【課題】ハードマスクとして用いられる窒化膜とその下部にＩＬＤ膜として用いられる酸化膜との間の応力差により発生するリフティング現象を防止して、半導体素子の特性を改善させ得る半導体素子のコンタクト孔の形成方法を提供すること。
【解決手段】下地層（１０〜１６）が形成された基板を提供するステップと、下地層（１０〜１６）を覆う絶縁膜（１７）を形成するステップと、絶縁膜（１７）上にＳＲＯＮ膜でハードマスク（１８）を形成するステップと、ハードマスク（１８）上にフォトレジストパターンを形成するステップと、フォトレジストパターンを利用した第１エッチング工程により、ハードマスク（１８）をエッチングするステップと、フォトレジストパターンを利用した第２エッチングにより、絶縁膜（１７）をエッチングし、下地層の一部を露出させるコンタクト孔（１９）を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 絶縁ゲート型トランジスタを有する半導体素子を備えた半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板１と、半導体基板１の主面に形成され、絶縁ゲート型トランジスタを有するメモリセルＭＣと、メモリセルＭＣ上に形成された絶縁膜１４と、メモリセルＭＣと電気的に接続され、絶縁膜１４上に形成された金属配線２１と、絶縁膜１４および金属配線２１を覆うように形成された絶縁膜２２とを有する。絶縁膜１４は、窒素の含有量が１ａｔｏｍ％乃至１５ａｔｏｍ％の範囲内の酸窒化シリコン膜である。 （もっと読む）

【課題】 ボラジン系化合物の絶縁膜を用いて、絶縁材料と配線材料との間の密着性や、機械強度等の特性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供すること
【解決手段】 凹部に第１の導体層が埋め込まれた第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成されたエッチングストッパー層と、エッチングストッパー層上に形成された第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に形成された第３の絶縁層と、第２の絶縁層と第３の絶縁層との凹部に埋め込まれた第２の導体層と、を含む半導体装置であって、第２の絶縁層および第３の絶縁層は、炭素含有ボラジン化合物を原料として化学的気相反応成長法によって形成され、第３の絶縁層の炭素含有率が、第２の絶縁層の炭素含有率よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】亀裂の無い厚いＰＳＧ膜を単層で形成し、低コストで高信頼性の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】４５０ｎｍ以上の段差Ｔ１のある酸化膜５の下地を、リン濃度が２ｍｏｌｗｔ％〜５ｍｏｌｗｔ％で膜厚Ｔ１が１．３μｍ以上の単層のＰＳＧ膜７で被覆する。リン濃度を２ｍｏｌｗｔ％〜５ｍｏｌｗｔ％とすることで、下地の段差Ｔ１が４５０ｎｍ以上あり、単層のＰＳＧ膜の厚さＷ１が１．３μｍ以上あった場合でも、高温熱処理によるＰＳＧ膜の収縮時に亀裂が発生するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 精密で微細な膜パターンを得ることができる膜パターンの形成方法、該膜パターンの形成方法により得られた膜パターン、該膜パターンを含む配線構造体、ならびに該配線構造体を含む半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の膜パターンの形成方法は、（ａ）エネルギー硬化型の膜形成用材料を基体上に配置する工程と、（ｂ）凸部および凹部を含むパターンを有するテンプレートを使用して、前記パターンと前記膜形成用材料とを接触させた状態で、該膜形成用材料にエネルギーを付与する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 製造工程における機械的強度を強くするとともに、配線間絶縁膜を低誘電率化する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、以下の手順を含む。まず高密度絶縁膜を形成する（Ｓ１０２）。つづいて、高密度絶縁膜にビアホールおよび配線溝を形成する（Ｓ１０４）。次いで、ビアホールおよび配線溝を埋め込むように、配線およびビア金属膜を形成する（Ｓ１０６）。その後、ＣＭＰにより、配線溝外部に露出した金属膜を除去する（Ｓ１０８）。つづいて、Ｈｅプラズマ照射またはエネルギー線照射により、高密度絶縁膜表面を低密度化する（Ｓ１１０）。その後、低密度化された絶縁膜上にエッチングストッパ膜（またはキャップ膜）を形成する（Ｓ１１２）。 （もっと読む）

【課題】配線材料となるＣｕの拡散を防止し、配線間リークが少なく、又、凹凸が少なく、それだけ信頼性が高く、更には配線プロセスが簡略化され、コストがそれだけ低廉なものになる半導体装置を提供することである。
【解決手段】基板１と、前記基板１上に設けられたＣｕ配線層８，１９と、前記Ｃｕ配線層８，１９上に設けられた層間絶縁層９，２０とを具備する半導体装置であって、前記層間絶縁層９、２０がＣｕ拡散防止機能を有する塗布型絶縁膜である。 （もっと読む）

【課題】 配線に対する膜剥がれや腐食等の不具合が発生せず、高密度で高速動作が可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の配線パターン３の表面にＳＲＯ膜９Ａを形成し、この配線パターン３を埋めるようにＳＲＯ膜９Ａの表面全体に比誘電率が低いＦＳＧ膜５Ａを形成する。ＦＳＧ膜５Ａの表面全体にＳＲＯ膜９Ｂを形成し、更にこのＳＲＯ膜９Ｂの表面全体にＦＳＧ膜５Ｂを形成し、このＦＳＧ膜５Ｂの表面を平坦化する。ＦＳＧ膜５Ｂの表面にほぼ一定の膜厚でＳＲＯ膜９Ｃを形成し、このＳＲＯ膜９Ｃ上に配線パターン７を形成する。配線パターン３，７間は、必要に応じて金属製のヴィアプラグ８で接続される。ＳＲＯ膜は弗化水素を捕獲する性質があるので、ヴィアプラグ等の形成時の熱処理でＦＳＧ膜から発生する弗化水素をトラップし、配線パターンへの影響を無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＮ膜を用いた配線構造において、ポイゾニングの発生を抑制すると共に、ＳｉＣＮ膜ストレスの影響を低減する方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、Ｃｕを配線用金属とする下層配線と下層配線上に形成されたＳｉＣＮ膜を備える。また、ＳｉＣＮ膜上に形成された絶縁膜内に上層配線と上層配線と同一材料から構成されるプラグを備える。さらにプラグの下部はＳｉＣＮ膜を部分的に貫通して、下層配線に接し、プラグの上部は上層配線と接している。特に、ＳｉＣＮ膜の屈折率が１．８９以上であることを特徴とする。
これにより、膜の密度が高い安定したＳｉＣＮ膜を提供出来る。よって、ＳｉＣＮ膜が空気中成分（ＮやＨ₂Ｏ等）を取り込みにくくなる。また、ストレスの経時変化を抑制し、ポイゾニング不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＨＳＧ形成時の下部電極の破れや、ＨＳＧ形成後のウェット処理によるＨＳＧの剥がれを抑制しつつ、下部電極の膜厚を薄くすることが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリンダ層間膜１０６に設けたシリンダホール１０７内に、第１のシリコン層１０８ａ、シリコンリッチな酸化膜１０及び第２のシリコン層を積層した後、シリコンリッチな酸化膜１０をストッパとして第２のシリコン層に対しＨＳＧ化処理を行うことにより、シリコンリッチな酸化膜１０の表面に複数のＨＳＧ１０８ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】 プラグと配線との接続抵抗および絶縁膜の誘電率を効果的に低下させる。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板の上部に設けられ、銅含有金属により構成される第一配線１０８と、第一配線１０８の上部に設けられ、第一配線１０８に接続する導電性の第一プラグ１１４と、第一配線１０８の上部において、第一プラグ１１４が設けられた領域以外の領域に設けられたＣｕシリサイド層１１１と、第一プラグ１１４の上部に設けられたＣｕシリサイド層１１７と、第一配線１０８の側面から第一プラグ１１４の側面にわたって形成されるとともに、第一配線１０８の側面と、第一配線１０８の上部と、第一プラグ１１４の側面とを被覆する第一ポーラスＭＳＱ膜１０５と、を含む配線構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の誘電率を低く保ちつつ、層間絶縁膜と他の絶縁膜との密着性を改善する。
【解決手段】 半導体チップ１００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に形成された第一の層間絶縁膜１０６等の炭素含有絶縁膜と、下地層１０２や上地カバー膜１２４等の炭素非含有絶縁膜とを含む積層膜１５０とを含む。ここで、炭素非含有絶縁膜の端面が、炭素含有絶縁膜の端面より外側に位置している。また、炭素含有絶縁膜は、端部における炭素の組成が、内部における炭素の組成よりも低く形成される。また、炭素含有絶縁膜は、端部における膜密度が、内部における膜密度よりも高く形成される。 （もっと読む）

【課題】層間膜にＳｉＯＣ膜を用いた半導体装置の信頼性を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−ＣＨ_３結合とＳｉ−Ｏ結合との結合比が２.５０％未満のＳｉＯＣ膜で層間膜を形成する、あるいはＳｉＯ−Ｏ結合に対するＳｉ−ＯＨ結合の強度比が０.０００７を超える、ＳｉＯ−Ｏ結合に対する波長２２３０ｃｍ^−１におけるＳｉ−Ｈ結合の強度比が０.００５０を超える、およびＳｉＯ−Ｏ結合に対する波長２１７０ｃｍ^−１におけるＳｉ−Ｈ結合の強度比が０.００６７を超えるＳｉＯＣ膜で層間膜を形成することにより、層間膜の比誘電率を３以下とすると共に、硬度または弾性率の低下を抑えて層間膜の機械的強度の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】 ＮｉＳｉが用いられたシリサイド上ライナー窒化膜のエッチング特性を改善し、コンタクトホール底での過度のエッチングを防止する。
【解決手段】 半導体基板３０１の素子活性領域にシリサイド層３０８を形成する工程と、半導体基板上にライナーになるシリコン窒化膜３０９を形成する工程と、シリコン窒化膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程とを含み、シリコン窒化膜は、原子層蒸着法によりジクロロシランとアンモニアを用いて曝露するサイクルを繰り返すことにより成膜され、成膜段階におけるアンモニアガスの曝露時間は、表面反応が平衡状態になる緩和時間の２〜１０倍である。これにより、窒化膜中の塩素濃度を低減でき、Ｓｉ−Ｎ結合が増やすことができるため、ウェットエッチング耐性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造を形成する際、層間絶縁膜の低誘電率化を図ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11上に第１絶縁膜9、第２絶縁膜10、第１マスク形成層31、第２マスク形成層32、第３マスク形成層33、第４マスク形成層34を順次成膜し、第４マスク形成層34をパターンニングして、配線溝パターンを有する第４マスク34'を形成し、この上部にレジストマスクを形成して第２絶縁膜10までをエッチングし、接続孔を開口する。第４マスク34’上から第３マスク形成層33をエッチングして配線溝パターンを有する第３マスクを形成し、第１絶縁膜9を途中まで接続孔を掘り下げる。第４マスク34’上から第２マスク形成層32をエッチングして配線溝パターンを有する第２マスクを形成し、接続孔の底部に残存する第１絶縁膜9を除去する。第２マスク上から第２絶縁膜10をエッチングして配線溝を形成した後、第２マスクを除去する。 （もっと読む）

【課題】配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー内において基板２０表面にＮＨ_３プラズマを発生させ、基板２０に対してＮＨ_３プラズマ処理を行う工程と、チャンバー内に残留する窒素を含む反応生成物を除去する工程と、チャンバー内において、基板２０上に、ＰＥＣＶＤ法によりＳｉＣ膜３４を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】大きなディボットやコンタクト接続不良の発生を回避しつ半導体基板にストレスをかけることにより、キャリアの移動度を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極４が形成されている。ゲート電極４の両側における半導体基板１には、ソース・ドレイン領域８が形成されている。素子分離用溝２の内壁から、ソース・ドレイン領域８上およびゲート電極４上まで連続してライナー膜１１が形成されている。ひとつなぎにしたライナー膜１１により、半導体基板１にストレスをかけて、キャリアの移動度を向上させる。ライナー膜１１は、コンタクト１３の形成のためのエッチングストッパとしての役割ももつ。 （もっと読む）

【課題】低低誘電率膜に覆われた金属配線を有する半導体装置において、金属配線からの拡散を防止する金属拡散防止膜と低誘電率膜との界面における密着性を向上させ、低誘電率膜と金属拡散防止膜とが剥離しにくい信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】基板の上に第１の絶縁膜２１と、第２の絶縁膜２３Ａと、第３の絶縁膜２３Ｂと、ＳｉＯＣからなる第４の絶縁膜２４と、第５の絶縁膜２５が順次形成されている。第２の絶縁膜２３Ａは、Ｏと比べてＮの原子百分率の値が高いＳｉＯＣＮ膜であり、第３の絶縁膜２３ＢはＮと比べてＯの原子百分率の値が高いＳｉＯＣＮ膜である。第３の絶縁膜２３Ｂの上面には、第３の絶縁膜２３Ｂの底面と比べてＳｉに対するＯの組成比が５％以上高い表面層２３ａが形成されている （もっと読む）

【課題】 絶縁膜層に空隙を設けずにトランジスタ間あるいは配線間の分離のための絶縁膜層の低誘電率化を行う。
【解決手段】 ゲート絶縁膜（シリコン酸化膜）５以外の素子分離領域４、層間絶縁膜１０及び保護絶縁膜８、９の少なくとも一部をフッ化炭素(CFx、0.3<ｘ<0.6)又は炭化水素(CHy、0.8<y<1.2)で形成する。 （もっと読む）

半導体素子が形成された基板上に金属配線を積層し、半導体素子の接続を得る多層配線構造において、多孔質絶縁膜内に微細な金属配線を形成する場合に、リーク電流が発生し隣接する配線間の絶縁性が損なわれたり、隣接する配線間の絶縁耐性が劣化することのない配線構造およびその製造方法を提供する。半導体素子が形成された基板上の金属配線構造において、層間絶縁膜と金属配線との間に、有機物を含む絶縁性バリア層４１３を形成する。この絶縁性バリア層は隣接する配線間のリーク電流を低減し、絶縁信頼性を向上させることができる。
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