【課題】厚さの異なる複数本の配線を同じ層に効率良くかつ容易に設けることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の幅を有する第１の凹部３、および第１の幅の１／ｘ（ｘは１より大きい正の数）の大きさである第２の幅を有するとともに第１の凹部３と同じ深さを有する第２の凹部４を、基板１上の第１の絶縁膜２に形成する。第１の凹部３および第２の凹部４が形成された第１の絶縁膜２の表面を覆って第２の絶縁膜５をその膜厚が第１の幅の１／２ｘの大きさになるまで設ける。第１の凹部３の側部に第２の絶縁膜５を残しつつ第１の凹部３の底部が露出するまで第１の絶縁膜２の表面上に設けられた第２の絶縁膜５を主にその膜厚方向に沿って異方的に除去する。第１の凹部３および第２の凹部４のそれぞれの内部に導電体６を設ける。 （もっと読む）

【課題】抵抗分布のばらつきを防止する。
【解決手段】第1の面12aに存在する複数の配線部形成領域12cを有する半導体基板12と、第1の面上に設けられている第1絶縁膜14と、素子13に至って設けられている1個又は2個以上の埋込みコンタクト16aと、素子とは非接続として設けられている複数のダミー埋込みコンタクト18aと、埋込みコンタクトに電気的に接続されている複数の第1配線部22及びダミー埋込みコンタクトに接続されているダミー第1配線部24を含む第1配線層20と、表面14a及び第1配線層上を覆っている第2絶縁膜30と、第1配線部を露出させるヴィアホール32を埋め込む埋込みヴィア32aと、ダミー第1配線部の一部分を露出させる複数のダミーヴィアホール18を埋め込むダミー埋込みヴィア18aと、埋込みヴィアに電気的に接続されている第2配線部42及びダミー埋込みヴィアに接続されているダミー第2配線部44を含む第2配線層40とを具えている。 （もっと読む）

【課題】ビアホールが形成された低誘電率膜の上に、化学増幅型レジストを用いたリソグラフィーにより、所望のトレンチパターンを持つレジスト膜を形成できるようにする。
【解決手段】炭素含有シリコン酸化膜５にビアホ−ル８を形成した後、少なくともビアホ−ル８の壁面に露出した炭素含有シリコン酸化膜５に電子受容体を吸着させ又は注入する。その後、化学増幅型レジストを用いたリソグラフィーにより、ビアホ−ル８が形成された領域を含むトレンチ形成領域に開口部を持つレジストパターン１０ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 層の表面をより簡便にかつ効果的に疎水化することができ、かつ、層のより深い領域を疎水化することができる表面疎水化方法、表面疎水化用組成物、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化方法は、（Ａ１）第１の反応性シラン化合物および（Ｂ１）有機溶媒を含む第１の表面疎水化用組成物を前記層の表面に接触させる工程、および（Ａ２）第２の反応性シラン化合物および（Ｂ２）有機溶媒を含む第２の表面疎水化用組成物を前記層の表面に接触させる工程を含む。前記（Ａ２）第２の反応性シラン化合物１分子あたりの反応性基の数は、前記（Ａ１）第１の反応性シラン化合物１分子あたりの反応性基の数より少ない。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、層間絶縁膜に密着用の膜を追加することなく、簡易に有機絶縁膜と無機絶縁膜との密着性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１上に、有機絶縁膜１２と無機絶縁膜１１，１３の積層膜を含む層間絶縁膜１０を形成する工程と、層間絶縁膜１０に対して電子線ＥＢあるいは紫外線ＵＶを照射して、有機絶縁膜１２と無機絶縁膜１１，１３とを密着させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】多層配線を有する半導体装置において、空孔率の高い配線間構造を用い、配線間の電気的短絡を抑制する。
【解決手段】基板上にそれぞれ同一レベルに備えられた第一および第二の配線層１１０、３１０と空孔率６０％以上を有する第一および第二の空洞層１２０、３２０を有する配線構造において、第一および第二の空洞層１２０、３２０と接する配線層の側壁に第一および第二の酸化チタン層１６０、３６０からなる絶縁層を備え、配線層と接する側壁に第二および第四のチタン層１５０ａ、３５０ａを備え、バリアメタル層と絶縁層の間に酸素バリア層として第一のおよび第二の窒化チタン層１５０ｂ、３５０ｂを備えることにより、隣り合う配線間の電気的耐圧を向上し、配線間短絡を抑制する。 （もっと読む）

【課題】実装時における接続信頼性を向上させることができるとともに、高い歩留まりにて製造できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ウェーハ１上に、電極パッド２を形成する。次いで、半導体ウェーハ１上に、第１、第２の保護膜４、５を形成する。そして、第１、第２の保護膜４、５を除去して、薄膜化し、電極パッド２上に開口部６を形成する。次いで、開口部６において、電極パッド２の表面上に残存する第１の保護膜４を選択的に除去し、電極パッド２の表面を露出させるとともに、電極パッド２の表面上に、第１の保護膜４の一部からなり、開口部６の段差よりも小さい段差を有する段差部１２を形成する。次いで、開口部６に、電極パッド２と接触するように、バリアメタル膜８を形成する。そして、電極パッド２上の開口部６内であって、段差部１２の表面上に形成されたバリアメタル膜８上に、バンプ９を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＴＦＴを用いる表示装置及びデータを無線で送受信する機能を持った半導体装置の製造工程においてフォトリソグラフィ工程の回数を削減することを目的とする。また、より簡略化された製造工程で、電気的特性の高いＴＦＴ、表示装置及びデータを無線で送受信する機能を持った半導体装置等に代表される電子機器を作製する。低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板上に塗れ性が低い層と、塗れ性が低い層に比べて塗れ性が高い領域を形成し、塗れ性が高い領域上に導電性粒子を有する組成物を塗布と焼成を繰り返して凸状の導電層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 配線層の積層構造を変化させることなく、ウィスカの発生を抑制する。
【解決手段】 絶縁膜４上にバリアメタル膜５を形成した後、ＣＶＤを行うことにより、開口部５内の一部が埋め込まれるようにしてバリアメタル膜５上に下層タングステン膜６を低温で成膜し、開口部５内が埋め込まれるようにして下層タングステン膜６上に上層タングステン膜７を高温で成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来技術の問題点及び短所を考慮してキャッピング膜の不良を改善することによってエッチング選択比が確保されながら漏洩抑制特性が向上してビアホール領域で発生する不良を防止する半導体素子の配線を提供する。本発明はまた、前記のような半導体素子の配線形成方法を提供する。
【解決手段】二重キャッピング膜を有する半導体素子の配線及びその形成方法が提供される。本発明の一実施形態による半導体素子の配線は内部に溝を有する層間絶縁膜、前記溝内部に形成された金属層、前記金属層上部に位置した金属化合物層、前記層間絶縁膜上部に位置した第１障壁層、及び前記金属化合物層及び前記第１障壁層上部に位置した第２障壁層を含む。 （もっと読む）

【課題】 拡散防止機能を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に形成された酸素を含有する絶縁体の表面上に、銅以外に少なくとも２種類の金属元素を含む銅合金皮膜を形成する。（ｂ）銅合金皮膜上に、純銅または銅合金からなる金属膜を形成する。（ｃ）工程ａまたは工程ｂの後に、絶縁体中の酸素と銅合金皮膜中の金属元素とが反応して絶縁体の表面に金属酸化物膜が形成される条件で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線形成時のボイドの発生を抑制し、バリアメタル層とＣｕ層の密着性低下を抑制できる半導体装置の製造方法とこの方法で製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０に配線を形成する半導体装置の製造方法であって、まず、基板１０にＴａ系バリアメタル材料とＣｕ及び／またはＡｇとの合金からなるバリアメタル層１６を形成する。次に、バリアメタル層１６の上層にバリアメタル層１６を電極とする電解メッキによりＣｕを含む金属層１７を形成し、バリアメタル層１６及び金属層１７を配線パターンに加工する。 （もっと読む）

【課題】エッチング比制御が可能なコンタクトホール形成方法を提供すること。また、コンタクトホール下部に位置した金属配線の酸化を防止するコンタクトホール形成方法を提供すること。さらに、そのようなコンタクトホール形成方法を用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、乾式エッチング方法によってコンタクトホールを形成する方法及びこれを用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。コンタクトホール形成方法は、銀を含む金属配線が形成されている基板を準備し、基板全面に低温工程で絶縁膜を形成し、フッ素系ガス及び窒素ガスを含む無酸素ガスを用いた乾式エッチングによって絶縁膜の所定位置をエッチングして金属配線を露出することを含む。 （もっと読む）

【課題】 接続孔での接続信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１の絶縁膜１０上に配線２０を形成する工程と、第１の絶縁膜１０上及び配線２０上に、第２の絶縁膜３０を形成する工程と、第２の絶縁膜３０に、配線２０上に位置する接続孔３０ａを形成する工程と、接続孔３０ａの底に位置する配線２０をスパッタリングすることにより、接続孔３０ａの側面に被覆膜３１を形成する工程と、第２の絶縁膜３０上及び被覆膜３１上にバリア膜４１を形成する工程と、接続孔３０ａに導電膜４２を埋め込む工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の低い絶縁膜を備え、かつ、電気的性能の劣化および信頼性の劣化を抑制することが可能な、多層配線構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜内に形成された配線とを有し、前記絶縁膜は、前記配線の直下に位置する第１の絶縁膜と、その他の部分に位置する第２の絶縁膜から構成され、前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜との境界面に位置する表層の炭素濃度が前記第１の絶縁膜の内部の炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ状態で、工程中に金属配線の電気的な検査を行い、金属配線の不良を精度良く検出すると共に、金属配線の不良が発生した場合は、迅速かつ的確に不良原因が特定され、工程へフィードバックさせることが可能となる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上１０の金属配線１３及び外部端子接続用電極１５が形成されていない領域に、金属配線１３のオープン、ショート、リーク不良、素子電極１１と金属配線１３との接続不良を電気的に検出する検査用金属配線１４及び検査用電極１６を有し、半導体ウェハ状態での電気的な検査によって、工程中に精度良く上記不良を検出することが可能となる。又、電気的な検査を実施することで、不良原因を迅速にかつ的確に確認し、工程に早期フィードバックが可能となる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に用いられる低誘電率膜において、ＲＣ遅延の影響が大きい領域の低誘電率状態を保持しつつ、それ以外の領域の機械的強度を高めることを可能にする。
【解決手段】複数層の配線層と、配線層間に形成された層間絶縁膜とを備え、層間絶縁膜の一部または全部を低誘電率膜１で形成する半導体装置の製造方法において、前記低誘電率膜１のＲＣ遅延時間を低減させたい領域（ＲＣ遅延抑制領域２）をマスク３により遮蔽しながら低誘電率膜１に電子線Ｅを照射する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】 １．５以上の高アスペクト比である微細ホールに対しても、金属配線膜を埋め込むことができるように、ホールへの金属配線膜の埋め込み性を従来よりも向上させる。
【解決手段】 ＴｉＮ膜の成膜工程６３で、スパッタにより、ホールの内壁に沿ってＴｉＮ膜を成膜する。このとき、成膜温度を、従来よりも低温の１５０℃とすることで、アモルファス構造のＴｉＮ膜を形成する。その後、スパッタ工程６４、６５で、アモルファス構造のＴｉＮ膜の表面上にＡｌ合金膜を形成することで、ＴｉＮ膜を下地とした状態で、Ａｌ合金膜をコンタクトホールの内部に埋め込む。このように、Ａｌ合金膜の下地となるＴｉＮ膜をアモルファス構造にすることで、ＴｉＮ膜の表面エネルギーを大きくし、ＴｉＮ膜のＡｌ合金膜に対する濡れ性を従来よりも向上させることができ、ホールへのＡｌ合金膜の埋め込み性を従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィにおける合わせずれに対して強い構造を持つ半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】周期的に配置された信号電極線ＢＬと、ワード線方向に、信号電極線ＢＬと同一周期で一列に配置された信号電極線コンタクト１３と、を備え、信号電極線ＢＬの側面は、第１絶縁材１４と、この第１絶縁材１４上に積層された第２絶縁材１５とに接しており、ワード線方向の断面において、信号電極線ＢＬの、信号電極線コンタクト１３に接する部分の径Ｄｂｔｍは、信号電極線ＢＬの最上面の径Ｄｔｏｐよりも狭い。 （もっと読む）

【課題】銅の溝配線の上面バリア膜を形成するための触媒金属の置換めっきに起因する銅配線のエッチング損傷を容易に防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝ＴＲ１を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層１６を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属１７ａを含むシード層を形成する。次に配線溝を埋め込んで全面に銅を含む金属層１８を形成し、触媒金属を金属層中に熱拡散させ、触媒金属と合金化した金属層１９とする。配線溝の外部における金属層１９を除去して配線パターンに加工し、合金化された金属からなる配線を形成する。この後、配線の表面に銅拡散防止機能を有する上面バリア膜を置換めっきにより形成する。 （もっと読む）