デュアルダマシン構造においてＢＡＲＣ層を２工程エッチングするための方法を提供する。一実施形態において、本方法は、基板上に配置されたＢＡＲＣ層で充填されたビアを有する基板をエッチングリアクタ内に配置し、第１ガス混合物をリアクタに供給してビアを充填しているＢＡＲＣ層の第１部位をエッチングし、ＮＨ_３ガスを含む第２ガス混合物をリアクタに供給してビア内のＢＡＲＣ層の第２部位をエッチングすることを含む。
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【課題】従来に比べてＳｉＯＣＨに対するＳｉＣＮの選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜としてのＳｉＯＣＨ層１０３には、トレンチ１１０とビアホール１１１が形成されている。下層には、エッチストッパー層としてＳｉＣＮ層１０２が形成されており、このＳｉＣＮ層１０２を、ＣＦ₄と、ＮＦ₃とを含むエッチングガスのプラズマを用いてプラズマエッチングする。 （もっと読む）

誘電性バリア層を誘電性バルク絶縁層に対して高い選択性でもってエッチングするための方法を提供する。一実施形態において、本方法は、誘電性バルク絶縁層を介してその一部が露出している誘電性バリア層を有する基板をリアクタ内に配置し、Ｈ_２ガス、フッ素含有ガス、少なくともインサートガスを含有するガス混合物をリアクタ内に流し、誘電性バリア層の露出部位を誘電性バルク絶縁層に対して選択的にエッチングすることを含む。
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【課題】オーバーエッチングにより発生するＳｉ基板のリセス量を低減し、ゲート配線を垂直に加工する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０にゲート配線層１２のメインエッチング処理（ｂ）の後にオーバーエッチング処理を行ってゲート配線加工を行うドライエッチング方法であって、オーバーエッチング処理（ｃ）を、ＨＢｒガスを含むエッチングガスに一般式がＣｘＨｙで表されるガスもしくはＣＯ、ＣＯ_２ガスのうち少なくとも１つを添加した配合ガスを用いて施す。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上での抵抗が十分に高く、且つ銅配線上での抵抗が十分に低いキャップ層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１上に第３の層間絶縁膜１０を形成する工程と、第３の層間絶縁膜１０に第１の配線溝１０ａを形成する工程と、第１の配線溝１０ａに銅を埋め込んで第１、第２の銅配線１２ａ、１２ｂにする工程と、第３の層間絶縁膜１０と第１、第２の銅配線１２ａ、１２ｂの上に、希ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いる反応性スパッタ法により、キャップ層１３として窒化ジルコニウム層を形成する工程とを有し、第３の層間絶縁膜１０上に形成されるキャップ層１３は、比抵抗が１×１０⁹μΩ・ｃｍ以上となるように形成される半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】エッチングによって凹部の形成されたＳｉＯＣＨ膜を有するウェハに対してＳｉＯＣＨ膜の上方のレジスト膜のアッシングを行うにあたり、アッシングに用いられるプラズマによって前記凹部の露出面から炭素を脱離させないこと。
【解決手段】アッシングを行う前にＣＨ４ガスをプラズマ化し、そのプラズマによりＳｉＯＣＨ膜の凹部の露出部に堆積物を堆積させて、アッシングにおいて用いられるプラズマから前記ＳｉＯＣＨ膜の凹部の露出部を保護する保護膜を堆積させる。 （もっと読む）

ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH₂F₂やCHF₃のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH₂F₂の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。
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【課題】選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法及びこれを用いたコンタクトホール形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストパターン３３０’の上部及び露出されたキャッピング部３０６の上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層３４０’を形成する段階と、前記フォトレジストパターン３３０’、キャッピング部３０６及びこれらの上部に形成されたポリマー層３４０’をマスクとして絶縁膜３２０を二次プラズマエッチングする段階とを含み、前記露出されたキャッピング部３０６の上部に形成されるポリマー層３４０’の厚さがコンタクトホール３２２底面に形成されるポリマー層３４０’の厚さに比べて大きくなるように行うことを特徴とする選択的ポリマー蒸着を用いた自己整合コンタクトホール形成方法である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層のパターニング方法、前記方法によって製造された絶縁層及びそれを含む表示素子を提供する。
【解決手段】（ａ）ＦＯＸ及び揮発性溶媒を混合した溶液を製造する工程と、（ｂ）混合溶液を基板上にコーティングする工程と、（ｃ）（ｂ）工程でのコーティング層を露光する工程と、（ｄ）（ｃ）工程の露光結果物をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に浸漬させて（ｃ）工程の非露光領域を溶解させることによってパターンを形成する工程と、を含む絶縁層のパターニング方法である。本発明によるパターンが形成された絶縁層は、パターン境界面のプロファイルが優秀であり、基板が損傷されず、所望のパターンの具現において正確度が高い。また、本発明による絶縁層のパターニング方法は、従来の通常的なリソグラフィ工程、エッチング工程及びストリッピング工程を単純化することによって、工程の単純化、工程コストの低減及び時間短縮の効果をもたらす。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォト工程を使用しないで、段差を有する有機物パターンを形成することによって、キャパシタの容量が調節できる薄膜パターンの製造方法及びこれを用いる平板表示素子の製造方法に関する。
【解決手段】基板上に導電性第１薄膜パターンを形成するステップと、第２薄膜パターンが形成されたマスターモールドを設けるステップと、前記第２薄膜パターンが形成されたマスターモールド上に有機物を塗布するステップと、前記第１薄膜パターン及び前記基板の表面が前記有機物と接触するように前記基板と前記マスターモールドとを合着するステップと、前記有機物を硬化するステップと、前記基板とマスターモールドを分離して、前記第１薄膜パターンが形成された基板上に前記第２薄膜パターンにより段差を有することになる有機薄膜パターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作安定性などの品質を向上させるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減できることが可能なＴＦＴ基板及びＴＦＴ基板の製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ基板１は、ガラス基板１０と、このガラス基板１０上に形成され、上面がゲート絶縁膜３０に覆われ、かつ、側面が陽極酸化されることにより（陽極酸化部２６により）絶縁されたゲート電極２３及びゲート配線２４と、ゲート電極２３上のゲート絶縁膜３０上に形成された第一の酸化物層としてのｎ型酸化物半導体層４０と、ｎ型酸化物半導体層４０上に、チャンネル部４６によって隔てられて形成された第二の酸化物層としての酸化物導電体層５０を備えている。 （もっと読む）

【課題】低温でも優れたアッシング耐性を有する有機シリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】プラズマCVDにより有機シリコン酸化膜を形成する方法は、(i)基板が載置されるサセプタの温度を３００℃以下に調節する工程と、(ii)サセプタが設置されたリアクタ内に少なくともテトラエチルオルソシリケート(TEOS)及び酸素を導入する工程と、(iii)高周波RF電力及び低周波RF電力を印加する工程と、(iv)基板上に有機シリコン酸化膜を蒸着する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高出力用途向けレーザ・ヒューズ構造体を提供する。
【解決手段】具体的には、本発明のレーザ・ヒューズ構造体は、第１および第２の導電性支持要素（１２ａ，１２ｂ）と、少なくとも１つの導電性可融性リンク（１４）と、第１および第２の接続要素（２０ａ，２０ｂ）と、第１および第２の金属線（２２ａ，２２ｂ）と、を含む。導電性支持要素（１２ａ，１２ｂ）、導電性可融性リンク（１４）、および金属線（２２ａ，２２ｂ）が第１の金属レベル（３）に設置されるのに対し、接続要素（２０ａ，２０ｂ）は、第２の、異なる金属レベル（４）に設置されかつ、第１および第２の金属レベル（３，４）の間を延びる導電性バイア・スタック（１８ａ，１８ｂ，２３ａ，２３ｂ）により導電性支持要素（１２ａ，１２ｂ）および金属線（２２ａ，２２ｂ）に接続される。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を有するＭＩＭ型容量素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、半導体基板１上に、第１の導電膜１１、誘電体膜１２、及び第２の導電膜１３を順に形成する。そして、第２の導電膜１３をエッチングして上部電極１３ａを形成し、上部電極１３ａ形成後に誘電体膜１２をエッチングして容量絶縁膜１２ａを形成し、容量絶縁膜１２ａ形成後に第１の導電膜１１をエッチングして下部電極１１ａを形成する。以上の工程により形成されたＭＩＭ型容量素子１上に層間絶縁膜１４が形成され、層間絶縁膜１４に上部電極１３ａに到達するスルーホール１５ａが形成された時点で。スルーホール１５ａの底部に露出した上部電極１３ａに紫外光を照射する。本構成によれば、スルーホール１５ａの形成過程で上部電極１３ａに蓄積された電荷を除去することができ、当該電荷により、容量絶縁膜１２ａの絶縁耐圧が劣化されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 二酸化シリコンに対してＣ_４Ｆ_８及び窒化チタンに対してＣＦ_４を用いるエッチング工程を提供すること。
【解決手段】 導電体の上の誘電体層及びキャップ層をエッチングして、導電体を露出させる方法が開示される。一つの実施形態においては、本方法には、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ_４Ｆ_８）を含む二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）エッチング化学処理剤、及びテトラフルオロメタン（ＣＦ_４）を含む窒化チタン（ＴｉＮ）エッチング化学処理剤を用いることが含まれる。本方法は、エッチング速度の低下を防ぎ、低減された静電気放電（ＥＳＤ）欠陥を示す。 （もっと読む）

【課題】半導体相互接続構造用の気体誘電体構造を形成する改善された解決策を提供すること。
【解決手段】相互接続構造中に気体誘電体構造を形成する方法および結果として得られた構造が開示される。一実施形態では、本方法は、誘電体と、少なくとも１つの導体と、第１のキャップ層とを有する少なくとも１つの相互接続層を含む相互接続構造を設けること、および相互接続構造を放射にさらすことによって、誘電体を収縮させて気体誘電体構造を形成することを含む。放射は電子ビーム照射または紫外線（ＵＶ）照射であってもよい。一実施形態では、形成される気体誘電体構造を選択的に配置するために、界面破壊促進膜を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、塩素をベースとするプラズマの使用のために化学的に非常に反応的な少なくとも一つの物質のスタックをドライエッチングするためのプラズマ組成、及びその使用方法を提供する。
【解決手段】５％から１０％までの少量の窒素がＢＣｌ_３を備えたプラズマに加えられ、異方性ドライエッチング方法に用いられる。これにより、真っ直ぐな断面が得られるように、側面の攻撃から垂直な壁面を保護するために、エッチングされるスタックの垂直な壁面に不動態化フィルムが堆積される。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ及びＡｌを含有するほかに、Ｎを任意成分として含むことがあるアモルファス膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ及びＡｌを含むほかに任意成分としてＮを含むことがあるアモルファス膜であって、電気抵抗率が、６×１０^２Ω・ｃｍ以下の当該アモルファス膜を、スパッタリングターゲットとしてＴｉＡｌ合金を用い、下記のスパッタ条件で基板上に成膜する。（１）ＤＣパワーは、１ｋＷ以上かつ３ｋＷ以下である、（２）成膜室内の気圧は、６ｍＴｏｒｒ以上かつ１２ｍＴｏｒｒ以下である、（３）基板温度は、１００℃以上かつ３００℃以下である、及び（４）Ｎ_２ガスとＡｒガスとの混合スパッタガス中におけるＮ_２ガスの体積比率が０％以上かつ７０％以下である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜及び銅を材料とする構成要素と封止樹脂との密着性を強固にし、耐湿信頼性を増加させる。
【解決手段】ＢＴ樹脂系基板と、エポキシ樹脂系基板とを含む群から選択される基板３０上に絶縁膜４０を形成する。絶縁膜上に、配線４２を含む、銅配線及び銅ポストを形成する。半導体基板上に設けられている絶縁膜、銅配線及び銅ポストの露出面に対して、窒素系ガスを用いて、プラズマ処理する。この露出面を覆って封止する封止部４４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 低い内部応力および．８以下の誘電率を有する熱的に安定な低誘電率材料を提供する。
【解決手段】 低誘電体材料は、Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨからなるマトリックスと、複数のナノメートル・サイズの孔と、２．８以下の誘電率とを有し、ＦＴＩＲスペクトルが、１０００ｃｍ^−１から１１００ｃｍ^−１の間でＳｉ−Ｏの吸収帯が２つのピークに分かれており、２１５０ｃｍ^−１から２２５０ｃｍ^−１の間でＳｉ−Ｈの吸収ピークを持たない。 （もっと読む）