多層配線構造は、第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜中に形成され第１のバリアメタル膜で側壁面および底面が覆われた配線溝と、前記第２の層間絶縁膜中に形成され第２のバリアメタル膜で側壁面と底面が覆われたビアホールと、前記配線溝を充填する配線パターンと、前記ビアホールを充填するビアプラグとよりなり、前記ビアプラグは前記配線パターンの表面にコンタクトし、前記配線パターンは前記表面に凹凸を有し、前記配線パターンは、前記配線パターン中において前記表面から前記配線パターン内部に向かって延在する結晶粒界に沿って、前記表面におけるよりも高い濃度で酸素原子を含むことを特徴とする。
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【課題】 本発明は、貫通電極を有する半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０上に第1の絶縁膜１１を介して形成されたパッド電極１２上に、高融点金属層１３を形成する。次に、パッド電極１２及び高融点金属層１３上を含む半導体基板１０の表面上にパッシベーション層１４を形成し、さらに、樹脂層１５を介して支持体１６を形成する。次に、半導体基板１０をエッチングして、半導体基板１０の裏面からパッド電極１２に到達するビアホール１７を形成する。次に、第２の絶縁膜１８を介して、ビアホール１７の底部で露出されたパッド電極１２と電気的に接続された貫通電極２０及び配線層２１を形成する。さらに、ソルダーレジスト層２２、導電端子２３を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板１０を半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】 アライメントずれが生じる場合に、配線にダメージを与えることがなく、また、AirGapと接続孔とが貫通することがない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第１の絶縁膜１０１中に複数の下層配線１０３を形成する工程と、下層配線１０３間に存在する部分を除去して配線間ギャップ１０６を形成する工程と、下層配線１０３と配線間ギャップ１０６が形成された第１の絶縁膜１０１との上に、エアギャップ１０８が形成されるように、第２の絶縁膜１０７を形成する工程と、第２の絶縁膜１０７中に、下層配線１０３と接続するビア１０９を形成すると共に、ビア１０９と接続する上層配線１１０を形成する工程とを備える。ビア１０９は、エアギャップ１０８が隣り合って形成されていない下層配線１０３と接続するように形成される。 （もっと読む）

【課題】 超臨界状態の媒体を用いた、微細パターンへの成膜方法において、従来に比べて微細パターンへのカバレッジと埋め込み特性を良好とし、さらに微細なパターンへの成膜を可能とする。
【解決手段】 被処理基板上に、超臨界状態の媒体にプリカーサを溶解した処理媒体を供給して成膜を行う成膜方法であって、前記被処理基板の温度を、成膜が生じる温度の下限である成膜下限温度未満である第１の温度とし、当該被処理基板上に前記処理媒体を供給する第１の工程と、前記被処理基板の温度を前記第１の温度から前記成膜下限温度以上である第２の温度に上昇させることで、当該被処理基板上に成膜を行う第２の工程と、を有することを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜−絶縁膜間の膜ずれや膜剥がれにより引き起こされる配線間ショート等の配線接続不良を防止するＣｕ配線及び低誘電率膜を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の第１の層間絶縁膜１０１に下層配線１０２を形成し、第１の層間絶縁膜１０１の上に絶縁性バリア膜１０３を堆積する。その後、下層配線間の絶縁性バリア膜１０３及び第１の層間絶縁膜１０１に溝１０８を形成し、絶縁性バリア膜１０３の上に溝１０８を埋めるように第２の層間絶縁膜１０５を堆積する。次に、第２の層間絶縁膜１０５及び絶縁性バリア膜１０３に下層配線１０２に達する接続孔１０７を形成し、接続孔１０７に達する配線溝１０８を形成する。次に、接続孔１０７及び配線溝１０８に上層配線１０９を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜−絶縁膜間等の界面における膜剥がれやクラック等による不良が生じない低誘電率膜を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上の第１の絶縁膜１０２に第１の配線１０６を形成し、第１の絶縁膜１０２上に第２の絶縁膜１０７、第３の絶縁膜１０８、第４の絶縁膜１０９及び第５の絶縁膜１１０を順次堆積する。その後、第１の配線１０６上の第５の絶縁膜１１０から第２の絶縁膜１０７までを突き抜ける第１のスルーホール１１２と第１のスルーホール１１２につながる第２の配線溝１１４に第２の配線１１７を形成し、第５の絶縁膜１１０から第１の絶縁膜１０２までを突き抜ける第２のスルーホール１２０に第１の支柱１２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有した半導体装置において、保護膜や絶縁膜の剥離を防止し、半導体装置の信頼性を向上する。
【解決手段】半導体装置１００のコーナー部に、絶縁膜１７、保護層２３の剥離を防止するための剥離防止層３０を形成する。剥離防止層３０はコーナー部以外の半導体装置１０の空きスペース、例えば、ボール状の導電端子２４の間に配置することでさらに剥離防止効果を高めることができる。その断面構造は、半導体基板１０の裏面に形成された絶縁膜１７上に剥離防止層３０が形成され、この絶縁膜１７及び剥離防止層３０を被覆するようにソルダーレジスト等から成る保護層２３が形成される。剥離防止層３０は、電解メッキ法により形成する場合には、バリアシード層２０と上層の銅層２５からなる積層構造を有する。 （もっと読む）

配線金属は、銅（Ｃｕ）を主成分とする多結晶とＣｕ以外の添加元素とを含有し、添加元素の濃度が、Ｃｕ多結晶を構成する結晶粒の結晶粒界及び結晶粒界近傍において、その結晶粒内部よりも高い。添加元素は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ及びＡｇからなる群から選択された少なくとも１種の元素であることが好ましい。このＣｕ配線は、Ｃｕ多結晶膜を形成し、そのＣｕ膜の上に添加元素の層を形成し、この添加元素を前記添加元素の層からＣｕ膜中に拡散させることにより形成される。この配線用銅合金は、半導体装置に形成される金属配線として好適である。
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【課題】半導体装置における絶縁破壊を抑制する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜１０２と、層間絶縁膜１０２上に設けられている多層絶縁膜１４０とを備える。この半導体装置は、多層絶縁膜１４０を貫通して設けられ、Ｃｕ膜１２０およびバリアメタル膜１１８を含む導電体を備える。バリアメタル膜１１８は、Ｃｕ膜１２０の側面および底面を覆うように設けられている。この半導体装置は、多層絶縁膜１４０と導電体（Ｃｕ膜１２０およびバリアメタル膜１１８）との間に設けられている絶縁膜１１６を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無線チップのコストを下げることを課題とする。また、無線チップの大量生産を可能として、無線チップのコストを下げることを課題とする。さらに、小型・軽量な無線チップを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板や石英基板から剥離された薄膜集積回路が第１の基体と第２の基体に設けられた無線チップを提供する。本発明の無線チップは、シリコン基板からなる無線チップと比較して、小型、薄型、軽量を実現する。本発明の無線チップが含む薄膜集積回路は、少なくとも、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造のＮ型の薄膜トランジスタと、シングルドレイン構造のＰ型の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。前記研磨工程、前記洗浄工程及び前記リセスエッチング工程の少なくとも２工程で用いる薬液の主たる成分が同一である。 （もっと読む）

【課題】イメージ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のイメージ素子は、受光素子が形成された基板と、基板上に形成され、受光素子の上部でキャビティを有する層間絶縁膜構造物と、キャビティに埋め込まれて形成され、層間絶縁膜構造物の上部から突出された部分はレンズタイプで形成された透明絶縁膜と、透明絶縁膜の上部に形成されたカラーフィルターと、を含んで成される。ここで、透明絶縁膜はその上部が凸レンズタイプで形成できる。また、透明絶縁膜は、その上部が凹レンズタイプで形成されることもできる。イメージ素子の製造方法もまた提供される。これにより、銅ダマシン工程で製造された配線パターンを有するイメージ素子の光透過率を向上でき、受光素子に入射される光の散乱と乱反射とを防止して、光感度を向上でき、製造過程を単純化できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における配線の幅などに応じてＣｕ合金を形成する際の添加元素の濃度を変化させた配線構造を有する半導体装置を得ること。
【解決手段】ダマシンプロセスで絶縁膜Ｉ１に配線Ｗ１を形成する際に、絶縁膜Ｉ１中の配線溝３１ａ，３１ｂ上に形成される側壁部膜厚ｔ₁と底部膜厚ｔ₂とを、同一配線層におけるどの配線溝３１ａ，３１ｂにおいてもそれぞれ同じ厚さとなるようにＣｕ合金からなるシード層３３を堆積し、その後に電解メッキ法でＣｕ金属膜３４の堆積とアニール処理を行って、各配線溝３１ａ，３１ｂに形成される配線材料層３５を形成する。これにより、その配線溝３１ａ，３１ｂの配線幅が太くなるほど添加元素の割合が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能で耐水性に優れ、信頼性に優れた半導体装置を得る。
【解決手段】配線となる第１の銅の導電層５を有する第１の絶縁層２０と、配線となる第３の銅の導電層１３を有する第３の絶縁層２２とが、第１の銅の導電層５と第３の銅の導電層１３を連通する第２の銅の導電層１０を有する第２の絶縁層２１を介して半導体基板１表面上に積層され、上記第１の絶縁層２０、第２の絶縁層２１および第３の絶縁層２２の少なくともいずれかが、無機または有機材料の分子中に、ボラジン骨格系構造を有する低誘電率材料を用いた絶縁材料からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ内の熱を半導体チップ外に確実に放出させて、信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、内部に配線１２とダミー配線１３を有する半導体チップ１０と、内部にそれぞれ配線１２に電気的に接続された配線３３，５１とダミー配線１３に熱的に接続されたダミー配線３５，５３を有するパッケージ基板３０及び冷却基板５０と、配管５４ａが冷却基板５０に設けられ、ダミー配線５３と熱的に接続され、半導体チップ１０内の温度を制御する冷却モジュール５４とを具備している。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウェハの相互接続構造上に金属層を堆積させる方法を開示する。この方法では、金属導体を、キャップ層および誘電体層で被覆する。キャップ層を露出させるように、誘電体層をパターン形成する。次いで、キャップ層をスパッタ・エッチングして除去し、金属導体を露出させる。スパッタ・エッチング・プロセス中に、キャップ層がパターンの側壁に再堆積する。最後に、パターンの中に少なくとも１つの層を堆積させ、再堆積したキャップ層を被覆する。
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【課題】配線上にＳｉＣＮ膜を有する半導体装置において、ＳｉＣＮ膜から流出する不安定なＮによるレジストポイゾニングの発生を低減する。
【解決手段】ＳｉＣＮ膜を有する半導体装置の製造方法において、ＳｉＣＮ膜成膜時に一部に有機基を有する原料ガスとＨｅの流量比を１：４．２以上にする。または原料ガスの流量×原料ガスの有機基との結合数とＨｅの流量比を１：１．４以上にする。その結果、ＳｉＣＮ膜中のＳｉＮＨ基の増加を抑制し、膜ストレス変化とポイゾニング不良の発生を合わせて抑制することが半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率層間膜材料を用いた多層配線におけるスタックビアの熱応力歪みによる信頼性低下を予め防ぐことを可能とするスタックビアレイアウト設計方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】スタックビア設計レイアウト結果から温度変化による歪みによって故障発生可能性の高い危険スタックビア部を特定のスタックビア構造をもとに抽出し、その危険スタックビア部の温度変化歪み量を算出して所定の臨界歪み量を超える臨界スタックビアを抽出し、そのビアを含む領域に回路機能に変化を与えないように新規ビア構造を追加配置することで臨界スタックビアの歪み量を低減させて、信頼性の高いスタックビアのレイアウト結果を得る。また前記の特定のスタックビア構造を有しない半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置中のクラックの伝播を抑制し、他の領域に影響を与えないようにする。
【解決手段】 シリコン基板１０１上に設けられたＳｉＣＮ膜１０５およびＳｉＯＣ膜１０７を貫通する凹部の側面を覆う界面補強膜１１５を設ける。界面補強膜１１５はＳｉＯＣ膜１１３と連続一体に形成され、エアギャップ１１７を有する。 （もっと読む）

【課題】 ｌｏｗ−ｋ膜のような疎水性膜を使用した多層配線構造において、層間絶縁膜に使用する疎水性膜とライナー膜又はバリア膜として使用する親水性膜との界面剥離の発生を防止する。
【解決手段】 電子デバイスは、図示しない基板上に形成された第１の層間絶縁膜１１の下層配線溝１１ａを埋め込むように形成された下層配線１２と、下層配線１２の上に形成されたバリア膜１３と、第１の層間絶縁膜１１及びバリア膜１３の上に形成された第２の層間絶縁膜１４とを備えている。そして、電子デバイスは、第１の層間絶縁膜１１と第２の層間絶縁膜１２とが接合している界面を有している。 （もっと読む）