強誘電体メモリ及びその製造方法
【課題】 信頼性の向上を図ることにある。
【解決手段】 強誘電体メモリの製造方法は、（ａ）基体１０の上方に形成された絶縁層２０に、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４を形成すること、（ｂ）第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの内部に、絶縁層２０の上面よりも低い上面を有するプラグ４２，４４を形成すること、（ｃ）第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれのプラグ４２，４４の上方を含む領域に、バリア層５１を形成すること、（ｄ）下部電極８２、強誘電体層８４及び上部電極８６を順に積層して積層体８１を形成すること、（ｅ）積層体８１をエッチングすることによって、第１のコンタクトホール２２のプラグ４２の上方を含む領域に、強誘電体キャパシタ８０を形成すること、（ｆ）第２のコンタクトホール２４のプラグ４４の上方を含む領域に、被覆層９０を形成すること、（ｇ）酸素雰囲気下においてアニール処理を行うこと、を含む。
【解決手段】 強誘電体メモリの製造方法は、（ａ）基体１０の上方に形成された絶縁層２０に、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４を形成すること、（ｂ）第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの内部に、絶縁層２０の上面よりも低い上面を有するプラグ４２，４４を形成すること、（ｃ）第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれのプラグ４２，４４の上方を含む領域に、バリア層５１を形成すること、（ｄ）下部電極８２、強誘電体層８４及び上部電極８６を順に積層して積層体８１を形成すること、（ｅ）積層体８１をエッチングすることによって、第１のコンタクトホール２２のプラグ４２の上方を含む領域に、強誘電体キャパシタ８０を形成すること、（ｆ）第２のコンタクトホール２４のプラグ４４の上方を含む領域に、被覆層９０を形成すること、（ｇ）酸素雰囲気下においてアニール処理を行うこと、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強誘電体メモリ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
強誘電体メモリとして、強誘電体キャパシタを選択用トランジスタにスタックする構造が知られている。強誘電体キャパシタと選択用トランジスタの間には、絶縁層が介在し、絶縁層のコンタクトホールに埋め込まれたプラグによって両者の電気的接続が図れている。プラグの形成は、コンタクトホールの内部及び周囲の絶縁層上にプラグ材料である導電層を成膜し、全体を化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法などを適用して研磨することによって行われる。しかしながら、この場合、導電層とその周囲の絶縁層との研磨速度が異なることに起因して、コンタクトホールに導電層のリセス（凹部）が発生する。リセスを残したままにしておくと、強誘電体キャパシタを平坦な面上に形成できず、製造プロセスの安定化が損なわれ、信頼性の低下を招くおそれがある。なお、強誘電体キャパシタの製造プロセスでは、強誘電体層の酸化処理が必要になるので、プラグの酸化を防止することが要求される。
【特許文献１】特開平１１−７４４８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の向上が図れる強誘電体メモリ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る強誘電体メモリの製造方法は、
（ａ）基体の上方に形成された絶縁層に、第１及び第２のコンタクトホールを形成すること、
（ｂ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部に、前記絶縁層の上面よりも低い上面を有するプラグを形成すること、
（ｃ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの前記プラグの上方を含む領域に、バリア層を形成すること、
（ｄ）下部電極、強誘電体層及び上部電極を順に積層して積層体を形成すること、
（ｅ）前記積層体をエッチングすることによって、前記第１のコンタクトホールの前記プラグの上方を含む領域に、強誘電体キャパシタを形成すること、
（ｆ）前記第２のコンタクトホールの前記プラグの上方を含む領域に、被覆層を形成すること、
を含む。
【０００５】
本発明によれば、第２のコンタクトホールのプラグ上を含む領域に被覆層を形成するので、例えば強誘電体キャパシタのアニール処理において、第２のコンタクトホールのプラグの酸化防止を図ることができる。すなわち、バリア層の厚さが不十分である場合や、バリア層がエッチングされ消失している場合でも、第２のコンタクトホールのプラグの酸化防止を図ることができる。
【０００６】
なお、本発明において、特定のＡ層の上方にＢ層が設けられているとは、Ａ層上に直接Ｂ層が設けられている場合と、Ａ層上に他の層を介してＢ層が設けられている場合と、を含むものとする。このことは、以下の発明においても同様である。
【０００７】
（２）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記バリア層を、前記絶縁層の上方をさらに含む領域に形成し、
前記（ｅ）工程で、前記積層体と同時に、前記バリア層をエッチングしてもよい。
【０００８】
これによれば、積層体のみならずバリア層もエッチングするので、例えば第２のコンタクトホールのプラグ上のバリア層が除去された場合であっても、被覆層によるプラグの酸化防止を図ることができる。
【０００９】
（３）この強誘電体メモリにおいて、
前記（ｆ）工程で、前記被覆層を、前記強誘電体キャパシタの表面をさらに含む領域に形成してもよい。
【００１０】
これによれば、強誘電体キャパシタの表面にも被覆層を形成するが、被覆層の厚みをコントロールすることによって、例えば強誘電体キャパシタに対するアニール効果は達成される。
【００１１】
（４）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｆ）工程で、前記被覆層をスパッタリング法によって成膜してもよい。
【００１２】
これによれば、スパッタリング法によるカバレージ特性により、強誘電体キャパシタの側面には被覆層が薄く形成されるため、例えば強誘電体キャパシタに対するアニール効果は達成される。
【００１３】
（５）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記被覆層は、無機絶縁材料から構成されてもよい。
【００１４】
（６）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｆ）工程後に、酸素雰囲気下においてアニール処理を行うことをさらに含んでもよい。
【００１５】
（７）本発明に係る強誘電体メモリの製造方法は、
（ａ）基体の上方に形成された絶縁層に、第１及び第２のコンタクトホールを形成すること、
（ｂ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部に、前記絶縁層の上面よりも低い上面を有するプラグを形成すること、
（ｃ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの前記プラグの上方と、前記絶縁層の上方とを含む領域に、バリア層を形成すること、
（ｄ）下部電極、強誘電体層及び上部電極を順に積層して積層体を形成すること、
（ｅ）前記積層体を前記バリア層が残るようにエッチングすることによって、前記第１のコンタクトホールの前記プラグの上方を含む領域に、強誘電体キャパシタを形成すること、
（ｆ）酸素雰囲気下においてアニール処理を行うこと、
（ｇ）前記バリア層における前記絶縁層の上方の部分を除去すること、
を含む。
【００１６】
本発明によれば、強誘電体キャパシタを形成するための積層体のエッチング工程を、バリア層が残るように行うので、その後の強誘電体キャパシタのアニール処理において、第２のコンタクトホールのプラグの酸化防止を図ることができる。また、酸化防止用に新たな層を設ける必要がなく、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【００１７】
（８）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）工程前に、前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内面に、他のバリア層を形成することをさらに含み、
前記（ｂ）工程で、前記プラグを前記他のバリア層の内側に形成してもよい。
【００１８】
（９）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）工程で、
前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部及び前記絶縁層の上方に、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層を前記絶縁層が露出するまで研磨することによって、前記プラグを形成してもよい。
【００１９】
（１０）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）工程の前記研磨工程後に、エッチングによって、前記第１及び第２のコンタクトホールの少なくともいずれか一方の内部における前記第１の導電層の上部をさらに除去してもよい。
【００２０】
これによれば、第１の導電層の上部をさらに除去するので、バリア層をさらに厚く形成することが可能になり、バリア効果の向上を図ることができる。
【００２１】
（１１）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｃ）工程で、
前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部及び前記絶縁層の上方に、第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層を前記絶縁層の上方に所定の厚さが残るように研磨することによって、前記バリア層を形成してもよい。
【００２２】
（１２）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｃ）工程の前記研磨工程後に、前記バリア層の上方に密着層を形成することをさらに含んでもよい。
【００２３】
（１３）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）及び（ｃ）工程の少なくともいずれか一方の研磨工程は、化学的機械的研磨法による工程を含んでもよい。
【００２４】
（１４）本発明に係る強誘電体メモリは、
基体と、
前記基体の上方に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を貫通する第１のコンタクトホールと、
前記第１の絶縁層を貫通する第２のコンタクトホールと、
前記第１のコンタクトホールに形成された第１のコンタクト部と、
前記第２のコンタクトホールに形成された第２のコンタクト部と、
前記第１のコンタクト部の上方を含む領域に、下部電極、強誘電体層及び上部電極が順に積層して形成された強誘電体キャパシタと、
前記第１の絶縁層の上方に形成された第２の絶縁層と、
前記第２のコンタクト部の上方に、前記第２の絶縁層を貫通して形成された第３のコンタクトホールと、
前記第３のコンタクトホールに形成された第３のコンタクト部と、
を含み、
前記第１のコンタクト部は、第１のプラグと、前記第１のプラグの上方に形成された第１のバリア層と、を有し、
前記第２のコンタクト部の上面は、前記第１のバリア層の上面よりも低く形成され、
前記第３のコンタクト部の下面は、前記第２のコンタクトホールの内部において、前記第２のコンタクト部の前記上面と接続されている。
【００２５】
（１５）この強誘電体メモリにおいて、
前記第２のコンタクト部は、第２のプラグと、前記第２のプラグの上方に形成された第２のバリア層と、を有し、
前記第２のバリア層の上面は、前記第１のバリア層の上面よりも低く形成されていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２７】
（第１の実施の形態）
図１〜図８は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を模式的に示す図である。
【００２８】
図１に示すように、基体１０を用意する。基体１０は、半導体基板（例えばシリコン基板）である。基体１０には、複数のトランジスタ（図示しない）が形成されている。トランジスタは、ソース領域又はドレイン領域となる不純物領域と、ゲート絶縁層と、ゲート電極と、を含む。各トランジスタの間には素子分離領域（図示しない）が形成され、トランジスタ間の電気的絶縁が図られている。本実施の形態では、一例として、１Ｔ１Ｃ型のスタック構造の強誘電体メモリを製造する。
【００２９】
まず、基体１０上に絶縁層２０を形成する。基体１０がシリコン基板である場合、絶縁層２０を例えば酸化シリコン層（ＳｉＯ２層）から形成してもよい。絶縁層２０は、基体１０における複数のトランジスタが形成された面上に形成する。絶縁層２０は、基体１０の上面の全部を被覆するように形成してもよく、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの公知技術を適用して形成することができる。
【００３０】
図１に示すように、絶縁層２０に第１及び第２のコンタクトホール２２，２４を形成する。第１及び第２のコンタクトホール２２，２４は、それぞれ、絶縁層２０の異なる平面領域に形成する。第１のコンタクトホール２２からは、いずれか１つのトランジスタのソース領域又はドレイン領域を露出させ、第２のコンタクトホール２４からは、他のトランジスタのソース領域又はドレイン領域を露出させる。なお、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の形成方法としては、フォトリソグラフィ技術などを適用することができる。
【００３１】
図２〜図６に示すように、第１のコンタクトホール２２に第１のコンタクト部６０を形成し、第２のコンタクトホール２４に第２のコンタクト部７０を形成する。第１及び第２のコンタクト部６０，７０は、電気的導電性を有する。
【００３２】
まず、図２に示すように、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの内面に、バリア層（他のバリア層）３０を形成する。バリア層３０は、スパッタリング等によって成膜することができる。バリア層３０は、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの側面（絶縁層２０の端面）及び底面（基体１０の上面）に形成し、さらに絶縁層２０の上面にも形成する。ただし、バリア層３０は、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４を埋めないように形成する。バリア層３０は、例えば窒化チタンアルミニウム層（ＴｉＡｌＮ層）及び窒化チタン層（ＴｉＮ層）の少なくともいずれか１層から形成してもよい。
【００３３】
次に、図３に示すように、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの内部及び絶縁層２０上に、第１の導電層４０を形成する。第１の導電層４０は、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の内部（詳しくはバリア層３０で囲まれた内側）を埋め込むように形成する。バリア層３０を形成する場合には、バリア層３０上に第１の導電層４０を形成する。第１の導電層４０は、ＣＶＤ法等によって成膜してもよい。第１の導電層４０は、例えばタングステン層（Ｗ層）から形成してもよい。
【００３４】
その後、図４に示すように、第１の導電層４０を研磨することによって、プラグ４２，４４を形成する。研磨工程では、化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishment）法による工程を適用してもよい。本実施の形態では、第１の導電層４０の一部及びバリア層３０の一部を研磨及び除去する。すなわち、第１の導電層４０（及びバリア層３０）を、ストッパとなる絶縁層２０が露出するまで研磨する。その場合、絶縁層２０（例えば酸化シリコン材料）は、第１の導電層４０（例えばタングステン材料）よりも研磨されにくい（研磨速度が小さい）ので、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の内部において、第１の導電層４０のリセス（第１及び第２の凹部２６，２８）が発生する。なお、絶縁層２０がバリア層３０よりも研磨されにくければ、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの内部において、バリア層３２，３４の上部も研磨及び除去される。
【００３５】
上述の研磨工程終了後、エッチング（例えばドライエッチング）によって、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の少なくともいずれか一方の内部における第１の導電層４０の上部をさらに除去してもよい。かかるエッチング工程は、第１のコンタクトホール２２のみに対して行ってもよく、第２のコンタクトホール２４のみに対して行ってもよく、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の両方に対して行ってもよい。本工程によれば、上述の第１の導電層４０のリセス（第１及び第２の凹部２６，２８）がさらに進行する（深くなる）ので、後述のバリア層５２，５４を厚く形成することが可能になり、バリア効果の向上を図ることができる。
【００３６】
こうして、第１のコンタクトホール２２において、その内面に沿ってバリア層３２を形成し、バリア層３２によって囲まれた内側にプラグ４２を形成することができる。また、第２のコンタクトホール２４においても同様に、その内面に沿ってバリア層３４を形成し、バリア層３４によって囲まれた内側にプラグ４４を形成することができる。プラグ４２，４４は、いずれも、絶縁層２０の上面よりも低い上面を有している。すなわち、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４には、プラグ４２，４４上に第１及び第２の凹部２６，２８が形成されている。
【００３７】
次に、図５に示すように、第１の導電層４０と同様にして、第２の導電層５０を、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４（詳しくは第１及び第２の凹部２６，２８）のそれぞれの内部及び絶縁層２０上に形成する。第２の導電層５０は、第１及び第２の凹部２６，２８を埋め込むように形成する。第２の導電層５０は、スパッタリング等によって成膜してもよい。第２の導電層５０は、例えば窒化チタンアルミニウム層（ＴｉＡｌＮ層）及び窒化チタン層（ＴｉＮ層）の少なくともいずれか１層から形成してもよい。第２の導電層５０は、上述したバリア層３０と同一材料から形成してもよい。図５に示すように、第２の導電層５０には、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの上方に、窪み５６，５８が形成されてもよい。
【００３８】
その後、図６に示すように、第２の導電層５０を研磨することによって、バリア層５１を形成する。第２の導電層５０は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法によって研磨してもよい。第２の導電層５０の研磨工程の内容は、上述した第１の導電層４０の研磨工程の内容が該当する。ただし、本工程では、第２の導電層５０を絶縁層２０上に所定の厚さが残るように研磨する。すなわち、本工程では、第２の導電層５０の下地である絶縁層２０が露出しないように、絶縁層２０が露出する手前で研磨工程を終了させる。これによれば、第２の導電層５０のみを研磨すれば足りる（例えば第２の導電層５０及び絶縁層２０を同時に研磨せずに済む）ので、異種材料間の研磨速度が異なることに起因するリセス発生を防止することができる。なお、第２の導電層５０は、少なくとも窪み５６，５８が解消される程度に研磨することが好ましい。こうすることで、第２の導電層５０（バリア層５１）の上面を平坦にすることができる。
【００３９】
あるいは、変形例として、第２の導電層５０を絶縁層２０が露出するように研磨してもよい。その場合、第２の導電層５０から形成されるバリア層は、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の内部に形成され、絶縁層２０上には形成されない。
【００４０】
こうして、第１のコンタクトホール２２に第１のコンタクト部６０を形成し、第２のコンタクトホール２４に第２のコンタクト部７０を形成することができる。これによれば、プラグ４２，４４の形成工程で発生するリセス（第１及び第２の凹部２６，２８）は、バリア層５１の形成によって解消されているので、第１及び第２のコンタクト部６０，７０の上面と、絶縁層２０の上面とをほぼ面一にすることができる。こうすることで、後述の強誘電体キャパシタ８０を平坦な面に形成することができる。また、第１のコンタクト部６０のバリア層３２，５１によって、プラグ４２に対する拡散防止及び酸化防止が可能になり、第１のコンタクト部６０の低抵抗化を図ることができる。このことは、第２のコンタクト部７０のバリア層３４，５１についても同様である。
【００４１】
必要があれば、バリア層５１上に密着層（図示しない）を形成してもよい。密着層は、バリア層５１と同一材料（例えばＴｉＡｌＮ層、ＴｉＮ層）から形成してもよいし、異なる材料から形成してもよい。バリア層５１と同一材料の密着層を形成すれば、バリア層５１の薄い部分や剥離部分を被覆できるので、バリア効果のさらなる向上が図れる。密着層は、プラグ４２，４４よりも、後述の下部電極８２に対する密着力が大きい。あるいは、バリア層５１が密着機能を兼ねていてもよい。密着層がバリア層５１とは異なる材料から形成される場合、密着層は、バリア層５１よりも下部電極８２に対する密着力がさらに大きくてもよい。
【００４２】
図７及び図８に示すように、第１のコンタクト部６０（プラグ４２）上を含む領域に、強誘電体キャパシタ８０を形成する。例えば、強誘電体キャパシタ８０を、基体１０の面から垂直方向の平面視において、第１のコンタクトホール２２及びその周辺領域（絶縁層２０）を含む領域に形成する。本実施の形態では、第２のコンタクト部７０（プラグ４４）上には強誘電体キャパシタ８０を形成しない。
【００４３】
まず、図７に示すように、下部電極８２、強誘電体層８４及び上部電極８６を順に積層して積層体８１を形成する。積層体８１は、第１及び第２のコンタクト部６０，７０（プラグ４２，４４）上を含む領域に形成する。また、積層体８１は、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の周辺の絶縁層２０の領域上にも形成する。
【００４４】
下部電極８２は、例えばＰｔ、Ｉｒ、Ｉｒ酸化物（ＩｒＯｘ）、Ｒｕ、Ｒｕ酸化物（ＲｕＯｘ）、ＳｒＲｕ複合酸化物（ＳｒＲｕＯｘ）などから形成される。下部電極８２は、単一層又は複数層で形成する。下部電極８２の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などを適用することができる。
【００４５】
強誘電体層８４は、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを構成元素として含む酸化物からなるＰＺＴ系強誘電体を用いて形成されていてもよい。あるいは、ＴｉサイトにＮｂをドーピングしたＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ）Ｏ３（ＰＺＴＮ系）を適用してもよい。あるいは、強誘電体層８４はこれらの材料に限定されるものではなく、例えばＳＢＴ系、ＢＳＴ系、ＢＩＴ系、ＢＬＴ系のいずれを適用してもよい。強誘電体層８４の形成方法としては、溶液塗布法（ゾル・ゲル法、ＭＯＤ（Metal Organic Decomposition）法などを含む）、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法などを適用することができる。
【００４６】
なお、上部電極８６は、下部電極８２と同様の材料及び方法を適用して形成することができる。
【００４７】
その後、積層体８１を所定形状にパターニングする。まず、フォトリソグラフィ技術を適用して、レジスト層Ｒを積層体８１上に形成する。その場合、レジスト層Ｒは、第１のコンタクト部６０（プラグ４２）上を含む領域に形成し、第２のコンタクト部７０（プラグ４４）上には形成しない。そして、積層体８１のうち、レジスト層Ｒから露出する部分（第２のコンタクト部７０（プラグ４４）上を含む部分）をエッチングする。図７に示すように、絶縁層２０上にもバリア層５１が形成されている場合には、積層体８１と同時にバリア層５１もエッチングする。すなわち、積層体８１をオーバーエッチングすることによって、バリア層５１の不要部分も除去する。エッチングの進行具合に応じて、図８に示すように第２のコンタクトホール２４のプラグ４４上に薄くバリア層５４を残してもよいし、バリア層５４を残すことなくプラグ４４を露出させてもよい。なお、積層体８１及びバリア層５１のエッチングは、材質及び膜厚などに応じて適切な方法を選択することができ、ドライエッチング法やウエットエッチング法が例示できる。
【００４８】
なお、図７に示す例とは異なり、バリア層５１を絶縁層２０上に形成せずに、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の内部のみに形成した場合であっても、積層体８１のエッチングによって、第２のコンタクトホール２４の内部のバリア層の少なくとも一部が除去されることがある。本実施の形態では、バリア層の形態にかかわらず、プラグの酸化防止効果の高い製造プロセスを提供することができる。
【００４９】
こうして、図８に示すように、強誘電体キャパシタ８０を形成することができる。図８に示す例では、第１のコンタクト部６０のバリア層５２を形成する。バリア層５２は、第１のコンタクトホール２２からその周辺の絶縁層２０上に至るように形成されている。また、上述したように、第２のコンタクトホール２４では、プラグ４４が露出するか又は薄いバリア層５４が残る。
【００５０】
そこで、本実施の形態では、強誘電体層８４の安定化（例えばエッチングダメージ回復）のために行う酸素雰囲気下におけるアニール処理前に、図９に示すように、被覆層９０を形成する。被覆層９０は、無機絶縁材料から形成してもよく、例えば酸化アルミニウム層（Ａｌ２Ｏ３層）が挙げられる。被覆層９０は、少なくとも第２のコンタクト部７０（プラグ４４）上を含む領域に形成する。
【００５１】
本実施の形態によれば、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４上を含む領域に被覆層９０を形成するので、例えば強誘電体キャパシタ８０のアニール処理において、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４の酸化防止を図ることができる。すなわち、バリア層５４の厚さが不十分である場合や、バリア層５４がエッチングされ消失している場合でも、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４の酸化防止を図ることができる。また、上述したように、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４上にバリア層５４を残せば、被覆層９０及びバリア層５４によって、酸化防止効果のさらなる向上を図ることができる。
【００５２】
図９に示すように、被覆層９０を強誘電体キャパシタ８０の表面（上面及び側面）をさらに含む領域に形成してもよい。その場合、強誘電体キャパシタ８０の表面の全部を被覆してもよい。強誘電体キャパシタ８０の表面を被覆した場合であっても、被覆層９０の厚みをコントロールすることによって、強誘電体キャパシタ８０に対するアニール効果は達成される。具体的には、被覆層９０をスパッタリング法などを適用して成膜し、かかる方法によるカバレージ特性により、被覆層９０のうち、強誘電体キャパシタ８０の側面に形成される部分を薄くしてもよい。こうすることで、強誘電体キャパシタ８０の側面から徐々にアニール効果を達成することができる。また、被覆層９０は、基体１０の上方の全体に形成してもよい。これによれば、被覆層９０をパターニングせずに形成できるので、製造プロセスの容易化を図ることができる。
【００５３】
なお、被覆層９０が絶縁性を有する場合、アニール処理後、被覆層９０をパターニングすることによって、所定の電気的接続を図る。例えば、被覆層９０から第２のコンタクト部７０を露出させてもよいし、あるいは、強誘電体キャパシタ８０の上部電極８６を露出させてもよい（図１０参照）。
【００５４】
本実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法によれば、上述したように、プラグの酸化防止を図ることができるので、信頼性の向上を図ることができる。
【００５５】
図１０は、本実施の形態に係る強誘電体メモリを模式的に示す図である。この強誘電体メモリは、上述の方法によって製造されたものであってもよく、上述の方法の説明から導くことができる内容を含む。
【００５６】
本実施の形態に係る強誘電体メモリは、基体１０と、絶縁層（第１の絶縁層）２０と、第１及び第２のコンタクト部６０，７０と、強誘電体キャパシタ８０と、を含む。
【００５７】
第１及び第２のコンタクト部６０，７０のそれぞれは、基体１０の面に垂直方向に延出して形成され、絶縁層２０を貫通している。第１のコンタクト部６０の一方の端部には、基体１０のトランジスタ（ソース領域及びドレイン領域のいずれか一方）が電気的に接続され、他方の端部には強誘電体キャパシタ８０が電気的に接続されている。すなわち、第１のコンタクト部６０は、トランジスタ及び強誘電体キャパシタ８０を電気的に接続する。
【００５８】
上述の製造方法で説明したように、第２のコンタクト部７０の上面（バリア層（第２のバリア層）５４又はプラグ（第２のプラグ）４４）は、第１のコンタクト部６０のバリア層（第１のバリア層）５２の上面よりも低く形成されている。なお、第２のコンタクト部７０は、第１のコンタクト部６０と同一レベルの絶縁層２０に形成されている。
【００５９】
図１０に示すように、絶縁層２０上には第２の絶縁層１００が形成され、第２の絶縁層１００には第３のコンタクトホール１０２が形成されている。第３のコンタクトホール１０２は、第２のコンタクト部７０上に位置する。言い換えれば、第２及び第３のコンタクトホール２４，１０２の少なくとも一部同士はオーバーラップしている。そして、第３のコンタクトホール１０２には、電気的導電性を有する第３のコンタクト部１０４が形成されている。本実施の形態では、第３のコンタクト部１０４の下面は、第２のコンタクトホール２４の内部において、第２のコンタクト部７０の上面と接続されている。第３のコンタクト部１０４は、第１又は第２のコンタクト部６０，７０と同様の構造を有していてもよい。第２及び第３のコンタクト部７０，１０４によって、基体１０のトランジスタと配線（又はパッド）１１０との電気的接続が図られている。
【００６０】
図１０に示す例では、第４のコンタクトホール１０６が第２の絶縁層１００に形成されている。第４のコンタクトホール１０６は、強誘電体キャパシタ８０上に位置する。そして、第４のコンタクトホール１０６に形成された電気的導電性を有する第４のコンタクト部１０８によって、強誘電体キャパシタ８０（詳しくは上部電極８６）と配線（又はパッド）１１２との電気的接続が図られている。なお、絶縁層２０と第２の絶縁層１００との間には、上述の製造方法において説明した被覆層９０が介在していてもよい。
【００６１】
なお、本実施の形態に係る強誘電体メモリでは、強誘電体キャパシタ８０の下部電極８２がビット線に電気的に接続され、強誘電体キャパシタ８０の上部電極８６がプレート線に電気的に接続され、トランジスタのゲート電極がワード線に電気的に接続されている。
【００６２】
本実施の形態に係る強誘電体メモリによれば、上述の製造プロセスを適用することにより、プラグの酸化防止が可能になるので、信頼性の向上を図ることができる。
【００６３】
（第２の実施の形態）
図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る強誘電体メモリを模式的に示す図である。
【００６４】
本実施の形態では、まず、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれのプラグ４２，４４上と、絶縁層２０上を含む領域にバリア層を形成しておく。バリア層は、上述したように第２の導電層を絶縁層２０が露出する手前まで研磨することにより単一層に形成してもよいし（上述の図６参照）、第２の導電層を絶縁層２０が露出するまで研磨した後、その上にスパッタリング法等によって成膜することにより複数層に形成してもよい。
【００６５】
次に、強誘電体キャパシタ８０となる積層体を形成した後（上述の図７参照）、かかる積層体をバリア層５３が残るようにエッチングする。その場合、少なくとも絶縁層２０上にバリア層５３を残す。そのためには、エッチングの進行具合（エッチング時間及びエッチャントの性質等）をコントロールすればよい。バリア層５３は、その全部を残すようにしてもよく、図１１に示すように、強誘電体キャパシタ８０の下地となる部分よりも薄くなるように、その表面部分を除去してもよい。絶縁層２０上にバリア層５３が残るようにしておけば、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４上には、十分な厚さのバリア層を残すことが可能であるので、酸化雰囲気下におけるアニール処理の際に、プラグ４４の酸化防止を図ることができる。
【００６６】
アニール処理後、バリア層５３における絶縁層２０上の部分をエッチング等によって除去する。その場合、バリア層５３のうち、第２のコンタクトホール２４の内部の全部又は一部をさらに除去してもよい。バリア層５３の除去工程後、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４は露出していてもよいし、プラグ４４上に薄くバリア層が残されていてもよい（上述の図８参照）。
【００６７】
本実施の形態によれば、強誘電体キャパシタ８０を形成するための積層体８１のエッチング工程を、バリア層が残るように行うので、その後の強誘電体キャパシタ８０のアニール処理において、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４の酸化防止を図ることができる。また、酸化防止用に新たな層を設ける必要がなく、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【００６８】
なお、本実施の形態に係る強誘電体メモリは、上述の製造方法及び上述の実施の形態から導き出せる内容（被覆層を除く）を含む（上述の実施の形態の図８参照）。
【００６９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図８】図８は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図９】図９は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリを示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０…基体 ２０…絶縁層 ２２…第１のコンタクトホール
２４…第２のコンタクトホール ３０，３２，３４…バリア層 ４０…第１の導電層
４２，４４…プラグ ５０…第２の導電層 ５１，５２，５３，５４…バリア層
６０…第１のコンタクト部 ７０…第２のコンタクト部 ８０…強誘電体キャパシタ
８１…積層体 ８２…下部電極 ８４…強誘電体層 ８６…上部電極 ９０…被覆層
１００…第２の絶縁層 １０２…第３のコンタクトホール
１０４…第３のコンタクト部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強誘電体メモリ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
強誘電体メモリとして、強誘電体キャパシタを選択用トランジスタにスタックする構造が知られている。強誘電体キャパシタと選択用トランジスタの間には、絶縁層が介在し、絶縁層のコンタクトホールに埋め込まれたプラグによって両者の電気的接続が図れている。プラグの形成は、コンタクトホールの内部及び周囲の絶縁層上にプラグ材料である導電層を成膜し、全体を化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法などを適用して研磨することによって行われる。しかしながら、この場合、導電層とその周囲の絶縁層との研磨速度が異なることに起因して、コンタクトホールに導電層のリセス（凹部）が発生する。リセスを残したままにしておくと、強誘電体キャパシタを平坦な面上に形成できず、製造プロセスの安定化が損なわれ、信頼性の低下を招くおそれがある。なお、強誘電体キャパシタの製造プロセスでは、強誘電体層の酸化処理が必要になるので、プラグの酸化を防止することが要求される。
【特許文献１】特開平１１−７４４８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の向上が図れる強誘電体メモリ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る強誘電体メモリの製造方法は、
（ａ）基体の上方に形成された絶縁層に、第１及び第２のコンタクトホールを形成すること、
（ｂ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部に、前記絶縁層の上面よりも低い上面を有するプラグを形成すること、
（ｃ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの前記プラグの上方を含む領域に、バリア層を形成すること、
（ｄ）下部電極、強誘電体層及び上部電極を順に積層して積層体を形成すること、
（ｅ）前記積層体をエッチングすることによって、前記第１のコンタクトホールの前記プラグの上方を含む領域に、強誘電体キャパシタを形成すること、
（ｆ）前記第２のコンタクトホールの前記プラグの上方を含む領域に、被覆層を形成すること、
を含む。
【０００５】
本発明によれば、第２のコンタクトホールのプラグ上を含む領域に被覆層を形成するので、例えば強誘電体キャパシタのアニール処理において、第２のコンタクトホールのプラグの酸化防止を図ることができる。すなわち、バリア層の厚さが不十分である場合や、バリア層がエッチングされ消失している場合でも、第２のコンタクトホールのプラグの酸化防止を図ることができる。
【０００６】
なお、本発明において、特定のＡ層の上方にＢ層が設けられているとは、Ａ層上に直接Ｂ層が設けられている場合と、Ａ層上に他の層を介してＢ層が設けられている場合と、を含むものとする。このことは、以下の発明においても同様である。
【０００７】
（２）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記バリア層を、前記絶縁層の上方をさらに含む領域に形成し、
前記（ｅ）工程で、前記積層体と同時に、前記バリア層をエッチングしてもよい。
【０００８】
これによれば、積層体のみならずバリア層もエッチングするので、例えば第２のコンタクトホールのプラグ上のバリア層が除去された場合であっても、被覆層によるプラグの酸化防止を図ることができる。
【０００９】
（３）この強誘電体メモリにおいて、
前記（ｆ）工程で、前記被覆層を、前記強誘電体キャパシタの表面をさらに含む領域に形成してもよい。
【００１０】
これによれば、強誘電体キャパシタの表面にも被覆層を形成するが、被覆層の厚みをコントロールすることによって、例えば強誘電体キャパシタに対するアニール効果は達成される。
【００１１】
（４）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｆ）工程で、前記被覆層をスパッタリング法によって成膜してもよい。
【００１２】
これによれば、スパッタリング法によるカバレージ特性により、強誘電体キャパシタの側面には被覆層が薄く形成されるため、例えば強誘電体キャパシタに対するアニール効果は達成される。
【００１３】
（５）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記被覆層は、無機絶縁材料から構成されてもよい。
【００１４】
（６）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｆ）工程後に、酸素雰囲気下においてアニール処理を行うことをさらに含んでもよい。
【００１５】
（７）本発明に係る強誘電体メモリの製造方法は、
（ａ）基体の上方に形成された絶縁層に、第１及び第２のコンタクトホールを形成すること、
（ｂ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部に、前記絶縁層の上面よりも低い上面を有するプラグを形成すること、
（ｃ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの前記プラグの上方と、前記絶縁層の上方とを含む領域に、バリア層を形成すること、
（ｄ）下部電極、強誘電体層及び上部電極を順に積層して積層体を形成すること、
（ｅ）前記積層体を前記バリア層が残るようにエッチングすることによって、前記第１のコンタクトホールの前記プラグの上方を含む領域に、強誘電体キャパシタを形成すること、
（ｆ）酸素雰囲気下においてアニール処理を行うこと、
（ｇ）前記バリア層における前記絶縁層の上方の部分を除去すること、
を含む。
【００１６】
本発明によれば、強誘電体キャパシタを形成するための積層体のエッチング工程を、バリア層が残るように行うので、その後の強誘電体キャパシタのアニール処理において、第２のコンタクトホールのプラグの酸化防止を図ることができる。また、酸化防止用に新たな層を設ける必要がなく、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【００１７】
（８）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）工程前に、前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内面に、他のバリア層を形成することをさらに含み、
前記（ｂ）工程で、前記プラグを前記他のバリア層の内側に形成してもよい。
【００１８】
（９）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）工程で、
前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部及び前記絶縁層の上方に、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層を前記絶縁層が露出するまで研磨することによって、前記プラグを形成してもよい。
【００１９】
（１０）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）工程の前記研磨工程後に、エッチングによって、前記第１及び第２のコンタクトホールの少なくともいずれか一方の内部における前記第１の導電層の上部をさらに除去してもよい。
【００２０】
これによれば、第１の導電層の上部をさらに除去するので、バリア層をさらに厚く形成することが可能になり、バリア効果の向上を図ることができる。
【００２１】
（１１）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｃ）工程で、
前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部及び前記絶縁層の上方に、第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層を前記絶縁層の上方に所定の厚さが残るように研磨することによって、前記バリア層を形成してもよい。
【００２２】
（１２）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｃ）工程の前記研磨工程後に、前記バリア層の上方に密着層を形成することをさらに含んでもよい。
【００２３】
（１３）この強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）及び（ｃ）工程の少なくともいずれか一方の研磨工程は、化学的機械的研磨法による工程を含んでもよい。
【００２４】
（１４）本発明に係る強誘電体メモリは、
基体と、
前記基体の上方に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を貫通する第１のコンタクトホールと、
前記第１の絶縁層を貫通する第２のコンタクトホールと、
前記第１のコンタクトホールに形成された第１のコンタクト部と、
前記第２のコンタクトホールに形成された第２のコンタクト部と、
前記第１のコンタクト部の上方を含む領域に、下部電極、強誘電体層及び上部電極が順に積層して形成された強誘電体キャパシタと、
前記第１の絶縁層の上方に形成された第２の絶縁層と、
前記第２のコンタクト部の上方に、前記第２の絶縁層を貫通して形成された第３のコンタクトホールと、
前記第３のコンタクトホールに形成された第３のコンタクト部と、
を含み、
前記第１のコンタクト部は、第１のプラグと、前記第１のプラグの上方に形成された第１のバリア層と、を有し、
前記第２のコンタクト部の上面は、前記第１のバリア層の上面よりも低く形成され、
前記第３のコンタクト部の下面は、前記第２のコンタクトホールの内部において、前記第２のコンタクト部の前記上面と接続されている。
【００２５】
（１５）この強誘電体メモリにおいて、
前記第２のコンタクト部は、第２のプラグと、前記第２のプラグの上方に形成された第２のバリア層と、を有し、
前記第２のバリア層の上面は、前記第１のバリア層の上面よりも低く形成されていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２７】
（第１の実施の形態）
図１〜図８は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を模式的に示す図である。
【００２８】
図１に示すように、基体１０を用意する。基体１０は、半導体基板（例えばシリコン基板）である。基体１０には、複数のトランジスタ（図示しない）が形成されている。トランジスタは、ソース領域又はドレイン領域となる不純物領域と、ゲート絶縁層と、ゲート電極と、を含む。各トランジスタの間には素子分離領域（図示しない）が形成され、トランジスタ間の電気的絶縁が図られている。本実施の形態では、一例として、１Ｔ１Ｃ型のスタック構造の強誘電体メモリを製造する。
【００２９】
まず、基体１０上に絶縁層２０を形成する。基体１０がシリコン基板である場合、絶縁層２０を例えば酸化シリコン層（ＳｉＯ２層）から形成してもよい。絶縁層２０は、基体１０における複数のトランジスタが形成された面上に形成する。絶縁層２０は、基体１０の上面の全部を被覆するように形成してもよく、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの公知技術を適用して形成することができる。
【００３０】
図１に示すように、絶縁層２０に第１及び第２のコンタクトホール２２，２４を形成する。第１及び第２のコンタクトホール２２，２４は、それぞれ、絶縁層２０の異なる平面領域に形成する。第１のコンタクトホール２２からは、いずれか１つのトランジスタのソース領域又はドレイン領域を露出させ、第２のコンタクトホール２４からは、他のトランジスタのソース領域又はドレイン領域を露出させる。なお、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の形成方法としては、フォトリソグラフィ技術などを適用することができる。
【００３１】
図２〜図６に示すように、第１のコンタクトホール２２に第１のコンタクト部６０を形成し、第２のコンタクトホール２４に第２のコンタクト部７０を形成する。第１及び第２のコンタクト部６０，７０は、電気的導電性を有する。
【００３２】
まず、図２に示すように、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの内面に、バリア層（他のバリア層）３０を形成する。バリア層３０は、スパッタリング等によって成膜することができる。バリア層３０は、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの側面（絶縁層２０の端面）及び底面（基体１０の上面）に形成し、さらに絶縁層２０の上面にも形成する。ただし、バリア層３０は、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４を埋めないように形成する。バリア層３０は、例えば窒化チタンアルミニウム層（ＴｉＡｌＮ層）及び窒化チタン層（ＴｉＮ層）の少なくともいずれか１層から形成してもよい。
【００３３】
次に、図３に示すように、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの内部及び絶縁層２０上に、第１の導電層４０を形成する。第１の導電層４０は、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の内部（詳しくはバリア層３０で囲まれた内側）を埋め込むように形成する。バリア層３０を形成する場合には、バリア層３０上に第１の導電層４０を形成する。第１の導電層４０は、ＣＶＤ法等によって成膜してもよい。第１の導電層４０は、例えばタングステン層（Ｗ層）から形成してもよい。
【００３４】
その後、図４に示すように、第１の導電層４０を研磨することによって、プラグ４２，４４を形成する。研磨工程では、化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishment）法による工程を適用してもよい。本実施の形態では、第１の導電層４０の一部及びバリア層３０の一部を研磨及び除去する。すなわち、第１の導電層４０（及びバリア層３０）を、ストッパとなる絶縁層２０が露出するまで研磨する。その場合、絶縁層２０（例えば酸化シリコン材料）は、第１の導電層４０（例えばタングステン材料）よりも研磨されにくい（研磨速度が小さい）ので、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の内部において、第１の導電層４０のリセス（第１及び第２の凹部２６，２８）が発生する。なお、絶縁層２０がバリア層３０よりも研磨されにくければ、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの内部において、バリア層３２，３４の上部も研磨及び除去される。
【００３５】
上述の研磨工程終了後、エッチング（例えばドライエッチング）によって、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の少なくともいずれか一方の内部における第１の導電層４０の上部をさらに除去してもよい。かかるエッチング工程は、第１のコンタクトホール２２のみに対して行ってもよく、第２のコンタクトホール２４のみに対して行ってもよく、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の両方に対して行ってもよい。本工程によれば、上述の第１の導電層４０のリセス（第１及び第２の凹部２６，２８）がさらに進行する（深くなる）ので、後述のバリア層５２，５４を厚く形成することが可能になり、バリア効果の向上を図ることができる。
【００３６】
こうして、第１のコンタクトホール２２において、その内面に沿ってバリア層３２を形成し、バリア層３２によって囲まれた内側にプラグ４２を形成することができる。また、第２のコンタクトホール２４においても同様に、その内面に沿ってバリア層３４を形成し、バリア層３４によって囲まれた内側にプラグ４４を形成することができる。プラグ４２，４４は、いずれも、絶縁層２０の上面よりも低い上面を有している。すなわち、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４には、プラグ４２，４４上に第１及び第２の凹部２６，２８が形成されている。
【００３７】
次に、図５に示すように、第１の導電層４０と同様にして、第２の導電層５０を、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４（詳しくは第１及び第２の凹部２６，２８）のそれぞれの内部及び絶縁層２０上に形成する。第２の導電層５０は、第１及び第２の凹部２６，２８を埋め込むように形成する。第２の導電層５０は、スパッタリング等によって成膜してもよい。第２の導電層５０は、例えば窒化チタンアルミニウム層（ＴｉＡｌＮ層）及び窒化チタン層（ＴｉＮ層）の少なくともいずれか１層から形成してもよい。第２の導電層５０は、上述したバリア層３０と同一材料から形成してもよい。図５に示すように、第２の導電層５０には、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの上方に、窪み５６，５８が形成されてもよい。
【００３８】
その後、図６に示すように、第２の導電層５０を研磨することによって、バリア層５１を形成する。第２の導電層５０は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法によって研磨してもよい。第２の導電層５０の研磨工程の内容は、上述した第１の導電層４０の研磨工程の内容が該当する。ただし、本工程では、第２の導電層５０を絶縁層２０上に所定の厚さが残るように研磨する。すなわち、本工程では、第２の導電層５０の下地である絶縁層２０が露出しないように、絶縁層２０が露出する手前で研磨工程を終了させる。これによれば、第２の導電層５０のみを研磨すれば足りる（例えば第２の導電層５０及び絶縁層２０を同時に研磨せずに済む）ので、異種材料間の研磨速度が異なることに起因するリセス発生を防止することができる。なお、第２の導電層５０は、少なくとも窪み５６，５８が解消される程度に研磨することが好ましい。こうすることで、第２の導電層５０（バリア層５１）の上面を平坦にすることができる。
【００３９】
あるいは、変形例として、第２の導電層５０を絶縁層２０が露出するように研磨してもよい。その場合、第２の導電層５０から形成されるバリア層は、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の内部に形成され、絶縁層２０上には形成されない。
【００４０】
こうして、第１のコンタクトホール２２に第１のコンタクト部６０を形成し、第２のコンタクトホール２４に第２のコンタクト部７０を形成することができる。これによれば、プラグ４２，４４の形成工程で発生するリセス（第１及び第２の凹部２６，２８）は、バリア層５１の形成によって解消されているので、第１及び第２のコンタクト部６０，７０の上面と、絶縁層２０の上面とをほぼ面一にすることができる。こうすることで、後述の強誘電体キャパシタ８０を平坦な面に形成することができる。また、第１のコンタクト部６０のバリア層３２，５１によって、プラグ４２に対する拡散防止及び酸化防止が可能になり、第１のコンタクト部６０の低抵抗化を図ることができる。このことは、第２のコンタクト部７０のバリア層３４，５１についても同様である。
【００４１】
必要があれば、バリア層５１上に密着層（図示しない）を形成してもよい。密着層は、バリア層５１と同一材料（例えばＴｉＡｌＮ層、ＴｉＮ層）から形成してもよいし、異なる材料から形成してもよい。バリア層５１と同一材料の密着層を形成すれば、バリア層５１の薄い部分や剥離部分を被覆できるので、バリア効果のさらなる向上が図れる。密着層は、プラグ４２，４４よりも、後述の下部電極８２に対する密着力が大きい。あるいは、バリア層５１が密着機能を兼ねていてもよい。密着層がバリア層５１とは異なる材料から形成される場合、密着層は、バリア層５１よりも下部電極８２に対する密着力がさらに大きくてもよい。
【００４２】
図７及び図８に示すように、第１のコンタクト部６０（プラグ４２）上を含む領域に、強誘電体キャパシタ８０を形成する。例えば、強誘電体キャパシタ８０を、基体１０の面から垂直方向の平面視において、第１のコンタクトホール２２及びその周辺領域（絶縁層２０）を含む領域に形成する。本実施の形態では、第２のコンタクト部７０（プラグ４４）上には強誘電体キャパシタ８０を形成しない。
【００４３】
まず、図７に示すように、下部電極８２、強誘電体層８４及び上部電極８６を順に積層して積層体８１を形成する。積層体８１は、第１及び第２のコンタクト部６０，７０（プラグ４２，４４）上を含む領域に形成する。また、積層体８１は、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の周辺の絶縁層２０の領域上にも形成する。
【００４４】
下部電極８２は、例えばＰｔ、Ｉｒ、Ｉｒ酸化物（ＩｒＯｘ）、Ｒｕ、Ｒｕ酸化物（ＲｕＯｘ）、ＳｒＲｕ複合酸化物（ＳｒＲｕＯｘ）などから形成される。下部電極８２は、単一層又は複数層で形成する。下部電極８２の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などを適用することができる。
【００４５】
強誘電体層８４は、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを構成元素として含む酸化物からなるＰＺＴ系強誘電体を用いて形成されていてもよい。あるいは、ＴｉサイトにＮｂをドーピングしたＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ）Ｏ３（ＰＺＴＮ系）を適用してもよい。あるいは、強誘電体層８４はこれらの材料に限定されるものではなく、例えばＳＢＴ系、ＢＳＴ系、ＢＩＴ系、ＢＬＴ系のいずれを適用してもよい。強誘電体層８４の形成方法としては、溶液塗布法（ゾル・ゲル法、ＭＯＤ（Metal Organic Decomposition）法などを含む）、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法などを適用することができる。
【００４６】
なお、上部電極８６は、下部電極８２と同様の材料及び方法を適用して形成することができる。
【００４７】
その後、積層体８１を所定形状にパターニングする。まず、フォトリソグラフィ技術を適用して、レジスト層Ｒを積層体８１上に形成する。その場合、レジスト層Ｒは、第１のコンタクト部６０（プラグ４２）上を含む領域に形成し、第２のコンタクト部７０（プラグ４４）上には形成しない。そして、積層体８１のうち、レジスト層Ｒから露出する部分（第２のコンタクト部７０（プラグ４４）上を含む部分）をエッチングする。図７に示すように、絶縁層２０上にもバリア層５１が形成されている場合には、積層体８１と同時にバリア層５１もエッチングする。すなわち、積層体８１をオーバーエッチングすることによって、バリア層５１の不要部分も除去する。エッチングの進行具合に応じて、図８に示すように第２のコンタクトホール２４のプラグ４４上に薄くバリア層５４を残してもよいし、バリア層５４を残すことなくプラグ４４を露出させてもよい。なお、積層体８１及びバリア層５１のエッチングは、材質及び膜厚などに応じて適切な方法を選択することができ、ドライエッチング法やウエットエッチング法が例示できる。
【００４８】
なお、図７に示す例とは異なり、バリア層５１を絶縁層２０上に形成せずに、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４の内部のみに形成した場合であっても、積層体８１のエッチングによって、第２のコンタクトホール２４の内部のバリア層の少なくとも一部が除去されることがある。本実施の形態では、バリア層の形態にかかわらず、プラグの酸化防止効果の高い製造プロセスを提供することができる。
【００４９】
こうして、図８に示すように、強誘電体キャパシタ８０を形成することができる。図８に示す例では、第１のコンタクト部６０のバリア層５２を形成する。バリア層５２は、第１のコンタクトホール２２からその周辺の絶縁層２０上に至るように形成されている。また、上述したように、第２のコンタクトホール２４では、プラグ４４が露出するか又は薄いバリア層５４が残る。
【００５０】
そこで、本実施の形態では、強誘電体層８４の安定化（例えばエッチングダメージ回復）のために行う酸素雰囲気下におけるアニール処理前に、図９に示すように、被覆層９０を形成する。被覆層９０は、無機絶縁材料から形成してもよく、例えば酸化アルミニウム層（Ａｌ２Ｏ３層）が挙げられる。被覆層９０は、少なくとも第２のコンタクト部７０（プラグ４４）上を含む領域に形成する。
【００５１】
本実施の形態によれば、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４上を含む領域に被覆層９０を形成するので、例えば強誘電体キャパシタ８０のアニール処理において、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４の酸化防止を図ることができる。すなわち、バリア層５４の厚さが不十分である場合や、バリア層５４がエッチングされ消失している場合でも、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４の酸化防止を図ることができる。また、上述したように、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４上にバリア層５４を残せば、被覆層９０及びバリア層５４によって、酸化防止効果のさらなる向上を図ることができる。
【００５２】
図９に示すように、被覆層９０を強誘電体キャパシタ８０の表面（上面及び側面）をさらに含む領域に形成してもよい。その場合、強誘電体キャパシタ８０の表面の全部を被覆してもよい。強誘電体キャパシタ８０の表面を被覆した場合であっても、被覆層９０の厚みをコントロールすることによって、強誘電体キャパシタ８０に対するアニール効果は達成される。具体的には、被覆層９０をスパッタリング法などを適用して成膜し、かかる方法によるカバレージ特性により、被覆層９０のうち、強誘電体キャパシタ８０の側面に形成される部分を薄くしてもよい。こうすることで、強誘電体キャパシタ８０の側面から徐々にアニール効果を達成することができる。また、被覆層９０は、基体１０の上方の全体に形成してもよい。これによれば、被覆層９０をパターニングせずに形成できるので、製造プロセスの容易化を図ることができる。
【００５３】
なお、被覆層９０が絶縁性を有する場合、アニール処理後、被覆層９０をパターニングすることによって、所定の電気的接続を図る。例えば、被覆層９０から第２のコンタクト部７０を露出させてもよいし、あるいは、強誘電体キャパシタ８０の上部電極８６を露出させてもよい（図１０参照）。
【００５４】
本実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法によれば、上述したように、プラグの酸化防止を図ることができるので、信頼性の向上を図ることができる。
【００５５】
図１０は、本実施の形態に係る強誘電体メモリを模式的に示す図である。この強誘電体メモリは、上述の方法によって製造されたものであってもよく、上述の方法の説明から導くことができる内容を含む。
【００５６】
本実施の形態に係る強誘電体メモリは、基体１０と、絶縁層（第１の絶縁層）２０と、第１及び第２のコンタクト部６０，７０と、強誘電体キャパシタ８０と、を含む。
【００５７】
第１及び第２のコンタクト部６０，７０のそれぞれは、基体１０の面に垂直方向に延出して形成され、絶縁層２０を貫通している。第１のコンタクト部６０の一方の端部には、基体１０のトランジスタ（ソース領域及びドレイン領域のいずれか一方）が電気的に接続され、他方の端部には強誘電体キャパシタ８０が電気的に接続されている。すなわち、第１のコンタクト部６０は、トランジスタ及び強誘電体キャパシタ８０を電気的に接続する。
【００５８】
上述の製造方法で説明したように、第２のコンタクト部７０の上面（バリア層（第２のバリア層）５４又はプラグ（第２のプラグ）４４）は、第１のコンタクト部６０のバリア層（第１のバリア層）５２の上面よりも低く形成されている。なお、第２のコンタクト部７０は、第１のコンタクト部６０と同一レベルの絶縁層２０に形成されている。
【００５９】
図１０に示すように、絶縁層２０上には第２の絶縁層１００が形成され、第２の絶縁層１００には第３のコンタクトホール１０２が形成されている。第３のコンタクトホール１０２は、第２のコンタクト部７０上に位置する。言い換えれば、第２及び第３のコンタクトホール２４，１０２の少なくとも一部同士はオーバーラップしている。そして、第３のコンタクトホール１０２には、電気的導電性を有する第３のコンタクト部１０４が形成されている。本実施の形態では、第３のコンタクト部１０４の下面は、第２のコンタクトホール２４の内部において、第２のコンタクト部７０の上面と接続されている。第３のコンタクト部１０４は、第１又は第２のコンタクト部６０，７０と同様の構造を有していてもよい。第２及び第３のコンタクト部７０，１０４によって、基体１０のトランジスタと配線（又はパッド）１１０との電気的接続が図られている。
【００６０】
図１０に示す例では、第４のコンタクトホール１０６が第２の絶縁層１００に形成されている。第４のコンタクトホール１０６は、強誘電体キャパシタ８０上に位置する。そして、第４のコンタクトホール１０６に形成された電気的導電性を有する第４のコンタクト部１０８によって、強誘電体キャパシタ８０（詳しくは上部電極８６）と配線（又はパッド）１１２との電気的接続が図られている。なお、絶縁層２０と第２の絶縁層１００との間には、上述の製造方法において説明した被覆層９０が介在していてもよい。
【００６１】
なお、本実施の形態に係る強誘電体メモリでは、強誘電体キャパシタ８０の下部電極８２がビット線に電気的に接続され、強誘電体キャパシタ８０の上部電極８６がプレート線に電気的に接続され、トランジスタのゲート電極がワード線に電気的に接続されている。
【００６２】
本実施の形態に係る強誘電体メモリによれば、上述の製造プロセスを適用することにより、プラグの酸化防止が可能になるので、信頼性の向上を図ることができる。
【００６３】
（第２の実施の形態）
図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る強誘電体メモリを模式的に示す図である。
【００６４】
本実施の形態では、まず、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれのプラグ４２，４４上と、絶縁層２０上を含む領域にバリア層を形成しておく。バリア層は、上述したように第２の導電層を絶縁層２０が露出する手前まで研磨することにより単一層に形成してもよいし（上述の図６参照）、第２の導電層を絶縁層２０が露出するまで研磨した後、その上にスパッタリング法等によって成膜することにより複数層に形成してもよい。
【００６５】
次に、強誘電体キャパシタ８０となる積層体を形成した後（上述の図７参照）、かかる積層体をバリア層５３が残るようにエッチングする。その場合、少なくとも絶縁層２０上にバリア層５３を残す。そのためには、エッチングの進行具合（エッチング時間及びエッチャントの性質等）をコントロールすればよい。バリア層５３は、その全部を残すようにしてもよく、図１１に示すように、強誘電体キャパシタ８０の下地となる部分よりも薄くなるように、その表面部分を除去してもよい。絶縁層２０上にバリア層５３が残るようにしておけば、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４上には、十分な厚さのバリア層を残すことが可能であるので、酸化雰囲気下におけるアニール処理の際に、プラグ４４の酸化防止を図ることができる。
【００６６】
アニール処理後、バリア層５３における絶縁層２０上の部分をエッチング等によって除去する。その場合、バリア層５３のうち、第２のコンタクトホール２４の内部の全部又は一部をさらに除去してもよい。バリア層５３の除去工程後、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４は露出していてもよいし、プラグ４４上に薄くバリア層が残されていてもよい（上述の図８参照）。
【００６７】
本実施の形態によれば、強誘電体キャパシタ８０を形成するための積層体８１のエッチング工程を、バリア層が残るように行うので、その後の強誘電体キャパシタ８０のアニール処理において、第２のコンタクトホール２４のプラグ４４の酸化防止を図ることができる。また、酸化防止用に新たな層を設ける必要がなく、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【００６８】
なお、本実施の形態に係る強誘電体メモリは、上述の製造方法及び上述の実施の形態から導き出せる内容（被覆層を除く）を含む（上述の実施の形態の図８参照）。
【００６９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図８】図８は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図９】図９は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１の実施の形態に係る強誘電体メモリを示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る強誘電体メモリの製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０…基体 ２０…絶縁層 ２２…第１のコンタクトホール
２４…第２のコンタクトホール ３０，３２，３４…バリア層 ４０…第１の導電層
４２，４４…プラグ ５０…第２の導電層 ５１，５２，５３，５４…バリア層
６０…第１のコンタクト部 ７０…第２のコンタクト部 ８０…強誘電体キャパシタ
８１…積層体 ８２…下部電極 ８４…強誘電体層 ８６…上部電極 ９０…被覆層
１００…第２の絶縁層 １０２…第３のコンタクトホール
１０４…第３のコンタクト部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基体の上方に形成された絶縁層に、第１及び第２のコンタクトホールを形成すること、
（ｂ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部に、前記絶縁層の上面よりも低い上面を有するプラグを形成すること、
（ｃ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの前記プラグの上方を含む領域に、バリア層を形成すること、
（ｄ）下部電極、強誘電体層及び上部電極を順に積層して積層体を形成すること、
（ｅ）前記積層体をエッチングすることによって、前記第１のコンタクトホールの前記プラグの上方を含む領域に、強誘電体キャパシタを形成すること、
（ｆ）前記第２のコンタクトホールの前記プラグの上方を含む領域に、被覆層を形成すること、
を含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記バリア層を、前記絶縁層の上方をさらに含む領域に形成し、
前記（ｅ）工程で、前記積層体と同時に、前記バリア層をエッチングする、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の強誘電体メモリにおいて、
前記（ｆ）工程で、前記被覆層を、前記強誘電体キャパシタの表面をさらに含む領域に形成する、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｆ）工程で、前記被覆層をスパッタリング法によって成膜する、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記被覆層は、無機絶縁材料からなる、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｆ）工程後に、酸素雰囲気下においてアニール処理を行うことをさらに含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項７】
（ａ）基体の上方に形成された絶縁層に、第１及び第２のコンタクトホールを形成すること、
（ｂ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部に、前記絶縁層の上面よりも低い上面を有するプラグを形成すること、
（ｃ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの前記プラグの上方と、前記絶縁層の上方とを含む領域に、バリア層を形成すること、
（ｄ）下部電極、強誘電体層及び上部電極を順に積層して積層体を形成すること、
（ｅ）前記積層体を前記バリア層が残るようにエッチングすることによって、前記第１のコンタクトホールの前記プラグの上方を含む領域に、強誘電体キャパシタを形成すること、
（ｆ）酸素雰囲気下においてアニール処理を行うこと、
（ｇ）前記バリア層における前記絶縁層の上方の部分を除去すること、
を含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）工程前に、前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内面に、他のバリア層を形成することをさらに含み、
前記（ｂ）工程で、前記プラグを前記他のバリア層の内側に形成する、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）工程で、
前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部及び前記絶縁層の上方に、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層を前記絶縁層が露出するまで研磨することによって、前記プラグを形成する、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）工程の前記研磨工程後に、エッチングによって、前記第１及び第２のコンタクトホールの少なくともいずれか一方の内部における前記第１の導電層の上部をさらに除去する、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｃ）工程で、
前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部及び前記絶縁層の上方に、第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層を前記絶縁層の上方に所定の厚さが残るように研磨することによって、前記バリア層を形成する、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｃ）工程の前記研磨工程後に、前記バリア層の上方に密着層を形成することをさらに含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１３】
請求項９から請求項１２のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）及び（ｃ）工程の少なくともいずれか一方の研磨工程は、化学的機械的研磨法による工程を含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１４】
基体と、
前記基体の上方に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を貫通する第１のコンタクトホールと、
前記第１の絶縁層を貫通する第２のコンタクトホールと、
前記第１のコンタクトホールに形成された第１のコンタクト部と、
前記第２のコンタクトホールに形成された第２のコンタクト部と、
前記第１のコンタクト部の上方を含む領域に、下部電極、強誘電体層及び上部電極が順に積層して形成された強誘電体キャパシタと、
前記第１の絶縁層の上方に形成された第２の絶縁層と、
前記第２のコンタクト部の上方に、前記第２の絶縁層を貫通して形成された第３のコンタクトホールと、
前記第３のコンタクトホールに形成された第３のコンタクト部と、
を含み、
前記第１のコンタクト部は、第１のプラグと、前記第１のプラグの上方に形成された第１のバリア層と、を有し、
前記第２のコンタクト部の上面は、前記第１のバリア層の上面よりも低く形成され、
前記第３のコンタクト部の下面は、前記第２のコンタクトホールの内部において、前記第２のコンタクト部の前記上面と接続されている、強誘電体メモリ。
【請求項１５】
請求項１３記載の強誘電体メモリにおいて、
前記第２のコンタクト部は、第２のプラグと、前記第２のプラグの上方に形成された第２のバリア層と、を有し、
前記第２のバリア層の上面は、前記第１のバリア層の上面よりも低く形成されている、強誘電体メモリ。
【請求項１】
（ａ）基体の上方に形成された絶縁層に、第１及び第２のコンタクトホールを形成すること、
（ｂ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部に、前記絶縁層の上面よりも低い上面を有するプラグを形成すること、
（ｃ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの前記プラグの上方を含む領域に、バリア層を形成すること、
（ｄ）下部電極、強誘電体層及び上部電極を順に積層して積層体を形成すること、
（ｅ）前記積層体をエッチングすることによって、前記第１のコンタクトホールの前記プラグの上方を含む領域に、強誘電体キャパシタを形成すること、
（ｆ）前記第２のコンタクトホールの前記プラグの上方を含む領域に、被覆層を形成すること、
を含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記バリア層を、前記絶縁層の上方をさらに含む領域に形成し、
前記（ｅ）工程で、前記積層体と同時に、前記バリア層をエッチングする、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の強誘電体メモリにおいて、
前記（ｆ）工程で、前記被覆層を、前記強誘電体キャパシタの表面をさらに含む領域に形成する、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｆ）工程で、前記被覆層をスパッタリング法によって成膜する、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記被覆層は、無機絶縁材料からなる、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｆ）工程後に、酸素雰囲気下においてアニール処理を行うことをさらに含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項７】
（ａ）基体の上方に形成された絶縁層に、第１及び第２のコンタクトホールを形成すること、
（ｂ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部に、前記絶縁層の上面よりも低い上面を有するプラグを形成すること、
（ｃ）前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの前記プラグの上方と、前記絶縁層の上方とを含む領域に、バリア層を形成すること、
（ｄ）下部電極、強誘電体層及び上部電極を順に積層して積層体を形成すること、
（ｅ）前記積層体を前記バリア層が残るようにエッチングすることによって、前記第１のコンタクトホールの前記プラグの上方を含む領域に、強誘電体キャパシタを形成すること、
（ｆ）酸素雰囲気下においてアニール処理を行うこと、
（ｇ）前記バリア層における前記絶縁層の上方の部分を除去すること、
を含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）工程前に、前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内面に、他のバリア層を形成することをさらに含み、
前記（ｂ）工程で、前記プラグを前記他のバリア層の内側に形成する、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）工程で、
前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部及び前記絶縁層の上方に、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層を前記絶縁層が露出するまで研磨することによって、前記プラグを形成する、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）工程の前記研磨工程後に、エッチングによって、前記第１及び第２のコンタクトホールの少なくともいずれか一方の内部における前記第１の導電層の上部をさらに除去する、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｃ）工程で、
前記第１及び第２のコンタクトホールのそれぞれの内部及び前記絶縁層の上方に、第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層を前記絶縁層の上方に所定の厚さが残るように研磨することによって、前記バリア層を形成する、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｃ）工程の前記研磨工程後に、前記バリア層の上方に密着層を形成することをさらに含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１３】
請求項９から請求項１２のいずれかに記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記（ｂ）及び（ｃ）工程の少なくともいずれか一方の研磨工程は、化学的機械的研磨法による工程を含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１４】
基体と、
前記基体の上方に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を貫通する第１のコンタクトホールと、
前記第１の絶縁層を貫通する第２のコンタクトホールと、
前記第１のコンタクトホールに形成された第１のコンタクト部と、
前記第２のコンタクトホールに形成された第２のコンタクト部と、
前記第１のコンタクト部の上方を含む領域に、下部電極、強誘電体層及び上部電極が順に積層して形成された強誘電体キャパシタと、
前記第１の絶縁層の上方に形成された第２の絶縁層と、
前記第２のコンタクト部の上方に、前記第２の絶縁層を貫通して形成された第３のコンタクトホールと、
前記第３のコンタクトホールに形成された第３のコンタクト部と、
を含み、
前記第１のコンタクト部は、第１のプラグと、前記第１のプラグの上方に形成された第１のバリア層と、を有し、
前記第２のコンタクト部の上面は、前記第１のバリア層の上面よりも低く形成され、
前記第３のコンタクト部の下面は、前記第２のコンタクトホールの内部において、前記第２のコンタクト部の前記上面と接続されている、強誘電体メモリ。
【請求項１５】
請求項１３記載の強誘電体メモリにおいて、
前記第２のコンタクト部は、第２のプラグと、前記第２のプラグの上方に形成された第２のバリア層と、を有し、
前記第２のバリア層の上面は、前記第１のバリア層の上面よりも低く形成されている、強誘電体メモリ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００６−６６７９７（Ｐ２００６−６６７９７Ａ）
【公開日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２５０３１１（Ｐ２００４−２５０３１１）
【出願日】平成１６年８月３０日（２００４．８．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年８月３０日（２００４．８．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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