【課題】基板に与える損傷を抑制できる導電部材の形成方法を提供する。アンダーカットの発生を抑制できる導電部材の形成方法を提供する。
【解決手段】基板を準備する段階と、基板の少なくとも一部を覆うリフトオフ層を形成する段階と、リフトオフ層に、基板の表面の一部を露出させる第１開口部を形成する段階と、リフトオフ層と第１開口部に露出した基板の表面とを覆うシード層を形成する段階と、シード層の表面に、レジスト層を形成する段階と、レジスト層に、少なくとも一部が第１開口部と重なり、かつ、シード層の一部を露出させる第２開口部を形成する段階と、第２開口部の内部に、導電部材を形成する段階と、レジスト層の少なくとも一部を除去する段階と、リフトオフ層をリフトオフ法により除去して、レジスト層とリフトオフ層との間のシード層を除去する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】 容量低減とビア加工マージンの確保を効率的に達成する。
【解決手段】 複数の配線層を有する半導体装置であって、所定領域を有する第１配線層２６と、第１配線層の上層に位置する第２配線層４７と、第１配線層と第２配線層との間に設けられる層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜と第１配線層の配線との間に設けられるバリア絶縁膜（２９，３１）とを有し、所定領域における配線上部のバリア絶縁膜の厚さは、所定領域以外の領域における配線上部のバリア絶縁膜の厚さよりも厚く、所定領域においては隣接する配線間にエアギャップ３５が形成され、所定領域以外においては隣接する配線間にエアギャップが形成されない。 （もっと読む）

【課題】ボンディングする際に、電極パッドの下方に加わるストレスに対しての耐性が強く、且つ配線の配置が容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成された多層配線層２を貫通し半導体基板１に達する支柱５ａ，５ｂにより、多層配線層２上に形成される電極パッド４の４隅のうち、少なくとも隣接する２隅を下方から支え、支柱５ａ，５ｂ間に複数の梁６ａ，６ｂ，６ｃを接続し、梁６ａ，６ｂ間に部材７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄを接続する。 （もっと読む）

【目的】Ｃｕ配線上に形成されるＣｕとＳｉとを含有する化合物膜の余剰ＳｉがＣｕ配線中へと拡散することを防止した半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、ＳｉとＯとが他より多く含まれる領域を有するＣｕ配線となるＣｕ膜２６０，２６２と、Ｃｕ膜２６０，２６２上に選択的に形成された、ＣｕとＳｉとを含有する選択キャップ膜２８０と、Ｃｕ膜２６０，２６２の側面側に形成された層間絶縁膜２２０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 接続不良の発生や配線層へのダメージの付与を防止することができ、歩留まり良く信頼性の高い接続状態を実現することが可能な配線構造及び表示装置を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された配線の幅広部分（配線部２２）において、配線上に形成された絶縁膜２３に設けられたコンタクトホールを介して外部接続用の接続パッド（例えばＯＬＢパッド４）との電気的接続が図られてなる配線構造である。配線を覆う絶縁膜２３が塗布方式により形成された絶縁膜２３であり、幅広の配線部２２においては、周辺領域にのみコンタクトホール２６が形成されている。あるいは、幅広の配線部２２の周辺領域に形成されたコンタクトホール２６の開口寸法が、内部領域に形成されたコンタクトホール２８，２９の開口寸法よりも小となるように形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】密着性ガードリングを有する積層構造体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に形成された導電層と、導電層を覆うように形成された絶縁層を有し、基板上に形成された濡れ性変化層において、導電層が複数形成される回路形成領域の周囲を囲むように、高表面エネルギー領域が形成され、高表面エネルギー領域上に絶縁層を形成することにより、濡れ性変化層と絶縁層との間に密着性ガードリング領域が形成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト構造物の形成方法及びこれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクト領域１０３を有する対象体１００上に絶縁層１０６を形成した後、絶縁層１０６をエッチングしてコンタクト領域１０３を露出させる開口を形成する。露出されたコンタクト領域１０３上にシリコン及び酸素を含む物質膜を形成した後、シリコン及び酸素を含む物質膜上に金属膜を形成する。シリコン及び酸素を含有する物質膜と金属膜を反応させて、少なくともコンタクト領域１０３上に金属酸化物シリサイド膜１２１を形成した後、金属酸化物シリサイド膜１２１上の開口を埋める導電膜を形成する。コンタクト領域とコンタクトとの間に金属、シリコン、及び酸素が三成分系を成す金属酸化物シリサイド膜を均一に形成することができるため、改善された熱安定性及び電気的特性を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子と、半導体素子上の絶縁膜と、絶縁膜中に、欠陥の多い領域と欠陥の少ない領域とを有し、欠陥の多い領域は、金属元素が拡散され、絶縁膜の表面の一部と裏面の一部をつなぐ導電領域である半導体装置、及び、基板上に半導体素子を形成し、半導体素子上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に、半導体素子と電気的に接続された第１の導電膜を形成し、絶縁膜中にイオンを添加して、あるいはレーザビームを照射して、欠陥の多い領域を形成し、欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、欠陥の多い領域に、金属元素を拡散させ、絶縁膜中に、第１の導電膜と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】微細ピッチで配列するに好ましい垂直配線構造を持つ半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、回路が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に複数層積層された機能素子アレイと、前記機能素子アレイの信号線を前記半導体基板上の回路に接続するための垂直配線とを備え、前記垂直配線は、ストライプ状溝が形成されたあとの絶縁層の前記ストライプ状溝の長手方向に分散的に配置されたメタル層の積み重ね構造として構成されている。 （もっと読む）

【課題】端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製する。
【解決手段】膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）

自己組織化ブロック共重合体を使用して、ラインアレイにおいて、サブリソグラフィーでナノスケールの微細構造を作製するための方法、ならびに、これらの方法から形成される膜およびデバイスが提供される。
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【課題】信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板（図示略）と、半導体基板上に設けられた第一の電気ヒューズ１２と、第二の電気ヒューズ１３とを備える。第一の電気ヒューズ１２は、異なる配線層に形成された第一の上層配線１２１および第一の下層配線１２２と、第一の上層配線１２１および第一の下層配線１２２を接続するビア１２３とを有する。第二の電気ヒューズ１３は、異なる配線層に形成された第二の上層配線１３１および第二の下層配線１３２と、第二の上層配線１３１および第二の下層配線１３２を接続するビア１３３とを有する。半導体装置１は、第一の電気ヒューズ１２の前記第一の上層配線１２１と、第二の電気ヒューズ１３の第二の下層配線１３２とを接続する接続部１４を有する。この接続部１４は、第一の電気ヒューズ１２および第二の電気ヒューズ１３を直列に接続する。 （もっと読む）

【課題】埋め込み金属配線の形成時に、イン-サイチュウ(in-situ)で平坦化を行うことができ、層間絶縁膜形成の回数を減らし、製造工程にかかる時間及び費用を減らすことができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０２にコンタクトプラグ１０４を形成する。第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上部にエッチング停止膜１０６ａ及びハードマスクパターンを形成する。ハードマスクパターンに沿ってエッチング停止膜をパターニングし、露出された第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグをエッチングしてコンタクトプラグの上部の第１の層間絶縁膜にトレンチを形成する。金属膜を形成後、エッチング停止膜までシリカ研磨剤とセリア研磨剤を混合したスラリーを用いて平坦化を行い、金属配線１１４ａを形成する。エッチング停止膜を除去し、第２の層間絶縁膜１１６を形成する。 （もっと読む）

基板を加工処理するための方法および装置を提供する。基板を加工処理するための方法は、導電性材料を備えた基板を準備することと、導電性材料上に前処理プロセスを実行することと、シリサイド層を形成するために導電性材料上にシリコン系化合物を流すことと、シリサイド層上に後処理プロセスを実行することと、基板上にバリア誘電体層を堆積することとを含む。
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【課題】絶縁膜で十分な機械的強度を確立することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１１は基板１２を備える。基板１２の表面には複数層の絶縁膜１５が積層される。絶縁膜１５同士の間には導電性の配線層１６が挟み込まれる。配線層１６から離れつつ絶縁膜１５には炭素系材１８が埋め込まれる。炭素系材１８は高い機械的強度を有する。その結果、絶縁膜１５では十分な機械的強度が確立される。同様に、半導体装置１１では十分な機械的強度が確立される。絶縁膜１５の表面に平坦化処理が施されても、絶縁膜１５の破損は回避される。加えて、例えば半導体装置１１の実装にあたって半導体装置１１の損傷は回避される。 （もっと読む）

【課題】製造工程時間の増加を招くことなく、複数の凹部に埋め込まれた部材表面の平坦性を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】相対的に面積の大きい第１ダミーパターンＤＰ_１と相対的に面積の小さい第２ダミーパターンＤＰ_２とをダミー領域ＦＡに配置することによって、素子形成領域ＤＡとダミー領域ＦＡとの境界ＢＬ近くまでダミーパターンを配置することができる。これにより、分離溝内に埋め込まれた酸化シリコン膜の表面の平坦性をダミー領域ＦＡの全域において向上することができる。さらに、ダミー領域ＦＡのうち相対的に広い領域を上記第１ダミーパターンＤＰ_１で占めることで、マスクのデータ量の増加を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い不揮発性半導体メモリを提供できる。
【解決手段】本発明の例に関わる不揮発性半導体メモリは、複数のメモリセルが配置されるメモリセルアレイ領域１００と、メモリセルアレイ領域１００の周囲を取り囲む周辺回路領域と、周辺回路領域とメモリセルアレイ領域１００との境界部分であるセルアレイ隣接領域１０５と、メモリセルアレイ領域１００内に層間絶縁膜を介して設けられる複数の第１導電線ＳＬと、セルアレイ隣接領域１０５内に層間絶縁膜を介して設けられる複数の第２導電線Ｍ２とを具備し、複数の第２導電線Ｍ２はその配線内にスリット５０が形成されていることを備える。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な半導体チップ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】上面、底面、及びこれらの面を接続する側面１３を有する半導体基板１１と、上面にあり、半導体基板１１に形成された半導体素子と接続された上部配線１５と、底面にあり、側面１３で囲まれた内側に側面１３から離間して配置された複数の接続端子２６と、半導体基板１１を貫通する貫通孔２１を通り、上部配線１５と接続端子２６とを電気接続する貫通配線２５と、接続端子２６間の底面にあり、接続端子２６とは凹部３１を隔てて配置された絶縁性の分離膜２７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャル層と配線材料との間でショートが発生しない半導体装置の製造方法、コンタクトプラグの形成においてコンタクトホールの径の拡大を抑制する半導体装置の製造方法、これらの目的を効果的に達成できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン表面に形成された第１の酸化シリコン膜２と、第１の酸化シリコン膜２とは形成方法の異なる第２の酸化シリコン膜３とを有し、各々の酸化シリコン膜２，３の少なくとも一部が露出して共存するシリコン基板１を前処理する前処理工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記前処理工程は、第１の酸化シリコン膜２を除去して前記シリコン表面を露出させるエッチング工程を有し、前記エッチング工程は、第１の酸化シリコン膜２と第２の酸化シリコン膜３とを同じエッチングレートでエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の異なる回路領域にそれぞれの要求特性を満足する配線を形成する。
【解決手段】所定基板上に配線の主要部を構成する第１の金属膜を形成し（ステップＳ１）、その上にエレクトロマイグレーション耐性向上に寄与するＴｉ，Ｚｒ等の不純物元素を含む第２の金属膜を形成する（ステップＳ２）。次いで、不純物元素を添加すべき配線の形成領域にある第２の金属膜は残し、不純物元素の添加が不要な配線の形成領域にある第２の金属膜を部分的に除去する（ステップＳ３）。その後、熱処理により、残る第２の金属膜の不純物元素を下の第１の金属膜に拡散させる（ステップＳ４）。これにより、不純物元素濃度の異なる第１の金属膜を基板上に形成できる。これを用いて配線を形成することにより、異なる領域にそれぞれに適した配線を形成することが可能になる。 （もっと読む）