【課題】配線密度の高い領域に発生するエロージョンを抑えることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、配線８ａおよび配線８ａよりもパターンの密度が低い配線８ｂを、第１の絶縁膜３中の高密度領域４ａおよび低密度領域４ｂにそれぞれ形成する工程と、第１の絶縁膜３の高さを下げて配線８ａ、８ｂの上部１０ａ、１０ｂを露出させる工程と、低密度領域４ｂにおける上面の最低高さが配線８ａ、８ｂの上面の高さよりも低くなるように、第１の絶縁膜３の上面、および上部１０ａ、１０ｂの表面を覆う第２の絶縁膜１１を形成する工程と、第２の絶縁膜１１上に第３の絶縁膜１２を形成する工程と、配線８ａ、８ｂ、および第３の絶縁膜１２の研磨レートが第２の絶縁膜１１の研磨レートよりも高い条件の下で第３の絶縁膜１２、第２の絶縁膜１１、配線８ａ、８ｂを研磨して平坦化させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】微細配線を有する半導体装置を高信頼性及び高歩留まりで得る。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、下層配線を形成する工程（ステップＳ１０１）と、下層配線上に絶縁膜を形成する工程（ステップＳ１０２）と、絶縁膜上にレジストを形成する工程（ステップＳ１０３）と、レジストをマスクとしてドライエッチングにより下層配線を露出する開口部を形成する工程（ステップＳ１０４）と、開口部を洗浄液を用いて洗浄する工程（ステップＳ１０５）と、洗浄した開口部をリンスする工程（ステップＳ１０６）と、含む。ステップＳ１０６では、リンス液と還元性ガスとを二流体ノズルから吐出して、開口部の底部をリンスする。 （もっと読む）

【課題】、ダマシンインターコネクトのエレクトロマイグレーション特性を向上させるべく銅線内に保護キャップを形成する方法を提供する。
【解決手段】ａ）酸化物を含まない銅または銅合金１０７の露呈領域と誘電体の露呈領域とを含む基板１００を、アルミニウムを含む化合物に、少なくとも約摂氏３５０度の基板温度で曝して、前記誘電体および前記銅または銅合金の層の両方の上にアルミニウムを含む第１の層を形成する工程と、（ｂ）前記第１の層の少なくとも一部を化学的に修正して、アルミニウムを含むパッシベーション層１０９を形成する工程と、（ｃ）前記パッシベーション層の上に誘電体層１１１．を堆積させる工程とを備える方法。 （もっと読む）

【課題】配線が形成される多孔質絶縁膜がプラズマダメージ等を受けるのを防ぐことにより、高歩留り且つ高信頼性な半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体基板の上に、化学気相成長法により、炭素濃度、空孔形成剤濃度及び酸素濃度がそれぞれ異なる複数の領域を有する空孔形成剤含有膜を形成する工程を備えている。この工程は、前駆体、空孔形成剤及び酸化剤を第１の流量で流す第１の期間と、第１の期間の後に、前駆体の流量に対する空孔形成剤の流量を減少させる第２の期間と、第２の期間の後に、前駆体の流量に対する空孔形成剤の流量の減少を停止し、前駆体、空孔形成剤及び酸化剤を第２の流量で流す第３の期間と、第３の期間の後に、前駆体の流量に対する酸化剤の流量を増大させる第４の期間と、第４の期間の後に、前駆体、空孔形成剤及び酸化剤を第３の流量で流す第５の期間とを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の銅配線の信頼性をＴＤＤＢ寿命とＥＭ寿命との双方に関して向上させる。
【解決手段】 半導体装置の配線層３０は、配線溝が形成された絶縁膜３２、３５と、配線溝の内面に形成されたバリアメタル層４１と、バリアメタル層４１を介して配線溝内に形成された銅配線膜４３とを有する。バリアメタル層４１は、配線溝の内壁面側から順に形成された第１乃至第３のバリアメタル膜４１−１、２、３を有する。第２のバリアメタル膜４１−２は、第３のバリアメタル膜４１−３側の表面部分において、クラスタイオン照射によって形成された、その他の部分より高い密度の緻密層４１−２ａを有する。第３のバリアメタル膜４１−３は、例えばルテニウム等、銅配線膜４３との密着性に優れた材料を有する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造の多層配線構造を有する半導体装置において、コンタクトのストレスマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】デュアルダマシン構造を有する上層導体パターン４７Ａは延出部４７Ｂに設けられたビアプラグ４７Ｃを介して下層配線パターン４３Ａと接続している。この接続部でのストレスマイグレーションによる接続不良を防止するため延出部４７Ｂより先端部の領域に下層配線層のダミーＣｕパターン４３Ｂとダミービアプラグ４７Ｄで接続する構造を追加する。ストレスマイグレーションは先端部の下層配線層のダミーＣｕパターン４３Ｂとダミービアプラグ４７Ｄの接続部で発生し、ビアプラグ４７Ｃと下層配線パターン４３Ａの接続部ではストレスマイグレーションの発生は防止される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を除去するエッチング中に、異常エッチングを防止する。エッチング工程において加わる水圧や風圧によりガードリングの形状が変形して剥離し、欠陥が発生することを防止する。
【解決手段】半導体装置は、メモリセル領域を囲むように設けられたガードリングと、ガードリングの外側に設けられた周辺回路領域と、ガードリング及び周辺回路領域上に設けられた支持体膜と、周辺回路領域内に設けられたコンタクトプラグとを有する。ガードリングとコンタクトプラグは、同一の導電材料から構成される。 （もっと読む）

【課題】磁気素子を備えた半導体装置の製造で、磁気素子のダメージを抑止し、下部電極膜の加工に灰化処理を用いないことで下層に存する導電部材の酸化を防止する。
【解決手段】半導体基板１０上で、上部電極膜４３上に形成したレジストマスク４４で上部電極膜４３をエッチングして上部電極４３ａとし、上部電極４３ａをマスクとしてＭＴＪ膜４２をエッチングしてＭＴＪ４２ａとし、上部電極４３ａ及びＭＴＪ４２ａを覆う保護膜４５ａを形成し、上部電極４３ａ及びＭＴＪ４２ａを保護膜４５ａを介して覆うように、保護膜４５ａ上にレジスト４６を形成し、レジストマスク４６で保護膜４５ａをエッチングし、保護膜４５ａをマスクとして下部電極膜４１エッチングして下部電極４１ａとし、上部電極４３ａ、ＭＴＪ４２ａ及び下部電極４１ａを覆うように保護膜４５ｂを形成して、保護膜４５ｂ上に層間絶縁膜４７を形成する。 （もっと読む）

【課題】集積回路製造工程のバックエンドプロセス、およびフロントエンドプロセスにおいて利用することができる、高硬度、且つ低応力のハードマスク膜を提供する。
【解決手段】ハードマスク膜は、応力が約−６００ＭＰａから６００ＭＰａの範囲内であり、硬度は少なくとも約１２Ｇｐａである。ハードマスク膜は、ＰＥＣＶＤ処理チャンバにおいて、高密度化プラズマ後処理を複数回行うことによって、ドープ済または未ドープのシリコンカーバイドの副層を複数成膜することによって得られる。ハードマスク膜は、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＮ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚＮ_ｗ、Ｂ_ｘＣ_ｙ、およびＢ_ｘＮ_ｙから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。ハードマスク膜は、ゲルマニウム含有率が少なくとも約６０原子パーセントと、ゲルマニウム含有率が高いＧｅＮ_ｘハードマスク材料を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの裏面側を研削する工程において、主面側が汚染されることを抑制する。
【解決手段】裏面２ｂ側を研削する半導体ウエハ２０のスクライブ領域１ｂの交差部に、デバイス領域１ａに積層される配線層５を構成する絶縁層（第１絶縁層）３と同様に主面２ａ上に複数の絶縁層３を積層する。また、デバイス領域１ａに形成される複数の配線層５のうち最上層に配置される配線層（最上層配線層）５ｃに形成された配線（最上層配線）と同層に金属パターン１０を形成する。さらに、この最上層配線を覆う絶縁層（第２絶縁層）９を、金属パターン１０の上面にもこれを覆うように形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造ａ１と、重合性の官能基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであり、分子内に複数個の重合性反応基を備え、当該重合性反応基として少なくとも１個の重合性二重結合を備えた多価反応性オレフィン体を前記重合性化合物として含むとともに、前記多価反応性オレフィン体が有する前記重合性反応基の少なくとも一部が水素原子で置換された水素化体を含み、前記重合性化合物が重合していない状態とした場合における、前記多価反応性オレフィン体と前記水素化体の総モル数に対する、前記水素化体のモル分率が０．０１〜１０モル％である。 （もっと読む）

【課題】低誘電率誘電体材料などからなる層間絶縁膜を用いた多層配線構造を有する半導体装置において、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離等を確実に防止する。
【解決手段】半導体基板のチップ領域の外周部にシールリング４が設けられていると共に、当該チップ領域におけるシールリング４の近傍にチップ強度強化用構造体５が設けられている。チップ強度強化用構造体５は複数のダミー配線構造（例えばダミー配線構造５Ａ〜５Ｅ等）から構成されている。各ダミー配線構造５Ａ〜５Ｅ等はそれぞれ、最下層及び最上層の配線層のいずれか一方のみを含むか又はいずれも含まない２層以上の配線層に亘ってビア部を介して連続的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線構造を形成する際に、ウェハ面内の配線溝の深さのばらつきを抑え、均一加工を実現する。
【解決手段】高炭素濃度絶縁膜１１４と、炭素を含まないまたは炭素濃度が低い低炭素濃度絶縁膜１１６との積層構造にドライエッチングで配線溝を形成する際、ＣＨＦ系ガスを添加した第１のエッチングガスを用いた第１のエッチング条件で低炭素濃度絶縁膜１１６に配線溝を形成し、当該配線溝底部に高炭素濃度絶縁膜１１４を露出させる。第１のエッチング条件の第１のエッチングガス中のＣＨＦ系ガスの分圧は、第１のエッチングガスに当該ＣＨＦ系ガスを添加していない場合の各膜へのエッチングレートを基準として、当該ＣＨＦ系ガスを添加することにより、高炭素濃度絶縁膜１１４に対するエッチングレートが低下するとともに、低炭素濃度絶縁膜１１６に対するエッチングレートを変化させない範囲に設定されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体装置において、容量素子の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】下部電極ＤＥと、容量絶縁膜ＣＥＬと、上部電極ＵＥとからなる容量素子において、下部電極ＤＥを、半導体基板１の主面上の絶縁膜に形成された電極溝１７ａの内部に埋め込まれた金属膜によって構成し、上部電極ＵＥを、ＴｉＮ膜（下層金属膜）２２と、ＴｉＮ膜（下層金属膜）２２上に形成されたＴｉ膜（キャップ金属膜）２３との積層膜によって構成する。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ素子形成領域の配線を露出させることなく、クラックストップトレンチとボンディングパッド開口部を同時に形成する半導体ウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と多層配線構造とを少なくとも具備してなり、前記多層配線構造がチップ領域Ａとヒューズ素子形成領域Ｂおよびダイシング領域Ｃとに渡って形成されてなる半導体ウエハにおいて、前記チップ領域に位置する前記多層配線構造上には、前記配線で構成されたボンディングパッド１７０が形成される一方、前記ダイシング領域には、前記多層配線構造が一部除去されることによって形成された二本以上が並行して並ぶダミーリングおよび、前記ダミーリング間に形成された、クラックストップトレンチ１５２となる溝部が設けられていることを特徴とする半導体ウエハを採用する。 （もっと読む）

【課題】研磨時にバリア膜が溶解することを抑制することができるような半導体装置及びその製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された、溝１０９を有する絶縁膜１０７と、溝１０９に形成された第１のバリア膜１１１と第２のバリア膜１１２とを有する配線１１５とを備えている。第１のバリア膜１１１は、溝１０９の側壁及び底面上に形成され、第２のバリア膜１１２は、第１のバリア膜１１１を覆うように溝１０９に形成されている。さらに、第２のバリア膜１１２は、配線１１５の上面よりも下側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜内の水分などによるバリアメタルの腐食を防止し、銅配線の信頼性の低下及び抵抗値の上昇を抑制し得る半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 メチル基を含有する層間絶縁膜３２内に配線溝３７を形成する。配線溝３７が形成された絶縁膜３２に紫外線又は電子線を照射した後に、メチル基を有するガスを用いて絶縁膜の露出面を疎水化する。配線溝３７の疎水化された内面に沿ってバリアメタル層４１を形成し、該バリアメタル層４１を介して配線溝３７を銅配線４３で充填する。一実施形態において、配線溝３７はメタルハードマスク４７を用いて絶縁膜３２をエッチングすることにより形成され、絶縁膜３２への紫外線又は電子線の照射は、メタルハードマスク４７を残存させた状態で行われる。 （もっと読む）

【課題】従来例に比べて結合容量が低下し、さらに機械的または電気的特性を向上させた導体トラック間のエアギャップの製造方法を提供する。
【解決手段】基材１、２と、少なくとも２つの導体トラック４と、空洞６と、導体トラック４を覆い、空洞６を塞ぐレジスト層５とを含む、導体トラック配列とする。導体トラック４の幅Ｂ１よりも小さい幅Ｂ２のキャリアトラックＴＢを形成することにより、結合容量と信号遅延を低減するためのエアギャップが、導体トラック４の下にその側面に沿ってセルフアライン技術により形成される。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造ａ１と、重合性の官能基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであって、アセチレン結合を含むアセチレン系反応基を、分子内に複数個備えたオリゴアセチレン体を前記重合性化合物として含むとともに、前記オリゴアセチレン体が有する前記アセチレン系反応基の少なくとも一部が水素原子で置換された構造を有する水素化体を含み、前記重合性化合物が重合していない状態とした場合における、前記オリゴアセチレン体と前記水素化体の総モル数に対する、前記水素化体のモル分率が０．０１〜１０モル％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線形成時に、シード膜を配線用溝の側壁に確実に形成する。
【解決手段】下地絶縁膜１の上にプラズマシリコン窒化膜２、プラズマＴＥＯＳ酸化膜３を形成する。プラズマＴＥＯＳ酸化膜３は、高周波電源および低周波電源を用いる２周波励起プラズマＣＶＤ装置により、膜密度が上部に行くほど小さくなるように形成される。配線用溝をＲＩＥ法により形成した後、ウェットエッチングで膜密度が小さい部分を速くエッチングすることでテーパ形状の配線用溝３ａを形成する。スパッタでバリアメタル膜４を形成する際に配線用溝３ａの側壁にも確実に形成でき、銅膜５のメッキをボイドなしに形成できる。 （もっと読む）