【課題】 液晶表示装置の作製工程におけるプラズマ工程による問題、ゲイト電極等におけるヒロック等の問題、液晶パネルの取り出し部におけるコンタクト不良の問題のうち、少なくとも一つを解決する。
【解決手段】 本発明に係る、液晶パネル内に薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の作製方法は、Ｓｃ、Ｙ、ランタノイド及びアクチノイドから選ばれた一種又は複数種類の元素が含まれたアルミニウム膜を有するゲイト電極を形成し、前記ゲイト電極に電気的に接続される、パルス電流が放電しやすい形状を有する第１の配線を形成し、前記薄膜トランジスタの不純物領域に接続される第２の配線を形成し、前記第２の配線から延在した前記液晶パネルの取り出し部に、透明導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 多層配線構造を含む半導体装置のマイグレーション耐性を高めて歩留まりを向上させる。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板（不図示）上の第１の層間絶縁膜１０６中に設けられた第１の配線１１２と、第１の配線１１２上に、第１の配線１１２に接続して設けられたビア１２８と、第１の配線１１２の上部において、ビア１２８の底部との接続箇所に選択的に形成され、第１の配線１１２を構成する主成分の金属と当該金属と異なる異種元素とを含む異種元素含有導電膜１１４とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ及びＡｌを含有するほかに、Ｎを任意成分として含むことがあるアモルファス膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ及びＡｌを含むほかに任意成分としてＮを含むことがあるアモルファス膜であって、電気抵抗率が、６×１０^２Ω・ｃｍ以下の当該アモルファス膜を、スパッタリングターゲットとしてＴｉＡｌ合金を用い、下記のスパッタ条件で基板上に成膜する。（１）ＤＣパワーは、１ｋＷ以上かつ３ｋＷ以下である、（２）成膜室内の気圧は、６ｍＴｏｒｒ以上かつ１２ｍＴｏｒｒ以下である、（３）基板温度は、１００℃以上かつ３００℃以下である、及び（４）Ｎ_２ガスとＡｒガスとの混合スパッタガス中におけるＮ_２ガスの体積比率が０％以上かつ７０％以下である。 （もっと読む）

【課題】配線間または配線とプラグとの間の抵抗を低減しつつストレスマイグレーション耐性、エレクトロマイグレーション耐性を確保できる配線構造を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１０１及びＣｕ膜１０４を有する配線１０５上に層間絶縁膜１０７を形成し、層間絶縁膜１０７にビア１０９及びトレンチ１０８を形成し、Ｃｕ膜１０４を露出させる。次に、Ｃｕ膜１０４にビア１０９よりも内径の大きい凹部１１０を形成した後、バリア金属膜１１１を形成する。次いで、バリア金属膜１１１をリスパッタすることで凹部１１０にバリアメタル金属膜１１１を埋め込むとともに、角に丸みを帯びた下凸な形状を有するビア１１２を形成する。次に、ビア１１２及びトレンチ１０８にバリア金属膜１１３、Ｃｕ膜１１４を順次形成する。次いで、Ｃｕ膜１１４、バリア金属膜１１３及びバリア金属膜１１１を除去する。 （もっと読む）

【課題】 銅配線の信頼性を高める。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板１５０と、半導体基板１５０上に形成された下層絶縁膜１０２と、下層絶縁膜１０２表面に形成された凹部を埋め込んで設けられ、銅を主成分として含む配線金属膜１０６と、下層絶縁膜１０２上に形成された上層絶縁膜１１０と、下層絶縁膜１０２と上層絶縁膜１１０との間に形成され、銅とは異なる金属を含む金属含有層１０８とを含む。金属含有層１０８は、配線金属膜１０６と接する第１の領域１０８ａと、下層絶縁膜１０２と接するとともに第１の領域１０８ａと組成の異なる第２の領域１０８ｂとを含み、少なくとも第１の領域１０８ａにおいて窒素を実質的に含まない。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に、多孔質構造からなる絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜に配線形成用の凹部を形成する工程（Ｓ１０６）と、絶縁膜上全面に、凹部内を埋め込むように金属層を形成する工程（Ｓ１０８）と、凹部外部の余剰金属層を除去して配線を形成する工程（Ｓ１１０）と、絶縁膜を改質して、当該絶縁膜の表面に改質層を形成する工程（Ｓ１１２）と、改質層を形成する工程の後に、めっき液を用いて配線上に選択的に金属膜を形成する工程（Ｓ１１４）とを含む。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスにおけるプラズマ電流により破壊されることを防止でき、且つダイオードの耐圧が上昇してしまうことを回避した半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、支持基板であるシリコン基板１０１ａと、シリコン基板１０１ａ上の酸化膜１０１ｂと、酸化膜１０１ｂ上のシリコン薄膜１０１ｃとを有するＳＯＩ基板１０１を用い、これのシリコン薄膜１０１ｃ上に形成された入力端子ＩＮ（第２上層配線１３４）と、シリコン薄膜１０１ｃ上に形成されたＶｓｓ端子Ｔvss（第１上層配線１３９）と、シリコン薄膜１０１ｃに形成され、入力端子ＩＮとＶｓｓ端子Ｔvssとに接続された半導体素子（例えばインバータ１１）と、シリコン薄膜１０１ｃに形成され、Ｖｓｓ端子Ｔvssから入力端子ＩＮへ順方向に接続された保護ダイオード１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＮＯＲ型のメモリセルに形成するワード線の抵抗を低減する。
【解決手段】シリコン基板１は、ＳＴＩ２により活性領域３が分離形成される。活性領域３を直交するようにゲート電極４が所定間隔で形成される。ワード線としてのゲート電極４は、コントロールゲート電極としての多結晶シリコン膜、ＷＳｉ膜が積層され、その上の上面には、シリコン窒化膜１７が形成されるが、これには開口部が形成され、タングステンなどの導体が溝配線５として埋め込まれる。この構成により、微細化が進んでも、ワード線の高抵抗化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 別個の拡散層及びシード層を利用する必要性を排除した、導電性材料、好ましくはＣｕの、向上した拡散特性を有するメッキシード層を含む相互接続構造体を提供すること。
【解決手段】 特に、本発明は、相互接続金属の拡散特性向上のためにメッキシード層内に酸素／窒素遷移領域を設ける。メッキシード層はＲｕ、Ｉｒ又はそれらの合金を含むことができ、相互接続導電性材料は、Ｃｕ，Ａｌ、ＡｌＣｕ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕなどを含むことができる。好ましくは、相互接続導電性材料はＣｕ又はＡｌＣｕである。より詳細に言えば、本発明は、上部及び底部シード領域間に挟持された酸素／窒素遷移領域を含む単一のシード層を提供する。メッキシード層内に酸素／窒素遷移領域が存在することで、メッキシードの拡散バリア抵抗が顕著に向上する。 （もっと読む）

【課題】平坦かつ薄いバリア膜またはRu膜をダマシン構造で形成する。
【解決手段】金属配線構造を形成する方法は、(i)露出した配線層及び露出した絶縁層を含む多層構造を反応空間内に与える工程と、(ii)還元雰囲気中で、絶縁層の少なくとも露出面上に-NH2または>NHターミナルを導入する工程と、(iii)反応空間へ還元剤を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(iv)反応空間へハロゲン化金属化合物を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(v) N及びHを含むガスを導入し、その後反応空間をパージする工程と、(vi)金属含有バリア層を製造するべく工程(iii)から(v)を連続して繰り返す工程と、(vii)金属含有バリア層上に金属膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極の膜厚を厚く形成することなく、ゲート電極の十分な遮光性と低抵抗化とを両立することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコン層５ａと、多結晶シリコン層５ａに積層する高融点金属の硅化物層５ｂと、硅化物層５ｂに積層する高融点金属層５ｃとを具備する多層構造の薄膜でＴＦＴ３０のゲート電極３ａを形成することにより、ゲート電極３ａの膜厚を厚く形成することなく、十分な遮光性と低抵抗化とを両立する。すなわち、多結晶シリコン層５ａの上層に積層された高融点金属の硅化物層５ｂ及び高融点金属層５ｃを積層によって、ゲート電極３ａの低抵抗化が実現され、同時に、硅化物層５ｂの上層に積層されたシリコン成分を含まない高融点金属層５ｃによって、ＴＦＴ基板１０にアニール処理が行われた場合等にも、薄い膜厚でゲート電極３ａの遮光性が十分に確保される。
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【解決手段】液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の一部にされる金属特徴を定めるための方法およびシステムが提供される。この方法は、ガラス基板に対して施され、ガラス基板は、ガラス基板上にまたはガラス基板の層上に定められたブランケット導電性金属層（例えば障壁層）を有する。ブランケット導電性金属層の上には、反転フォトレジストマスクが塗布される。次いで、反転フォトレジストマスクの上に、めっきメニスカスが形成される。めっきメニスカスは、少なくとも電解液およびめっき化学剤を含み、めっきメニスカスは、ブランケット導電性金属層の上の、反転フォトレジストマスクによって覆われていない領域内に金属特徴を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法により、タングステン膜とバリアメタル膜との電気的接続を安定させることができるとともに、配線層の成膜性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に形成された開口部１０２ａを有する層間絶縁膜１０２と、開口部１０２ａ内を埋設するタングステン膜（Ｗプラグ１０８）と、タングステン膜の表面に形成された、Ｔｉ膜以外の第１バリアメタル膜１１０と、第１バリアメタル膜１１０上に形成された、Ｔｉ含有膜である第２バリアメタル膜１１１と、第２バリアメタル膜１１１の表面に形成された金属配線膜１１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ボンディング衝撃による不具合を改善するとともに、フェールセーフ的な構造とすることにより、能動回路上ボンディングパッドへ直接ボンディングワイヤを接続できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の配線２で結線され層間絶縁層３で被覆した能動回路１にあって、前記能動回路１が機能するよう第１の接続孔４を介して接続された第２の配線５と平面構造において複数の開口を持つ衝撃吸収梁６がボンディング接続領域に設け保護膜７で被覆し、第２接続孔８を介して前記能動回路１と電気的に接続された厚い電極９を衝撃吸収梁６上に位置するよう設け、厚い電極９へボンディング接続を行うために、衝撃吸収梁６の上方において、保護樹脂層１０が開口されてなる半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】 異種の金属膜の積層構造からなる導電膜に対するボンディングパッドの保護膜の開口を保護膜の減損を生じることなく形成し、かつダイシング工程等水溶液に浸される工程において金属膜の溶解を回避するボンディングパッドを提供する。
【解決手段】 アルミ膜とアルミ膜上に堆積されたＴｉ,ＴｉＮ等の反射防止膜を含む導電膜の上に堆積した保護膜と前記反射防止膜を除去して前記アルミ膜を露出させたボンディングパッド等の保護膜開口を有し、前記保護膜の除去領域が、前記反射防止膜の除去領域の内側となるように、前記反射防止膜を除去するエッチング工程が、前記保護膜の堆積前に行われる。 （もっと読む）

金属ベースの相互接続線に対して導電性キャッピング層（１０６）を設けることで、エレクトロマイグレーションに対するパフォーマンスを強化することができる。さらに、銅ベースの材料などの下方の金属（１０５ｂ）を露出せずにビア開口部（１１０）をキャッピング層（１０６）に確実にエッチングし、これによりエレクトロマイグレーションパフォーマンスを具体的には銅線とビアの間の遷移において強化することができる。
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【課題】 密着性を高める機能を併せ持つバリア層が形成されるまでの期間に、配線部材の十分な密着性を確保し、配線部材の剥離を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に、凹部が設けられた層間絶縁膜を形成する。（ｂ）凹部の内面及び層間絶縁膜の上面に密着層を形成する。（ｃ）密着層の表面を、第１の金属元素を含むＣｕ合金からなる補助膜で被覆する。（ｄ）凹部内に、第１の金属元素以外の第２の金属元素を含む導電部材を充填すると共に、補助膜の上に導電部材を堆積させる。（ｅ）熱処理を行うことにより、補助膜内の第１の金属元素の原子を、凹部の内面に偏析させる。この密着層は、層間絶縁膜の表面上に補助膜を直接堆積させた場合に比べて、補助膜の密着性を高める元素を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の外部接続用のパッド電極が損傷を受けることを防止する。
【解決手段】半導体基板１上に電子回路３０と、電子回路３０と接続された第１のパッド電極３と、第１のパッド電極３と接続された第２のパッド電極４とが形成される。また、第１のパッド電極３を被覆するとともに、第２のパッド電極４上にのみ開口部を有する第１の保護膜５が形成される。そして、半導体基板１を貫通するビアホール８を通して第１のパッド電極３の裏面に接続され、ビアホール８から半導体基板１の裏面に延在する配線層１０が形成される。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルＣＳＰにより形成される再配線部の剥離を防止し、微細配線の形成を可能とした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも一面に電極が設けられた基板と、該基板の一面を被覆する絶縁樹脂層１１と、該絶縁樹脂層１１を被覆し、前記電極と電気的に接続されたライン状の配線部１５とを備えている。前記配線部１５は、シード部１３とその上に配された導電部１４とからなる積層体を構成しており、該積層体の長手方向の側面下部のアンダーカット部には少なくとも絶縁性の補強部材１９が埋設されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属配線構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１の絶縁層及び第２の絶縁層を順に形成し、第２の絶縁層と第１の絶縁層とを順次に選択的にエッチングしてコンタクトホールを限定し、第２の絶縁層の上とコンタクトホールの内側に延長する第１の金属層を形成し、第１の金属層をパターニングして第２の絶縁層を露出させ、パターンが形成された第１の金属層をエッチングマスクとして用いて、十分な時間の間第２の絶縁層を選択的にエッチングして第１の絶縁層を露出させ、コンタクトホール内の金属プラグを露出させ、伝導性充填物質で露出した金属プラグ内のシームを充填し、その金属プラグ上に第２の金属層を形成する。これにより、バックエンドプロセス工程が完了された後の装置の収率を減らす恐れのある金属欠陥（例えば、金属線短絡）を減少させることができる。 （もっと読む）