【課題】銅の溝配線の上面バリア膜を形成するための触媒金属の置換めっきに起因する銅配線のエッチング損傷を容易に防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝ＴＲ１を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層１６を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属１７ａを含むシード層を形成する。次に配線溝を埋め込んで全面に銅を含む金属層１８を形成し、触媒金属を金属層中に熱拡散させ、触媒金属と合金化した金属層１９とする。配線溝の外部における金属層１９を除去して配線パターンに加工し、合金化された金属からなる配線を形成する。この後、配線の表面に銅拡散防止機能を有する上面バリア膜を置換めっきにより形成する。 （もっと読む）

【課題】表面粗度が小さく、平滑性や緻密性に優れ、しかも、基材への密着性やエッチング性に優れた金属被膜と、前記金属被膜を形成するための形成方法と、前記金属被膜をパターン形成した金属配線とを提供する。
【解決手段】金属被膜は、金属微粒子と、水と、分子量２０００〜３００００の分散剤とを含む金属微粒子分散液を、基材の表面に塗布し、焼成して形成され、
(1) Ａｇと、
(2) Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、およびＩｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
を含む合金からなり、合金の総量中の、Ａｇの含有割合が８０〜９９．９原子％、平均結晶粒径が０．２〜５μｍである。形成方法は、金属微粒子分散液を、基材の表面に塗布し、乾燥後、７００℃以下の温度で焼成する。金属配線は、金属被膜をパターン形成した。 （もっと読む）

【課題】高容量化に対して有利な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１絶縁膜１７と、前記第１絶縁膜と接して設けられ前記第１絶縁膜の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分とし前記第１絶縁膜よりも比誘電率が高い高誘電体膜１５とを少なくとも有するキャパシタ絶縁膜３０と、前記キャパシタ絶縁膜を挟むように設けられ、ＣｕまたはＣｕを主成分とする第１、第２キャパシタ電極１０、２０とを備えるキャパシタＣ１を具備する。 （もっと読む）

【課題】水分や酸化ガスの透過を防止して、耐水性および耐酸化性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１上の素子形成領域１３を囲むように前記半導体基板上の層間絶縁膜１４−１、１２−２中に設けられ、Ｃｕを主成分とするガードリングＧＲ１、ＧＲ２と、前記層間絶縁膜とガードリングとの界面に設けられ、前記層間絶縁膜の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分とするバリア膜１９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＯＢ構造を有する誘電体メモリにおいて、スタックコンタクトにおける下部コンタクトプラグのコンタクト抵抗の安定化を図る。
【解決手段】 不純物拡散層１０４に接続する第１のコンタクトプラグ１０８の上方に形成された配線１０９を覆う第２の絶縁膜１１０を形成する工程と、第２の絶縁膜１１０上に第３の絶縁膜１１１を形成する工程と、第３の絶縁膜１１１上に第１の水素バリア膜１１２を形成する工程と、第１の水素バリア膜１１２上にキャパシタ１１８を形成する工程と、第１の水素バリア膜１１２における第１のコンタクトプラグ１０８の上方に存在している部分を選択的に除去した後、キャパシタ１０８に対して熱処理を行う工程とを備える。これにより、熱処理時に、第１のコンタクトプラグ１０８の上面が第２の絶縁膜１１０及び第３の絶縁膜１１１によって覆われているので、第１のコンタクトプラグ１０８の酸化及び消失を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜またはＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜を、単一工程で、下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象なしに湿式エッチングして、優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成することができるエッチング組成物を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、燐酸、硝酸、酢酸、燐酸塩、陰イオン界面活性剤及び水を含む。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】アルミニウム合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、合金成分として、Ｘ_１（Ｘ_１＝Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも１種）を０．１〜６原子％と、Ｘ_２（Ｘ_２＝Ｎｄ）を０．１〜６原子％含み、それらの含有量が、下記式（Ｉ）の関係を満たすアルミニウム合金膜形成用のスパッタリングターゲットである。
０．７≦０．５×ＣＸ_１＋ＣＸ_２≦４．５……（Ｉ）
［式中、ＣＸ_１はアルミニウム合金中のＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの含有量（原子％）、ＣＸ_２は、アルミニウム合金中のＮｄの含有量（原子％）をそれぞれ表す］ （もっと読む）

【課題】 ＣＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】 ＣＭＩＳＦＥＴを構成するｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４０とｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４１は、ゲート絶縁膜１４，１５が酸窒化シリコン膜からなり、ゲート電極２３，２４が、ゲート絶縁膜１４，１５上に位置するシリコン膜を含んでいる。ゲート電極２３，２４とゲート絶縁膜１４，１５との界面近傍に、１×１０^１３〜５×１０^１４原子／ｃｍ^２の面密度でＨｆのような金属元素が導入されている。ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４０とｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４１のチャネル領域の不純物濃度は、１．２×１０^１８／ｃｍ^３以下に制御されている。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置用の配線層として有効な、ウェットエッチング性と耐熱性とを確保しつつ、耐湿性をも改善できる薄膜配線層を提供する。
【解決手段】 基板上に形成される薄膜配線層であって、ＡｇまたはＣｕを主成分とする主導体層と該主導体層の上層および／または下層を覆う被覆層からなり、該被覆層は添加元素としてＣｕを１〜２５原子％、（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）から選択される１種または２種以上の添加元素を１〜２５原子％含有し、かつ添加元素の総量を３５原子％以下とし、残部が不可避的不純物およびＮｉからなる薄膜配線層である。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌを主成分とする主導体層をより低抵抗に維持すると同時に、一括のウェットエッチングでパターニングでき、主導体層の耐熱性、特にヒロック耐性が確保される新規の薄膜配線層を提供する。
【解決手段】 基板上にＮｉを主成分とする面心立方格子構造を有する下地層を、該下地層上に主成分が９９原子％以上のＡｌからなる主導体層を形成した薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層は、添加元素として（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ）から選択される１種または２種以上の元素を７〜３０原子％含有し、残部が不可避的不純物およびＮｉからなる薄膜配線層である。 （もっと読む）

【課題】 信頼性、ボンド能力、及び、品質管理の結果を改善することのできるボンドパッド構造のトップビアパターンを提供する。
【解決手段】 ボンドパッド構造のトップビアパターン２２は、相互に近接した、少なくとも一つの第一ビア群１８と、少なくとも一つの第二ビア群２０とを有する。第一ビア群１８は、第一方向に延伸した少なくとも二つの第一ラインビア１８ａ、１８ｂ、１８ｃを有する。第二ビア群２０は、第一方向と異なる第二方向に延伸した少なくとも二つの第二ラインビア２０ａ、２０ｂ、２０ｃを有する。第一ビア群１８のラインビア１８ａ、１８ｂ、１８ｃは、第二ビア群２０のラインビア２０ａ、２０ｂ、２０ｃに交差しない。
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【課題】絶縁膜に形成された配線溝または接続孔の内部に埋込配線形成用の導体膜を良好に埋め込む。
【解決手段】半導体基板１上の絶縁膜５ｃに形成された配線溝１０ｂ内に埋込配線１１ｂを形成する際、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｂを、指向性を有し、かつ、スパッタリング粒子が散乱され難い条件を付加したスパッタリング法で被着した後、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｃをメッキ法で被着する。この導体膜８ｂは、プラチナ、パラジウム、ニッケル、クロム、金または銀の少なくとも１つが添加されている銅を含む導体材料からなる。導体膜８ｂの被着膜厚が導体膜８ｃの被着膜厚と等しいか、または導体膜８ｃの被着膜厚よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の端部に設けられ、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。
【解決手段】液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の端子部において、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜と、を有し、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記アクティブマトリクス基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

当該機構の導電性の底部上のＣｏ金属への還元により開始されるボトムアップ充填による、Ｃｏイオンおよび還元剤を含む組成物からの無電解析出からなる、スタック・メモリ・セル配線機構を無電解的に充填する方法。高アスペクト比のスタック・メモリ・セル配線機構中でＣｏを無電解的に析出するための無電解析出組成物であって、該組成物が、水、Ｃｏイオン、錯化剤、緩衝剤、ボランを主材料とする還元剤成分、および次亜リン酸塩還元剤成分を含むもの。約０．５未満の次亜燐酸還元剤に対するボランを主材料とする還元剤の濃度比が存在する。 （もっと読む）

【課題】 銅や銅を含む材料に対しても、サイドエッチングや表面荒れ等の問題を発生させることなく、かつ充分な速度でドライエッチングできるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ又はＣｕ合金から成る層３，４をドライエッチングする際に、ハロゲン化合物を含むガスと酸素とをエッチングガスとして使用する。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線または第一の電極配線間の短絡による歩留りの低下を防止すると共に、比抵抗が小さい材料を用いてゲート配線または第一の電極配線を構成することによりそのパターンを細線化し、高開口率化による低消費電力の液晶表示装置と、それを高歩留りで製造する製造方法、およびそれに用いられるＴＦＴアレイ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極とゲート配線、または第一の電極、第一の電極配線、第二の電極が、ＡｌまたはＡｌ合金と、その表面側のＡｌより硬度の高い金属層との二層膜、または多層膜で構成され、それらは、Ａｌより硬度の高い金属膜をブラシ洗浄し、パターニングすることができ、それらの配線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜とエッチングガスが反応して細かいパーティクルが形成されるのを防ぎ、良好な特性を持つ半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】透明導電膜を形成し、前記透明導電膜上に第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜を、塩素を含むガスでエッチングし、前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスでエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法に関するものである。塩素を含むガスで第２の導電膜をエッチングする際には、第１の導電膜により透明導電膜が保護され、フッ素を含むガスで第１の導電膜をエッチングする際には、透明導電膜とフッ素を含むガスは反応しないので、パーティクルが形成されない。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子部品および電子機器またはそれらの製品に使用される金属合金材料、電子および金属材料の加工方法及び電子光学部品に関し、例えば液晶表示素子、各種半導体製品あるいは部品、プリント配線基板、その他のICチップ部品等に適用して、従来に比して低抵抗率であり、更に製造工程中での優位性を保有した安定かつ加工性に優れた電子部品用金属合金材料、この金属材料を使用した電子部品、電子機器を提供する。
【解決手段】 Ｃｕを主成分とし、Ｗを0.1〜7.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有してなる合金を金属材料として適用する。この金属材料によれば、ＣｕにＷを添加してＣｕの粒界にＭｏを均質に混入させることにより、Ｃｕ全体の耐候性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 充分な耐熱性や耐食性を有した低抵抗なＡｇ合金膜と、そのＡｇ合金膜の基板に対する密着性を高いレベルで確保できる新規な積層配線膜を提供する。
【解決手段】 基板上に形成される積層配線膜であって、０．１〜０．５原子％のＳｉおよび／またはＺｒ、０．１〜０．５原子％のＣｕを含有し、残部実質的にＡｇからなるＡｇ合金膜と該Ａｇ合金膜を覆う被覆膜からなり、該被覆膜はＭｏあるいはＭｏを５０原子％以上含有するＭｏ系膜である積層配線膜である。 （もっと読む）

半導体素子が形成された基板上に金属配線を積層し、半導体素子の接続を得る多層配線構造において、多孔質絶縁膜内に微細な金属配線を形成する場合に、リーク電流が発生し隣接する配線間の絶縁性が損なわれたり、隣接する配線間の絶縁耐性が劣化することのない配線構造およびその製造方法を提供する。半導体素子が形成された基板上の金属配線構造において、層間絶縁膜と金属配線との間に、有機物を含む絶縁性バリア層４１３を形成する。この絶縁性バリア層は隣接する配線間のリーク電流を低減し、絶縁信頼性を向上させることができる。
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