【課題】マンガンの拡散を防止する層を形成することで、銅マンガン合金層からのマンガンの拡散を抑えて銅配線の低抵抗化を可能とする。
【解決手段】酸化シリコン系絶縁膜１１に設けられた凹部１２内面に形成された銅マンガン合金層１５と該酸化シリコン系絶縁膜１１とを反応させて形成されたマンガンシリケート層１８と、前記凹部１２を埋め込む銅もしくは銅を主体とした材料からなる導電層１７とを備えた半導体装置１において、前記銅マンガン合金層１５と前記導電層１９との間にマンガンの拡散を防止する拡散防止層１７を備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜をＬｏｗ−ｋ膜で構成し、低比誘電率を維持したままＬｏｗ−ｋ膜の密着性を向上させて膜剥がれ等を抑制できる、信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上方に形成され、表面に複数の配線からなる第１配線層が形成された第１絶縁膜と、前記第１配線層及び前記第１絶縁膜上に形成された第１キャップ層と、前記第１キャップ層上に形成され、表面に複数の配線からなる第２配線層が形成され、前記第２配線層間に前記第１キャップ層まで達する溝部が形成された第２絶縁膜と、前記溝部に埋め込まれた第３絶縁膜とを備え、前記第３絶縁膜の前記第１キャップ層に対する密着性が、前記第２絶縁膜と前記第１キャップ層との密着性よりも高い構成とするので、Ｌｏｗ−ｋ膜の密着性を向上させて、効果的に膜剥がれ等を防止することを可能にできる。 （もっと読む）

【課題】エッチングによりダメージを受けた絶縁膜の側壁の過剰なエッチングを抑制し、並びに、その側壁からの吸湿を抑制することができる半導体装置の製造方法およびその方法に使用される薬液を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地材料２０上に絶縁膜３０を設け、絶縁膜上にマスク材料４０を設け、マスク材料を利用して絶縁膜をエッチングし、絶縁膜のエッチングによって生成した金属残渣を除去する第１の処理と、エッチングによって形成された絶縁膜の側壁を疎水化する第２の処理と、絶縁膜のエッチングによって生成したシリコン残渣を除去する第３の処理と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】レジストポイゾニングを抑止して微細な配線構造を形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線層１１上に、キャップ層１２、第１層間絶縁膜１３、エッチングストッパ層１４、第２層間絶縁膜１５、ハードマスク層１６、ハードマスク層１８を順次形成する。第１および／または第２層間絶縁膜１３，１５はｌｏｗ−ｋ材料からなる。次いでキャップ層１２の表面を露出するビアホール１９ａを形成する。次いで、ビアホール１９ａに酸発生剤を含む樹脂、例えば化学増幅型レジスト材料からなる埋込み材２１ａを充填する。次いで、埋込み材２１ａにエネルギー線を照射して酸性物質を発生させ、第１および第２層間絶縁膜１３，１５に吸蔵されていた塩基性物質を埋込み材２１ａの酸性物質により中和させる。 （もっと読む）

【課題】配線容量を効果的に低減して、配線の信号遅延を効果的に防止できる半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第３の絶縁膜１０５に、第２の配線層を形成するためのトレンチ１１６と、接続層を形成するための第１のビアホール１１７とを形成した後に、このトレンチと第１のビアホール１１７の内側面にバリア１０８層を形成する。このバリア層１０８が内側面に形成されたトレンチ１１６及び第１のビアホール１１７を介して、上記第２の絶縁膜１０４に、第１の配線層１０１に達する第２のビアホール１１７を形成する。また、第１の配線層１０１の表面に形成された酸化層１１９を除去する。第２のビアホール１１７を形成する際のエッチングや、酸化層１１９を除去するプラズマによって、第３の絶縁膜が大幅に改質されて誘電率が大幅に増大することが、バリア層１０８で防止される。 （もっと読む）

【課題】金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。
【解決手段】次の構造により表される有機金属錯体。


（式中、Ｍは、元素周期表の４族から選択される金属であり、そしてＲ^1〜4は、同一又は異なって、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、水素、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシ、脂環式、並びにアリールから成る群から選択されることができるが、但しＲ¹及びＲ²が、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシである場合には、それらは連結して環を形成することができる。）。関連化合物もまた、開示されている。上記錯体を用いるＣＶＤ及びＡＬＤ堆積法がまた、含まれる。 （もっと読む）

【課題】 配線、これを含む薄膜トランジスタ基板、及びその製造方法が開示される。
【解決手段】 本発明の一実施例による配線は、下部構造物上に形成されたバリア膜、前記バリア膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜、前記銅導電膜上に形成された中間膜、及び前記中間膜上に形成されたキャッピング膜を含むか、又は下部構造物上に形成されたバリア膜、前記バリア膜上に形成された第１中間膜、前記第１中間膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜、前記銅導電膜上に形成された第２中間膜、及び前記第２中間膜上に形成されたキャッピング膜を含む。 （もっと読む）

銅相互接続線（１４）上にキャッピング層を形成する方法。その方法は、相互接続線（１４）およびそれが埋め込まれた誘電体層を覆うアルミニウム層（２０）を供給する工程からなる。これは、堆積および化学的暴露によって達成され得る。ついで構造は、アニーリング、あるいは、例えば窒素原子を含む雰囲気下での、さらなる化学的暴露のような処理に供され、Ａｌの銅線（１４）への内部拡散および金属間化合物ＣｕＡｌＮの拡散バリヤを形成する窒化を生じさせる。
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【課題】基板上にトランジスタ等の半導体素子とセンサーとを作り込んで設ける場合に、同一工程で作製することにより得られる半導体装置およびその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】同一基板上に、互いに接する第１の領域および第２の領域を有する第１の半導体膜と、チャネル領域とソースまたはドレイン領域として機能する第３の領域とを有する第２の半導体膜と、第１の半導体膜および第２の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ且つ第１の領域と電気的に接続する第１の導電膜と、第２の領域と電気的に接続する第２の導電膜とを設け、第１の領域、第２の領域および第３の領域に不純物元素を第１の領域と第２の領域に含まれる不純物元素の濃度が異なるように導入する。 （もっと読む）

【課題】金属配線の上層のサイドエッチングの発生を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｔｉ／ＴｉＮ層１６およびＢＡＲＣ層１７の不要な部分を除去するための上層メインエッチング工程では、エッチング条件が、Ｔｉ／ＴｉＮ層１６およびＢＡＲＣ層１７のエッチングレートがＡｌＣｕ層１５のエッチングレートよりも大きくなるような条件とされる。そして、ＡｌＣｕ層１５が露出したことが検出されると、上層メインエッチング工程が終了され、上層オーバエッチング工程が開始される。この上層オーバエッチング工程では、エッチング条件が、Ｔｉ／ＴｉＮ層１６のエッチングレートとＡｌＣｕ層１５のエッチングレートとがほぼ一致するような条件に変更される。 （もっと読む）

【課題】銅配線上に形成される銅バリア絶縁膜の膜種を選択して、銅配線上に形成されている銅バリア絶縁膜を下地の周囲に形成されている絶縁膜に対して選択的なエッチング除去を可能にする。
【解決手段】銅もしくは銅を主体とした導電性材料からなる配線（第１配線１４）と、前記第１配線１４上に形成されたバリア絶縁膜２１と、前記第１配線１４上に形成されたビアホール２６とを備えた半導体装置１において、前記バリア絶縁膜２１はアモルファスカーボンもしくはダイヤモンドライクカーボンからなり、前記ビアホール２６底部の前記バリア絶縁膜２１が選択的に除去されていることを特徴とする。 （もっと読む）

デバイスは、細孔シーリングライナーを有するダマシン層を使用し、半導体ボディを含んでいる。金属相互接続（３０２）からなる金属相互接続層が、半導体ボディ上に形成される。誘電層（３０８）が、金属相互接続層上に形成される。導電性トレンチフィーチャ（３１６）及び導電性バイアフィーチャ（３１４）が、誘電層内に形成される。細孔シーリングライナー（３１８）が、導電性バイアフィーチャの側壁に沿ってのみ、及び導電性トレンチフィーチャの側壁及び底面に沿って形成される。細孔シーリングライナーは、導電性バイアフィーチャの底面に沿っては実質的に存在しない。
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【課題】デュアルダマシン工程を利用した低誘電率物質層内のコンタクト構造形成方法を提供する。
【解決手段】デュアルダマシン工程を利用したビア形成方法は、リセス部内に低誘電率物質層を覆うようにリセス部の全体側壁上に保護スペーサを保持しつつ、アッシング工程を利用し、低誘電率物質層内のリセス部から対象物質層を除去する。これよって、効果的なコンタクト構造形成方法を提供するデュアルダマシン工程を利用し、低誘電率物質層(low-k materials)内にコンタクト構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】自己整合コンタクトプラグを形成する層間膜に、窒化シリコン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比が１００以上となる材料を適用し、コンタクトプラグとビット配線のショートを防止する信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法を提供することにある。
【解決手段】上面及び側面が窒化シリコン膜１２０，１２１で覆われたビット配線を形成した後、ビット配線を覆って全面に非晶質炭素膜からなる犠牲層間膜１２６を形成し、犠牲層間膜１２６および下層層間絶縁膜１０９を順次にエッチングしてコンタクトホール１２８，１２９を形成し、容量コンタクトプラグ１１３を形成する。その後犠牲層間膜１２６を除去して容量コンタクトプラグ１１３の柱を形成し、その上に第３層間絶縁膜を形成し、さらに第３層間絶縁膜を表面から一部除去し、容量コンタクトプラグ１１３の表面を露出させるようにした。 （もっと読む）

基板に電気化学エッチングまたは電気めっきを施すことにより多層構造を形成する方法。基板上にシード層を形成し、その上に主電極を形成する。主電極は、基板から複数の電気化学セルを形成するためのパターン層を有する。電圧が印加され、シード層がエッチングされて、またはシード層に材料がめっきされて形成された構造（８）の間に誘電体（９）が堆積される。誘電体層は下層構造を露出するために平坦化され、別の構造層が第１の構造層上に形成される。または、誘電体層は２層の厚さで形成され、下層構造の上端部を選択的に露出するために選択的にエッチングされる。また、複数の構造層を１工程で形成しても良い。 （もっと読む）

本発明は、第１の基板の面を反対側の第２の基板の面と電気的に、好ましくは熱的にも接続する少なくとも１つの覆われたビアを有する基板を製造する方法に関する。加工は、第１の基板の面上にトレンチを形成することと、熱処理工程において分解される一時的な犠牲キャップ層上の永久的な層でトレンチを覆うこととを含む。本発明の方法は、永久的な層の存在下であっても痕跡又は汚染を残すことなく犠牲キャップ層の分解生成物を除去する代わりの方法を提供する。このことは、本発明の第１の態様に従って、基板のトレンチにホールを有するオーバーコート層を施すことによって達成される。オーバーコート層におけるホールはキャップ層材料の分解生成物の除去のための空間を残す。本発明の第２の態様において、第２の基板の面から覆われたトレンチを開け、開口部を通じてキャップ層材料を除去することによって解決がもたらされる。本発明の両方の方法は、基板の開口部が一時的なキャップ層の除去の前に永久に覆われている状況においても一時的なキャップ層を使用するという共通の発想に基づくものである。
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本発明は、特に電気的な用途に適している半導電性基板または非導電性基板に導電性のブッシングを製作する方法に関する。本方法は、前面が少なくとも１つの場所に導電性の接触個所（６）を有している半導電性基板または非導電性基板（１３）にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を設けて、切欠き（１）が前記基板の前面で、１つまたは複数の導電性の前記接触個所が存在していて当該接触個所で完全に覆われる１つまたは複数の場所の下で終わるようにし、次いで、前記基板のそれぞれの前記接触個所と裏側の表面（１０，１１，１２）との間で複数または少なくとも１つの前記切欠き（７）を貫いて導電接続を成立させる導電性構造（９）を前記基板の裏面から塗布することを特徴としている。さらに本発明は、本発明の方法によって設定された形態を備える基板ないしコンポーネントも対象としている。 （もっと読む）

【課題】バンプの表面の平坦化を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】最上層配線と同一層の導体膜からなるパッド７と電気的に接続するバリア層３０を形成した後、バリア層３０上に液体金属化合物を塗布し、さらに熱処理または化学反応処理によりこの液体金属化合物を単体金属膜に還元して平坦な表面形状を有するシード層３１を形成する。その後、シード層３１の平坦な表面形状をトレースして、シード層３１上に平坦な表面形状を有するバンプ８をメッキ法により形成する。 （もっと読む）

【課題】触媒を使用した銅ＣＶＤ方法として、ピンチ−オフやボイドの発生なしにトレンチ、ビアホール及びコンタクトを充填して銅配線導電体を形成する方法を提供すること。
【解決手段】能動及び受動素子を配線連結するために、銅配線導電体を形成する方法が開示される。ここに開示された発明は、触媒と共に銅を配線導電体物質の原料とするＣＶＤ工程を含む。トレンチ、ビアホール、コンタクト、広い受動素子だけでなく電力素子と電力線のための大きいトレンチとホールを充填する配線方法がここに開示されて提供される。ここに提示された他の方法は、狭くて深いトレンチと小径で深いホールのような小さな陥没部を触媒を使用した銅ＣＶＤで充填する方法であり、湿式または乾式エッチバックまたは高温プラズマエッチバック工程により後続工程段階に備えて除去されるように扁平な最上部の表面に非常に薄い薄膜を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】層形成に際して高真空および大きなチャンバを必要としない層形成方法および装置を提供する。
【解決手段】層形成装置は、０．０１Ｐａから常圧までの範囲における圧力下において固体または液体の有機金属材料を加熱し気化させることで該有機金属材料を含む原料ガスを生成する材料気化部１０８と、基材Ｗを保持する基材保持部１００と、基材Ｗの表面を、材料気化部１０８により気化させた有機金属材料の分解温度よりも高い温度に加熱する基材加熱部１０４と、原料ガスからなる雰囲気を基材Ｗの表面上に局所的に形成する材料供給部１０９とを備える。材料供給部１０９は、基材の表面の少なくとも一部を原料ガス雰囲気に暴露させることで基材Ｗの表面に金属層または金属化合物層を形成する。 （もっと読む）