半導体装置およびその製造方法
【課題】キャパシタ電極とコンタクトプラグとの導通性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁膜１５−１と、前記絶縁膜中に設けられ、金属を主成分とするコンタクトプラグ１６と、前記絶縁膜上に設けられ、前記金属より酸素親和性が高く、酸化物を主成分とする第１接着膜３３−１と、前記コンタクトプラグ上および前記第１接着膜上に設けられ、酸素の拡散を防止するように働く第１キャパシタ電極２１と、前記第１キャパシタ電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜２２と、前記キャパシタ絶縁膜上に設けられた第２キャパシタ電極２３とを具備する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁膜１５−１と、前記絶縁膜中に設けられ、金属を主成分とするコンタクトプラグ１６と、前記絶縁膜上に設けられ、前記金属より酸素親和性が高く、酸化物を主成分とする第１接着膜３３−１と、前記コンタクトプラグ上および前記第１接着膜上に設けられ、酸素の拡散を防止するように働く第１キャパシタ電極２１と、前記第１キャパシタ電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜２２と、前記キャパシタ絶縁膜上に設けられた第２キャパシタ電極２３とを具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、例えば、強誘電体記憶装置（ＦｅＲＡＭ：ferro-electric random access memory）等に適用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、不揮発性半導体メモリの一つとして、強誘電体キャパシタを用いた強誘電体記憶装置（ＦｅＲＡＭ）が注目されている。
【０００３】
この強誘電体記憶装置では、エリアペナルティの観点から、キャパシタ電極とトランジスタのソースまたはドレインとの電気的な接続を導電性コンタクトプラグにより実現する、いわゆるＣＯＰ（capacitor on plug ）キャパシタ構造が採用されている（例えば、特許文献１参照）。また、キャパシタ電極の接着性の観点から、キャパシタ電極の界面にＴｉ（チタン）膜等の金属膜により形成された接着膜が設けられることが通常である。
【０００４】
しかしながら、微細化の要請に伴い、酸素拡散防止膜としても働くキャパシタ電極のＩｒ（イリジウム）膜の膜厚を薄くする必要がある。さらに、このキャパシタ電極の膜厚が薄いままで、キャパシタ形成工程のダメージを回復するための酸化性雰囲気中の回復アニール工程、または酸化性雰囲気中のその他の熱処理工程等を行うと、キャパシタ電極が酸素の拡散を十分抑制できずに、キャパシタ電極から微量な酸素が漏れ出す。
【０００５】
そのため、この漏れ出した酸素により上記接着膜が酸化して、コンタクトプラグとキャパシタ電極の間に、酸化された接着膜（ＴｉＯＸ膜：酸化チタン膜）が連続して形成されてしまう。結果、キャパシタ電極とコンタクトプラグとの間に直接接する部分（ダイレクトコンタクト）がなく、キャパシタ電極とコンタクトプラグの導通性を阻害してしまうという問題がある。
【特許文献１】特開２００４−６５９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明は、キャパシタ電極とコンタクトプラグとの導通性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の一態様によれば、絶縁膜と、前記絶縁膜中に設けられ、金属を主成分とするコンタクトプラグと、前記絶縁膜上に設けられ、前記金属より酸素親和性が高く、酸化物を主成分とする第１接着膜と、前記コンタクトプラグ上および前記第１接着膜上に設けられ、酸素の拡散を防止するように働く第１キャパシタ電極と、前記第１キャパシタ電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上に設けられた第２キャパシタ電極とを具備する半導体装置を提供できる。
【０００８】
この発明の一態様によれば、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜中にコンタクトホールを開口する工程と、前記コンタクトホール内に金属を充填し、コンタクトプラグを形成する工程と、前記絶縁膜上および前記コンタクトプラグ上に、前記金属より酸素親和性が高く、その膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍ以下の金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に第１キャパシタ電極を形成する工程と、前記第１キャパシタ電極上に強誘電体膜を形成する工程と、酸化性雰囲気中において熱処理を行い、前記強誘電体膜を結晶化させてキャパシタ絶縁膜を形成すると共に、前記絶縁膜上に前記金属膜と酸素とを反応させた第１接着膜を形成し、前記第１キャパシタ電極と前記コンタクトプラグとが直接接する部分を少なくとも１つは有するように前記コンタクトプラグ上の前記金属膜を拡散させ残存した前記金属膜と酸素を反応させて前記コンタクトプラグ上に第２接着膜を形成する工程と、前記キャパシタ絶縁膜上に第２キャパシタ電極を形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法を提供できる。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、キャパシタ電極とコンタクトプラグとの導通性を向上できる半導体装置およびその製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、この発明の実施形態について図面を参照して説明する。尚、この説明においては、全図にわたり共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００１１】
［第１の実施形態］
まず、この発明の一実施形態に係る半導体装置について、図１を用いて説明する。図１は、この実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【００１２】
図示するように、シリコン基板１１上にトランジスタＴＲが設けられ、層間絶縁膜１５−２中に強誘電体キャパシタＣ１が設けられている。
【００１３】
トランジスタＴＲは、基板１１上に設けられたゲート絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１２上に設けられたゲート電極１３、およびゲート電極１３を挟むように基板１１中に隔離して設けられたソースまたはドレイン１４を備えている。
【００１４】
強誘電体キャパシタＣ１は、接着膜３３−１、３３−２、下部キャパシタ電極２１、キャパシタ絶縁膜２２、上部キャパシタ電極２３、およびバリア膜２８を備えている。
【００１５】
また、層間絶縁膜１５−１中に、例えば、Ｗ（タングステン）等の金属を主成分（即ち、５０％以上）とし、ソース／ドレイン１４と下部キャパシタ電極２１とを電気的に接続する下部コンタクトプラグ１６が設けられている。
【００１６】
接着膜３３−１は、層間絶縁膜１５−１上に設けられ、下部コンタクトプラグ１６の主成分の上記金属Ｗより酸素親和性が高く、酸化物を主成分とする絶縁膜である。具体的には、例えば、ＴｉＯＸ（酸化チタン）膜等により形成され、その膜厚Ｄ１は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。ここで、酸素親和性とは、酸素との結合のし易さをいう。
【００１７】
接着膜３３−２は、下部コンタクトプラグ１６上に設けられ、その膜厚Ｄ２は接着膜３３−１の膜厚Ｄ１よりも小さい。より具体的に、接着膜３３−２の膜厚Ｄ２は、膜厚Ｄ１の半分程度である。
【００１８】
下部キャパシタ電極２１は、下部コンタクトプラグ１６上、接着膜３３−１、３３−２上に設けられている。さらに、下部キャパシタ電極２１は、熱処理工程の際における接着膜３３−１、３３−２への酸素の拡散を防止するようにも働く。この下部キャパシタ電極２１は、例えば、Ｉｒ（イリジウム）膜等により形成されている。
【００１９】
下部キャパシタ電極２１と下部コンタクトプラグ１６とは、直接に接している部分（ダイレクトコンタクト）３０−１、３０−２を有している。
【００２０】
キャパシタ絶縁膜２２は、下部キャパシタ電極２１上に設けられ、例えば、ＰＺＴ（ＰｂＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３）等の強誘電体膜により形成されている。
【００２１】
上部キャパシタ電極２３は、キャパシタ絶縁膜２２上に設けられ、例えば、Ｐｔ（プラチナ）等により形成されている。
【００２２】
バリア膜２８は、この強誘電体キャパシタの側面上および上面上を覆うようにもうけられ、Ｈ（水素）ガス等の拡散によるいわゆる水素アタック等を防止している。
【００２３】
層間絶縁膜１５−２中に、上部キャパシタ電極と電気的に接続された上部コンタクトプラグ２５が設けられている。このコンタクトプラグ２５は、例えば、ＷやＡｌ（アルミニウム）等の金属により形成されている。
【００２４】
層間絶縁膜１５−３中に、上部コンタクトプラグ２５と電気的に接続された配線層２７が設けられている。この配線層２７は、例えば、いわゆるプレート線として働き、ＡｌやＣｕ（銅）等の金属により形成されている。
【００２５】
層間絶縁膜１５−１〜１５−３は、例えば、ＳｉＯＣ膜等の低誘電率膜（いわゆるLow-k膜）により形成されている。
【００２６】
次に、この実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図１に示した半導体装置を例に挙げて、図２乃至図８を用いて説明する。この説明において、基板１１上のトランジスタＴＲの図示を省略する。
【００２７】
まず、半導体基板１１上に周知の工程を用いて、トランジスタＴＲを形成する（図示せず）。
【００２８】
続いて、図２に示すように、トランジスタＴＲ上を覆うように、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いてＳｉＯＣ膜等を堆積し、層間絶縁膜１５−１を形成する。続いて、トランジスタのソース／ドレイン１４上における層間絶縁膜１５−１を、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等を用いて基板１１表面上が露出するまでエッチングし、コンタクトホールを形成する。その後、上記コンタクトホール内に、例えば、スパッタ法等を用いて、Ｗ（タングステン）膜等を堆積する。続いて、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等を用いて、上記Ｗ膜を層間絶縁膜１５−１表面上まで平坦化してコンタクトホール内に埋め込み、下部コンタクトプラグ１６を形成する。
【００２９】
続いて、図３に示すように、層間絶縁膜１５−１上、下部コンタクトプラグ１６上に、例えば、スパッタ法等を用いて、膜厚Ｄ４が１ｎｍ以上５ｎｍ以下（例えば、４ｎｍ程度）に制御したＴｉ（チタン）膜３５を形成する。その後、このＴｉ膜３５上に、例えば、スパッタ法を用いてＩｒ（イリジウム）膜等を堆積し、下部キャパシタ電極２１を形成する。ここで、この工程の際に形成する下部キャパシタ電極２１の膜厚Ｄ３は、酸素拡散防止等の観点から、例えば、４０ｎｍ以上２００ｎｍ以下程度であることが望ましい。又、この下部キャパシタ電極２１は、上記Ｉｒ膜の単膜でなくとも、ＩｒＯ２膜やＰｔ膜、ＳｒＲｕＸＯＹ膜等の金属膜との積層でもかまわない。これらの積層膜の場合には、Ｉｒ膜がＴｉ膜３５の直上に位置するように形成することが望ましい。
【００３０】
続いて、図４に示すように、下部キャパシタ電極２１上に、例えば、スパッタ法またはＭＯＣＶＤ法を用いてＰＺＴ膜等の強誘電体膜を堆積し、キャパシタ絶縁膜２２を形成する。
【００３１】
続いて、図５に示すように、キャパシタ絶縁膜２２を結晶化して配行性を向上するために、Ｏ２（酸素）雰囲気中でアニール（熱処理）工程を行う。具体的に、このアニ−ル工程は、例えば、拡散炉を用いてＯ２雰囲気中で４００℃〜７００℃程度の温度で１０分〜１時間程度行うか、またはＲＴＰ装置等を用いてＯ２雰囲気中で４００℃〜８００℃程度の温度で１０秒〜１２０秒程度行うことが望ましい。
【００３２】
この熱処理工程の際に、層間絶縁膜１５−１上におけるＴｉ膜３５は、移動し難いために、キャパシタ電極２１から漏れ出した酸素により酸化されて酸化膜（ＴｉＯＸ膜）となり、膜厚Ｄ１が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の接着膜３３−１となる。ここで、層間絶縁膜１５−１上におけるＴｉ膜３５が移動し難いのは、Ｔｉ膜３５の形成直後に層間絶縁膜１５−１との界面に酸化膜（ＴｉＯＸ膜）が形成されるためである。
【００３３】
一方、下部コンタクトプラグ１６上におけるＴｉ膜３５は、移動し易いために、この工程の際の熱により、キャパシタ電極２１中に拡散して部分３０−１、３０−２を形成するか、または下部コンタクトプラグ１６上を移動しつつ酸化されて島状の酸化膜（ＴｉＯＸ膜）となり接着膜３３−２となる。ここで、下部コンタクトプラグ１６上におけるＴｉ膜３５が移動易いのは、コンタクトプラグ１６は金属を主成分としているために、酸化が発生するための酸素がなく、コンタクトプラグ１６との界面に酸化膜（ＴｉＯＸ膜）が形成されないためである。
【００３４】
このように、膜厚Ｄ４が１ｎｍ以上５ｎｍ以下に制御したＴｉ膜３５を先立って形成し、上記熱処理工程を行うことにより、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６とが直接接する部分（ダイレクトコンタクト）３０−１、３０−２を形成できる。
【００３５】
続いて、図６に示すように、キャパシタ絶縁膜２２上に、例えば、ＣＶＤ法等を用いて、Ｐｔ層、ＩｒＯ２層、またはＳｒＲｕＸＯＹ層等を堆積し、上部キャパシタ電極２３を形成する。その後、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを用いて、キャパシタ電極２３、キャパシタ絶縁膜２２、キャパシタ電極２１、接着膜３３−１を層間絶縁膜１５−１上までエッチングして分離し、キャパシタ構造を形成する。
【００３６】
さらに、キャパシタ構造の側面上および表面上を覆うように、例えば、ＣＶＤ法を用いてアルミナ膜等を堆積し、バリア膜２８を形成する。続いて、バリア膜２８上を覆うように、例えば、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯＣ膜等を堆積し、層間絶縁膜１５−２を形成する。さらに、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを用いて、層間絶縁膜１５−２およびバリア膜２８を貫通し、上部キャパシタ電極２３表面上が露出する開口部４３を形成する。
【００３７】
続いて、図７に示すように、層間絶縁膜１５−１上、開口部４３側壁上および上部キャパシタ電極２３上に沿って、例えば、ＣＶＤ法を用いてＷ（タングステン）層等を堆積する。さらに、例えば、ＣＭＰ法等を用いて、層間絶縁膜１５−２表面上まで平坦化し上記Ｗ層を開口部４３内に埋め込み、上部コンタクトプラグ２５を形成する。尚、上記Ｗ層を堆積する工程に先立って、ＴｉＮ膜等を堆積し、バリアメタル膜を形成することも可能である。また、開口部４３内部にＡｌ層を埋め込むことにより、上部コンタクトプラグ２５を形成することもできる。
【００３８】
続いて、図８に示すように、層間絶縁膜１５−２上および上部コンタクトプラグ２５上に、例えば、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯＣ層等を堆積し、層間絶縁膜１５−３を形成する。さらに、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを用いて、層間絶縁膜１５−３を貫通し、上部コンタクトプラグ２５表面上が露出する開口部を形成する。その後、この開口部内に、例えば、スパッタ法を用いてＣｕ層やＡｌ層等を堆積し、上記開口部内に埋め込み、配線層２７を形成する。尚、この配線層２７は、開口部内に、Ｔｉ膜／ＴｉＮ膜の積層構造のバリアメタル膜を形成した後、Ａｌ−Ｃｕ合金層を形成する構成とすることも可能である。以上の製造方法によって、図１に示す半導体装置を製造する。
【００３９】
上記のように、この実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、下記（１）乃至（４）に示す効果が得られる。
【００４０】
（１）キャパシタ電極２１と層間絶縁膜１５−１との接着性を確保しつつ、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６との導電性を向上できる。
【００４１】
上記に示したように、膜厚Ｄ４が１ｎｍ以上５ｎｍ以下に制御されたＴｉ（チタン）膜３５を形成する。続いて、キャパシタ絶縁膜２２を結晶化して配行性を向上するために、Ｏ２（酸素）雰囲気中でアニール（熱処理）工程を行う。
【００４２】
この熱処理工程の際に、層間絶縁膜１５−１上におけるＴｉ膜３５は、移動し難いために、キャパシタ電極２１から漏れ出した酸素により酸化されて酸化膜（ＴｉＯＸ膜）となり、膜厚Ｄ１が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の連続的な接着膜３３−１を形成できる。ここで、層間絶縁膜１５−１上におけるＴｉ膜３５が移動し難いのは、Ｔｉ膜３５の形成直後に層間絶縁膜１５−１の界面に酸化膜（ＴｉＯＸ膜）が形成されるためである。
【００４３】
そのため、キャパシタ電極２１と層間絶縁膜１５−１との間に連続的な接着膜３３−１を形成でき、キャパシタ電極２１と層間絶縁膜１５−１との接着性を向上できる点で有利である。
【００４４】
一方、この熱処理工程の際に、下部コンタクトプラグ１６上におけるＴｉ膜３５は、移動し易いために、キャパシタ電極２１中に拡散して直接接する部分３０−１、３０−２（ダイレクトコンタクト）を形成するか、または下部コンタクトプラグ１６上を移動しつつ酸化されて島状の酸化膜（ＴｉＯＸ膜）となり、膜厚Ｄ２が膜厚Ｄ１の半分程度の接着膜３３−２を形成できる。ここで、下部コンタクトプラグ１６上におけるＴｉ膜３５が移動し易いのは、コンタクトプラグ１６は金属を主成分とするため、酸化が発生するための酸素がなく、コンタクトプラグ１６との界面に酸化膜（ＴｉＯＸ膜）が形成されないためである。
【００４５】
このように、膜厚Ｄ４が１ｎｍ以上５ｎｍ以下に制御したＴｉ膜３５を先立って形成した後、上記熱処理工程を行うことにより、Ｔｉ膜３５が存在しない部分３０−１、３０−２を安定的に形成できる。結果、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６とが直接接する部分（ダイレクトコンタクト）３０−１、３０−２を形成でき、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６との導通性を向上できる点で有利である。
【００４６】
（２）強誘電体キャパシタＣ１の容量値を増大できる点で有利である。
【００４７】
上記のように、Ｏ２（酸素）雰囲気中でアニール（熱処理）工程を行うことにより、キャパシタ絶縁膜２２を結晶化して配行性を向上でき、キャパシタ絶縁膜２２の分極量を増大できる。そのため、強誘電体キャパシタＣ１の容量値を増大できる点で有利である。
【００４８】
（３）微細化に対して有利である。
【００４９】
上記のように、上記ダイレクトコンタクト３０−１、３０−２を形成できることから、酸素拡散防止膜としても働くキャパシタ電極２１の膜厚Ｄ３をより薄くできる（例えば、Ｄ３は、４０ｎｍ以上２００ｎｍ以下程度）。
【００５０】
よって、キャパシタ電極２１の専有面積を低減できる点で、微細化に対して有利である。
【００５１】
（４）製造コストの低減に対して有利である。
【００５２】
上記（１）および（２）に示した効果は、一回の熱処理工程により得ることが可能である。そのため、製造工程が増大することがない点で製造コストを低減に対して有利である。
【００５３】
［第２の実施形態］
次に、この発明の第２の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について、図９を用いて説明する。図９は、この実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【００５４】
図示するように、下部コンタクトプラグ１６上には、実質的に接着膜が形成されておらず、上記第１の実施形態に示した部分３０−１、３０−２よりも接触面積がより大きな、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６が直接接する部分（ダイレクトコンタクト）５５が設けられている点で上記第１の実施形態と相違している。
【００５５】
製造方法に関しては、上記Ｔｉ膜３５を形成する際に、上記第１の実施形態の膜厚Ｄ４よりもさらに薄い膜厚（例えば、１ｎｍ程度）に形成する点で、上記第１の実施形態と相違する。
【００５６】
この実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、上記（１）乃至（４）と同様の効果が得られる。
【００５７】
さらに、下部コンタクトプラグ１６上には、実質的に接着膜が形成されておらず、上記部分３０−１、３０−２よりも接触面積がより大きな、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６が直接接する部分（ダイレクトコンタクト）５５が設けられている。
【００５８】
そのため、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６との導通性をより向上できる点で有利である。
【００５９】
以上、第１、第２の実施形態を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図。
【図２】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図３】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図４】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図５】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図６】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図７】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図８】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図９】この発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図。
【符号の説明】
【００６１】
１１…半導体基板、Ｃ１…強誘電体キャパシタ、ＴＲ…トランジスタ、１２…ゲート絶縁膜、１３…ゲート電極、１４…ソースまたはドレイン、１５−１〜１５−３…層間絶縁膜、１６…下部コンタクトプラグ、３３−１、３３−２…接着膜、３０−１、３０−２…キャパシタ電極とコンタクトプラグとが直接接する部分（ダイレクトコンタクト）、２１、２２…キャパシタ電極、２２…キャパシタ絶縁膜、２８…バリア膜、２５…上部コンタクトプラグ、２７…配線層。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、例えば、強誘電体記憶装置（ＦｅＲＡＭ：ferro-electric random access memory）等に適用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、不揮発性半導体メモリの一つとして、強誘電体キャパシタを用いた強誘電体記憶装置（ＦｅＲＡＭ）が注目されている。
【０００３】
この強誘電体記憶装置では、エリアペナルティの観点から、キャパシタ電極とトランジスタのソースまたはドレインとの電気的な接続を導電性コンタクトプラグにより実現する、いわゆるＣＯＰ（capacitor on plug ）キャパシタ構造が採用されている（例えば、特許文献１参照）。また、キャパシタ電極の接着性の観点から、キャパシタ電極の界面にＴｉ（チタン）膜等の金属膜により形成された接着膜が設けられることが通常である。
【０００４】
しかしながら、微細化の要請に伴い、酸素拡散防止膜としても働くキャパシタ電極のＩｒ（イリジウム）膜の膜厚を薄くする必要がある。さらに、このキャパシタ電極の膜厚が薄いままで、キャパシタ形成工程のダメージを回復するための酸化性雰囲気中の回復アニール工程、または酸化性雰囲気中のその他の熱処理工程等を行うと、キャパシタ電極が酸素の拡散を十分抑制できずに、キャパシタ電極から微量な酸素が漏れ出す。
【０００５】
そのため、この漏れ出した酸素により上記接着膜が酸化して、コンタクトプラグとキャパシタ電極の間に、酸化された接着膜（ＴｉＯＸ膜：酸化チタン膜）が連続して形成されてしまう。結果、キャパシタ電極とコンタクトプラグとの間に直接接する部分（ダイレクトコンタクト）がなく、キャパシタ電極とコンタクトプラグの導通性を阻害してしまうという問題がある。
【特許文献１】特開２００４−６５９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明は、キャパシタ電極とコンタクトプラグとの導通性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の一態様によれば、絶縁膜と、前記絶縁膜中に設けられ、金属を主成分とするコンタクトプラグと、前記絶縁膜上に設けられ、前記金属より酸素親和性が高く、酸化物を主成分とする第１接着膜と、前記コンタクトプラグ上および前記第１接着膜上に設けられ、酸素の拡散を防止するように働く第１キャパシタ電極と、前記第１キャパシタ電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上に設けられた第２キャパシタ電極とを具備する半導体装置を提供できる。
【０００８】
この発明の一態様によれば、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜中にコンタクトホールを開口する工程と、前記コンタクトホール内に金属を充填し、コンタクトプラグを形成する工程と、前記絶縁膜上および前記コンタクトプラグ上に、前記金属より酸素親和性が高く、その膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍ以下の金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に第１キャパシタ電極を形成する工程と、前記第１キャパシタ電極上に強誘電体膜を形成する工程と、酸化性雰囲気中において熱処理を行い、前記強誘電体膜を結晶化させてキャパシタ絶縁膜を形成すると共に、前記絶縁膜上に前記金属膜と酸素とを反応させた第１接着膜を形成し、前記第１キャパシタ電極と前記コンタクトプラグとが直接接する部分を少なくとも１つは有するように前記コンタクトプラグ上の前記金属膜を拡散させ残存した前記金属膜と酸素を反応させて前記コンタクトプラグ上に第２接着膜を形成する工程と、前記キャパシタ絶縁膜上に第２キャパシタ電極を形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法を提供できる。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、キャパシタ電極とコンタクトプラグとの導通性を向上できる半導体装置およびその製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、この発明の実施形態について図面を参照して説明する。尚、この説明においては、全図にわたり共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００１１】
［第１の実施形態］
まず、この発明の一実施形態に係る半導体装置について、図１を用いて説明する。図１は、この実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【００１２】
図示するように、シリコン基板１１上にトランジスタＴＲが設けられ、層間絶縁膜１５−２中に強誘電体キャパシタＣ１が設けられている。
【００１３】
トランジスタＴＲは、基板１１上に設けられたゲート絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１２上に設けられたゲート電極１３、およびゲート電極１３を挟むように基板１１中に隔離して設けられたソースまたはドレイン１４を備えている。
【００１４】
強誘電体キャパシタＣ１は、接着膜３３−１、３３−２、下部キャパシタ電極２１、キャパシタ絶縁膜２２、上部キャパシタ電極２３、およびバリア膜２８を備えている。
【００１５】
また、層間絶縁膜１５−１中に、例えば、Ｗ（タングステン）等の金属を主成分（即ち、５０％以上）とし、ソース／ドレイン１４と下部キャパシタ電極２１とを電気的に接続する下部コンタクトプラグ１６が設けられている。
【００１６】
接着膜３３−１は、層間絶縁膜１５−１上に設けられ、下部コンタクトプラグ１６の主成分の上記金属Ｗより酸素親和性が高く、酸化物を主成分とする絶縁膜である。具体的には、例えば、ＴｉＯＸ（酸化チタン）膜等により形成され、その膜厚Ｄ１は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。ここで、酸素親和性とは、酸素との結合のし易さをいう。
【００１７】
接着膜３３−２は、下部コンタクトプラグ１６上に設けられ、その膜厚Ｄ２は接着膜３３−１の膜厚Ｄ１よりも小さい。より具体的に、接着膜３３−２の膜厚Ｄ２は、膜厚Ｄ１の半分程度である。
【００１８】
下部キャパシタ電極２１は、下部コンタクトプラグ１６上、接着膜３３−１、３３−２上に設けられている。さらに、下部キャパシタ電極２１は、熱処理工程の際における接着膜３３−１、３３−２への酸素の拡散を防止するようにも働く。この下部キャパシタ電極２１は、例えば、Ｉｒ（イリジウム）膜等により形成されている。
【００１９】
下部キャパシタ電極２１と下部コンタクトプラグ１６とは、直接に接している部分（ダイレクトコンタクト）３０−１、３０−２を有している。
【００２０】
キャパシタ絶縁膜２２は、下部キャパシタ電極２１上に設けられ、例えば、ＰＺＴ（ＰｂＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３）等の強誘電体膜により形成されている。
【００２１】
上部キャパシタ電極２３は、キャパシタ絶縁膜２２上に設けられ、例えば、Ｐｔ（プラチナ）等により形成されている。
【００２２】
バリア膜２８は、この強誘電体キャパシタの側面上および上面上を覆うようにもうけられ、Ｈ（水素）ガス等の拡散によるいわゆる水素アタック等を防止している。
【００２３】
層間絶縁膜１５−２中に、上部キャパシタ電極と電気的に接続された上部コンタクトプラグ２５が設けられている。このコンタクトプラグ２５は、例えば、ＷやＡｌ（アルミニウム）等の金属により形成されている。
【００２４】
層間絶縁膜１５−３中に、上部コンタクトプラグ２５と電気的に接続された配線層２７が設けられている。この配線層２７は、例えば、いわゆるプレート線として働き、ＡｌやＣｕ（銅）等の金属により形成されている。
【００２５】
層間絶縁膜１５−１〜１５−３は、例えば、ＳｉＯＣ膜等の低誘電率膜（いわゆるLow-k膜）により形成されている。
【００２６】
次に、この実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図１に示した半導体装置を例に挙げて、図２乃至図８を用いて説明する。この説明において、基板１１上のトランジスタＴＲの図示を省略する。
【００２７】
まず、半導体基板１１上に周知の工程を用いて、トランジスタＴＲを形成する（図示せず）。
【００２８】
続いて、図２に示すように、トランジスタＴＲ上を覆うように、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いてＳｉＯＣ膜等を堆積し、層間絶縁膜１５−１を形成する。続いて、トランジスタのソース／ドレイン１４上における層間絶縁膜１５−１を、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等を用いて基板１１表面上が露出するまでエッチングし、コンタクトホールを形成する。その後、上記コンタクトホール内に、例えば、スパッタ法等を用いて、Ｗ（タングステン）膜等を堆積する。続いて、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等を用いて、上記Ｗ膜を層間絶縁膜１５−１表面上まで平坦化してコンタクトホール内に埋め込み、下部コンタクトプラグ１６を形成する。
【００２９】
続いて、図３に示すように、層間絶縁膜１５−１上、下部コンタクトプラグ１６上に、例えば、スパッタ法等を用いて、膜厚Ｄ４が１ｎｍ以上５ｎｍ以下（例えば、４ｎｍ程度）に制御したＴｉ（チタン）膜３５を形成する。その後、このＴｉ膜３５上に、例えば、スパッタ法を用いてＩｒ（イリジウム）膜等を堆積し、下部キャパシタ電極２１を形成する。ここで、この工程の際に形成する下部キャパシタ電極２１の膜厚Ｄ３は、酸素拡散防止等の観点から、例えば、４０ｎｍ以上２００ｎｍ以下程度であることが望ましい。又、この下部キャパシタ電極２１は、上記Ｉｒ膜の単膜でなくとも、ＩｒＯ２膜やＰｔ膜、ＳｒＲｕＸＯＹ膜等の金属膜との積層でもかまわない。これらの積層膜の場合には、Ｉｒ膜がＴｉ膜３５の直上に位置するように形成することが望ましい。
【００３０】
続いて、図４に示すように、下部キャパシタ電極２１上に、例えば、スパッタ法またはＭＯＣＶＤ法を用いてＰＺＴ膜等の強誘電体膜を堆積し、キャパシタ絶縁膜２２を形成する。
【００３１】
続いて、図５に示すように、キャパシタ絶縁膜２２を結晶化して配行性を向上するために、Ｏ２（酸素）雰囲気中でアニール（熱処理）工程を行う。具体的に、このアニ−ル工程は、例えば、拡散炉を用いてＯ２雰囲気中で４００℃〜７００℃程度の温度で１０分〜１時間程度行うか、またはＲＴＰ装置等を用いてＯ２雰囲気中で４００℃〜８００℃程度の温度で１０秒〜１２０秒程度行うことが望ましい。
【００３２】
この熱処理工程の際に、層間絶縁膜１５−１上におけるＴｉ膜３５は、移動し難いために、キャパシタ電極２１から漏れ出した酸素により酸化されて酸化膜（ＴｉＯＸ膜）となり、膜厚Ｄ１が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の接着膜３３−１となる。ここで、層間絶縁膜１５−１上におけるＴｉ膜３５が移動し難いのは、Ｔｉ膜３５の形成直後に層間絶縁膜１５−１との界面に酸化膜（ＴｉＯＸ膜）が形成されるためである。
【００３３】
一方、下部コンタクトプラグ１６上におけるＴｉ膜３５は、移動し易いために、この工程の際の熱により、キャパシタ電極２１中に拡散して部分３０−１、３０−２を形成するか、または下部コンタクトプラグ１６上を移動しつつ酸化されて島状の酸化膜（ＴｉＯＸ膜）となり接着膜３３−２となる。ここで、下部コンタクトプラグ１６上におけるＴｉ膜３５が移動易いのは、コンタクトプラグ１６は金属を主成分としているために、酸化が発生するための酸素がなく、コンタクトプラグ１６との界面に酸化膜（ＴｉＯＸ膜）が形成されないためである。
【００３４】
このように、膜厚Ｄ４が１ｎｍ以上５ｎｍ以下に制御したＴｉ膜３５を先立って形成し、上記熱処理工程を行うことにより、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６とが直接接する部分（ダイレクトコンタクト）３０−１、３０−２を形成できる。
【００３５】
続いて、図６に示すように、キャパシタ絶縁膜２２上に、例えば、ＣＶＤ法等を用いて、Ｐｔ層、ＩｒＯ２層、またはＳｒＲｕＸＯＹ層等を堆積し、上部キャパシタ電極２３を形成する。その後、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを用いて、キャパシタ電極２３、キャパシタ絶縁膜２２、キャパシタ電極２１、接着膜３３−１を層間絶縁膜１５−１上までエッチングして分離し、キャパシタ構造を形成する。
【００３６】
さらに、キャパシタ構造の側面上および表面上を覆うように、例えば、ＣＶＤ法を用いてアルミナ膜等を堆積し、バリア膜２８を形成する。続いて、バリア膜２８上を覆うように、例えば、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯＣ膜等を堆積し、層間絶縁膜１５−２を形成する。さらに、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを用いて、層間絶縁膜１５−２およびバリア膜２８を貫通し、上部キャパシタ電極２３表面上が露出する開口部４３を形成する。
【００３７】
続いて、図７に示すように、層間絶縁膜１５−１上、開口部４３側壁上および上部キャパシタ電極２３上に沿って、例えば、ＣＶＤ法を用いてＷ（タングステン）層等を堆積する。さらに、例えば、ＣＭＰ法等を用いて、層間絶縁膜１５−２表面上まで平坦化し上記Ｗ層を開口部４３内に埋め込み、上部コンタクトプラグ２５を形成する。尚、上記Ｗ層を堆積する工程に先立って、ＴｉＮ膜等を堆積し、バリアメタル膜を形成することも可能である。また、開口部４３内部にＡｌ層を埋め込むことにより、上部コンタクトプラグ２５を形成することもできる。
【００３８】
続いて、図８に示すように、層間絶縁膜１５−２上および上部コンタクトプラグ２５上に、例えば、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯＣ層等を堆積し、層間絶縁膜１５−３を形成する。さらに、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを用いて、層間絶縁膜１５−３を貫通し、上部コンタクトプラグ２５表面上が露出する開口部を形成する。その後、この開口部内に、例えば、スパッタ法を用いてＣｕ層やＡｌ層等を堆積し、上記開口部内に埋め込み、配線層２７を形成する。尚、この配線層２７は、開口部内に、Ｔｉ膜／ＴｉＮ膜の積層構造のバリアメタル膜を形成した後、Ａｌ−Ｃｕ合金層を形成する構成とすることも可能である。以上の製造方法によって、図１に示す半導体装置を製造する。
【００３９】
上記のように、この実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、下記（１）乃至（４）に示す効果が得られる。
【００４０】
（１）キャパシタ電極２１と層間絶縁膜１５−１との接着性を確保しつつ、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６との導電性を向上できる。
【００４１】
上記に示したように、膜厚Ｄ４が１ｎｍ以上５ｎｍ以下に制御されたＴｉ（チタン）膜３５を形成する。続いて、キャパシタ絶縁膜２２を結晶化して配行性を向上するために、Ｏ２（酸素）雰囲気中でアニール（熱処理）工程を行う。
【００４２】
この熱処理工程の際に、層間絶縁膜１５−１上におけるＴｉ膜３５は、移動し難いために、キャパシタ電極２１から漏れ出した酸素により酸化されて酸化膜（ＴｉＯＸ膜）となり、膜厚Ｄ１が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の連続的な接着膜３３−１を形成できる。ここで、層間絶縁膜１５−１上におけるＴｉ膜３５が移動し難いのは、Ｔｉ膜３５の形成直後に層間絶縁膜１５−１の界面に酸化膜（ＴｉＯＸ膜）が形成されるためである。
【００４３】
そのため、キャパシタ電極２１と層間絶縁膜１５−１との間に連続的な接着膜３３−１を形成でき、キャパシタ電極２１と層間絶縁膜１５−１との接着性を向上できる点で有利である。
【００４４】
一方、この熱処理工程の際に、下部コンタクトプラグ１６上におけるＴｉ膜３５は、移動し易いために、キャパシタ電極２１中に拡散して直接接する部分３０−１、３０−２（ダイレクトコンタクト）を形成するか、または下部コンタクトプラグ１６上を移動しつつ酸化されて島状の酸化膜（ＴｉＯＸ膜）となり、膜厚Ｄ２が膜厚Ｄ１の半分程度の接着膜３３−２を形成できる。ここで、下部コンタクトプラグ１６上におけるＴｉ膜３５が移動し易いのは、コンタクトプラグ１６は金属を主成分とするため、酸化が発生するための酸素がなく、コンタクトプラグ１６との界面に酸化膜（ＴｉＯＸ膜）が形成されないためである。
【００４５】
このように、膜厚Ｄ４が１ｎｍ以上５ｎｍ以下に制御したＴｉ膜３５を先立って形成した後、上記熱処理工程を行うことにより、Ｔｉ膜３５が存在しない部分３０−１、３０−２を安定的に形成できる。結果、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６とが直接接する部分（ダイレクトコンタクト）３０−１、３０−２を形成でき、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６との導通性を向上できる点で有利である。
【００４６】
（２）強誘電体キャパシタＣ１の容量値を増大できる点で有利である。
【００４７】
上記のように、Ｏ２（酸素）雰囲気中でアニール（熱処理）工程を行うことにより、キャパシタ絶縁膜２２を結晶化して配行性を向上でき、キャパシタ絶縁膜２２の分極量を増大できる。そのため、強誘電体キャパシタＣ１の容量値を増大できる点で有利である。
【００４８】
（３）微細化に対して有利である。
【００４９】
上記のように、上記ダイレクトコンタクト３０−１、３０−２を形成できることから、酸素拡散防止膜としても働くキャパシタ電極２１の膜厚Ｄ３をより薄くできる（例えば、Ｄ３は、４０ｎｍ以上２００ｎｍ以下程度）。
【００５０】
よって、キャパシタ電極２１の専有面積を低減できる点で、微細化に対して有利である。
【００５１】
（４）製造コストの低減に対して有利である。
【００５２】
上記（１）および（２）に示した効果は、一回の熱処理工程により得ることが可能である。そのため、製造工程が増大することがない点で製造コストを低減に対して有利である。
【００５３】
［第２の実施形態］
次に、この発明の第２の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について、図９を用いて説明する。図９は、この実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【００５４】
図示するように、下部コンタクトプラグ１６上には、実質的に接着膜が形成されておらず、上記第１の実施形態に示した部分３０−１、３０−２よりも接触面積がより大きな、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６が直接接する部分（ダイレクトコンタクト）５５が設けられている点で上記第１の実施形態と相違している。
【００５５】
製造方法に関しては、上記Ｔｉ膜３５を形成する際に、上記第１の実施形態の膜厚Ｄ４よりもさらに薄い膜厚（例えば、１ｎｍ程度）に形成する点で、上記第１の実施形態と相違する。
【００５６】
この実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、上記（１）乃至（４）と同様の効果が得られる。
【００５７】
さらに、下部コンタクトプラグ１６上には、実質的に接着膜が形成されておらず、上記部分３０−１、３０−２よりも接触面積がより大きな、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６が直接接する部分（ダイレクトコンタクト）５５が設けられている。
【００５８】
そのため、キャパシタ電極２１とコンタクトプラグ１６との導通性をより向上できる点で有利である。
【００５９】
以上、第１、第２の実施形態を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図。
【図２】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図３】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図４】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図５】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図６】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図７】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図８】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図９】この発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図。
【符号の説明】
【００６１】
１１…半導体基板、Ｃ１…強誘電体キャパシタ、ＴＲ…トランジスタ、１２…ゲート絶縁膜、１３…ゲート電極、１４…ソースまたはドレイン、１５−１〜１５−３…層間絶縁膜、１６…下部コンタクトプラグ、３３−１、３３−２…接着膜、３０−１、３０−２…キャパシタ電極とコンタクトプラグとが直接接する部分（ダイレクトコンタクト）、２１、２２…キャパシタ電極、２２…キャパシタ絶縁膜、２８…バリア膜、２５…上部コンタクトプラグ、２７…配線層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜と、
前記絶縁膜中に設けられ、金属を主成分とするコンタクトプラグと、
前記絶縁膜上に設けられ、前記金属より酸素親和性が高く、酸化物を主成分とする第１接着膜と、
前記コンタクトプラグ上および前記第１接着膜上に設けられ、酸素の拡散を防止するように働く第１キャパシタ電極と、
前記第１キャパシタ電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜と、
前記キャパシタ絶縁膜上に設けられた第２キャパシタ電極とを具備すること
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１接着膜の膜厚は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記コンタクトプラグ上に設けられ、その膜厚が前記第１接着膜の膜厚よりも小さい第２接着膜を更に具備し、
前記第１キャパシタ電極と前記コンタクトプラグとは、直接接する部分を少なくとも１つは有すること
を特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属は、Ｗを含み、
前記第１接着膜は、Ｔｉを含み、
前記第１キャパシタ電極は、Ｉｒを含むこと
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜中にコンタクトホールを開口する工程と、
前記コンタクトホール内に金属を充填し、コンタクトプラグを形成する工程と、
前記絶縁膜上および前記コンタクトプラグ上に、前記金属より酸素親和性が高く、その膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍ以下の金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に第１キャパシタ電極を形成する工程と、
前記第１キャパシタ電極上に強誘電体膜を形成する工程と、
酸化性雰囲気中において熱処理を行い、前記強誘電体膜を結晶化させてキャパシタ絶縁膜を形成すると共に、前記絶縁膜上に前記金属膜と酸素とを反応させた第１接着膜を形成し、前記第１キャパシタ電極と前記コンタクトプラグとが直接接する部分を少なくとも１つは有するように前記コンタクトプラグ上の前記金属膜を拡散させ残存した前記金属膜と酸素を反応させて前記コンタクトプラグ上に第２接着膜を形成する工程と、
前記キャパシタ絶縁膜上に第２キャパシタ電極を形成する工程とを具備すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
絶縁膜と、
前記絶縁膜中に設けられ、金属を主成分とするコンタクトプラグと、
前記絶縁膜上に設けられ、前記金属より酸素親和性が高く、酸化物を主成分とする第１接着膜と、
前記コンタクトプラグ上および前記第１接着膜上に設けられ、酸素の拡散を防止するように働く第１キャパシタ電極と、
前記第１キャパシタ電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜と、
前記キャパシタ絶縁膜上に設けられた第２キャパシタ電極とを具備すること
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１接着膜の膜厚は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記コンタクトプラグ上に設けられ、その膜厚が前記第１接着膜の膜厚よりも小さい第２接着膜を更に具備し、
前記第１キャパシタ電極と前記コンタクトプラグとは、直接接する部分を少なくとも１つは有すること
を特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属は、Ｗを含み、
前記第１接着膜は、Ｔｉを含み、
前記第１キャパシタ電極は、Ｉｒを含むこと
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜中にコンタクトホールを開口する工程と、
前記コンタクトホール内に金属を充填し、コンタクトプラグを形成する工程と、
前記絶縁膜上および前記コンタクトプラグ上に、前記金属より酸素親和性が高く、その膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍ以下の金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に第１キャパシタ電極を形成する工程と、
前記第１キャパシタ電極上に強誘電体膜を形成する工程と、
酸化性雰囲気中において熱処理を行い、前記強誘電体膜を結晶化させてキャパシタ絶縁膜を形成すると共に、前記絶縁膜上に前記金属膜と酸素とを反応させた第１接着膜を形成し、前記第１キャパシタ電極と前記コンタクトプラグとが直接接する部分を少なくとも１つは有するように前記コンタクトプラグ上の前記金属膜を拡散させ残存した前記金属膜と酸素を反応させて前記コンタクトプラグ上に第２接着膜を形成する工程と、
前記キャパシタ絶縁膜上に第２キャパシタ電極を形成する工程とを具備すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００７−７３７５０（Ｐ２００７−７３７５０Ａ）
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５９４２０（Ｐ２００５−２５９４２０）
【出願日】平成１７年９月７日（２００５．９．７）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月７日（２００５．９．７）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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