【課題】下地基板を使わずに、プリント基板等へのダイレクトな接続をすることができる、チップオンチップ構造の半導体装置を実現する。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１の表面に接合された半導体チップ２１とによりチップオンチップ構造が形成されている。半導体素子１の表面における半導体チップ２１が接合される領域外には、バンプ電極６が配置されている。このバンプ電極６は、半導体素子１の貫通孔１ａを貫通するバンプ金属８と配線７を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】低誘電率絶縁膜を用いた多層配線構造の配線の特性を向上する。
【解決手段】まず、フォトレジスト膜２５ｃをマスクとしてストッパ絶縁膜２１ｃ／低誘電率絶縁膜２２ｃ／キャップ絶縁膜２３ｃからなる積層絶縁膜２４ｃ中のストッパ絶縁膜２１ｃを含めた状態までドライエッチングすることによって、積層絶縁膜２４ｃに配線溝３２を形成する。次いで、還元性プラズマ処理によって、フォトレジスト膜２５ｃを除去した後、配線溝３２に配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ層と絶縁膜の界面に自己形成反応により、Ｍｎを含む拡散バリア膜を形成する際に、Ｃｕ層中に残留したＭｎの濃度を低減し、比抵抗を低減する。
【解決手段】拡散バリア膜を形成する自己形成反応の際に、Ｃｕ層表面を、Ｍｎと反応して気相反応生成物を形成する雰囲気に曝露する。 （もっと読む）

【課題】銅膜を含む接続構造において、ＳＩＶ耐性およびＥＭ耐性を良好にする。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板と、半導体基板上に形成された第２の絶縁層１１２と、第２の絶縁層１１２上に形成され、銅が第２の絶縁層１１２に拡散するのを防止する第２のバリアメタル膜１１８と、第２のバリアメタル膜１１８上に当該第２のバリアメタル膜１１８に接して形成され、銅と炭素とを含む第２の導電膜１２２と、を含み、第２の導電膜１２２中の積層方向における炭素の濃度分布が第１のピークおよび第２のピークを有する。 （もっと読む）

Ｎチャネル（１１３、１１５）およびＰチャネル（１１１）トランジスタが、引張ストレッサ層（１２８）および圧縮ストレッサ層（１２６）をそれぞれ付加することによって、拡張される。２つのストレッサ層について、これまで知られていなかった問題が見つかった。ストレッサ層は、両方とも好都合なことに窒化物であっても良いが、ある程度別の仕方で作製される。２つのストレッサはエッチ・レートが異なる。そのため、２つのストレッサ間の界面においてコンタクト・ホールをエッチングするときに有害な影響が出る。ゲートに対するコンタクトは、Ｎチャネル・トランジスタとＰチャネル・トランジスタとの間の中間であることが好ましい場合が多い。これは一見したところ、２つのストレッサ層間の境界に対して最良の箇所でもある。境界においてコンタクト・エッチングを行なう結果、その下にあるゲート構造またはコンタクト・ホール内の残留窒化物に穴を開ける可能性がある。したがって各コンタクト（１５４）が確実に、コンタクトが通っているストレッサと反対のタイプのストレッサから少なくとも何らかの所定の距離に位置することが有用であることが分かっている。
（もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物の提供。
【解決手段】本発明は、半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物を目的としている。本発明によれば、上記方法とは、銅イオン源を４５〜２００ｍＭ、好ましくは４５〜１００ｍＭの濃度で、及び２〜４つのアミン官能基を有する脂肪族ポリアミンである少なくとも１種の銅錯化剤を３０〜２００ｍＭ、好ましくは６０〜２００ｍＭの濃度で溶媒中の溶液に含有し；かつ上記銅／錯化剤のモル比が０．２〜２、好ましくは０．３〜１．５である銅電解槽を調製し、基板の銅拡散バリア層を上記銅電解槽に接触させ、上記基板に、銅が電気めっきされる厚みに従い調整された時間中、電気的バイアスを印加し、上記基板を上記銅電解槽から取り出す方法である。 （もっと読む）

【課題】配線形成時において、エッチングストッパー膜にピンホールが発生することを防止して下層配線層Ｃｕの溶解を抑制できる多層配線形成技術を提供する。
【解決手段】基板上に第１絶縁膜２を形成する工程と、第１絶縁膜中に表面が露出するように下層配線層１を形成する工程と、下層配線層上を含む第１絶縁膜上に、少なくとも後の工程によりコンタクトホールが形成される領域に当該領域の周辺部に比べて膜厚が大きい厚膜部１０ａを有する第２絶縁膜１０を形成する工程と、第２絶縁膜上に少なくとも１層からなる第３絶縁膜４を形成する工程と、第３絶縁膜中および第２絶縁膜中に底面が下層配線層に達するようにコンタクトホール８を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】銅膜の表面にマンガン化合物膜を残すことにより、歩留まりおよび配線信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板１上に層間絶縁膜４を形成する工程と、層間絶縁膜４に開口部４ａ，４ｂを形成する工程と、開口部４ａ，４ｂの内壁を被覆する第１マンガン含有銅膜を形成する工程と、層間絶縁膜４の表面に、マンガン化合物膜８を形成する第１アニール処理を行う工程と、マンガン化合物膜８上であって、開口部４ａ，４ｂの内壁を被覆する第２マンガン含有銅膜６−２を形成する工程と、開口部４ａ，４ｂを埋め込む銅膜７−２を形成する工程と、層間絶縁膜４上に形成された銅膜７−２を除去する工程と、銅膜７−２と層間絶縁膜４の界面および銅膜７−２の表面に、マンガン化合物膜８，１０を形成する第２アニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｎ−Ｈ結合含有量の少ないプラズマＣＶＤ成膜方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気下で、ヘキサメチルジシラザンガスとアンモニアガスとアルゴンガスとをチャンバ１２内に供給し、ウェハＷ表面にＳｉＣＮ系膜の厚さ１〜１０ｎｍ程度の薄膜を形成する。次いで、アルゴンガスを供給した状態で、さらに減圧し、ウェハＷを加熱する。このアニール処理により、薄膜中のＮ−Ｈ結合が励起され、解離によりＨが膜中から除去される。この薄膜形成処理と、アニール処理と、を繰り返し、所定厚さのＳｉＣＮ系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の誘電率を上昇させるダメージを受けた領域の除去量を適正化することで除去領域への絶縁膜の埋め込み性を改善するとともに配線間の絶縁膜の低誘電率化を図って、配線信頼性の向上を図る。
【解決手段】基板上に第１絶縁膜１１を形成した後に前記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる犠牲膜１２を形成する工程と、前記犠牲膜１２と前記第１絶縁膜１１に凹部（第１配線溝１３）を形成する工程と、前記第１配線溝１３内にバリア膜１４を介して導電体（第１配線１６）を形成する工程と、前記犠牲膜１２を前記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングして除去する工程と、前記犠牲膜の除去領域１７を埋め込むように前記第１絶縁膜１１上に第２絶縁膜１８を形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層された導電性バリア層の酸素バリア性を向上させると共に、積層された導電性バリア層に生じる浮きや剥離を防止してコンタクト抵抗の安定化を図る。
【解決手段】半導体装置は、容量素子２１とトランジスタのソース領域又はドレイン領域１３とを電気的に接続するコンタクトプラグ１５と、該コンタクトプラグ１５の上に形成された高融点金属のみの窒化物である窒化チタンからなる導電層１６Ａと、窒化チタンアルミニウム膜、イリジウム膜及び酸化イリジウム膜の積層膜からなる酸素の拡散を防止する多結晶状の導電性酸素バリア層１７とを有している。結晶配向性が低い窒化チタンからなる導電層１６Ａを導電性酸素バリア膜１７の下側に設けたことにより、導電層１６Ａの直上に形成される導電性酸素バリア膜である窒化チタンアルミニウム膜は緻密な膜構造となるため、酸素の侵入を効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】配線の接続抵抗を低減し、かつ、接続信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１導電層４が形成された基板１上に、層間絶縁膜６を形成する工程と、層間絶縁膜６に第１導電層４を露出させる接続孔９を形成する工程と、接続孔９に露出した第１導電層４の表面を酸化して、酸化膜１０を形成する工程と、酸化膜１０を選択的に除去して、第１導電層４の表面を窪ませる工程と、接続孔９内に第２導電層を埋め込む工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ビアファーストデュアルダマシンプロセスを用いた半導体装置の製造における、配線マスク工程で使用するアライメントマークの視認性を高める。
【解決手段】アライメントマークを不透明な金属や金属化合物を含んで形成し、アライメントマークのパターン開口領域と非開口領域とに色彩が相違して視認される材料を配置することにより、高い視認性のアライメントマークを得ることが可能で、マスク工程の合わせずれを低減させ、デバイスの歩留まりおよび信頼性を向上することができる。
（もっと読む）

【課題】配線抵抗のバラツキを低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板（１１）上に設けられ、トレンチ又はホールとしての複数の凹部（１２ａ、１２ｂ）を有する絶縁膜１２の上に、第１の導電膜（１３）を形成する。次に、第１の導電膜（１３）の表面層（１３ａ）を除去する。次に、第１の導電膜（１３）の上に第２の導電膜（１４）を形成する。次に、第１の導電膜（１３）及び第２の導電膜（１４）における複数の凹部（１２ａ、１２ｂ）の外部に存在する部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成され、凹部が設けられた絶縁膜上に拡散バリア用下地膜を形成し、その上に第１の銅膜を形成し、当該第１の銅膜を電極とした電解メッキ法により第２の銅膜を形成する銅配線膜形成方法において、密着性の改善に有効なＣｕシード膜のアニール処理を行っても、半導体基板上のホールやトレンチパターンの上角部（開口部近傍）といった基板表面において、Ｃｕシード膜が弾かれその下の拡散バリア用下地膜が露出する現象を起こさずにアニール処理が行える方法と、これによる配線膜を提供する。
【解決手段】拡散バリア用下地膜の形成から前記第１の銅膜形成までの工程が、前記半導体基板を大気に晒すことなく真空一貫の状態で行われると供に、当該工程の間に、到達真空度で１×１０^-4Ｐａ以下の真空状態にしてから前記拡散バリア用下地膜が加熱される。 （もっと読む）

【課題】 導体回路素子内の微細配線形成方法として使用されているいわゆるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用し得るナノメータオーダーの微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の微細パターンの形成方法は、基板上に設けられた絶縁膜に形成された溝及び孔の少なくとも一方を、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、めっき液及び界面活性剤を含む超臨界流体又は亜臨界流体を用いためっき法により所定の金属で埋めることを特徴とする。この場合、めっき液として従来から使用されている電解めっき液や無電解めっき液を使用することができ、また、本発明の微細パターンの形成方法を実施する際には、脱脂部Ａ、酸洗部Ｂ、触媒化部Ｃ及びめっき部Ｄを備える表面処理装置１０を使用し得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、埋め込み配線が形成されている層間絶縁膜の誘電率等を変化させること無く、また当該層間絶縁膜にダメージを与えること無く、拡散防止膜の圧縮応力を緩和することができ、さらには、当該層間絶縁膜の硬度および弾性率を増加させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係わる半導体装置の製造方法は、次の各工程を備えている。まず、半導体基板１上に第一の層間絶縁膜２を形成する。次に、第一の層間絶縁膜２に埋め込み配線７を形成する。次に、埋め込み配線７を覆うように、第一の層間絶縁膜上２に圧縮応力を有する膜（拡散防止膜８）を形成する。次に、半導体基板１に対して、ＵＶ照射もしくはＥＢ照射を伴うアニール処理を施す。 （もっと読む）

【課題】メッキ処理を用いることなくプラズマスパッタだけで微細な凹部を金属によりボイドを発生させることなく埋め込むことができる成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器２４内でプラズマにより金属ターゲット７０をイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を載置台３４上に載置した被処理体Ｗにバイアス電力により引き込んで凹部４を埋め込むようにした成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の金属ターゲットに対する対向面に関して、金属粒子による成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して凹部内に金属膜を形成する成膜工程と、金属粒子の供給を停止した状態で被処理体を金属膜の表面拡散が生ずる所定の温度範囲に加熱維持することにより金属膜の原子を凹部の底部に向けて移動させる拡散工程とを交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】電気的な短絡を防止するコンタクトを備える半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に形成された下部導電層１２４、下部導電層１２４を覆う層間絶縁膜１５０、層間絶縁膜１５０内に形成されるコンタクトホール１６０〜１６４、及びコンタクトホール１６０〜１６４を埋めるコンタクトプラグ１７０〜１７４を備える。コンタクトホール１６０〜１６４は、下部導電層１２４の上面を露出させるとともに、上断面が楕円形である。そして、コンタクトホール１６０〜１６４は、上断面の短軸方向に比べて長軸方向を近接して配列される。これにより、ボーイングによるコンタクトホール１６０〜１６４間の電気的な短絡を防止でき、素子の誤動作を減少させて性能を向上させて信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム処理プロセスの適用により、集積回路の相互接続構造に使用される、銅の相互接続配線層の表面上で、層をキャップ化する、改良された集積相互接続、集積回路の構造を形成する方法ならびに機器である。銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。銅のキャップ化処理、清浄化処理、エッチング処理、および膜形成処理用の、ガスクラスターイオンビーム処理モジュールを含む、各種クラスターツール構成について示した。
（もっと読む）