【課題】ゲート電極上にシリサイド膜を有し、従来に比べてより一層の高密度化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極６２及びＬＤＤ層６３が形成された半導体基板６０の上にシリサイドブロックとなるＳｉＮ膜６４を形成し、このＳｉＮ膜６４にゲート電極６２に通じる開口部を設ける。この開口部を介してゲート電極６６の表面をシリサイド化してシリサイド膜６６を形成する。次に、ＳｉＯ₂からなる層間絶縁膜６７を形成し、フォトリソグラフィ法により層間絶縁膜６７の上面からＬＤＤ層６３に到達するコンタクトホール６７ｈを形成する。そして、このコンタクトホール６７ｈを介してＬＤＤ層６３に不純物を高濃度に導入して、ソース／ドレイン層６３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体装置においては、ＭＩＭ型容量素子中に段差が生じることにより、誘電体膜の耐圧が部分的に低下することがある。
【解決手段】 半導体装置１は、層間絶縁膜１０、配線１２ａ〜１２ｃ、層間絶縁膜２０、および容量素子３０を備えている。層間絶縁膜１０および配線１２ａ〜１２ｄ上には、拡散防止膜４０を介して層間絶縁膜２０が設けられている。層間絶縁膜２０上には、容量素子３０が設けられている。容量素子３０は、ＭＩＭ型容量素子であり、層間絶縁膜２０上に設けられた下部電極３２、下部電極３２上に設けられた容量絶縁膜３４、および容量絶縁膜３４上に設けられた上部電極３６によって構成されている。ここで、層間絶縁膜２０と容量素子３０との界面Ｓ１は、略平坦である。また、層間絶縁膜２０の下面Ｓ２は、容量絶縁膜３４に対向する位置に凹凸を有している。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性を向上でき、信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、空洞１５中に設けられＣｕを主成分とする配線層２２−１と、前記配線層と電気的に接続されて所定の構成元素を含む層間絶縁膜１７中に設けられＣｕを主成分とするビア層２３−１とを備えた空中配線Ｗ１と、前記空中配線上に設けられたポーラス膜１１−２と、前記空中配線の表面上を覆うように設けられ、前記所定の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分としたバリア膜（Ｍｎ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚ膜）２５−１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 本番チップにＰＣＭを設けても、チップサイズが増大しないようにする。
【解決手段】 製造工程の不良解析用のＰＣＭ２２は半導体装置２１のチップ内に埋め込まれている。ＰＣＭ２２の測定用のパッド１２はチップの側面に設けられている。半導体装置２１は各層が積層されて構成され、パッド１２はその積層構造の最上層のメタルより下層に位置するメタルで形成されている。 （もっと読む）

【課題】 集積回路配線に拡散バリア層を形成する方法を提供する。
【解決手段】 集積回路１０の銅又は金の配線１８の上に、物質を電着し、その少なくとも一部を、窒素と電着物質から成る層２２に変質する。変質は、電着物質を窒素含有プラズマに晒すことで行われる。窒化クロム及び酸窒化クロムが、窒素含有物質の例である。電着及び変質の間の処理温度は、５００℃を超えない範囲で選択される。一例として、集積回路１０の銅配線１８は、配線１８上にクロムを堆積するため電流が供給されている間、クロムイオン含有環境に晒される。クロムは、窒素含有プラズマを用いて窒化クロム含有拡散バリア２２に変質される。 （もっと読む）

【課題】障壁金属スペーサを備える半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成された第１金属ラインと、第１金属ラインの一部分と電気的に連結されたビアプラグを備え、ウィンドウを含むエッチング停止膜と、ビアホール及びトレンチを含む層間絶縁膜と、ビアホール内の層間絶縁膜の側壁を覆っており、第１金属ラインの一部分を露出し、ウィンドウ内のエッチング停止膜の少なくとも側壁の下端を露出する第１障壁金属スペーサと、を備える半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】銅配線を覆って設けられるバリアメタル膜のバリア性能が向上されており、低比誘電率層間絶縁膜から放出されるガスによりバリアメタル膜が酸化されても、銅配線の信頼性や性能、および品質等が低下するおそれの殆ど無い半導体装置を提供する。
【解決手段】比誘電率が３以下である絶縁膜３が基板１上に少なくとも１層設けられている。少なくとも一部がこの絶縁膜３内に形成されている凹部１０の内面を覆って第１のバリアメタル膜６が設けられている。この第１のバリアメタル膜６の表面を覆って凹部１０内に第２のバリアメタル膜７が設けられている。この第２のバリアメタル膜７の表面を覆って凹部１０内に第３のバリアメタル膜８が設けられている。この第３のバリアメタル膜８の表面を覆って凹部１０内にＣｕ膜１１が埋め込まれて設けられている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、電気的接続信頼性に優れる半導体装置の製造方法の簡略化を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する半導体基板１０の上方に、第１の樹脂層３０と、第１の樹脂層３０よりも小さい幅を有する複数の第２の樹脂層３２と、を形成する工程と、第１の樹脂層３０及び複数の第２の樹脂層３２をキュアすることにより、第１の樹脂層３０により樹脂突起４０を形成し、複数の第２の樹脂層３２を一体化させることにより樹脂突起４０を超えない高さを有する樹脂部４２を形成する工程と、電極パッド１６と電気的に接続する導電層５０を、電極パッド１６の上方から樹脂突起４０の上方を通り、さらに樹脂部４２の上方に至るように形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 低いコンタクト抵抗及び向上した信頼性を有する複合スタッド・コンタクト接続のための方法及び構造体を提供する。
【解決手段】 フッ素含有ガスを含む選択的なドライ・エッチングが用いられる。コンタクトの抵抗は、Ｍ１のＲＩＥプロセスの後又は間に、タングステン・コンタクトを部分的にドライ・エッチバックすることによって低減される。窪んだコンタクトは、続いて、Ｍ１ライナ／めっきプロセス中にメタライズされる。タングステン・コンタクトの高さは、それが完全に形成された後に縮小される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、電気的接続信頼性に優れる半導体装置及び電子デバイスを提供することにある。
【解決手段】 半導体装置１００は、電極パッド１４及びパッシベーション膜１６を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の上方に形成された樹脂突起２０と、半導体基板１０の上方に樹脂突起２０を超えない高さを有するように形成された樹脂部２２と、電極パッド１４と電気的に接続され、電極パッド１４の上方から樹脂突起２０の上方を通り、さらに樹脂部２２の上方に至るように形成された導電層３０と、を含む。導電層３０は、樹脂部２２の全体を被覆して形成され、樹脂部２２の全周辺領域においてパッシベーション膜１６と接触して形成されている。 （もっと読む）

【課題】 凹部の最下層の底部のみを選択的に削り取りつつ凹部内の表面を含む被処理体の表面全域に金属膜を形成することができ、しかも凹部の幅に依存することなく同じ深さだけ底部を削り取って同じ深さの削り込み凹部を形成することができる金属膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 不活性ガスをプラズマ化することにより形成されたプラズマにより真空引き可能になされた処理容器３４内で金属ターゲット７８をイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を発生させ、金属粒子を処理容器内の載置台４４上に載置した被処理体Ｗにバイアス電力により引き込んで表面に凹部５が形成されている被処理体の表面に金属膜１０ｂを形成する成膜方法において、凹部の最下層の底部を削って削り込み凹部１２を形成しつつ凹部内の表面を含む被処理体の表面の全体に前記金属膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 実装性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、電極１４を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面に形成された、１つの直線２１に沿って延びる形状をなす樹脂突起２０と、電極１４と電気的に接続されてなり、樹脂突起２０上に至るように形成された配線３０とを含む。樹脂突起２０は、直線２１に沿って、樹脂突起２０の中央から離れるほど高さが低くなる傾斜領域２４を有する。配線３０は、傾斜領域２４上を通るように形成されてなる。 （もっと読む）

光学的に書き込み可能なマスクを使用して半導体基板上の薄膜構造体を処理する方法は、所定パターンに従ってエッチングされるターゲット層を表面に有する基板をリアクタチャンバ内に配置するステップと、（ａ）チャンバに炭素含有処理ガスを導入する工程、（ｂ）再入経路の外部にプラズマＲＦソース電力を結合することによりワークピースの上にあるプロセス領域を含む再入経路で再入トロイダルＲＦプラズマ電流を生成する工程、（ｃ）ＲＦプラズマバイアス電力またはバイアス電圧をワークピースに結合させる工程により基板上に炭素含有ハードマスク層を堆積するステップと、を含む。その方法は、炭素含有ハードマスク層に所定のパターンをフォトリソグラフィで画成するステップと、そのハードマスク層が存在するときにターゲット層をエッチングするステップと、を更に含む。
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【課題】 本発明の目的は、電気的接続信頼性に優れる半導体装置及び電子デバイスを提供することにある。
【解決手段】 半導体装置１００は、電極パッド１４及びパッシベーション膜１６を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の電極パッド１４よりも内側に形成された樹脂突起２０と、半導体基板１０の樹脂突起２０よりも内側に形成され、樹脂突起２０を超えない高さを有するように形成された樹脂部２２と、電極パッド１４と電気的に接続され、電極パッド１４の上方から樹脂突起２０の上方を通り、さらに樹脂部２２の上方に先端部３８が位置するように形成された導電層３０と、を含む。 （もっと読む）

表面上に金属含有フィルムを形成させる原子層蒸着法が提供される。これらの方法は、これらの方法の最も広い態様において、（ａ）表面を表面活性化剤にさらして表面上に表面活性化錯体の蒸着物を形成させる工程と、
ｂ）表面活性化錯体の蒸着物を金属前駆体にさらして表面上に金属錯体の蒸着物を形成させる工程と、
ｃ）蒸着させた金属錯体を還元剤と反応させて、表面上に酸化物を含まない金属含有フィルムを形成させる工程とを含んでなり、ここで、金属はＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＩｒおよびＷよりなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】 埋込銅配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 絶縁膜１４，１５に配線溝を形成し、その配線溝の底面および側面上を含む絶縁膜１５上に導電性バリア膜１８と銅の主導体膜１９を形成し、ＣＭＰ法により不要な部分を除去して配線２０を形成する。そして、主導体膜１９上にタングステンからなる金属キャップ膜２２を選択成長させてから、配線２０を埋込んだ絶縁膜１５上に絶縁膜２３〜２６を形成し、ビア３０が金属キャップ膜２２を貫通して主導体膜１９を露出するようにビア３０及び配線溝３１を形成し、ビア３０の底部で露出した主導体膜１９上にタングステンからなる金属キャップ膜３２を選択成長させた後に、ビア３０および配線溝３１の内部を含む絶縁膜２６上に導電性バリア膜３３と銅の主導体膜３４を形成し、ＣＭＰ法により不要な部分を除去して配線３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を含む組成物を吐出して選択的に光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を形成し、光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を、めっき触媒物質を含む溶液中に浸漬し、光触媒物質、又はアミノ基を有する物質にめっき触媒物質を吸着又は析出させ、めっき触媒物質を、金属材料を含むめっき液に浸漬し、めっき触媒物質を吸着又は析出させた光触媒物質又はアミノ基を有する物質表面に金属膜を形成し半導体装置を作製し、めっき触媒物質を含む溶液はｐＨを３以上６以下に調整して用いる。 （もっと読む）

【課題】高い歩留りを確保するとともに、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１の表面に凹部５を形成し、この凹部５に対応する凸部７を絶縁性基板６（ガラスなど）上に形成する。その後、凹部５と凸部７とを嵌め合わせ、接着層８を介して、半導体基板１と絶縁性基板７とを接合する。半導体基板１の裏面をバックグラインドし、凸部７を露出させ、その後、ビアホール１０形成、貫通電極１４形成、導電端子１８形成、ダイシング等の工程を行う。このとき半導体基板１の表面及び側面は絶縁性基板６で被覆（保護）されている。なお、凸部７は所定の幅を有しており、ダイシングは凸部７の中点付近で行うようにする。 （もっと読む）

【課題】厚さの異なる複数本の配線を同じ層に効率良くかつ容易に設けることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の幅を有する第１の凹部３、および第１の幅の１／ｘ（ｘは１より大きい正の数）の大きさである第２の幅を有するとともに第１の凹部３と同じ深さを有する第２の凹部４を、基板１上の第１の絶縁膜２に形成する。第１の凹部３および第２の凹部４が形成された第１の絶縁膜２の表面を覆って第２の絶縁膜５をその膜厚が第１の幅の１／２ｘの大きさになるまで設ける。第１の凹部３の側部に第２の絶縁膜５を残しつつ第１の凹部３の底部が露出するまで第１の絶縁膜２の表面上に設けられた第２の絶縁膜５を主にその膜厚方向に沿って異方的に除去する。第１の凹部３および第２の凹部４のそれぞれの内部に導電体６を設ける。 （もっと読む）

【課題】抵抗分布のばらつきを防止する。
【解決手段】第1の面12aに存在する複数の配線部形成領域12cを有する半導体基板12と、第1の面上に設けられている第1絶縁膜14と、素子13に至って設けられている1個又は2個以上の埋込みコンタクト16aと、素子とは非接続として設けられている複数のダミー埋込みコンタクト18aと、埋込みコンタクトに電気的に接続されている複数の第1配線部22及びダミー埋込みコンタクトに接続されているダミー第1配線部24を含む第1配線層20と、表面14a及び第1配線層上を覆っている第2絶縁膜30と、第1配線部を露出させるヴィアホール32を埋め込む埋込みヴィア32aと、ダミー第1配線部の一部分を露出させる複数のダミーヴィアホール18を埋め込むダミー埋込みヴィア18aと、埋込みヴィアに電気的に接続されている第2配線部42及びダミー埋込みヴィアに接続されているダミー第2配線部44を含む第2配線層40とを具えている。 （もっと読む）