【課題】バリアメタルがない場合であっても、配線の平坦性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施例の半導体装置の製造方法は、半導体基板１上に層間絶縁膜２を形成し、層間絶縁膜２上に金属を含むメタルマスク３を形成し、メタルマスク３および層間絶縁膜２の一部をエッチングして、メタルマスク３および層間絶縁膜２にパターン溝２ａを形成し、パターン溝２ａ内を埋め込むように、層間絶縁膜２上に導電層５を形成し、パターン溝２ａ内に導電層５を残すように、層間絶縁膜２上の余剰の導電層５を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 ＷＰＰを使用した半導体装置において、最上層配線間のショート不良を防止することにより、信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】 最上層配線４３ａと再配線５０との間に緩衝層４７を設ける。このとき、例えば、最上層配線４３ａは銅膜より形成され、緩衝層４７は、アルミニウム膜より形成される。さらに再配線５０は、銅膜５１とニッケル膜５２の積層膜から形成される。このように構成された半導体装置において、低温と高温との間の温度サイクルで３重点Ｘに応力が集中する。この３重点Ｘに集中した応力は、緩衝層４７の存在によって緩和され、３重点Ｘの直下にある界面Ｙへの応力の伝達を抑制することができる。このため、界面Ｙでの応力による剥離を防止できる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁体、あるいは層内絶縁体および層間絶縁体としてエアギャップを統合する銅のインタコネクトを製造する方法を提供すること。
【解決手段】層間絶縁構造の形成方法であって、第１の金属層を提供する工程と、第１の犠牲層を堆積する工程と、エッチング停止層を堆積する工程と、第２の犠牲層を堆積する工程と、２層のハードマスクを形成する工程と、２層のハードマスクをパターニングしてビアマスクおよびトレンチマスクを生成する工程と、第２の犠牲層をエッチングしてビアを形成する工程と、エッチング停止層の剥き出し部分と第１の犠牲層とをエッチングして第１の金属層を剥き出しにする工程と、第２の犠牲層をエッチングしてトレンチを形成する工程と、バリア金属および銅を堆積し、平坦化して第２の金属層を形成する工程と、第１および第２の犠牲層を分解して上記犠牲層をエアギャップと交換する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】 電力増幅モジュールやそれに用いる集積受動部品または半導体チップの低コスト化および高性能化を図る。
【解決手段】 集積受動部品５において、シード膜５１、銅膜５３およびニッケル膜５４の積層膜からなる配線５５により、ＲＦパワーモジュールのローパスフィルタ回路を構成するインダクタ素子が形成される。ニッケル膜５４は、銅膜５３の全面上に形成され、表面保護膜としての絶縁膜６１の開口部６２から露出するニッケル膜５４上に、金膜６３およびバンプ電極６４が形成されている。ニッケル膜５４は、無電解Ｎｉ−Ｐめっき膜であり、リンを１０重量％以上含有し、非磁性状態とされている。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製した半導体装置を提供することを目的とする。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】連続した波状形状有する形状のパターンを、均一な間隔をもって隣接して備えた半導体装置である。隣接するパターンにおいて、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、パターン同士の線幅の最大個所（節の最大値）同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接したパターンを設けることができる。 （もっと読む）

【課題】 成膜が容易で、高速で成膜可能な低誘電率薄膜を提供する。
【解決手段】気相より、空孔生成材料と、骨格生成材料とを、基板表面に供給する工程と、前記基板表面で、前記骨格生成材料によって生成される骨格が前記空孔生成材料を取り囲むように画定された薄膜を成膜する工程と、前記薄膜から前記空孔生成材料を除去し、空孔を形成する工程とを含み、前記空孔を前記骨格が取り囲むように形成された多孔質薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属化合物からなるエッチング残渣または研磨残渣を、配線材料に対して選択的に除去することができる洗浄方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層配線１８が設けられた基板上に、低誘電率絶縁膜２０、低誘電率絶縁膜２２を含む層間絶縁膜を成膜する。次いで、エッチングにより、層間絶縁膜をエッチングして、コンタクトホール２４を形成するとともに、このコンタクトホール２４の上部に連通する配線溝２５を形成し、コンタクトホール２４の底部に下層配線１８を露出させる。続いて、トリアリルアミンおよびトリス（３−アミノプロピル）アミンの少なくとも１種を含有する超臨界二酸化炭素流体を、この状態の基板の表面に供給して洗浄することで、下層配線１８からの金属化合物１８’を含むエッチング残渣を除去する洗浄方法および半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つ。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板（不図示）上に形成されるとともに凹部が形成された第１の絶縁膜１０２と、導電体２０６、ならびに導電体２０６の一端と他端にそれぞれ設けられた第１の端子２０２および第２の端子２０４を有し、第１の絶縁膜１０２上に設けられた電気ヒューズ２００とを含む。導電体２０６は、第１の絶縁膜１０２の凹部を埋め込むように形成されるとともに、導電体２０６を構成する材料が凹部外に流出した流出領域２１２を有し、流出領域２１２とは異なる箇所が切断される。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内均一性を高めた半導体デバイス用ＴａＮ膜を提供する。
【解決手段】半導体デバイス用ＴａＮ膜はＣｕまたはＣｕ合金からなる配線膜に対するバリア層として用いられるＴａＮ膜であって、膜厚の面内均一性が5％以下とされている。 （もっと読む）

半導体装置用のダマシン配線（１）の製造方法を示す。非導電性バリヤ層（１０）が、多孔質低誘電率材料によって定義されるパッセージ（７）の壁の上と、パッセージ（７）の一端を閉じる銅領域（３）の表面の上とに形成される。非導電性バリヤ層（１０）は、誘電性材料の貫通細孔からなるその下層部（１０ａ）が非導電性を残している間に、その上層部（１０ｂ）を導電層に変換するためにプラズマ処理される。ついで、パッセージ（７）は、今度は導電性になっているバリヤ（１０）の上層部（１０ｂ）を介して第１銅領域（３）と電気配線を形成する第２銅領域（１３）で満たされる。当業者にとって明らかなように、本文献において開示、請求される本発明のすべての実施形態は、本発明の範囲を超えることなしに結合されても良い。
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【課題】半導体ウエハ上に形成された金属層を効果的に研磨する。
【解決手段】半導体ウエハ上に形成された金属層（６１２）を研磨する方法であって、この金属層（６１２）は、障壁層（６０４）上に形成されており、障壁層（６０４）は、凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を具備する誘電体層（６０８）上に形成されており、この金属層（６１２）は、誘電体層の凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を覆っているものにおいて、金属層（６１２）を研磨し、非凹部領域（６１０）を覆っている金属層（６１２）を除去する段階と、凹部領域（６０６）内の金属層を非凹部領域（６１０）の高さに研磨する段階であって、この高さを障壁層（６０４）の厚さ以上とする方法。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ電極とコンタクトプラグとの導通性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁膜１５−１と、前記絶縁膜中に設けられ、金属を主成分とするコンタクトプラグ１６と、前記絶縁膜上に設けられ、前記金属より酸素親和性が高く、酸化物を主成分とする第１接着膜３３−１と、前記コンタクトプラグ上および前記第１接着膜上に設けられ、酸素の拡散を防止するように働く第１キャパシタ電極２１と、前記第１キャパシタ電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜２２と、前記キャパシタ絶縁膜上に設けられた第２キャパシタ電極２３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 密着性を高める機能を併せ持つバリア層が形成されるまでの期間に、配線部材の十分な密着性を確保し、配線部材の剥離を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ１）半導体基板の上に形成された絶縁膜に凹部を形成する。（ａ２）凹部の内面、及び絶縁膜の上面を覆うように、ＣＶＤ法により、Ｍｎからなる第１の膜を形成する。（ａ３）第１の膜の上に、Ｃｕを主成分とする導電材料を堆積させるとともに、凹部内に該導電材料を充填する。（ａ４）半導体基板をアニールする。 （もっと読む）

【課題】空孔率の高い層間絶縁膜を用いた信頼性の高い多層配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】空孔率が５０％以上の層間膜を有する下層配線層と、空孔率の低い上層配線層を備える多層配線構造において、配線層間を接続するビアを配線層を介して基板表面に垂直方向に連続して形成したスタックドビア７０とチップ外周部に設けた外周リング８０により、空孔率が低く厚い層間膜を有する上層配線層を支える構造とする。 （もっと読む）

【課題】接続孔または配線溝の側壁に露出される層間絶縁膜に吸着している水分を確実に脱ガスさせて除去するとともに、接続孔の底部への下層配線の隆起を防ぐことが可能な半導体装置の製造方法を提供する
【解決手段】表面側に下層配線９が設けられたＳｉＯ₂層４上に、保護膜１０と第１絶縁膜１１および第２絶縁膜１２とを順次形成する。次に、下層配線９上の第１絶縁膜１１および第２絶縁膜１２に、保護膜１０に達する接続孔１６と接続孔１６の上部に連通する配線溝１７を形成する。次いで、接続孔１６の底部に保護膜１０を残存させた状態で、第１の熱処理を行う。続いて、保護膜１０を除去し、接続孔１６の底部に下層配線９を露出させる。次に、接続孔１６の底部に下層配線９を露出させた状態で、第１の熱処理よりも低い温度で第２の熱処理を行う。その後、接続孔１６および配線溝１７にヴィアおよび配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 半田等の接合材との接続信頼性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置１０Ａは、半導体基板１１の上面に活性領域２０が形成され、この活性領域は酸化物が埋め込まれたトレンチ２４により囲まれている。また、活性領域と電気的に接続された貫通電極１６は、半導体基板の上面から裏面まで延在している。ここで、貫通孔１６の下端は、半導体基板１１の裏面を被覆する絶縁膜２７よりも下方に突出している。従って、半田等の接合材を用いて半導体装置１０Ａを実装する際に、外部に突出する貫通電極１６が接合材に埋め込まれて、接続信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】水素を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理および還元性ガスを用いたプラズマ処理を併用して行うことで、自然酸化膜の除去を可能とする。
【解決手段】基板１０に形成された層間絶縁膜１１に、表面が露出する様に銅を含む導電層１５を形成する工程と、前記導電層１５表面に対して水素を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理を行う工程と、前記導電層１５表面に対して還元性ガスを含むプラズマ処理を行うことによって前記導電層１５表面に対して還元処理を行うとともに前記熱還元処理により吸着された水素を脱離させる工程と、前記プラズマ処理後の前記導電層１５表面が酸素を含む雰囲気にさらされることなく前記導電層１５表面を被覆する酸化防止膜１７を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 導電部材中のＣｕ以外の元素の含有量を低減させ、比抵抗を低下させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に、凹部が設けられた絶縁膜を形成する。（ｂ）開口の内面及び絶縁膜の上面を、Ｃｕ以外に第１の金属元素を含むＣｕ合金からなる補助膜で覆う。（ｃ）凹部内に充填されるように、補助膜上に、Ｃｕを主成分とする導電部材を堆積させる。（ｄ）Ｐ化合物、Ｓｉ化合物、またはＢ化合物を含有する雰囲気下で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】銅配線のベリア金属層の物質としてＣＶＤ ＴｉＳｉＮを用いて６５ｎｍ以下の半導体素子にも適用できるようにした半導体素子の金属配線およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子の金属配線は、半導体素子が形成された半導体基板と、前記半導体素子に相応する部分にコンタクトホールを有し、前記半導体基板に形成される絶縁膜と、前記コンタクトホール内に形成されるＴｉＳｉＮベリア金属層と、前記ＴｉＳｉＮベリア金属層上に形成される銅配線とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】ショート欠陥を容易に速やかに検出することができ、ショート欠陥の原因となるマイクロスクラッチ対策にも有用な半導体装置およびその欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上の最上層の絶縁膜１２の上に、前記半導体基板１１あるいは下層配線に対して電気的に接続された第１の線分導体パターン１４と電気的に接続されない第２の線分導体パターン１３とが交互に並列に配列されてなる、荷電ビームによる画像上で検査されるテストパターン１６を有した半導体装置とする。 （もっと読む）