【課題】本発明は、合金層（シード層）中のＭｎを高濃度化せずに、導電層の膜剥がれを防止する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成し、配線溝１６の内壁を覆う状態で、多孔質膜２０を形成する工程を行う。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、多孔質膜２０上にＣｕＭｎ合金からなる合金層１７を形成する工程を行う。次いで、合金層１７が設けられた配線溝に、Ｃｕを主成分とする導電層１８を埋め込む工程を行う。その後、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを多孔質膜２０の構成成分と反応させて、合金層１７と多孔質膜２０との界面に、銅の拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜１９を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】特性を劣化させることなく配線膜を形成することが可能な配線膜の形成方法を提供する。
【解決手段】配線膜の形成方法において、電解めっき法により第１の電流を印加して、基板１０の上に形成された配線溝１１ａが少なくとも埋まるように第１の銅膜１３ａを形成する。その後、第１の電流よりも小さい第２の電流を印加して、第１の銅膜１３ａの上に第２の銅膜１３ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】合金層（シード層）中の自己形成バリア膜の生成に寄与しない余剰なＭｎを除去することで、配線抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成する。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、ＣｕＭｎからなる合金層１７を形成する。次いで、合金層１７が設けられた状態の基板１１の表面に、Ｃｕに対してＭｎを選択的に溶解する洗浄液を供給し、自己形成バリア膜の形成に寄与しない合金層１７中のＭｎを、洗浄液に溶解させて選択的に除去する。続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。続いて、自己形成バリア膜が設けられた配線溝１６にＣｕを主成分とする導電層を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】めっき工程への負荷を抑制した状態で、導電層の膜剥がれを防止するとともに、基板面内における導電層の埋め込み均一性を向上し、配線抵抗の増大を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成する工程を行う。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、ＣｕＭｎ合金からなる合金層１７ａと純Ｃｕからなる導電層１７ｂとがこの順に積層されためっきシード層１７を形成する工程を行う。次いで、めっき法により、めっきシード層１７が設けられた配線溝１６に、純Ｃｕからなる導電層１８を埋め込む工程を行う。その後、熱処理を行い、合金層１７ａ中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７ａと層間絶縁膜１２、１５との界面に、Ｃｕの拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜１９を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れ、高い信頼性を確保することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板１００と、半導体基板１００上に形成され、溝１１ａ（スルーホール１１ｂを含む）を有する第１絶縁膜１０と、溝１１ａ内に形成され、第１金属（例えばチタニウム（Ｔｉ））を含む金属膜（ドーピング材膜１３）と、金属膜（ドーピング材膜１３）の側面に形成された下地膜１４と、下地膜１４の側面に形成され、第２金属（例えば銅（Ｃｕ））よりなり、下地膜１４と接する面に第１金属（例えばＴｉ）を含む領域（ドーピング材含有層１５ａ）を有する金属めっき膜（銅めっき膜１５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性、生産性に優れたアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板は、透明絶縁基板１上に第１の金属膜からなるゲート電極２およびゲート配線４と、ゲート電極２およびゲート配線４を覆うゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５上に形成された半導体層と、半導体層上に形成されたソース電極８ｂ、ドレイン電極８ａと、透明導電膜からなる画素電極８とを備えたアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板であって、ソース電極８ｂまたはドレイン電極８ａのうち、少なくとも一方は透明導電膜８からなり、その上に第２の金属膜９を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】 誘電体空隙を有する相互接続構造体を提供する。
【解決手段】 多相フォトレジスト材料を用いて誘電体層内部に空隙を形成することにより改善された性能及びキャパシタンスを有する相互接続構造体が提供される。相互接続構造部は、相互接続構造部の周りの誘電体層の部分の中に円柱状空隙構造体を有する誘電体層内に埋め込まれる。相互接続構造部はまた、生成される異なる誘電率を有する２つ又は複数の相を有する誘電体内に埋め込むこともできる。この相互接続構造体は現行の後工程プロセスに適合する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを配線に用いた装置において、ヒロックやウィスカーの発生による影響を防止する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス型電気光学装置は、珪素膜と、前記珪素膜に接したゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜に接したゲイト電極と、前記ゲイト電極上の窒化珪素膜と、前記珪素膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極とを有し、前記ゲイト電極はアルミニウム膜又はアルミニウムを主成分とする膜からなり、前記ゲイト電極中における酸素濃度が８×１０^１８個ｃｍ^−３以下であり、炭素濃度が５×１０^１８個ｃｍ^−３以下であり、窒素濃度が７×１０^１７個ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 既存のＣＶＤタングステン・プラグ金属化技術と比べて減少したプラグ抵抗を示し得る構造体を提供すること。
【解決手段】 基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、キャビティの底部に配置された、コバルト及び／又はニッケルのようなシリサイド又はゲルニウム化物層と、誘電体層の上部及びキャビティの内部に配置され、前記底部においてシリサイド又はゲルニウム化物層に接触する、Ｔｉ又はＴｉ／ＴｉＮを含むコンタクト層と、コンタクト層の上部及びキャビティの内部に配置された拡散バリア層と、バリア層の上部に配置された、めっきのための随意的なシード層と、ビア内の金属充填層とを含むコンタクト金属（メタラジ）構造体が、その製造方法と共に提供される。金属充填層は、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、亜鉛、及びこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材を用いて電着される。金属充填層がロジウム、ルテニウム、又はイリジウムである場合、金属充填物と誘電体との間に有効な拡散バリア層を必要としない。バリア層が、ルテニウム、ロジウム、又はイリジウムのようにめっき可能である場合、シード層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】 高密度銅配線半導体の銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】 Ｃｒ：５〜３０ｗｔ％、Ｔｉ及び／又はＺｒ：１〜１０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＮｉからなるＮｉ−Ｃｒ系合金膜からなり、膜厚が３〜１５０ｎｍ、膜厚均一性が１σで１０％以下であることを特徴とする高密度銅配線半導体用バリア膜。Ｃｒ：５〜３０ｗｔ％、Ｔｉ及び／又はＺｒ：１〜１０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＮｉからなるＮｉ−Ｃｒ系合金であって、スパッタ面の面内方向の比透磁率が１００以下であることを特徴とするバリア膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】ＩＴＯ膜との接触抵抗が低い金属膜を形成する。
【解決手段】アルミニウムを主成分とする金属膜２５中にインジウム又は錫のいずれか一方又は両方を添加物として含有させ、アニールし、金属膜２５内部の表面及び裏面付近に添加物の高濃度層２５Ｉを形成する。金属膜２５表面に形成されたＩＴＯ膜から酸素が遊離しても、導電性を有するインジウム酸化物や錫酸化物が形成され、絶縁性のアルミニウム酸化物は形成されにくいので、接触抵抗が増大しない。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線などの金属配線について、金属配線と金属拡散防止膜との密着性が向上し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性向上により金属配線寿命の長い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１の絶縁膜中の溝部内に設けられ、銅および銅の合金のうち少なくとも１つを含有する第１の金属配線と、第１の金属配線および第１の絶縁膜の露出面を覆う第１の金属拡散防止膜を有する半導体装置において、第１の金属配線は金属シリサイド層を含有しないシリコン含有金属配線であり、第１の金属配線全体にシリコンを含む構成である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板の製造工程の工程数を削減し、製造処理時間を短縮し、よって製造コストを大幅に低減でき、且つ、製造歩留りを向上させる方法を及びそのＴＦＴ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート配線及びゲート絶縁膜と、第１のシリコン層及び第２のシリコン層と、ソース・ドレイン配線及びソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極に電気的に接続された画素電極と、を具備したＴＦＴ基板であって、さらに、前記第１のシリコン層と、前記第２のシリコン層と、第１の金属膜と、層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜のスルーホールを通して前記第１の金属膜と接続された透明電極層と、第２の金属膜と、の順に積層された積層膜を有し、前記積層膜の全部又は一部が 前記ソース・ドレイン電極であることを特徴とするＴＦＴ基板である （もっと読む）

【課題】マスク工数を低減して生産性を向上した液晶表示装置用アレイ基板を提供する。
【解決手段】基板２１０上のゲート配線２２１及びゲート配線２２１から延びたゲート電極２２２と、ゲート配線２２１と交差し、ゲート絶縁膜２３０、半導体層２４０及びデータ金属層２６０からなるデータ配線２６１と、ゲート配線２２１とデータ配線２６１とから画定された画素に、第１透明金属層２８１ａで形成された画素電極２８１と、データ配線２６１から延びたソース電極２６２及びソース電極２６２と離隔してチャネルを露出したドレイン電極２６３と、データ配線２６１、ソース電極２６２及びドレイン電極２６３、ゲート配線２２１上に形成され、ドレイン電極２６３と画素電極２８１とを接続し、ゲート配線２２１上で切断部を有する第２透明金属層２９１のパターンと画素電極２８１上の第２透明金属層２９１の近くに形成された隔壁２９３とを含む。 （もっと読む）

【課題】銅膜の表面にマンガン化合物膜を残すことにより、歩留まりおよび配線信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板１上に層間絶縁膜４を形成する工程と、層間絶縁膜４に開口部４ａ，４ｂを形成する工程と、開口部４ａ，４ｂの内壁を被覆する第１マンガン含有銅膜を形成する工程と、層間絶縁膜４の表面に、マンガン化合物膜８を形成する第１アニール処理を行う工程と、マンガン化合物膜８上であって、開口部４ａ，４ｂの内壁を被覆する第２マンガン含有銅膜６−２を形成する工程と、開口部４ａ，４ｂを埋め込む銅膜７−２を形成する工程と、層間絶縁膜４上に形成された銅膜７−２を除去する工程と、銅膜７−２と層間絶縁膜４の界面および銅膜７−２の表面に、マンガン化合物膜８，１０を形成する第２アニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、銅合金配線とビアとの接続面に、窒素を含むバリヤメタル膜が形成されている構造を有する半導体装置であって、銅合金配線とビアとの間における電気抵抗の上昇を抑制および電気抵抗のばらつきも抑制することができる半導体装置等を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置では、第一の銅合金配線３、ビア４および第一のバリヤメタル膜７を備えている。ここで、第一の銅合金配線３は、層間絶縁膜１内に形成されており、主成分であるＣｕに所定の添加元素が含まれている。ビア４は、層間絶縁膜２内に形成されており、第一の銅合金配線３の上面と電気的に接続している。第一のバリヤメタル膜７は、第一の銅合金配線３とビア４との接続部において第一の銅合金配線３と接触して形成されており、窒素を含む。所定の添加元素は、窒素と反応することにより高抵抗部を形成する元素である。また所定の添加元素の濃度は、０．０４ｗｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板の製造工程の工程数を削減し、製造処理時間を短縮し、よって製造コストを大幅に低減でき、且つ、製造歩留りを向上させる方法を及びそのＴＦＴ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート配線及びゲート絶縁膜と、第１のシリコン層及び第２のシリコン層と、ソース・ドレイン配線及びソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極に電気的に接続され、透明導電膜から成る画素電極と、を具備したＴＦＴ基板であって、前記ソース・ドレイン配線又は前記ソース・ドレイン電極の少なくとも一方が、前記透明導電膜上の金属膜から成ることを特徴とするＴＦＴ基板を提供する。この結果、透明導電膜とソース・ドレイン配線又はソース・ドレイン電極の形状を共通化でき、共通のマスクで成形することができる。その結果、使用するマスクの数を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】パッド電極の腐食を抑制することができる半導体装置、ダイシング刃および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上に第１の層間絶縁膜１１、第２の層間絶縁膜１３が形成されている。第１の層間絶縁膜１１内には第１のＣｕ配線１２が、第２の層間絶縁膜１３には第２のＣｕ配線１４が形成されている。第２のＣｕ配線１４の上には、バリアメタル１７を介して、パッド電極１８が形成されている。パッド電極１８はＭｇを含むＡｌＣｕからなる。 （もっと読む）

無電解堆積および電気堆積プロセスをインサイチュで実行することによって、非常に信頼性のあるメタライゼーションが供給され、その際に、シード層を形成する、従来の化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）ならびに物理気相堆積（ＰＶＤ）技術にみられるような、汚染物質ならびにデバイススケーリングに関する欠点を克服することができる。ある実施例では、バリア層はさらに、ウェット堆積プロセスに基づいて堆積される。
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【課題】配線不良防止及び製造工程の簡単化を図ることのできる金属配線及びその製造方法とこれを具備した表示基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板上に銅を含む金属物質で形成される金属膜と、前記金属膜の下部面と接触して形成される第１非晶質カーボン膜とを有することを特徴とする。これによって、非晶質カーボン膜を含む低抵抗金属配線を形成することにより製造工程の簡単化を図ることができ、又、配線不良を防止することができる。 （もっと読む）