【課題】 化学的機械的研磨プロセスで研磨した後でほぼ擦り傷なしの表面が得られるような、その最上部表面の硬度が改善された軟金属導体を提供する。
【解決手段】 その後の化学的機械的研磨ステップで研磨後にほぼ擦り傷なしの表面が得られるように、十分大きい粒子サイズを有する粒子から構成される最上部層を有する、半導体素子に使用するための軟金属導体７８である。導電性軟金属構造の最上部層に軟金属構造の厚さの約２０％以上の粒子サイズを有する金属粒子を付着する。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスの簡略化及び信頼性の向上を図ることにある。
【解決手段】 強誘電体メモリの製造方法は、（ａ）基体１０の上方に形成された絶縁層２０に、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４を形成すること、（ｂ）第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの内部に、絶縁層２０の上面よりも低い上面を有するプラグ４２，４４を形成すること、（ｃ）第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれのプラグ４２，４４の上方に、バリア層５２，５４を形成すること、（ｄ）下部電極８２、強誘電体層８４及び上部電極８６を順に積層して積層体８１を形成すること、（ｅ）積層体８１をエッチングすることによって、第１のコンタクトホール２２のプラグ４２の上方を含む領域に、強誘電体キャパシタ８０を形成すること、を含む。バリア層５２，５４は、下部電極８２よりもエッチングされにくい性質を有する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の向上を図ることにある。
【解決手段】 強誘電体メモリの製造方法は、（ａ）基体１０の上方に形成された絶縁層２０に、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４を形成すること、（ｂ）第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの内部に、絶縁層２０の上面よりも低い上面を有するプラグ４２，４４を形成すること、（ｃ）第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれのプラグ４２，４４の上方を含む領域に、バリア層５１を形成すること、（ｄ）下部電極８２、強誘電体層８４及び上部電極８６を順に積層して積層体８１を形成すること、（ｅ）積層体８１をエッチングすることによって、第１のコンタクトホール２２のプラグ４２の上方を含む領域に、強誘電体キャパシタ８０を形成すること、（ｆ）第２のコンタクトホール２４のプラグ４４の上方を含む領域に、被覆層９０を形成すること、（ｇ）酸素雰囲気下においてアニール処理を行うこと、を含む。 （もっと読む）

【解決手段】 チタニウム−アルミニウム−窒素（「Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ」）が半導体基板上に積層されて反射防止コーティングとしての役割を果たす。配線ラインの実施の形態に対して、アルミニウム導電層（５４）及びアルミニウム−チタニウム下層（５２）は、反射防止キャップ層の下に形成される。
【効果】 配線ライン製造プロセスに対して、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層は、製造中の不要なフォトリソグラフ光（即ち、光子）の反射を防止するキャップ層（５６）としての役割を有する。電界放射ディスプレイ装置（ＦＥＤ）（１５０）に対して、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層は、ディスプレイスクリーン（１１８）のアノードに由来する光がトランジスタ接合部を通過して装置動作を妨害するのを防止する。Ｔｉ−Ａｌ下層は熱処理中にアルミニウム導電層に起きる収縮を低減する。 （もっと読む）

【課題】 配線及びコンタクトを微細化しながら活性領域の増大を抑制して、配線と活性領域とのコンタクトを良好に保つ。
【解決手段】 半導体装置では、配線Ｍ１乃至Ｍ３がＹ方向に平行して設けられ、配線直下に活性領域ＳＤＧが設けられ、配線Ｍ２が第１のコンタクトＣ１及び第２のコンタクトＣ２を介して活性領域ＳＤＧと接続されている。第１のコンタクトＣ１は、配線Ｍ２よりも幅の広い活性領域ＳＤＧ内に、第１のコンタクトと活性領域との余裕Ｚだけ内側に設けられ、開口部にコンタクトプラグ６が埋設されている。配線Ｍ２内に設けられた第２のコンタクトＣ２は、第１のコンタクトＣ１上に第１のコンタクトＣ１と接して設けられ、Ｘ方向の寸法Ｘ１が第１のコンタクトＣ１及び配線Ｍ２よりも第２のコンタクトと配線の余裕Ｗの２倍分だけ小さく、且つＹ方向の寸法Ｙ１が第１のコンタクトＣ１よりも大きく、活性領域ＳＤＧの外側まで設けられている。 （もっと読む）

【課題】ダミーパターンの面積を大きくしなくても、半導体素子や配線へのプラズマチャージ量を少なくする。
【解決手段】 半導体基板１にトランジスタ１１を形成すると共に、半導体基板１上にＭＮＯＳ素子１０を形成する。ＭＮＯＳ素子１０に電荷を蓄積した後、層間絶縁膜２０を形成する。層間絶縁膜２０に、ゲート電極５ｂ上に位置する第1の接続孔２０ｂ、及びＭＮＯＳ素子１０上に位置する第２の接続孔２０ａを形成する。層間絶縁膜２０上に、第1の接続孔２０ｂを介してゲート電極５ｂに接続する配線２２ｂを形成すると共に、第２の接続孔２０ａを介してＭＮＯＳ素子１０に接続するダミーパターン２２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】 基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された透明導電膜、および、これら薄膜トランジスタと透明導電膜を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記透明導電膜の界面には該アルミニウム合金の酸化皮膜が形成されており、該酸化皮膜の膜厚が１〜１０ｎｍで、該酸化皮膜中の酸素含有量が４４原子％以下である表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】 ナノインプリント法を用いることでコストを抑えることができる、半導体装置の作製方法の提案を課題とする。
【解決手段】 本発明は、島状の半導体膜上にゲート絶縁膜と、導電膜と、レジストとを順に形成し、パターンが形成されたモールドをレジストに押し付けた状態でレジストの硬化を行なうことで、パターンをレジストに転写し、導電膜の一部が露出するまでパターンが転写されたレジストの表面をアッシングし、アッシングされたレジストをマスクとして用い、導電膜をエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 寄生容量の増加を抑制しつつ、所望のゲート耐圧を有するパワーＭＩＳＦＥＴを製造できる技術を提供する。
【解決手段】 基板上に多結晶シリコン膜を堆積し、その多結晶シリコン膜で溝部７、８を埋め込んだ後、その多結晶シリコン膜をパターニングすることにより、活性セル領域においては溝部７内にてゲート電極１１を形成し、ゲート配線領域においては溝部８内を埋め込み、一部が溝部８内から連続して溝部８の外部に延在し、ゲート電極１１と電気的に接続するゲート引き出し電極１２を形成し、溝部８外のゲート引き出し電極１２には、ゲート引き出し電極１２の端部から延在するスリット１４を形成する。その後、基板上に酸化シリコン膜１９およびＢＰＳＧ膜２０を堆積する。 （もっと読む）

【課題】 セルトランジスタの拡散層に接続された多結晶シリコン電極と、周辺回路トランジスタの拡散層に接続された金属電極とを備え、多結晶シリコン電極が形成された拡散層の接合リーク電流が抑制され、これによって、良好な情報保持特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、多結晶シリコン電極に接続された拡散層を有するトランジスタを形成する工程と、９８０〜１０２０℃の基板温度で熱処理する第１の高温熱処理工程（工程Ａ２）と、７００〜８５０℃の基板温度で熱処理する第１の低温熱処理工程（工程Ａ３）とをこの順に有する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の導電物質からなる信号線を用いることにより、良好な接触特性を備える接触構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】接触部形成方法は、基板上に第１配線を形成する段階と、第１配線を覆い、第１配線の一部分を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する段階と、コンタクトホールによって露出する第１配線の表面に接触層を形成する段階と、接触層を介して第１配線と接続される第２配線を形成する段階とを含み、第１配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成し、第２配線は、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成する。 （もっと読む）