【課題】半導体装置の銅配線間の容量低減を実現すると同時に絶縁破壊耐性を向上させ、さらにミスアライメント・ビアを対策する。
【解決手段】基板上の絶縁膜１７上に、銅を主成分として含む配線２６を形成する。それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。その後、低誘電率からなる絶縁膜３６及び絶縁膜３７を成膜する。その際、配線２６の隣接配線間において、対向する配線側面の上方での堆積速度が下方での堆積速度より大きくなるように絶縁膜３６を形成し、エアギャップを形成する。最後に、層間ＣＭＰによって、絶縁膜３７を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】応力が調整された配線構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造は、導電材料１０２を有する基板１００から構成される。少なくとも１つの応力調整層１０６が内部に介在された複合誘電体層１１０が、基板１００の上部に存在する。複合誘電体層１１０における導電機構Ｓが、少なくとも１つの応力調整層１０６を貫通し、導電部材１０２を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの保護層に形成された溝のアスペクト比が０．５以上である場合においても、再配線を形成する際のレジスト膜に破壊が生じることを防止する手段を提供する。
【解決手段】半導体ウェハが、集積回路を形成した複数の能動領域と、隣合う能動領域間に設けられたダイシング領域と、能動領域の縁部に形成されたシールリングと、シールリングの内側に接近して形成された配線と、能動領域を覆う保護層と、能動領域の保護層上に形成された保護膜と、保護膜上に形成され、集積回路に電気的に接続する再配線とを備え、シールリングと配線との間の保護層に形成された溝のアスペクト比が０．５以上の場合に、この溝を保護膜で覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗の電気的接続構造を提供する。
【解決手段】 導電体に炭素細長構造体が電気的に接続された電気的接続構造において、導電体上に、導電性触媒担持体層と炭素細長構造体を生成するための触媒微粒子層と炭素細長構造体とを順次積層して、電気的接続構造を得る。 （もっと読む）

【課題】 溝配線形成の際の密着層カバレッジ不良とライナーエッチング後にボイドが発生することを同時に防止する。
【解決手段】 基板１００上に、第１の配線層１０６ａ上での膜厚が第１の絶縁膜１０１上での膜厚よりも薄くなるように第２の絶縁膜１０７を形成する工程と、第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜１０８を形成する工程と、第３の絶縁膜を貫通して第２の絶縁膜に到達する接続孔１０９を、平面的に見て第１の配線層と少なくとも一部がオーバーラップする位置に形成する工程と、接続孔の底面における第１の配線層とオーバーラップする領域では第１の配線層を露出するとともに、接続孔の底面における第１の配線層とオーバーラップしない領域では第２の絶縁膜が残存するように、接続孔の底面に露出した第２の絶縁膜をエッチング除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の表面に埋込配線を形成する場合に、研磨面の平坦性を保つことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板２００上に、層間絶縁膜２０３と、この層間絶縁膜を保護する絶縁性材料からなる第１のハードマスク２０４と、第２のハードマスク２０５とを成膜する。第２のハードマスク２０５を開口し、第２のハードマスク２０５をマスクとして、層間絶縁膜２０３に埋込配線が埋め込まれるべき凹溝２０７を形成する。埋込配線の材料２０９が層間絶縁膜２０３へ拡散するのを防止する拡散防止膜２０８Ｂを成膜する。第２のハードマスク２０５と拡散防止膜２０８Ｂとが同じ材料で、金属元素を組成に含む導電性材料からなる。埋込配線の材料となる導電性金属２０９を堆積する。導電性金属２０９の表面側から第１のハードマスク２０４が露出するレベルまで研磨を行う。 （もっと読む）

層間絶縁膜（１）及びＣＭＰストッパ膜を形成した後、配線溝を形成する。次に、配線溝内にバリアメタル膜（４）及びＣｕ膜（５）を埋め込んだ後、ＣＭＰストッパ膜が露出するまで、ＣＭＰ等によってＣｕ膜（５）及びバリアメタル膜（４）を平坦化することにより、下層配線（１７）を形成する。次いで、ドライエッチングによってＣＭＰストッパを除去することにより、相対的に下層配線（１７）の表面を周囲から突出させる。続いて、全面にエッチングストッパ膜（６）を形成する。その後、ビアプラグ（１８）を形成し、更に、下層配線（１７）と同様にして、上層配線（１９）を形成する。
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【課題】 ２．７より低い比誘電率を有する低誘電率絶縁膜及び４より低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を化学気相成長法により成膜する方法を提供するものである。
【解決手段】 シリコン原子による５員環以上の環状構造を有し、かつ該シリコン原子によるシロキサン結合を有する第１のシリコン含有有機化合物と、シリコン原子による４員環以下の環状構造又は４以下のシリコン原子の鎖状構造を有し、かつ該シリコン原子によるシロキサン結合を有する第２のシリコン含有有機化合物とを含む成膜ガスのプラズマを生成し、反応させて基板３１上に絶縁膜３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造を形成する際、合わせずれが生じた場合の下層の配線間絶縁膜への接続孔の掘り込みを抑制し、接続孔を加工制御性よく形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上にエッチング阻止膜7、第１絶縁膜8、第２絶縁膜9、第１、第２、第３マスク形成層を順次成膜し、第３マスク形成層をパターンニングして、配線溝パターンを有する第３マスク12'を形成し、第３マスク12'から第２絶縁膜9までをエッチングし、接続孔13を開口する。第3マスク12’上から第２マスク形成層をエッチングして配線溝パターンを有する第2マスク21’を形成し、第１絶縁膜8の途中まで接続孔13を掘り下げる。第３マスク12’上から第１マスク形成層をエッチングして配線溝パターンを有する第１マスク10'を形成し、エッチング阻止膜7の途中まで接続孔13を掘り下げる。第２マスク21'上から第２絶縁膜9をエッチングして第２配線溝14を形成し、エッチング阻止膜7を除去した後、第２マスク21'を除去する。 （もっと読む）

【課題】 膜パターン上をより緻密なバリアメタル層で覆うことにより、金属元素が拡散することを防止した、導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に、第１の材料Ｍ１と第２の材料Ｍ２とを積層しバンク膜Ｍを形成し、バンク膜Ｍをパターニングして、第１のバンクＢ１と第２のバンクＢ２とが積層されてなるバンクＢを形成する。そして、バンクＢによって区画されたパターン形成領域ＡＲに、機能液Ｌを配置して、第１のバンクＢ１の高さ以下の膜厚を有した膜パターンＦ１を形成する。その後、膜パターンＦ１、及びバンクＢの上面を含む基板Ｐの全面に、バリアメタル層Ｆ２を成膜する。バリアメタル層Ｆ２の成膜後、リフトオフ法により、第２のバンクＢ２とともに第２のバンクＢ２上のバリアメタル層Ｆ２を除去し、導電膜パターンＦを形成する。 （もっと読む）

【課題】銀（Ａｇ）配線の低抵抗性の利点を生かしながらも接着性及びエッチングプロファイルを補完する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上に第１信号線を形成する段階と、第１信号線上にゲート絶縁膜１４０及び半導体層を順次に形成する段階と、ゲート絶縁膜１４０及び半導体層上に第２信号線１７１を形成する段階と、第２信号線１７１と連結される画素電極１９１を形成する段階と、を含み、第１信号線を形成する段階及び第２信号線１７１を形成する段階のうちの少なくとも一つの段階は、第１導電性酸化膜を形成する段階と、銀（Ａｇ）を含む導電層を形成する段階と、第１導電性酸化膜よりも低い温度で第２導電性酸化膜を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】 ＣＭＩＳＦＥＴを構成するｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４０とｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４１は、ゲート絶縁膜１４，１５が酸窒化シリコン膜からなり、ゲート電極２３，２４が、ゲート絶縁膜１４，１５上に位置するシリコン膜を含んでいる。ゲート電極２３，２４とゲート絶縁膜１４，１５との界面近傍に、１×１０^１３〜５×１０^１４原子／ｃｍ^２の面密度でＨｆのような金属元素が導入されている。ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４０とｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４１のチャネル領域の不純物濃度は、１．２×１０^１８／ｃｍ^３以下に制御されている。 （もっと読む）

【課題】各種装置が設置されたフレキシブルな基板に対する外力の変化によって、装置の作動あるいは非作動を選択する機能を各種装置に付加し、さらにフレキシブルな基板に設置された複数の回路素子の機能の中から、基板に対する外力を変化させることで使用者が必要な機能を選択して作動させることを可能とする半導体装置及び半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１１０は、基板１０上に形成された複数の回路素子と、複数の前記回路素子上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された前記回路素子同士を接続する複数の配線とを有し、前記絶縁膜は、前記配線を分断する開口部８１を有し、前記基板を曲げたとき、分断された前記配線７７、７８同士が接触して複数の前記回路素子のうち少なくとも２つの前記回路素子が電気的に接続するような接続部を有している。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法において、５００℃未満の低い成膜温度でも異常成長のない良質の金属窒化膜を成膜することが可能な成膜方法を提供すること。
【解決手段】成膜温度に加熱された被処理基板に金属化合物ガスおよび窒素含有還元ガスを供給してＣＶＤにより被処理基板上に金属窒化膜を直接堆積させる期間を含む第１段階と、同様に金属化合物ガスおよび窒素含有還元ガスを供給してＣＶＤにより前記第１段階で堆積された初期の金属窒化膜の上にさらに金属窒化膜を堆積させて所定の膜厚とする第２段階とを含み、前記第１段階および前記第２段階ともに、前記金属化合物ガスおよび窒素含有還元ガスを供給する第１ステップと、前記金属化合物ガスを停止して前記窒素含有還元ガスを供給する第２ステップとからなるサイクルを１サイクル以上繰り返す。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法により配線層を形成するに際し、微細なビアホール及び配線トレンチへの配線材の埋め込みを容易にしうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ビアホール形成領域以外の領域を覆うマスク２０と、配線トレンチ形成領域以外の領域を覆うマスク２２とをマスクとして絶縁膜１６，１８にビアホール２６及び配線トレンチ３２を形成するに際し、ビアホール形成領域の周辺部に絶縁膜１８の上面が露出し周辺部を除く配線トレンチ形成領域内のマスク２０が残存するようにマスク２０を等方性エッチングした後、マスク２０及び絶縁膜１８，１６を異方性エッチングすることにより、上部に幅広部３４を有するビアホール２６と、ビアホール２６の幅広部２６に接続された配線トレンチ３２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】 コンタクトホールやビアホールのホール接続部に関し、パターンの疎密にかかわらず、抵抗の上昇を抑制し、抵抗ばらつきのないより安定した構成を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁層１１下の任意の接続領域１０に到達するホール１２が形成されている。配線部材１３は、ホール１２に埋め込まれると共に、絶縁層１１上に延在する。ホール１２上方を含んで配線部材１３上に配線部材１４が形成されている。配線部材１４は配線部材１３と共に絶縁層１１上の配線パターン１６を構成している。ホール１２上部の配線部材１３は、例えばＷで、リセスができないよう絶縁層１１上に所定厚さ保持されている。従って、ホールパターンの疎密に関係なく、ホール１２上部はリセスが極めてでき難い構造になる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング法を用い、高速ＬＳＩが形成された半導体チップを搭載するパッケージを形成する手段を提供する。
【解決手段】半導体チップ４２と、半導体チップ４２の主面４２ａより小さいダイパッド４１ａと、封止体４３と、外部端子部４１ｃとインナリード部４１ｂとからなる複数のリード４１ｄと、半導体チップ４２のボンディングパッド４２ｃとインナリード部４１ｂとを接続する複数のボンディングワイヤ４４とからなり、複数のインナリード部４１ｂの各々が封止体４３の実装面４３ａから離れる方向に折り曲げられていることにより、チップ側のボンディングパッド４２ｃとインナリード部４１ｂのボンディング位置の高さを近づけてワイヤ長さを短くすることができ、ワイヤ部分のインダクタンスの増加を抑えて高周波信号の入出力の伝送経路の各部におけるインピーダンスの整合をとることができる。 （もっと読む）

銅含有金属で満たされるトレンチ（１０４）の３つの側壁（１０５５）に補強層（１０５）を設けることによって、少なくとも或る程度まで、低ｋ誘電体材料（１０２）が熱機械的に閉じ込める度合いが弱いことを補償することができ、それによりエレクトロマイグレーション効果を低減し、それゆえ、銅に基づく金属線と共に低ｋ誘電体材料（１０２）を含むメタライゼーション層を有する複雑な半導体デバイスの寿命を延ばすことができる。
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【課題】 半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】 ウエハプロセスパッケージ（ＷＰＰ）技術が適用されたメモリであって、複数のメモリセルの上部に形成された配線Ｍ４を覆うように形成された層間膜９と、層間膜９上に形成された層間膜１０と、層間膜１０を覆うように形成された保護膜１２とを有してメモリ１００が構成される。この構造において、層間膜１０は、少なくとも保護膜１２と接する部分が酸化シリコンからなり、保護膜１２は、少なくとも層間膜１０と接する部分がポリイミド樹脂からなる。 （もっと読む）

【課題】ゲート抵抗およびゲート間の干渉を減らすことが可能なタングステンゲート電極を有する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にゲート酸化膜１１とポリシリコン膜１２，１４と窒化膜を形成し、これらをパターニングしてポリゲートを形成する。前記ポリゲートの側面にスペーサ１８を形成する。全表面上に犠牲窒化膜１９を形成し、全面に層間絶縁膜２０を形成する。前記窒化膜が露出するように、前記層間絶縁膜２０と前記ポリゲート上に形成された犠牲窒化膜１９を平坦除去する。前記窒化膜を除去すると同時に、前記犠牲窒化膜１９の上部を除去する。前記窒化膜の除去により露出した側面に絶縁膜スペーサ２２を形成し、前記犠牲窒化膜が除去された部分２１に絶縁膜を充填する。前記窒化膜が除去された部分にタングステンゲート２３を形成する。 （もっと読む）