【課題】ビア位置に形成されるパッドの平面寸法を小さくすることにより、上層の導電層における配線パターン形成の設計自由度を向上させることができる半導体基板の製造方法および半導体基板を提供する。
【解決手段】コア基板１０に下層の配線パターン２０を形成し、下層の配線パターン２０を保護する第１の絶縁層３０を形成し、第１の絶縁層３０に第２の絶縁層であるレジスト４０を積層し、レジスト４０に上層の配線パターン８０を形成するためのパターン溝４２を形成した後、レジスト４０に向けてレーザ光を照射し、レジスト４０と第１の絶縁層３０を厚さ方向に連通し下層の配線パターン２０が底面に露出するビア穴６０を形成し、ビア穴６０内面、パターン溝４２内面、レジスト４０表面にシードメタル層７０を形成した後、シードメタル層７０上に電解めっきを行いめっき層７２を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガスクラスターイオンビーム処理プロセスの適用により、集積回路の相互接続構造に使用される、銅の相互接続配線層の表面上で、層をキャップ化する、改良された集積相互接続、集積回路の構造を形成する方法ならびに機器である。
【解決手段】
銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。銅のキャップ化処理、清浄化処理、エッチング処理、および膜形成処理用の、ガスクラスターイオンビーム処理モジュールを含む、各種クラスターツール構成について示した。 （もっと読む）

【課題】シート状の基材を貼付された基板から基材を剥離する作業を効率よく行う。
【解決手段】基板から剥離され巻き取りローラ２２０に巻き取られたシートフィルムＦの巻き始め側端部Ｆsをシート剥がし爪５１２により引き出して把持し（図１４（ａ））、シート剥がし機構５１０を下方に移動させる（同図（ｂ））。最下端まで移動してくると従動ローラ５２２を配したシートガイド５２１を下降させて搬送ローラ５３１とのニップ部でシート端をクランプし、搬送ローラ５３１の回転により搬送経路Ｐに沿って回収ボックス６００まで搬送する（同図（ｃ））。 （もっと読む）

【課題】シート状の基材を貼付された基板の一方主面を下向きに保持したまま基材を剥離することのできる剥離装置を提供する。
【解決手段】表面にシートフィルムＦが貼付されフェースダウン状態で搬入された基板Ｗを、吸着ステージブロック１００によりフェースダウン状態のまま吸着保持する（図１０（ａ））。巻き取りローラ２２０を有する巻き取りブロック２００を基板Ｗの左下に移動させ（同図（ｂ））、シートフィルムＦの吸着を一部解除するとともに突き出しピン１４２により突き出すことで、端部を下方に垂れ下がらせる（同図（ｃ））。こうして垂れ下がった端部をシートクランプ２２３、２２５によりクランプし（同図（ｄ））、巻き取りローラ２２０を回転させながら右方向に移動させることにより、シートフィルムを剥離させ巻き取る。 （もっと読む）

【課題】低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に所定の特性を有するシリコン窒化膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスと窒化ガスとを用いて第１の温度で前記被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程Ｓ１と、前記被処理体を前記第１の温度よりも高い第２の温度で窒化ガスの雰囲気下にてアニールして前記シリコン窒化膜を改質する改質工程Ｓ３とを行う。これにより、低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】化学エッチング液の膜を通じた拡散による犠牲膜材料の分解により、微細構造のエアギャップを形成する。
【解決手段】微細構造に少なくとも一つのエアギャップ３５を製造する方法として、（ａ）犠牲材料で充填された少なくとも一つのギャップ３５を備えた微細構造を提供し、前記ギャップ３５は非透過性膜であるが犠牲材料を分解する性質を有する化学エッチング液の作用により透過性膜へと転換し得る膜３３によりその表面の少なくとも一部分を覆われ画定される工程と、（ｂ）膜３３を透過性へと転換させ犠牲材料を分解するために前記化学エッチング液と微細構造とを接触させる工程と、（ｃ）微細構造から化学エッチング液を除去し、前記化学エッチング液はフッ化水素酸及び／又はフッ化アンモニウムを含む流体である工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、高誘電率窒化金属シリケート膜を含んでなる絶縁膜を形成する。
【解決手段】金属原子及びシリコン原子が酸化反応を生じ難い雰囲気中にてスパッタ法によりシリコン基体１０１上に金属及びシリコンからなる膜１０２を堆積する第１の工程と、膜１０２を窒素プラズマを用いて窒化して窒素、金属及びシリコンからなる膜１０３を形成する第２の工程と、膜１０３を酸素プラズマを用いて酸化して窒化金属シリケート膜１０４を形成する第３の工程とを含む。第１の工程の終了から第２の工程の開始までの間、膜１０２を、その酸化反応が生じ難い雰囲気中に保持する。第３の工程により、膜１０４の下のシリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０５を形成する。金属は、少なくともハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】メモリセルアレイのメモリセルを選択する配線の抵抗率を低減することにより、配線中の電圧降下を低減し、消費電力を低減する半導体ラインの構造を提供する。
【解決手段】集積回路は、各メモリセルのアレイと半導体基板内に形成されたドープされた各半導体ライン２０２とを含む。上記ドープされた各半導体ライン２０２は、各メモリセルのロウに結合されている。上記集積回路は、上記ドープされた各半導体ライン２０２に接触している導電性クラッディング部２０３を含む。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内に配した保護部に起因する応力が小さく、接続信頼性の向上した半導体装置を提供する。
【解決手段】機能素子１１を一面に配した半導体基板１２、半導体基板１２の一面にあって、機能素子１１と電気的に接続して配した電極１４、半導体基板１２の他面から電極１４に向けて設けた貫通孔１２ａ、機能素子１１の配した領域を除く半導体基板１２の一面、及び他面と、貫通孔１２ａを覆うように配した絶縁層１３、並びに半導体基板１２の他面側に絶縁層１３を介して配し、かつ貫通孔１２ａを覆うように配した導電部１５、から少なくともなる半導体装置であって、導電部１５に沿って貫通孔１２ａ内に配した第一保護部１６と、半導体基板１２の他面側にあって、絶縁層１３、導電部１５、及び第一保護部１６を覆うように配した第二保護部１７とで囲まれる間隙１６ａを、貫通孔１２ａ内の少なくとも電極近傍に有することを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は絶縁層上の導電パターンに外部接続用のバンプを設けた電子装置の製造方法及び電子装置に関し、実装信頼性の向上を図ることを課題とする。
【解決手段】電極パッド１０３上にバンプ１０４（突起部１０４Ｂを有する）を形成する工程と、半導体チップ１０１上に絶縁層１０５を突起部１０４Ｂを露出させて形成する工程と、絶縁層１０５上のバンプ配設領域１３５に応力吸収層１２０を形成する工程と、絶縁層１０５及び応力吸収層１２０上に第１の導電層１０７Ａを形成する工程と、第１の導電層１０７Ａを給電層とした電解メッキにより第２の導電層１０８Ａを形成する工程と、第２の導電層１０８Ａをパターニングして導電パターン１０６を形成する工程と、応力吸収層１２０上に形成された導電パターン１０６にはんだバンプ１１０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

フラットパネルディスプレイ相互接続システムに使用するための基板上に銅相互接続層を堆積させる方法であって、ａ）前記基板をフォトレジスト層で被膜する工程と、ｂ）前記フォトレジスト層をパターン化し、前記フォトレジスト層中にパターン化された少なくとも１つのトレンチを含む、パターン化されたフォトレジスト基板を得る工程と、ｃ）パターン化されたフォトレジスト基板上に第１の触媒層を提供する工程と、ｄ）前記第１の触媒層上に堆積された絶縁層の無電解めっき層を設ける工程と、ｅ）少なくとも１つのトレンチの中を除いて、連続して重ねられたフォトレジスト層、触媒層および絶縁層を除去し、第１の触媒層のパターンを、その上に堆積された絶縁層と共に得る工程を含む。
（もっと読む）

【課題】 半導体デバイス製造時に使用される低誘電率膜の比誘電率を低下させるための改質剤、およびその改質剤を用いて改質された低誘電率膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスに使用される低誘電率膜の比誘電率を低下させるための改質剤であって、一般式（１）
Ｒ_３−ｘＨ_ｘＳｉＮ_３ （１）
（ＲはＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ｎは０〜３の整数）で表されるケイ素化合物を有効成分として少なくとも一種類以上含有する低誘電率膜の改質剤。 （もっと読む）

【課題】基板と複数のマイクロ電子デバイスを備える集積回路デバイス及びその方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのマイクロ電子デバイス150に電気的に接触する導電性相互接続部を備える第１の層と、第１の層のラインに対して直角に整列された導電性のラインを備える第２の層であってかつ第２の層のラインが第１の層のラインと電気的に接触している第２の層と、第２の層のラインに対して直角に整列された導電性のラインを備える第３の層であってかつ第３の層のラインが第２の層のラインと電気的に接触している第３の層とを備え、第１の層を第２の層に相互接続し、かつ第３の層を第２の層に相互接続する複数のバイア224等を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板の能動面に形成された金属層に付いた傷を除去することを目的とする。
【解決手段】集積回路が形成された半導体基板１０の集積回路に電気的に接続された電極１２を有する第１の面１８に電極１２を覆うように導電膜１８を形成し、導電膜１８上に導電膜１８の一部が露出する開口２０を有するようにメッキレジスト層２２を形成し、導電膜１８に電流を流して行う電解メッキによって導電膜１８のメッキレジスト層２２からの露出部上に金属層２４を形成する。その後に、メッキレジスト層２２を除去する。その後に、半導体基板１０の第１の面１６とは反対の第２の面２６に樹脂層２８を形成する。その後に、金属層２４をマスクとして、導電膜１８の金属層２４からの露出部をエッチングして除去するとともにエッチングによって金属層２４の表面をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板の能動面に形成された金属層に傷が付かないようにすることを目的とする。
【解決手段】集積回路が形成された半導体基板１０の集積回路に電気的に接続された電極１２を有する第１の面１６に応力緩和層２０を形成し、応力緩和層２０及び電極１２を覆うように導電膜２２を形成し、導電膜２２上に導電膜２２の一部が露出する開口２４を有するようにメッキレジスト層２６を形成し、導電膜２２に電流を流して行う電解メッキによって導電膜２２のメッキレジスト層２６からの露出部上に金属層２８を形成する。その後に、メッキレジスト層２６を除去する。その後に、金属層２８をマスクとして、導電膜２２の金属層２８からの露出部をエッチングして除去する。その後に、金属層２８上にソルダレジスト層３０を形成する。その後に、半導体基板１０の第１の面１６とは反対の第２の面３２に保護層３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極のシリサイド化の際に形成された金属シリサイドに起因する短絡の発生を防止し、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、シリコンを含む配線パターンが形成され、配線パターン上に金属膜が形成される。次いで、熱処理により上記配線パターンがシリサイド化される。そして、当該シリサイド化に伴う上記配線パターンの膨張により、目的とする領域外に成長した金属シリサイドに対して、当該配線パターンの近傍に形成される導電体パターンとの短絡を防止する処理を行う。上記短絡防止は、酸化処理や除去処理により達成される。例えば、酸化処理は、フッ素と酸素とを含むガスから生成されるプラズマにより行うことができる。 （もっと読む）

【課題】放熱部に起因する信頼性の劣化が抑制され、且つ、放熱性の向上した半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体モジュールは、表面Ｓに回路素子２の電極２ａが形成された半導体基板１と、電極２ａのピッチをより広くするために電極２ａと接続する再配線パターン４と、この再配線パターン４と一体的に形成された電極４ａと、半導体基板１の裏面Ｒに形成された絶縁層７と、この絶縁層７の上に形成された放熱部８と、この放熱部８と一体的に設けられ、絶縁層７を貫通して半導体基板１の裏面Ｒと接続する突起部８ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く銅に対するバリア性に優れた絶縁層構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本半導体装置は、銅配線層を有する半導体装置であって、銅配線、密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜、酸化ケイ素系ポーラス絶縁材料層、密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜および銅配線をこの順に有する積層構造を少なくとも一つ有する。 （もっと読む）

【課題】バイトの摩耗や欠損を抑制しつつ平坦化し得る樹脂層の形成方法並びにその樹脂層の形成方法を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱膨張率を低減するための混合物が含有された樹脂層３４を基板１０上に形成する工程であって、混合物が基板側に偏在する樹脂層を形成する工程と、樹脂層の表層部をバイト４０により切削することにより、樹脂層の表面を平坦化する工程とを有している。熱膨張率を低減するための混合物が基板側に偏在する樹脂層を形成し、かかる樹脂層の表層部を切削することにより、樹脂層の表面を平坦化するため、熱膨張率を低減するための混合物によってバイトが著しく摩耗したり欠損したりするのを回避することができる。 （もっと読む）

【課題】ベースフィルムの剥離工程において、絶縁層の一部が配線層から剥離してしまうことを防ぎ、絶縁層でのリーク電流を無視できる程小さくする半導体装置の層間絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、フォトリソグラフィで所望のレジストパターンを形成する工程、レジストパターンに基づいて、配線層となる所定の金属膜１５を形成する工程、レジストパターンを保持したまま上記金属膜１５上に密着層１９aを形成する工程、該密着層１９aに所定の熱処理を行う工程のあと、ベースフィルムに塗布形成された未架橋の高分子材料からなる絶縁層１９ｂを加熱して押圧し、上記基板１０上に層間絶縁膜１９ｂを形成する。 （もっと読む）