本発明は、表面ビット線（ＤＬｘ）および埋め込みビット線（ＳＬｘ）を備えたビット線構造に関するものである。これに関して、埋め込みビット線（ＳＬｘ）は、トレンチ絶縁層（６）を備えたトレンチに形成されており、トレンチの上部に設けられた被覆接続層（１２）と自動調心電極層（１３）とを介して形成された接触部とともに、ドープ領域（１０）に接続されている。
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【課題】 貫通電極を有する半導体装置において、少ない面積で高密度に貫通電極を設ける。
【解決手段】 半導体装置１００において、シリコン基板１０１を貫通する孔に充填された多重貫通プラグ１１１を設ける。多重貫通プラグ１１１は、円柱状で中実の第一の貫通電極１０３、第一の貫通電極１０３の円筒面を覆う第一の絶縁膜１０５、第一の絶縁膜１０５の円筒面を覆う第二の貫通電極１０７、および第二の貫通電極１０７の円筒面を覆う第二の絶縁膜１０９からなり、これらは同じ中心軸を有する。また、第一の絶縁膜１０５、第二の貫通電極１０７および第二の絶縁膜１０９の上断面は円環状とする。 （もっと読む）

【課題】セルの周辺領域における線状パターンのＣＤを減少させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】セル領域及び周辺領域が画定された基板２００上にシリコン窒化膜２０１Ａを形成する工程、シリコン窒化膜上に反射防止膜としてシリコン酸窒化膜２０２Ａを形成する工程、セル領域では最終パターンの線幅Ｗ１Ａより広い幅Ｗ１を有し、周辺領域ではパターンの崩れの発生を抑える最小の線幅Ｗ２を有するようにシリコン酸窒化膜上にフォトレジストパターン２０３を形成する工程、フォトレジストパターンをエッチングマスクとしてシリコン酸窒化膜とシリコン窒化膜とをエッチングする処理を、残留するシリコン酸窒化膜２０２Ｂとシリコン窒化膜２０１Ｂとの線幅Ｗ１Ａ，Ｗ２Ｂがフォトレジストパターンの線幅Ｗ１，Ｗ２に比べて狭くなるまで行う工程、及び残留するシリコン窒化膜を過度エッチングする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、ネガレジスト層及び配線層のパターニング工程における信頼性の向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０の裏面に開口部１０ｗを形成した後、それらの上に配線層１８及び第３のレジスト層１９を形成する。次に、開口部１０ｗの底部のダイシングラインＤＬの上方にマスク２０を配置する。次に、開口部１０ｗの側壁から当該底部に反射する光がマスク２０に対応する第３のレジスト層１９を固着させない光エネルギーを以って、第３のレジスト層１９を露光する。次に、現像によりマスク２０に対応する第３のレジスト層１９を除去する。次に、第３のレジスト層１９の全面を再び露光する。この第３のレジスト層１９をマスクとして配線層１８のエッチングを行う。最後に、ダイシングラインＤＬに沿って、半導体基板１０を複数の半導体チップにダイシングする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の配線構造体およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置は半導体基板100上に配置された層間絶縁膜、前記層間絶縁膜を貫通する第１コンタクト構造体181および第２コンタクト構造体182、前記層間絶縁膜上に配置されて前記第１コンタクト構造体と前記第２コンタクト構造体に連結される金属配線220を具備する。この際、前記第１コンタクト構造体は順次に積層された第１プラグおよび第２プラグ200を含み、前記第２コンタクト構造体は前記第２プラグを含む。 （もっと読む）

【課題】 工程を大幅に増加させずに導電層を形成しやすい形状のコンタクトホールの形成、特にウェットエッチング後にドライエッチングをより確実に行うことによってコンタクトホールの形状不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１上に形成されている層間絶縁膜２上に第１マスク３を形成する第１マスク形成工程と、層間絶縁膜２の途中までエッチングして第１凹部４ａを形成する第１エッチング工程と、第１マスク３を除去する第１マスク除去工程と、第１エッチング工程により形成された第１凹部４ａ内に開口部を有するように第２マスク５を形成する第２マスク形成工程と、層間絶縁膜をシリコン基板１の表面に達するまでエッチングしてコンタクトホール４を形成する第２エッチング工程と、第２マスク５を除去する第２マスク除去工程とを有する。 （もっと読む）

本発明は、半導体構成に関連して電気的接続を形成する方法を含む。その上に導電線路を有し、導電線路に隣接して少なくとも２つの拡散領域を有する半導体基板が設けられる。パターン化されるエッチ・ストップが拡散領域の上に形成される。パターン化されるエッチ・ストップは、開口を貫通して延びる１対の開口を有し、開口は導電線路の軸に実質的に平行に一列に並んでいる。絶縁材料がエッチ・ストップ上に形成される。絶縁材料は、絶縁材料内にトレンチを形成し且つ開口をエッチ・ストップから拡散領域まで延ばすために、エッチングに対して露出される。トレンチの少なくとも一部分は開口の直上にあり、線路の軸に沿って延びる。導電材料が開口内とトレンチ内に形成される。
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下にあるバリア層に対する多孔性低誘電率膜の接着は、その上にある多孔性低誘電率膜より炭素含量が低く、シリコン酸化物が豊富な中間層を形成することにより向上する。この接着層は、多数の手法のうち一つを単独で又は組み合わせて利用して形成されてもよい。一つのアプローチでは、接着層は、低誘電率材料の堆積直前にＯ_２／ＣＯ_２／などの濃酸化ガスを導入してＳｉ前駆体を酸化することにより形成することができる。別のアプローチでは、α−テルピネン、シメン及びその他の酸素非含有有機物などの熱的に不安定な化学物質が、低誘電率膜の堆積前に除去される。また別のアプローチでは、ハードウェア又はシリコン非含有成分を導入する方式などの処理パラメータが変更されて、低誘電率膜の堆積の前に酸化物界面の形成を可能とすることもできる。さらに別のアプローチでは、吸収量、エネルギー又は熱アニール処理の使用などの電子ビーム処理のパラメータが制御され、バリアと低誘電率膜との間の界面で炭素種を除去することもできる。さらなるアプローチでは、低誘電率堆積の前に前処理プラズマが導入されバリア界面の加熱を増進することにより、低誘電率堆積ガスが導入され、低誘電率膜が堆積される時、薄い酸化物界面を形成することもできる。 （もっと読む）

本発明により、基板（２０１）上のフィーチャ（２０６）に隣接するサイドウォールスペーサ（２１７、２１８）を形成することができる。フィーチャ（２０６）は１つ以上の保護層（２２０、２０７）に覆われる。スペーサ材料層（２１１）はフィーチャ（２０６）上に蒸着され、異方性エッチングされる。異方性エッチングに使用されるエッチング液はスペーサ材料を選択的に除去することに適しており、一方で１つ以上の保護層（２２０、２０７）はこのエッチング液による影響を実質的に受けない。その結果、１つ以上の層（２２０、２０７）はフィーチャがエッチング液にさらされるのを保護する。
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本発明はマスキング方法を包含する。１つの実施において、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むマスキング材料が、半導体基板上に形成されたフィーチャーを覆って形成される。マスキング材料は少なくとも約０．５原子パーセントのホウ素を含む。マスキング材料は実質的に異方的にエッチングされ、ここでそのエッチングはホウ素ドープアモルファスカーボンを含む異方的にエッチングされたサイドウォールスペーサをフィーチャーのサイドウォール上に形成するのに有効である。次に、スペーサに最も近い基板が、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサをマスクとして用いながら加工される。スペーサに最も近い基板を加工した後、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサが基板からエッチングされる。他の実施および面も考えられる。 （もっと読む）

本発明は、電気的に導電性ではない絶縁層（３４，３６）における切り欠き部（３７）に、少なくとも部分的または全体的に配置された外部導電構造部（４４）を有する接続部に関する。切り欠き部（３７）の底部には、導電性の内部導電構造部（２２）が、絶縁層（３４，３６）の一方側に配置され、コンタクト領域において外部導電構造部と境界を形成している。コンタクト面は、切り欠き部（３７）の他方側において、外部導電構造部（４４）に配置されている。コンタクト領域とコンタクト面とは、互いに重ならないか、部分的にのみ重なっている。切り欠き部（３７）の底部は、法線方向から見ると、コンタクト面の少なくとも半分または全面に重なるように配置されている。その結果、絶縁層（３４、３６）の段状部分は、コンタクト面と内部導電構造部（２２）との間に延びる主要電流路の外側において、切り欠き部（３７）の端部に位置する。
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【課題】配線容量を低減した多層配線構造部。
【解決手段】下地１１と、下地１１上に設けられている第１の配線層１２と、下地１１上に第１の配線層１２を被覆するように設けられていて、互いに隣接する第１の配線層１２間に凹部２２ｂを有するライナー絶縁膜２２と、凹部２２ｂに設けられている埋込み絶縁膜２４と、埋込み絶縁膜２４を被覆しているキャップ絶縁膜２６と、キャップ絶縁膜２６上に設けられている第２の配線層１４とを具えていて、埋込み絶縁膜２４は、ライナー絶縁膜２２及びキャップ絶縁膜２６よりも低い誘電率を有する絶縁性材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを主成分とする導体膜パターンを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 （もっと読む）

【課題】 微細トランジスタと高耐圧トランジスタの線幅バラツキを低減する。
【解決手段】 Ｐ型の半導体基板１上の段差部を境にしてＰ型ウエル２及びＮ型ウエル３が形成されたものにおいて、段差低部に形成される前記Ｐ型ウエル２上に第１線幅を有する第１のトランジスタ（微細トランジスタ）が形成され、段差高部に形成される前記Ｎ型ウエル３上に第１のトランジスタよりも線幅の太い第２線幅を有する第２のトランジスタ（高耐圧トランジスタ）が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 多層配線構造において、エレクトロマイグレーション耐性の向上及びより一層の微細化を図る。
【解決手段】 下層配線Ａは、第１のチタニウム膜１０２、第１の窒化チタン膜１０３、第１のＡｌ−Ｃｕ膜１０４、第２のチタニウム膜１０５及び第２の窒化チタン膜１０６からなる。ヴィアコンタクトＢは、第１の密着層１０９（チタニウム膜）、第２の密着層１１０（窒化チタン膜）及びタングステンプラグ１１１（タングステン膜）からなる。第２のチタニウム膜１０５及び第２の窒化チタン膜１０６には、ヴィアコンタクトＢの平面形状よりも小さい開口部が形成され、ヴィアコンタクトＢは開口部において第１のＡｌ−Ｃｕ膜１０４と接続している。第１及び第２の密着層１０９、１１０は、側壁部の下端から内側に張り出す張り出し部において、第２の窒化チタン膜１０６における開口部の周辺領域と接続している。 （もっと読む）

【課題】その中にマイクロトレンチを含まない低誘電体層間絶縁膜金属導体配線構造およびそのような構造の形成方法を提供する。
【解決手段】導体抵抗に対する制御は、第１の原子組成を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜の線とバイア誘電体層との間に位置する第２の原子組成を有する埋込みエッチング停止層により行われる。本発明の配線構造は、また、二重波形模様タイプの配線構造を形成する際に助けになるハードマスクを含む。第１および第２の組成は、エッチング選択性が少なくとも１０：１またはそれ以上になるように選択され、特定の原子組成および他の発見できる量を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜有機材料または無機材料の特定のグルーブから選択される。 （もっと読む）