【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含む金属配線の形成において、サイドエッチ量を低減した微細な金属配線を形成でき、金属配線上に形成するビアホールが金属膜を突き抜けるのを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第一ＴｉＮ膜３、Ａｌを含む金属膜４、第二ＴｉＮ膜５を順次積層した金属配線層６を形成する工程と、前記金属配線層６の上にストッパー膜７、シリコン酸化膜８を順次積層したハードマスク層１２を形成する工程と、前記ハードマスク層１２を選択的にエッチングして前記金属配線層６の上にハードマスク１２ａを形成する工程と、前記ハードマスク１２ａをマスクとしてエッチングし金属配線６ａを形成する工程と、前記ハードマスク１２ａおよび前記金属配線６ａの上に層間絶縁膜１４を形成する工程と、前記ストッパー膜７をエッチングストッパとして前記層間絶縁膜１４にビアホール１７ａを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に形成される半導体素子を覆う絶縁膜１１が、埋め込み特性が良好とされる熱ＣＶＤ法等によって形成される。その絶縁膜１１を覆うように、耐湿性に優れているとされるプラズマＣＶＤ法によって絶縁膜１４が形成される。その絶縁膜１１および絶縁膜１４を貫通するようにプラグ１３が形成される。さらに、その絶縁膜１４上に、誘電率が比較的低いＬｏｗ−ｋ膜からなる絶縁膜１６が形成され、その絶縁膜１６に、ダマシン技術によって、プラグ１３に電気的に接続される配線２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、絶縁膜の誘電率を低く維持すると共に、半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】シリコン基板１の上方に層間絶縁膜２９を形成する工程と、層間絶縁膜２９に配線溝２９ａを形成する工程と、層間絶縁膜２９の上面と配線溝２９ａの中とに導電膜２７を形成する工程と、導電膜２７を研磨することにより、層間絶縁膜２９の上面から導電膜２７を除去すると共に、配線溝２９ａの中に導電膜２７を残す工程と、導電膜２７の表面を還元性プラズマに曝す工程と、導電膜２７の表面にシリサイド層３４を形成する工程と、シリサイド層３４の表面に窒化層３６を形成する工程と、炭素を含むガス又は液に層間絶縁膜２９の上面を曝す工程と、層間絶縁膜２９の上面に紫外線を照射する工程と、導電膜２７の上にバリア絶縁膜４０を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネルに応力を与えるストレスライナーとして機能するシリコン窒化膜を形成した場合に、クラックの発生を抑えることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１に形成されたｎチャネル型トランジスタ２０を覆い、ｎチャネル型トランジスタ２０のチャネルに対してチャネル長方向の引張応力を作用させるシリコン窒化膜１１、１２を形成する半導体装置の製造方法であって、ｎチャネル型トランジスタ２０の上に一層目のシリコン窒化膜１１を形成する工程と、一層目のシリコン窒化膜１１に紫外線を照射する工程と、紫外線照射の後、一層目のシリコン窒化膜１１の上に一層目のシリコン窒化膜１１よりも薄いシリコン窒化膜１２を少なくとも一層以上形成する工程とを備え、引張応力を作用させるシリコン窒化膜を複数段階に分けて形成する。 （もっと読む）

基板中に狭いビアを形成するための方法および装置を提供する。従来型のリソグラフィによって、パターンリセスを基板中にエッチングする。パターンリセスの側壁および底部を含んでいる基板の表面の上方に薄いコンフォーマル層を形成する。コンフォーマル層の厚さは、パターンリセスの実効的な幅を縮小する。下方にある基板を暴露させるために、異方性エッチングによってパターンリセスの底からコンフォーマル層を除去する。次に、マスクとしてパターンリセスの側壁を覆っているコンフォーマル層を使用して基板をエッチングする。次に、ウェットエッチャントを使用してコンフォーマル層を除去する。
（もっと読む）

【課題】層間絶縁膜にＣＭＰによるスクラッチが発生することを防止することや層間絶縁膜の膜厚均一性の悪化を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】キャップＳｉＯ_２膜１５上にアモルファスカーボン膜１６を形成する工程と、アモルファスカーボン膜１６をパターニングし、アモルファスカーボン膜１６をハードマスクとしてエッチングによりコンタクトホール３２を形成する工程と、アッシングによりアモルファスカーボン膜１６を薄膜化する工程と、アモルファスカーボン膜１６上にタングステン層２２を形成する工程と、タングステン層２２をアモルファスカーボン膜１６が露出するまでタングステンＣＭＰにより研磨する工程と、露出したアモルファスカーボン膜１６をアッシングにより除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｎ−Ｈ結合を減少させることができ、Ｎ−Ｈ結合の量とＳｉ−Ｈ結合の量とを合計した総膜中水素量を減らすことが可能なプラズマＣＶＤ窒化珪素膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に、珪素含有ガスと、窒素及び水素含有ガスとを導入する工程と、マイクロ波を処理容器１内に放射し、処理容器１内に導入された珪素含有ガス及び窒素及び水素含有ガスをプラズマ化する工程と、プラズマ化された珪素含有ガス及び窒素及び水素含有ガスを、被処理基板Ｗの表面上に供給し、被処理基板Ｗの表面上に窒化珪素膜を成膜する工程と、を備え、窒化珪素膜の成膜条件を、処理温度を３００℃以上６００℃以下、珪素含有ガスと窒素及び水素含有ガスとの流量比を０．００５以上０．０１５以下、マイクロ波パワーを０．５Ｗ／ｃｍ^２以上２．０４５Ｗ／ｃｍ^２以下、処理圧力を１３３．３Ｐａ以上１３３３３Ｐａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能な高ストレス薄膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】水素を含む成膜原料ガスをチャンバー内に供給し、水素が取り込まれた薄膜を半導体基板上に成膜する工程（ステップ１）と、薄膜から水素を離脱させる物質を含む水素離脱ガスを前記チャンバーにパルス的に供給しながら薄膜から水素を離脱させる工程（ステップ２、ステップ１１及び１２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン膜のエッチングに対するエッチング耐性を有する応力膜を形成することで、応力膜の上記エッチング時の膜減りを低減することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１上にゲート電極形成溝２３が形成されたサイドウォール絶縁膜２１と、ゲート電極形成溝２３内の半導体基板１１上にゲート絶縁膜２４を介して形成されたゲート電極２５と、ゲート電極２５の側壁にサイドウォール絶縁膜２４を介して半導体基板１１上に形成されていて応力を有する第１応力膜５１と、第１応力膜５１の外側の半導体基板１１上に形成されていて第１応力膜５１と同種の応力を有する第２応力膜５２とを有し、第１応力膜５１および第２応力膜５２は酸化シリコン膜をエッチングするときのエッチング種に対するエッチング耐性を有し、第１応力膜５１は第２応力膜５２よりも前記エッチング種に対するエッチング耐性が強いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に適用される比較的膜厚の厚い絶縁膜中の水素濃度を大幅に低減する。
【解決手段】半導体装置７０には、半導体基板１上に複数のメモリセルトランジスタが設けられる。ｎ型拡散層７、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）２、及び絶縁膜６上と、側壁絶縁膜８の側面とには積層シリコン窒化膜９が形成される。メモリセルトランジスタのゲートの周囲に積層シリコン窒化膜９が設けられる。積層シリコン窒化膜９は、例えば膜厚が略１００ｎｍであり、ｎ層のシリコン窒化膜から構成される。ｎ層のシリコン窒化膜の膜厚は、それぞれ３ｎｍ以下に設定される。ｎ層のシリコン窒化膜は、それぞれ膜中の水素結合がプラズマ処理で置換され、水素が離脱され、膜中の水素濃度が大幅に低減されたシリコン窒化膜である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、下層配線層を損傷させず、その上部にデュアルダマシン構造の配線要素を形成する半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】下層配線上に絶縁物で構成され該下層配線の金属材料の拡散を防止する拡散防止膜を形成し、該拡散防止膜の上部に第１絶縁膜を形成し、該第１絶縁膜の上部にエッチングストッパ膜を形成し、該エッチングストッパ膜の上部に第２絶縁膜を形成し、該下層配線の上部に、該第２絶縁膜、該エッチングストッパ膜、および、該第１絶縁膜を貫通して該拡散防止膜を露出するビアホールを形成し、該ビアホールの内部に、そのビアホールの内壁を覆う有機層を形成し、該第２絶縁膜の所定部位をエッチングにより除去して配線溝を形成し、該配線溝底に露出した該エッチングストッパ膜および該ビアホール底に露出した該拡散防止膜を同時に除去する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＧ層の表面を平坦に形成することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２上には、配線３が所定のパターンで形成されている。層間絶縁膜２および配線３上には、それらの表面に沿ってＳｉＯＣ膜７が形成されている。ＳｉＯＣ膜７上には、ＳＯＧ層８が形成されている。ＳＯＧ層８は、ＳｉＯＣ膜７における配線３上に形成された部分を露出させ、その露出したＳｉＯＣ膜７の表面と面一をなす表面を有している。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板と金属プラグとの接触抵抗を安定に低減することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、シリコン基板１０上に層間絶縁膜２０を形成する工程と、層間絶縁膜２０を選択的に異方性エッチングにすることによりコンタクトホール３０を形成する工程と、コンタクトホール３０の底面のシリコン基板１０内をアッシング処理する工程と、アッシング処理の後、コンタクトホール３０の底面を希弗酸処理する工程と、コンタクトホール３０の底面においてシリコン基板１０と電気的に接続する金属プラグを形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時の応力やクラックがシールリング及びチップ領域に達して半導体装置の信頼性が低下するのを防ぐ。
【解決手段】半導体装置は、基板１１に形成された素子と、基板１１上に形成された絶縁膜１３〜１８と、絶縁膜１３〜１８中に、素子の形成された領域上を取り囲み且つ絶縁膜１３〜１８を貫通するように形成されたシールリング１０３と、絶縁膜１３〜１８中に素子から見てシールリング１０３よりも外側に形成され、応力吸収体７１〜７３を含む応力吸収壁８１ａと、素子から見て応力吸収壁８１ａよりも外側に位置する部分の絶縁膜１３〜１８に形成され、少なくとも１つの空隙４１を含む空隙領域１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、且つ、良好な品質を有する絶縁膜を備え、配線間の寄生容量が抑制された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成され、第１の溝（第２の配線溝２８）を有し、高さ方向において組成比が異なる第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）と、第１の溝（第２の配線溝２８）を埋める第１の金属配線（第２の金属配線２５）とを備えている。第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）では、上部における機械的強度がその他の部分における機械的強度に比べて大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】二重ダマシン構造を有する集積回路および余分な工程を削減し二重ダマシン構造を形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】
二重ダマシン構造を製造する工程である。この工程は、スタックの上方に２個のマスクが形成される絶縁体層とストップ層を含むスタックを形成するものである。マスクのうちの１個は、絶縁体層のビアあるいはコンタクト開口を形成するのに用いられ、第ニのマスクは集積回路に相互接続のための凹部を形成するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】所望のエッチングレートでシリコンリッチ膜をエッチングすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、トンネル絶縁膜１４、電荷蓄積層１６、トップ絶縁膜１８からなるＯＮＯ膜２０が形成されている半導体装置の製造方法は、ワードライン２２上に、層間絶縁膜２４、紫外線吸収膜２６、反射防止膜２８、キャップ層３０を形成する工程と、シリコンリッチ膜である紫外線吸収膜２６の紫外線に対する消衰係数を測定する工程と、消衰係数に対応した酸素ガス流量を用いたエッチング条件により、シリコンリッチ膜である紫外線吸収膜２６をエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ４０Ｄの内部空間Ｓに吸着期間の間だけＺｒ（ＢＨ_４）_４を導入した。そして、シリコン基板２の表面、すなわち第２層間絶縁膜の表面及び第１配線の表面に、あるいはハードマスクの表面及び第２配線の表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４を吸着させ、吸着分子からなる単分子層を形成した。また、吸着期間の経過後、照射管４７の内部に改質期間の間だけマイクロ波を照射し、プラズマ化したＨ_２を、すなわち水素活性種をシリコン基板２の表面に供給した。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４の供給と、水素活性種の供給と、を交互に繰り返した。 （もっと読む）

【課題】 ニッケルシリサイド等の他の膜をエッチングすることなく、半導体装置に利用される側壁スペーサ膜等の薄膜を速やかに除去可能とする薄膜、及びその薄膜を用いた半導体装置の製造方法を提供すること
【解決手段】
半導体装置の製造過程で用いられる薄膜であって、この薄膜は、珪素、ゲルマニウム、および酸素を含む。 （もっと読む）