【課題】タングステンからなる電極や配線の表面に形成された酸化物を、アンモニアガスをプラズマにより活性化させた活性種で確実に還元処理することができ、しかもタングステン表面に窒化タングステン膜が形成されないようにする技術を提供すること。
【解決手段】縦型の処理容器内の処理雰囲気から径方向に外れかつ当該処理雰囲気に臨む領域に、前記処理雰囲気に沿って形成されたプラズマ発生領域と、このプラズマ発生領域に沿って伸びるようにかつ当該プラズマ発生領域を挟んで対向して配置されるプラズマ電極と、を備えた縦型熱処理装置を用いて還元処理するにあたって、プラズマ発生領域に供給するアンモニアの供給量を５００ｓｃｃｍ以上１００００ｓｃｃｍ以下、プラズマ電極に印加する高周波を２０Ｗ以上５００Ｗ以下、処理雰囲気の圧力を１３．３×１０^２Ｐａ以下、処理時間を１秒以上１０分以下とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に設けたＡｒＦレジスト、無機膜中間層、有機膜下層レジスト、シリコン酸化膜、無機膜から構成された多層レジスト構造のＶｉａまたはＴｒｅｎｃｈ作成工程において、多層レジスト構造の複数工程を同一チャンバで被処理基板を搬出すことなく一貫処理する。
【解決手段】Ｖｉａエッチング処理では、有機膜下層レジストを、ＣＦ系ガスを用いず、Ｓｉ部材からなるガス供給板に第２の高周波電源より高周波バイアスを印加せずに処理し、シリコン酸化膜および無機膜を、ＣＦ系ガスを使用して高周波バイアスパワーを２００Ｗから３００Ｗにして処理し、Ｔｒｅｎｃｈエッチング処理では、有機膜下層レジストを、ＣＦ系ガスを使用せず、かつ、Ｓｉ部材からなるガス供給板８に第２の高周波電源５より高周波バイアスを印加せずに処理し、シリコン酸化膜および無機膜を、ＣＦ系ガスを使用し、高周波バイアスを印加せずに処理する。 （もっと読む）

【課題】電子と正孔いずれがキャリアの場合でも接触抵抗が低減された電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上にｎ型拡散層１０２とｐ型拡散層１０４を備え、ｎ型拡散層１０２およびｐ型拡散層１０４と絶縁層１０６を介して形成された第１の金属配線１０８、第２の金属配線１１０と、ｎ型拡散層１０２と第１の金属配線１０８を電気的に接続するための第１のコンタクト電極１１２と、ｐ型拡散層１０４と第２の金属配線１１０を電気的に接続するための第２のコンタクト電極１１３とを有し、第１のコンタクト電極１１２のｎ型拡散層１０２と接合する部分と、第２のコンタクト電極１１３のｐ型拡散層１０４と接合する部分とが、第１の金属含有導電体１１４と、希土類金属を含む第２の金属含有導電体１１６とによって形成されている半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】１個の処理容器内でスパッタによって厚さ方向に濃度勾配を有するように添加金属を含んだ合金層を被処理体上に容易に形成することができる技術を提供すること。
【解決手段】添加金属と主金属とを含む合金からなる金属ターゲットを備えた処理容器内にプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスに電力を供給してプラズマ化し、そのプラズマによりスパッタされた金属ターゲット粒子により第１の合金膜を被処理体に成膜する第１の成膜工程と、処理容器内の圧力及び前記電力の少なくとも一つを異ならせてプラズマを発生させ、スパッタされた前記金属ターゲットの粒子により、添加金属の濃度が第１の合金膜の添加金属の濃度とは異なる第２の合金膜を第１の合金膜に積層する第２の成膜工程と、を含むようにスパッタ成膜を行い、主金属に対する添加金属の濃度が厚さ方向に異なる膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】
半導体構造の微細化に対応でき、しかも基板上に形成した被覆膜におけるビアホールやトレンチの開口部におけるオーバーハングや非対称性を改善できる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】
スパッタリング法又はALD又はCVD法で上記基板上に金属配線を形成するための被覆膜を形成し、この被覆膜形成中又は形成後に、アルゴン、ネオンなどの希ガスのイオンを３００~１００００ｅＶのイオンエネルギーで基板に対してほぼ平行に照射して上記基板上に形成された被覆膜の形状を適切に変更する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストマスクパターンより下層の積層化された薄膜をプラズマ処理する方法において、形成されたパターン側面の凹凸を改善し、ＬＥＲ、ＬＷＲを低減する。
【解決手段】半導体基板２０６の上に積層化された薄膜（ゲート絶縁膜２０５、導電膜２０４、マスク層２０３、反射防止膜２０２）と、該反射防止膜上に形成されたフォトレジストマスクパターン２０１を有する被処理材をゲート電極を形成するためにエッチング処理するにあたって、前記マスクパターン２０１のエッチング処理する前に、窒素ガスまたは、窒素ガスと堆積性ガスとの混合雰囲気をプラズマ化することによって該マスクパターン２０１にプラズマキュア処理を行い、該マスクパターン２０１の表面と側面の凹凸を減少させた後、該マスクパターン２０１より下層の積層化された薄膜２０２、２０３、２０４をプラズマエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】 誘電体キャップ層（１００）を提供する。
【解決手段】 １つの実施例において、誘電体キャップ層（１００）は、硬化処理の間の紫外線照射を実質的に遮断する光学的バンドギャップ（例えば、約３．０電子−ボルトよりも大きい）を有し、電子ドナー、二重結合電子を有する窒素を含む誘電体材料（１０８）を含む。誘電体キャップ層（１００）は、高モジュラスを示し、そしてナノ電子デバイスに例えば銅及び低ｋ誘電体を形成する後工程（ＢＥＯＬ）におけるＵＶ光を使用する超低誘電率（ＵＬＫ）材料のポストキュア処理のもとで安定であり、膜及びデバイスのクラックを減少し、そして信頼性を改善する。 （もっと読む）

【課題】改良されたランディングプラグを備えた半導体素子に関する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、ランディングプラグコンタクト領域を画成する半導体基板にリセスゲートを形成し、リセスゲートの側壁にゲートスペーサを形成し、ランディングプラグコンタクト領域の半導体基板をソフト食刻して丸いプロファイルと側壁を備えたリセスを形成し、ゲートスペーサとリセスの側壁に側壁スペーサを形成し、リセスゲート、リセスゲートスペーサ及びリセスを含む半導体基板の上部に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜を選択的に食刻してランディングプラグコンタクトホールを形成し、ランディングプラグコンタクトホールに導電層を埋め込んでランディングプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗を下げて適切な値にできるコンタクト部の形成方法を提供する。
【解決手段】コンタクトホールの形成方法では、（１）基板上に第１の導電膜を成膜したのち、該第１の導電膜をパターニングして第１の電極配線を形成する第１の工程と、（２）該基板上に絶縁膜を成膜する第２の工程と、（３）該絶縁膜にコンタクトホールを形成する第３の工程と、（４）該絶縁膜上に第２の導電膜を成膜したのち、該第２の導電膜をパターニングして第２の電極配線を形成する第４の工程とを含むコンタクトホールの形成方法であって、該コンタクトホールのコンタクト抵抗を下げるために、該第１の導電膜をパターニングした後であって、該絶縁膜を成膜する前に、第１の導電膜の表面を酸化雰囲気下でＵＶ光を照射するＵＶ処理をすることで表面を酸化処理する。 （もっと読む）

【課題】 基板上の膜を処理する方法の提供。
【解決手段】 一態様において、方法は、シリコンと、炭素とを含み、所望により酸素及び/又は窒素を含んでもよい薄層を膜上に堆積させることによりフォトレジストが膜から除去された後のパターン形成された低誘電率膜を処理するステップを含む。薄層は、パターン形成された低誘電率膜に炭素を多く含む疎水性表面を与える。薄層は、また、続いての湿式洗浄プロセスと、低誘電率膜上に続いて堆積される層の前駆物質による浸透から低誘電率膜を保護する。 （もっと読む）

【課題】本発明はフィーチャーからＢＡＲＣ層を除去する方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、本方法は、ＢＡＲＣ層で充填されたフィーチャーを有する基板を、エッチングチャンバに提供する工程と、ＮＨ_３ガスを含む第１のガス混合物を、チャンバに供給して、フィーチャーを充填しているＢＡＲＣ層の第１の部分をエッチングする工程と、Ｏ_２ガスを含む第２のガス混合物を、エッチングチャンバに供給して、フィーチャーに配置されたＢＡＲＣ層の残りの部分をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化膜パターンの形成方法及びこれを用いた半導体素子のパターニング方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、所定領域の酸化膜上に１．０×１０^１６個／ｃｍ^２以上のボロンイオンを注入する工程と、前記酸化膜における前記ボロンイオンの注入されなかった領域を湿式エッチングする工程と、を含む酸化膜パターンの形成方法とした。 （もっと読む）

例えば層間絶縁膜として使用されるフッ素添加カーボン膜について、弾性率及び機械的強度の大きいフッ素添加カーボン膜を得ること。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置からＣ_５Ｆ_８ガスを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．３２Ｗ／ｃｍ^２ 以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ／誘電体の界面に沿ったエレクトロマイグレーション不良は、ＶＬＳＩ回路の用途において大きな信頼性の問題として認識されている。
【解決手段】 Ｃｕ／誘電体の界面におけるＣｕ移動および原子ボイド形成を低減させるために、Ｃｕ相互接続の上に高い引っ張り応力のキャッピング層を設ける。引っ張り応力の高い誘電膜は、薄い誘電体材料を多層に堆積することによって形成する。これらの層は各々、厚さが約５０オングストローム（５ｎｍ）未満である。各誘電体層にプラズマ処理を行った後に、これに続く各誘電体層を堆積することで、誘電体キャップが内部引っ張り応力を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置の製造方法では、デポジション膜の厚みの相違に起因して、第１の絶縁膜を加工した後の加工形状の面内均一性が悪くなる。
【解決手段】実施形態に係る製造方法は、低誘電率膜１０（第１の絶縁膜）と低誘電率膜１０上に設けられたキャップ膜２０（第２の絶縁膜）とを備える半導体装置を製造する方法である。まず、レジスト３０をマスクとして、第１のエッチング条件でキャップ膜２０を途中までエッチングする（第１のエッチング工程）。次に、第１のエッチング条件とは異なる第２のエッチング条件で、キャップ膜２０の残部２２と低誘電率膜１０とを一括してエッチングする（第２のエッチング工程）。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの向上と、製造スループットの短縮との両立を図ることのできる、より簡潔で確実なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】材料の異なる２以上の層からなる多層膜を有する加工対象物３に対し、多層膜を構成する各層の反射率に基づいてレーザ光Ｌの波長を選定して、加工物に対するレーザ光Ｌの照射を行う。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの向上と、製造スループットの短縮との両立を図ることのできる、より簡潔で確実なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】加工対象物３における、材料を互いに異にする２以上の層からなる多層膜の反射率に基づいて、レーザ光の波長を選定し、この波長のレーザ光を加工対象物３に照射してレーザ加工を行う。 （もっと読む）

【課題】 基板の第１部分に導電性領域を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、パルス変調電気バイアスの下で実質的に完全に電離した金属イオンのフィルタリングされたビームに第１部分を露出させる工程を含む。本方法は、ＦＣＶＡ(フィルタ処理陰極真空アーク)法を用いて、フィルタリングされたイオンビームを生成し、高アスペクト比のバイアおよびトレンチにおいてもコンフォーマルな金属コーティングの形成を可能にする。また本方法は、バイアおよびトレンチを充填した導電性配線の形成も可能にする。実施の形態は、銅イオンの堆積に関する。基板に金属を堆積する適応ＦＣＶＡ装置および基板に衝突するイオンビームを制御する制御装置も、開示される。制御装置は、既存のフィルタリングされたイオンビーム源内に組み込むのに適している。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度、耐熱性等の膜特性が良好な絶縁膜の製造方法等を提供する。
【解決手段】（１）基材上に、カゴ型構造を有する化合物を含む膜形成用組成物を塗布、乾燥する工程、および（２）電子線もしくは波長が２００ｎｍよりも大きい電磁波を照射する工程、を有する絶縁膜の製造方法、該製造方法により形成される絶縁膜、並びに該絶縁膜を有する電子デバイスであり、該膜形成用組成物が電子線もしくは波長が２００ｎｍよりも大きい電磁波に感光性を示す化合物を含有することが好ましく、該カゴ型構造を有する化合物が電子線もしくは波長が２００ｎｍよりも大きい電磁波に対して感光性を示す官能基を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ウェハ間や同一ウェハ内において、配線抵抗の増加や、コンタクト抵抗の増加等を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第１絶縁膜と第２絶縁膜とを含む積層膜が形成された被処理基板を、エッチング装置内に配置し、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜を同一エッチング装置内においてエッチングする工程を有し、
前記第１絶縁膜が窒素含有膜からなり、前記第２絶縁膜がＳｉＯＣＨ膜等からなり、前記工程において、前記第１絶縁膜のエッチングガスおよび前記第２絶縁膜のエッチングガスとしていずれも、ＣｘＦｙで表されるフルオロカーボンを含むガスを用いることを特徴とする。 （もっと読む）