【課題】金属スペーサを用いて金属配線の特性向上及びオーバラップマージンを改善できる多層金属配線の形成方法を提供する。
【解決手段】下層上に第１金属配線を形成する段階、前記第１金属配線を含む下層上に第１絶縁膜を形成する段階、前記第１絶縁膜をエッチングして前記第１金属配線の高さより低いように段差を形成する段階、前記第１絶縁膜上の第１金属配線の側壁に金属スペーサを形成する段階、前記金属スペーサを含む下層上に平坦化膜を形成する段階、前記平坦化膜をエッチングして前記第１金属配線が露出するようにコンタクト孔を形成する段階、及び、前記コンタクト孔を介して第１金属配線とコンタクトする第２金属配線を形成する段階を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗及び不良が減少したアレイ基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２０上にバリア層を形成する。その後、バリア層上に銅または銅合金を含むゲートライン１３１及びゲートラインに電気的に接続されるゲート電極１１８を形成する。その後、ゲートライン１３１及びゲート電極１１８の表面を窒化プラズマ処理する。続いて、絶縁基板１２０上にゲートライン１３１及びゲート電極１１８をカバーするゲート絶縁膜１２６を蒸着する。続いて、ゲート絶縁膜１２６上にデータライン１３３、データライン１３３に電気的に接続されるソース電極１１７、ソース電極１１７と離隔されて配置されるドレイン電極１１９、及びゲート電極１１８上でソース電極１１７とドレイン電極１１９との間に配置される半導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】入力信号のＨレベルとＬレベルとを同時にレベルシフトすることができ、且つ低コストで製造できるレベルシフタ、及びレベルシフタを具備する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単一の導電型のトランジスタで構成されたオフセット回路を用いて、入力信号をオフセットする。そして、オフセットされた入力信号をオフセット回路と同じ導電型のトランジスタで構成された論理回路に供給することによって、入力信号のＨレベルとＬレベルとを同時にレベルシフトすることができる。また、オフセット回路と論理回路は単一の導電型のトランジスタで構成されているため、表示装置を低コストで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】上部金属配線層と下部コンタクトパッドとの接続においてコンタクトパッドをエッチング工程から保護する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に絶縁層６５を形成し、前記絶縁層はその内部に導電性パッド６７を具備する段階と、前記絶縁層と導電性パッド上に誘電層７２を形成する段階と、前記誘電層の一領域をエッチングして前記導電性パッドと重畳するコンタクトホール７２ａを形成し、前記コンタクトホールは前記導電性パッドの上部コーナーを露出させる段階と、前記コンタクトホール内に前記導電性パッドの上部コーナーを覆うエッチング防止層７５を形成する段階により製造する。 （もっと読む）

【課題】埋め込み特性や膜特性に優れたシリコン酸化膜を高アスペクト比を有する凹部に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の主表面側の下地領域 ３５０に形成された凹部３５１内全体にシリコン窒化膜３５２を形成する工程と、前記シリコン窒化膜３５２を酸化して該シリコン窒化膜３５２をシリコン酸化膜３５３に変換することにより、前記凹部内全体に絶縁領域を形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤを有する半導体装置において、駆動電源のための電池の経時的劣化に伴う電池の残存容量の確認や電池の交換作業をすることなく、個体情報を送受信することができ、且つ駆動するための電源を外部からの電磁波の電力が十分でない場合であっても良好な個体情報の送受信状態を維持するＲＦＩＤを有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】信号処理回路と、信号処理回路に接続された第１のアンテナ回路及び第２のアンテナ回路と、信号処理回路に接続されたバッテリーとを設け、第１のアンテナ回路は、信号処理回路に記憶されたデータを送信するための信号を送受信するものであり、第２のアンテナ回路は、バッテリーに充電するための信号を受信するものであり、第１のアンテナ回路が受信する信号と第２のアンテナ回路が受信する信号の波長が異なる構成とする。 （もっと読む）

【課題】埋め込み特性や膜特性に優れたシリコン酸化膜を高アスペクト比を有する凹部に形成することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主表面側に形成された凹部を有する下地領域と、前記下地領域の凹部内全体に埋め込まれた塩素を含有するシリコン酸化膜とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

Ｎチャネル（１１３、１１５）およびＰチャネル（１１１）トランジスタが、引張ストレッサ層（１２８）および圧縮ストレッサ層（１２６）をそれぞれ付加することによって、拡張される。２つのストレッサ層について、これまで知られていなかった問題が見つかった。ストレッサ層は、両方とも好都合なことに窒化物であっても良いが、ある程度別の仕方で作製される。２つのストレッサはエッチ・レートが異なる。そのため、２つのストレッサ間の界面においてコンタクト・ホールをエッチングするときに有害な影響が出る。ゲートに対するコンタクトは、Ｎチャネル・トランジスタとＰチャネル・トランジスタとの間の中間であることが好ましい場合が多い。これは一見したところ、２つのストレッサ層間の境界に対して最良の箇所でもある。境界においてコンタクト・エッチングを行なう結果、その下にあるゲート構造またはコンタクト・ホール内の残留窒化物に穴を開ける可能性がある。したがって各コンタクト（１５４）が確実に、コンタクトが通っているストレッサと反対のタイプのストレッサから少なくとも何らかの所定の距離に位置することが有用であることが分かっている。
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【課題】 多孔質有機シロキサン膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置の製造方法において、フォトレジスト膜をマスクにして多孔質有機シロキサン膜をパタン加工した後、多孔質有機シロキサン膜を劣化させずに、かつ簡便にフォトレジスト膜を除去する。
【解決手段】 炭素量／シリコン量が０．３以上０．７以下で比誘電率が２．４以上２．６以下或いは炭素量／シリコン量が０．４以上０．６以下で比誘電率が２．２以上２．６以下の多孔質有機シロキサン膜を製膜し、その上方にパタンを有するフォトレジスト膜を成膜し、これをマスクとして多孔質有機シロキサン膜をドライエッチング加工し、しかる後にアミン系剥離液でフォトレジスト膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】 ＮＢＴＩ劣化を抑制することのできるトランジスタ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、ｎ型領域を有するシリコン基板の上に、窒素を含む酸化シリコンを用いたゲート絶縁膜と、ホウ素を含むシリコンを用いたゲート電極とを形成する工程と、ゲート電極両側の前記シリコン基板内にｐ型ソース／ドレイン領域を形成する工程と、ゲート電極の側壁上に酸化シリコンを用いてサイドウォールスペーサを形成する工程と、ゲート電極、サイドウォールスペーサを覆い、平坦化された表面を有する層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜の平坦化された表面から内部に向って凹部を形成し，該凹部内に下地のバリア層とその上の銅領域を含む銅配線とを埋め込む工程と、銅配線の上に炭化シリコン層を形成する工程と、 前記炭化シリコン層の上方に絶縁層をＣＶＤで形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属配線の熱安定性を確保し、イメージセンサの暗電流特性を改善させるためのイメージセンサの金属配線形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上にコンタクトプラグを備える第１の層間絶縁膜を形成するステップと、該第１の層間絶縁膜上に拡散防止膜を形成するステップと、フォーミングガスアニールを行うステップと、前記拡散防止膜上に第２の層間絶縁膜を形成するステップと、該第２の層間絶縁膜及び拡散防止膜を選択的にエッチングしてトレンチを形成するステップと、該トレンチを埋め込むまで導電物質層を形成するステップと、該導電物質層を平坦化してコンタクトプラグと電気的に接続する金属配線を形成するステップとを含み、上記した本発明は、 金属配線を形成する工程の前に拡散防止膜を形成した後、アニール処理を行って金属配線の熱安定性を確保し、イメージセンサの暗電流特性を改善させて金属配線の信頼性及び素子の信頼性を向上させるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用に改善された誘電体及び機械的特性を有する絶縁体材料を供する。
【解決手段】材料は酸素、シリコン及び水素を含み、２ｇ／ccより小さい密度を特徴とする。あるいは多孔質絶縁体材料は６３３ｎｍないし６７３ｎｍの波長の光に対する１．４５より小さい屈折率又は４５ＧＰａより小さいヤングモジュラスを特徴とする。半導体デバイスの作製方法は、デバイス形成のための上部表面を有する半導体層を供すること及び半導体層上に複数のレベルの相互接続を形成し、各レベルは複数の部分を含むことを含む。部分は少なくともいくつかの部分間に多孔質層を形成するため、ＴＥＯＳを分解することにより、他の部分から電気的に分離される。 （もっと読む）

【課題】表示装置において、低抵抗材料を配線に用いることが望まれてきたが、これまでは、有効な配線形成の手段が存在しなかった。
【解決手段】第１の導電膜を形成し、第１の導電膜上に選択的にレジストを形成し、第１の導電膜及びレジスト上に第２の導電膜を形成し、レジストを除去すると共にレジスト上に形成された第２の導電膜を除去し、第１の導電膜上に形成された第２の導電膜を覆うように第３の導電膜を形成し、第１の導電膜及び第３の導電膜を選択的にエッチングし、複数の配線及び電極を形成する。これにより、大型パネルに低抵抗材料を用いた配線を形成することができるため、信号遅延等の問題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い層と銅拡散を防止する比誘電率が高い層を有しつつも、層間に十分な密着強度を持つ半導体装置をおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】多層構造を有する半導体装置において、第１の絶縁層１３と、第１の絶縁層に接する第２の絶縁層１２と、第１の絶縁層とは反対側で第２の絶縁層に接する第３の絶縁層１１とを含み、第２の絶縁層は、第１の絶縁層と接する第１の界面では第１の絶縁層と同じ組成をし、第３の絶縁層と接する第２の界面では第３の絶縁層と同じ組成をし、第２の絶縁層は第１の界面から第２の界面までの間で組成が連続的に変化している。 （もっと読む）

電気的に機能しない金属領域（２１２Ｂ、３１２Ｂ）の下方にダミービア（２１３Ｂ、３１３Ｂ）を供給することにより、後続のプロセスにおいて、金属が層間剥離する危険性が著しく低下する。更に、一実施形態では、形成されるメタライゼーション層（３３０）の機械的強度は、機能しないオーバーレイ金属領域（３１２Ｂ）のアンカーとしての役割を果たすダミー金属領域（３０３Ｂ）を供給することでさらに一層強化される。加えて、ダミービア（２１３Ｂ、３１３Ｂ）はさらに、電気的に機能する金属領域（２１２Ａ、２１２Ｃ、２１２Ｄ、３１２Ａ）と、領域（２２０Ａ、３２０Ａ）とともに供給され、これにより、機械的安定性とその電気的パフォーマンスも強化される。
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【課題】パッシベーションおよびゲート絶縁膜のエッチング時の形状制御を可能とし、導電層の段切れを防止可能とし、品質を向上させた薄膜トランジスタ、これを用いた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１上にゲート層２、ゲート絶縁膜３、半導体層４、ドレイン層５、パッシベーション層６０を設け、かつ前記パッシベーション層６０上に配置された導電層７がコンタクトホールを介して前記ゲート層２若しくは前記ドレイン層５と接続される薄膜トランジスタにおいて、前記パッシベーション層６０が、表面側を高速エッチングレート層６２、基板側を低速エッチングレート層６１の２層以上で形成され、かつ前記高速エッチングレート層６２の膜厚を前記導電層７の膜厚以下とする。 （もっと読む）

引張応力を有する緻密化されたシリコン酸窒化膜を形成する方法、及び緻密化されたシリコン酸窒化膜を含む半導体デバイスが開示される。緻密化されたシリコン酸窒化膜は、ＬＰＣＶＤプロセスにて基板上に多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜を堆積すること、及びＳｉＮＣ：Ｈ膜に酸素を混入し、それにより、多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜より高い密度を有する緻密化されたＳｉＯＮＣ：Ｈ膜を形成するために、多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜を酸素含有ガスに曝すことによって形成されることができる。緻密化されたシリコン酸窒化膜は、半導体デバイスを含んだ基板上に含められ得る。
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【課題】 不揮発性メモリ素子のデトラップ・リテンション特性の劣化を防止することができる技術を提供する。
【解決手段】 プラグ１６を形成した絶縁膜１４上にシリコンリッチな酸化膜よりなる層間絶縁膜１７およびＴＥＯＳ膜よりなる層間絶縁膜１８を形成する。そして、層間絶縁膜１７および層間絶縁膜１８を貫通する溝１９を設け、この溝１９内へ埋め込むように配線２０ａを形成する。すなわち、第１配線層を層間絶縁膜１７および層間絶縁膜１８に埋め込んだ埋め込み配線とする。さらに、第１配線層を構成する配線２０ａ〜２０ｃと同層の層間絶縁膜１７として水や水素などの不純物を捕獲する性質を有するシリコンリッチな酸化膜とする。 （もっと読む）

【課題】 低い比誘電率を有し、かつ、有機系膜と無機系膜との密着性に優れた積層体およびその形成方法、絶縁膜、ならびに半導体装置を提供する。
【解決手段】 積層体の形成方法は、基材の上に、無機系膜のための第１の塗膜を形成し、前記第１の塗膜の表面に対して、紫外線照射処理、電子線照射処理、およびプラズマ処理から選ばれる少なくとも１種の処理を行ない、前記処理後の前記第１の塗膜の上に、反応性シラン化合物および有機溶媒を含む密着促進用組成物を塗布した後、有機系膜のための第２の塗膜を連続的に形成することにより、積層膜を形成し、前記積層膜を硬化すること、を含む。前記反応性シラン化合物は、（Ｒｉ）_ｎＳｉ（Ｘｊ）_４−ｎ，ｉ＝１〜ｎ，ｎ＝１〜３，ｊ＝１〜４−ｎ，で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＲＦバイアスを増大させること無く、かつ経済的・実用的な方法により、ボイドの無い絶縁膜（酸化膜）を所定の凹部に形成することができる酸化膜の埋め込み構造等を提供することを目的とする。
【解決手段】第一の発明によると、酸化膜埋め込み構造は、凹部（溝４）を有する下地（シリコン基板１）と、当該凹部に形成される酸化膜（シリコン酸化膜６）とを、備えている。ここで、当該酸化膜は、少なくとも一部にシリコンリッチのシリコン酸化膜領域を含んでいる。 （もっと読む）