【課題】エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。本願に記載の本方法は高アスペクト比の特徴部のプロファイルと寸法の制御を円滑に行い、有利である。
【解決手段】一実施形態において、基板上で誘電体層を異方性エッチングする方法は、誘電体層上にパターンマスク層が配置された基板をエッチチャンバ内に配置し、少なくともフッ素・炭素含有ガスとケイ素・フッ素ガスを含むガス混合物をエッチチャンバに供給し、ガス混合物から形成したプラズマの存在下で誘電体層に特徴部をエッチングすることを含む。 （もっと読む）

【課題】誘電体層に高アスペクト比のコンタクト開口部を形成するエッチング方法を提供する。
【解決手段】各コンタクト開口部の側壁上に導電性の高い薄膜を形成することでエッチプロファイルの湾曲又は屈曲を防止しながら高アスペクト比のコンタクト開口部をエッチングする。側壁上の薄膜の導電性はエッチ処理中に周期的に行うイオン衝突により増強される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系絶縁膜との密着性向上が図られたＣＦ_ｘ膜を用いた半導体装置の層間絶縁膜構造を提供する。
【解決手段】半導体装置の層間絶縁膜構造は、下側のＳｉ系絶縁膜と、上側のＳｉ系絶縁膜と、下側及び上側のＳｉ系絶縁膜に挟まれ、厚さ方向の中間のＦ組成ｘよりもＳｉ系絶縁膜との界面のＦ組成ｘが小さいＣＦ_ｘ絶縁膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたギャップを酸化シリコン膜で充填する改良された技術を提供する。
【解決手段】高密度プラズマプロセスを使用して酸化シリコンの第１の部分を該基板上および該ギャップ内に堆積する。この後、該酸化シリコン膜の該堆積された第１の部分の一部がエッチングバックされる。これは、ハロゲン前駆体ソースから該基板処理チャンバにハロゲン前駆体を流すステップと、該ハロゲン前駆体から高密度プラズマを形成するステップと、該一部がエッチングバックされた後に該ハロゲン前駆体を流すことを終了するステップとを含んでいる。この後、ハロゲンスカベンジャーが該基板処理チャンバに流されて、該基板処理チャンバで残渣ハロゲンと反応する。この後、該酸化シリコン膜の第２の部分が、高密度プラズマプロセスを使用して該酸化シリコン膜の該第１の部分上および該ギャップ内に堆積される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の製造方法において、撮像領域では、遮光膜をプラズマダメージを光電変換素子に与えることなく異方性エッチングにより加工し、撮像領域の周辺に位置する周辺駆動配線領域では、遮光膜を配線間の短絡が生じないよう等方性エッチングにより加工することができ、しかも、撮像領域と周辺駆動配線領域とでエッチングを異方性から等方性に切り替えることによる工程増加を回避する。
【解決手段】固体撮像装置の製造方法において、撮像領域１００ａおよび周辺駆動配線領域１００ｂ上に形成した遮光膜１６を加工する際、最初のエッチングステップではバイアスパワーをコントロールして撮像領域の遮光膜の異方性エッチングにより必要な遮光膜開口を形成し、次のエッチングステップではバイアスパワーを１Ｗにすることで等方性エッチングを行い、周辺駆動配線領域の側壁部のエッチング残渣を除去する。 （もっと読む）

【課題】紫外線キュアの効率を向上させ、キュア済みの低誘電率膜の膜特性を改善する。
【解決手段】低誘電率材料を半導体処理中に処理チャンバ内でキュアする方法が与えられる。該低誘電率材料は紫外線が照射されてキュアされる。処理チャンバ内の雰囲気は、紫外線の照射中、２５から１００００ppmの酸素濃度を有する。酸素は、低誘電率材料中の-Si-H基及び-Si-OH基の形成を制限し、それにより、低誘電率材料中の吸湿及び酸化が減少する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性をプラズマにより成膜する技術及びそのバリア膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】安定した低誘電率と高い硬度（ヤング率）を有するＢＣＮ膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供する。
【解決手段】従来のＢＣｌ_３ガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてＢＣＮ膜を成膜する。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、プラズマＣＶＤにより成膜を行うことで、 比誘電率が２．５以下で弾性率（ヤング率）が８ＧＰａ以上であるＢＣＮ系の低い誘電率を持つ絶縁体材料膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 低電気抵抗を維持した上で、基板との密着性を向上することが可能な新規なＣｕ系配線膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 所定の酸素含有雰囲気中でＣｕターゲットを用いてスパッタリングにより成膜するＣｕ系配線膜の成膜方法において、所定の酸素含有雰囲気中でＣｕターゲットに印加する電力量を所定の値に設定してスパッタリングにより成膜する第１の成膜工程を経た後、前記Ｃｕターゲットに印加する電力量を第１の成膜工程よりも増加させてスパッタリングにより成膜する第２の成膜工程を行なうＣｕ系配線膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法であって、基板が少なくとも銅含有表面層を含む方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】製造時における半導体素子へのプラズマダメージの影響を小さくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、マイクロ波をプラズマ源とし、半導体基板の表面近傍において、プラズマの電子温度が１．５ｅＶよりも低く、かつプラズマの電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３よりも高いマイクロ波プラズマを用いたＣＶＤ処理によって半導体素子上に膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜へのプラズマダメージを抑制することができ、ゲート酸化膜の劣化が抑制されるとともにスループットが向上した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法において、プラズマ絶縁膜を形成する工程は、成膜装置内において、成膜ガスを供給しながら、高周波電界および低周波電界を印加してＦＥＴ形成領域を覆う前記プラズマ絶縁膜を成膜する工程と、前記プラズマ絶縁膜を成膜した後、前記高周波電界の印加を継続しながら、前記低周波電界の印加を停止した後または同時に前記成膜ガスの流量を経時的に漸次減少させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】湾曲を軽減し上下比を改善するためにアドバンスドパターニングフィルム（ＡＰＦ）を用いてウェハをエッチングする方法である。
【解決手段】ＡＰＦ層を有するウェハを約１６２ＭＨｚで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガスをチャンバに供給し、１６２ＭＨｚ電源を用いてソース電力を印加し、バイアス電力をウェハに印加することを含む。処理ガスは水素ガス（Ｈ_２）、窒素ガス（Ｎ_２）、及び一酸化炭素ガス（ＣＯ）を含む。Ｈ_２：Ｎ_２の比は約１：１である。加えて、ウェハ温度を調節してエッチング特性を改善する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグの形成のための平坦化工程で障壁層が損傷することを防止することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板上に複数の導電性構造物間の空間を埋め立てて上面が平坦化された絶縁膜を形成し、絶縁膜を部分的に除去して基板の一部を露出する開口を形成する。その後、開口の下部側壁及び底面に沿って形成された残留金属膜と開口の上部側壁及び残留金属膜の表面に沿って形成された金属窒化膜とを含む障壁層を形成する。障壁層を含む開口を埋め立てて金属プラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性を備えた半導体装置用絶縁膜及びその製造装置、当該半導体装置用絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアガスとボラジン骨格系分子を有する材料を気化した原料ガスとを含有する混合原料ガスを、チャンバ内に供給し、混合ガスをプラズマ状態とし、チャンバ内に載置した基板にバイアスを印加し、ボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合して、チャンバ内に載置した基板に半導体装置用絶縁膜として成膜する成膜工程と、成膜工程の後、基板に印加するバイアスを、成膜工程におけるバイアスとは異なる大きさとし、ボラジン骨格系分子を有する材料を気化した原料ガスのみ漸減しながら供給し、キャリアガスが主となるプラズマで当該膜を処理する反応促進工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の形成時にギャップフィル特性を確保でき、コンタクトホールの形成時に開口不良を防止できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板２００上に少なくとも１つ以上のゲートパターン２０１を形成するステップと、ゲートパターン２０１を含む基板上に第１の絶縁膜を形成するステップと、周辺領域の第１の絶縁膜をエッチングし、周辺領域の少なくとも１つ以上のゲート側壁スペーサ２０３Ｂ、２０４Ｂを形成するステップと、ゲート側壁スペーサ２０３Ｂ、２０４Ｂを含む基板上に第２の絶縁膜を形成するステップと、セル領域の第２の絶縁膜２０６Ａを所定の厚さにエッチングするステップと、第２の絶縁膜を含む基板全体上に層間絶縁膜を形成するステップと、セル領域の層間絶縁膜、第１の絶縁膜２０３Ａ、及び第２の絶縁膜２０６Ａをエッチングし、コンタクトホールを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】凹部を隙間無く充填する。
【解決手段】本発明は基板１１の表面の凹部１２が形成された面に、金属膜１５を形成する成膜工程と、金属膜にエッチングガスのイオンを入射させるエッチング工程とを交互に繰り返す。成膜工程で凹部１２に突き出すように形成されるオーバーハング部１９はエッチング工程で除去されるので、次の成膜工程の時に凹部１２の開口は塞がれておらず、凹部１２内部の金属膜１５を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率が低く、膜の緻密性や絶縁膜との密着性に優れているといった高品質を安定して発揮する信頼性の高い半導体装置用の配線の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された凹部３を有する絶縁膜２の表面に、ＡｌまたはＡｌ合金（以下「Ａｌ系金属」という）よりなる薄膜５をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Ａｌ系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。スパッタリングガス圧：０．５〜１．１ｍＴｏｒｒ、放電パワー密度：３〜１５Ｗ／ｃｍ²、基板温度：１００〜３００℃ （もっと読む）

【課題】層間絶縁層の剥離を抑制し、製品の歩留まりが向上するとともに製品信頼性が向上した半導体装置を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された第１配線膜１５と、反射防止膜１７および第１レジスト膜１８からなる積層体から、第１レジスト膜１８を除去する工程と、前記工程において反射防止膜１７表層に形成された変質膜２２を除去する工程と、前記工程後に第１配線膜１５に電気的に接続するビアプラグと、前記ビアプラグに電気的に接続する第２配線膜とを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】フッ素注入による欠陥の発生を抑制しながら、フッ素注入によって界面準位が低減され、特性変動及びリーク電流の少ない半導体製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成されたウェル層３，５と、ウェル層３，５の上に形成されたチャネルドープ層６と、チャネルドープ層６内の上部周縁に設けられたソース・ドレイン拡散層と、チャネルドープ層６の上に、ゲート絶縁膜７を介して形成されたゲート電極１２と、ゲート電極１２間に、ゲート絶縁膜７を貫通してソース・ドレイン拡散層と連結するように形成された多結晶シリコンプラグとを有し、ソース・ドレイン拡散層において、ソース領域１３にのみ選択的にフッ素が注入されたことを特徴とする。 （もっと読む）