成する。同様に、ビアホールに埋め込む第２Ｃｕ膜を成膜した後に、３００℃〜４００℃範囲の第３の熱処理を施し、その後に化学的機械研磨してＣｕビアプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】配線と接続部との間の接触抵抗を低減し、エレクトロマイグレーション特性を向上させる。
【解決手段】その表面に、配線を構成する銅の拡散等を防止するためのタングステン膜ＣＭ１が形成された第１層配線上の絶縁膜（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２６ｂ、２６ｃ）をエッチングすることによりコンタクトホールＣ２および配線溝ＨＭ２を形成する際、コンタクトホールＣ２底部のタングステン膜ＣＭ１を除去し、バリア膜ＰＭ２ａを形成した後、コンタクトホールＣ２底部のバリア膜ＰＭ２ａを除去し、銅膜（ＰＭ２ｂ、ＰＭ２ｃ）を形成した後、その表面を研磨することにより第２層配線Ｍ２およびその下層のプラグＰ２を形成する。また、タングステン膜ＣＭ１又はバリア膜ＰＭ２ａの少なくとも一方を除去するか、それらを不連続な膜で構成する。その結果、第１層配線Ｍ１とプラグＰ２との間の接触抵抗を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 デュアルダマシン構造形成時に、レジストパターンの解像不良を生じる反応阻害物質を除去する。
【解決手段】 露光に伴って発生する酸性物質との反応により、露光部が現像液に可溶（あるいは、不溶）となる化学増幅型レジスト膜の形成面の平坦化を行う平坦化材料、または、前記化学増幅型レジスト膜の直下に塗布される反射防止膜形成材料の少なくとも一方に、光酸発生剤または熱酸発生剤を含有する材料を使用する。前記材料が光酸発生剤を含有する場合は、化学増幅レジスト膜の形成前に全面露光を行い、また、前記材料が熱酸発生剤を含有する場合は、化学増幅レジスト膜の露光前に加熱を行うことで、酸性物質を発生させる。これにより、下層の炭素含有シリコン酸化膜等の低誘電率膜からなる第２の絶縁膜４等の中に存在する窒素に起因した塩基性物質を、当該材料の酸性物質で除去し、化学増幅型レジスト膜に拡散することを防止する。 （もっと読む）

【課題】 洗浄工程において、配線を形成する材料がピンホールを介して消失することを防止できる半導体装置およびその製造技術を提供する。
【解決手段】 酸化シリコン膜３７に埋め込むように配線４１を形成する。続いて、配線４１上を含む酸化シリコン膜３７上に炭窒化シリコン膜４３を形成する。ここで、炭窒化シリコン膜４３は、ピンホール４３ａが貫通しない程度の膜厚で形成する。次に、炭窒化シリコン膜４３を加工して、酸化シリコン膜３７上の炭窒化シリコン膜４３の膜厚を配線４１およびその近傍領域上に形成された炭窒化シリコン膜４３の膜厚よりも薄くする。 （もっと読む）

【課題】 接続線と配線との接続部において、接続線周囲の配線幅の拡大や接続線個数の増大に伴う配線ピッチの増大によるレイアウト面積の損失を抑えつつ、かつ、エレクトロマイグレーションの発生を抑える。
【解決手段】 上層配線と下層配線と、上層配線と下層配線とを接続する接続線とを備える半導体装置において、接続線に対して電子の流れの下流側の配線の、少なくとも接続線に接続する接続部の直下又は直上部分、及び接続部から下流側の部分の膜厚を厚くして、厚膜化領域を設ける。 （もっと読む）

表面に絶縁領域と金属領域とが露出した基板の該表面を、有機系洗浄液を用いて洗浄する。洗浄された基板の表面に紫外線を照射する。これにより、基板表面に残留物が残ることを抑制することができる。
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【課題】 半導体装置のＣｕ拡散防止膜とＣｕ配線との密着力を良好とし、半導体装置の信頼性を良好とする。
【解決手段】 被処理基板上にＣｕ膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板上に形成されたＣｕ拡散防止膜上に密着膜を形成する第１の工程と、前記密着膜上にＣｕ膜を成膜する第２の工程と、を有し、前記密着膜はＰｄを含むことを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有する半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０上に第１の絶縁膜１１を介してパッド電極１２を形成する。次に、パッド電極１２上を含む第１の絶縁膜１１上に、パッド電極１２を露出する開口部１４を有した第２の絶縁膜１３を形成する。次に、開口部１４を含む第２の絶縁膜１３上に、当該開口部１４を通してパッド電極１２と電気的に接続された第１の配線層１５を形成する。次に、半導体基板１０の裏面からパッド電極１２に到達するビアホール１６を形成する。次に、ビアホール１６の底部のパッド電極１２と電気的に接続された貫通電極２０及び第２の配線層２１を形成する。さらに、保護層２２、導電端子２３を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板１０を半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板に形成された開口部の形成状態を、断面観察しないでも確認できるようにすることを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成されたパッド電極３を露出するように基板裏面から開口部が形成され、この開口部を介して前記パッド電極３に配線層１０が形成されて成るものにおいて、前記開口部の形成状態をモニターするためのモニター開口部６ｂをスクライブライン上に形成することを特徴とするものである。 （もっと読む）

多層配線構造は、第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜中に形成され第１のバリアメタル膜で側壁面および底面が覆われた配線溝と、前記第２の層間絶縁膜中に形成され第２のバリアメタル膜で側壁面と底面が覆われたビアホールと、前記配線溝を充填する配線パターンと、前記ビアホールを充填するビアプラグとよりなり、前記ビアプラグは前記配線パターンの表面にコンタクトし、前記配線パターンは前記表面に凹凸を有し、前記配線パターンは、前記配線パターン中において前記表面から前記配線パターン内部に向かって延在する結晶粒界に沿って、前記表面におけるよりも高い濃度で酸素原子を含むことを特徴とする。
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【課題】 本発明は、貫通電極を有する半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０上に第1の絶縁膜１１を介して形成されたパッド電極１２上に、高融点金属層１３を形成する。次に、パッド電極１２及び高融点金属層１３上を含む半導体基板１０の表面上にパッシベーション層１４を形成し、さらに、樹脂層１５を介して支持体１６を形成する。次に、半導体基板１０をエッチングして、半導体基板１０の裏面からパッド電極１２に到達するビアホール１７を形成する。次に、第２の絶縁膜１８を介して、ビアホール１７の底部で露出されたパッド電極１２と電気的に接続された貫通電極２０及び配線層２１を形成する。さらに、ソルダーレジスト層２２、導電端子２３を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板１０を半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、貫通電極を有する半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０をエッチングして、半導体基板１０の裏面からパッド電極１２に到達するビアホール１６を形成する。ここで、上記エッチングは、ビアホール１６の底部の開口径Ａが、パッド電極１２の平面的な幅Ｃよりも大きくなるようなエッチング条件により行われる。次に、ビアホール１６の底部でパッド電極１２を露出する第２の絶縁膜１７を、当該ビアホール１６を含む半導体基板１０の裏面上に形成する。次に、ビアホール１６の底部で露出されたパッド電極１２と電気的に接続された貫通電極２０及び配線層２１を形成する。さらに、保護層２２、導電端子２３を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板１０を半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体における使用のための銅相互接続配線層（602）の表面上のキャッピング層（614）およびガスクラスタイオンビーム処理の適用による集積回路のための改良された集積相互接続構造体を形成する方法。低減された銅拡散と改善されたエレクトロマイグレーション寿命が結果として得られ、また選択的金属キャッピング技法の使用とそれらに付随する歩留まり問題とが回避される。 （もっと読む）