【課題】 層間絶縁膜の厚膜化を抑制しつつ、周辺回路領域の配線層数を増加させることのできる光電変換装置を提供する。
【解決手段】 画素領域と、画素領域よりも多くの配線層を有する周辺回路領域とが配された半導体基板と、半導体基板の上部に配された配線部とを有する光電変換装置において、配線部は、第１の配線層と接続する第１の層間絶縁膜に配されたプラグを周辺回路領域に有し、第１の配線層よりも上部に配された第２の配線層と接続する第１の層間絶縁膜に配されたプラグと第２の層間絶縁膜に配されたプラグとを画素領域に有し、
半導体基板に最も近接して配された配線層は、周辺回路領域において第１の配線層であり、画素領域において第２の配線層である。 （もっと読む）

【課題】ビアホール内のコンタクト材料としてカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いつつ、ビア抵抗の低減及びプロセスの容易化をはかる。
【解決手段】配線層間のビアにＣＮＴを用いた半導体装置であって、表面にＣｕ配線１７を有する基板上に設けられた層間絶縁膜１９と、層間絶縁膜１９に形成されＣｕ配線１７に接続されるビアホールと、ビアホール内に露出するＣｕ配線１７上に選択的に形成され、Ｃｕ配線１７に対するバリアとなり、且つＣＮＴの成長の助触媒となる第１の金属膜２１と、ビアホール内の少なくとも第１の金属膜２１上に形成された、ＣＮＴの成長の触媒となる第２の金属膜２２と、第１及び第２の金属膜２１，２２が形成されたビアホール内に形成されたＣＮＴ２３と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体デバイス要素のメタライゼーション及び誘電体材料の不活性化に使用される障壁層に関する。
【解決手段】半導体デバイスメタライゼーション要素用の障壁層は、要素くぼみ中に形成されたシリコン窒化物薄膜とシリコン窒化物薄膜上に形成された耐熱性金属薄膜を供する。デバイス要素は誘電体材料及び誘電体中に形成されたくぼみを含む。くぼみ内の誘電体材料の表面は、制御されたパラメータ下で窒素に露出される。くぼみの内部に隣接した誘電体材料の部分は、シリコン窒化物に変換される。
耐熱性金属は次に、くぼみの側壁に沿って、適合して堆積される。次に、耐熱性金属薄膜上にシード層が堆積され、次にくぼみ内に導電性金属が堆積される。次に、くぼみの外の過剰の金属を除去し、デバイスを平坦化するため、デバイスを研磨する。 （もっと読む）

【課題】ボイドやシームが発生しにくい構造体とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０１に形成された層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３に形成されたコンタクト孔１０４と、コンタクト孔１０４を埋め込むＣｕ膜１０７と、コンタクト孔１０４の内部の側壁に形成され、Ｃｕ膜１０７の下地となる金属含有下地膜１３と、を備える。コンタクト孔１０４の開口に接続している側壁の一部を含む第一の領域１１において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属窒化層１０６を有する。第一の領域１１よりも半導体基板１０１側の側壁を含む第二の領域１２において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属層１０５を有する。金属層１０５の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度は、金属窒化層１０６の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】誘電率の低い絶縁膜であって、半導体装置の製造においてＣＭＰ法により当該絶縁膜上の膜を好適に除去することができるとともに、キャップ層を備えておらず、かつ、信頼性に優れた半導体装置の製造に好適に用いることができる絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成された絶縁膜であって、０．０３〜２０μｍの膜厚を有し、ナノインデンターを用いて、膜厚の２分の１以上の最大押し込み深さにおいて、弾性率測定変位を膜厚の１０分の１とする測定から求められる弾性率が、４．０ＧＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率の絶縁膜を備える一方で、当該絶縁膜上に選択的に設けられたキャップ層を備えておらず、信頼性に優れた半導体装置を効率よくかつ確実に製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて、膜厚の２分の１以上の最大押し込み深さにおいて、弾性率測定変位を膜厚の１０分の１とする、ナノインデンターを用いた測定から求められる弾性率が、４．０ＧＰａ以上である絶縁膜を形成する工程を有する一方で、絶縁膜上にキャップ層を形成する工程を有していない。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつ金属との密着性に優れた絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板（シリコン基板）と、基板上に設けられており、炭素−炭素結合を有し、かつ炭素原子数とシリコン原子数との比（Ｃ／Ｓｉ）が２以上である、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂと、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂに設けられた凹部と、凹部を埋め込むように設けられた金属膜（Ｃｕ膜２２ｂ）と、Ｃｕ膜２２ｂと接しており、凹部内の多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの表面に設けられた、改質層３１ｂと、を備え、改質層３１ｂは、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの内部と比較して、Ｃ／Ｓｉ比が小さく、かつＯ／Ｓｉ比が同等である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びＣｕに対する密着性と、Ｃｕ拡散防止とを両立する。
【解決手段】 第１絶縁膜に設けた凹部の側壁に第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜の内側に順に第２絶縁膜との密着性が優れている第１の導電性バリア層、炭素を含有する第２の導電性バリア層、及び、Ｃｕ系埋込電極との密着性が優れている第３の導電性バリア層の３層構造のバリア層を介してＣｕ系埋込電極を設けるとともに、前記第１の導電性バリア層と前記第２の導電性バリア層との界面と、前記第２の導電性バリア層と前記第３の導電性バリア層との界面に炭素混合領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電
極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し
、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを
有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコ
ンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部
でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデ
ンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の広幅の配線におけるディッシングの抑制と、抵抗の抑制と、を両立させる。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された配線層絶縁膜９と、を有している。配線層絶縁膜９には、第１配線用配線溝１１と、第１配線用配線溝１１よりも広幅の第２配線用配線溝１２と、が形成されている。第１配線用配線溝１１内には第１配線２１が、第２配線用配線溝１２内には第２配線２２が、それぞれ形成されている。第２配線用配線溝１２の底面の少なくとも一部分は、絶縁膜（例えば、絶縁膜４及びエッチングストッパー膜５）によって、第２配線用配線溝１２の上端に達しない高さで第１配線用配線溝１１の底面よりもかさ上げされた、かさ上げ部１５となっている。 （もっと読む）

【課題】無機膜との密着性に優れ、銅配線のヒロックを抑制できる絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置及び該絶縁膜を提供できる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、１分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む膜形成用組成物を用いて形成された絶縁膜であって、該絶縁膜とＳｉＣＮ膜とを用いて測定される、ｍ−ＥＬＴ法による密着力が、０．１５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以上０．３５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の比誘電率を容易かつ十分に低下させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、それぞれ環状ＳｉＯ構造を主骨格とし互いに構造が異なる２種類以上の有機シロキサン化合物原料を混合した後で気化する。又は、それら２種類以上の有機シロキサン化合物原料の混合と気化とを一度に行うことによって、気化ガスを生成する。そして、その気化ガスをキャリアガスとともに反応炉に輸送する。そして、反応炉にてその気化ガスを用いたプラズマＣＶＤ法又はプラズマ重合法によって多孔質絶縁膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極に、剥離やストレスマイグレーションによるボイドが発生するのを抑制する。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置であって、薄膜トランジスタは、半導体層６と、半導体層６上に形成されるコンタクト層７と、コンタクト層７上に形成されるソース電極１０及びドレイン電極９とを有し、ソース電極１０およびドレイン電極９は、コンタクト層７の上側に形成される第１の導電層９ａ，１０ａと、第１の導電層９ａ，１０ａの上側に形成される第２の導電層９ｂ，１０ｂとを有し、第２導電層９ｂ，１０ｂは、第１添加元素と、銅とを含有する銅合金層であり、前記第１添加元素は、ジルコニウム、チタン、銀、インジウム、金、錫、クロム、ケイ素から選ばれた少なくとも１種類の元素である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。
【解決手段】 ポリイミドなどからなる保護膜５に開口部６を形成したとき、保護膜５の開口部６を介して露出された接続パッド２の上面にポリイミドなどからなる残渣が残存する場合がある。そこで、次に、この残渣を酸素プラズマアッシングにより除去する。この場合、保護膜５の上面側に凸凹構造の変質層Ａが形成される。次に、開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面に形成された自然酸化膜をアルゴンプラズマエッチングにより除去する。この場合、変質層Ａがさらに変質して網目構造の変質層Ｃが形成される。次に、チタンなどからなる第１の下地金属層７を成膜する。この場合、第１の下地金属層７は網目構造の変質層Ｃの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。 （もっと読む）

【課題】配線の表皮効果の抑制と低抵抗化を図る。
【解決手段】第１配線部４１と、その第１配線部４１の周りを被覆する、高融点金属窒化物を含む第２配線部４２とを含む配線４０ａを形成する。このような配線４０ａにおける第２配線部４２は、第１配線部４１側から外周に向かって窒素含有率が高くなる部分を有するように形成する。これにより、配線４０ａにおける表皮効果が抑制されると共に、配線４０ａの低抵抗化が図られるようになる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された配線用パターンの底部までＣｕ埋め込みが可能な基板の配線方法を提供する。
【解決手段】真空状態に保持された処理容器１００内にて配線用パターンが形成された基板を配線する方法であって、ウエハ上の配線用パターンを所望のクリーニングガスにより洗浄する前工程と、前工程後、クラスタ化された金属ガス（金属ガスクラスタＣｇ）を用いて配線用パターン内に金属ナノ粒子を埋め込む埋め込み工程と、を含むことを特徴とする基板の配線方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】薄膜抵抗と配線部との接触抵抗が高抵抗化することを抑制できる薄膜抵抗を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタ装置内において事前にチタンの表面を窒化させておくことで窒化チタンを形成しておき、その後、窒素の導入を停止した状態で窒化チタンをターゲットとしたスパッタにより、窒化チタン膜によって構成される第１金属層５を形成する。これにより、薄膜抵抗Ｒと接触する第１金属層５を形成する際に、スパッタ装置内に窒化ラジカルが基本的には存在していない条件で第１金属層５の成膜を行うことができるため、薄膜抵抗Ｒの露出部分に窒化物が形成されないようにできる。したがって、薄膜抵抗Ｒと配線部の一部を構成する第１金属層５との接触抵抗が高抵抗化することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】外部回路接続に棒はんだを用いる、複数の相互接続金属層およびはんだ濡れ性の前面金属部構造を備えるＨＥＭＴを含むＩＩＩ族窒化物パワーデバイスの、いくつかの典型的な実施形態を提供する。
【解決手段】はんだ濡れ性の前面金属部１４０ａおよび１４０ｂの構成は、ＴｉＮｉＡｇのようなトリメタルからなり、ＨＥＭＴのソースおよびドレインコンタクトを交互の細長いデジットまたはバーとして露出するように設けられる。また、単一のパッケージは、前面金属部構造１４０ａおよび１４０ｂが交互の相互嵌合したソースおよびドレインコンタクトを露出する、こうしたＨＥＭＴを多数集積し、これはＩＩＩ族窒化物デバイスを用いるＤＣ‐ＤＣパワー変換回路設計に有利となり得る。外部回路接続に棒はんだを用いることにより、横方向の導電が可能となり、これによりデバイスのオン抵抗Ｒｄｓｏｎを低減する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルのステップカバレッジを向上させるボーダレスコンタクト構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】低抵抗金属層と高融点金属元素を含む第１のバリアメタル膜を順次積層した構造の配線パタ―ン４２Ａと、配線パタ―ンを覆う層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜中に形成され、配線パタ―ンの上面の一部と側壁面の一部を露出し、さらに配線パタ―ンに、露出上面および露出側壁面を連結して形成された斜面をも露出斜面４２ｄとして露出するビアホール４３Ａと、ビアホールの側壁面、露出上面および露出側壁面、さらに前記露出斜面に形成された、少なくとも低抵抗金属層の構成元素および高融点金属元素を含む導電性側壁膜４３ｂと、導電性側壁膜を覆い、高融点金属元素を含む第２のバリアメタル膜と、前記第２のバリアメタル膜を介して充填し、前記第２のバリアメタル膜に接する導電性プラグと、を含む。 （もっと読む）