【課題】塗布プロセス（印刷やＩＪ）により製造が可能であって、電磁波照射による異常放電がなく、生産効率及び生産安定性が高く、かつキャリア移動度及びｏｎ／ｏｆｆ比が向上した電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、電極を有し、少なくとも１部に熱変換材料または熱変換材料を含むエリアと、前記熱変換材料または熱変換材料を含むエリアに隣接もしくは近接して電磁波吸収能を持つ物質または電磁波吸収能を持つ物質を含むエリアを配置し、電磁波を照射して、該電磁波吸収能を持つ物質が発生する熱により、熱変換材料を機能材料に変換する電子デバイスの製造方法において、前記電極の辺が形成する角が全て９０°より大きく１８０°より小さい、または、曲面であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】集積回路製造工程において、ガスを化学的に反応させて化学気相成長又はＣＶＤにより、低誘電率膜の堆積処理方法を提供する。
【解決手段】約１０Ｗから約２００Ｗの一定ＲＦパワーレベルか、または約２０Ｗから約５００ＷのパルスＲＦパワーレベルで、１以上のシリコン化合物と酸化ガスからなるプロセスガスから、パターン化された金属層上にコンフォーマルライニング層を堆積する工程と、前記ライニング層上にギャップ充填層を堆積させる工程とを含む低誘電率膜の堆積処理方法。
【効果】シリコン酸化物は、配線間の静電結合を弱めて、１つの堆積チャンバで高信頼性のデュアルダマシン構造を製造する集積プロセスにおいてさらに有効である。 （もっと読む）

パターンが形成された基板上に金属を堆積させる方法および装置を提供する。金属層が，第１のエネルギーを有する物理蒸着工程で形成される。第２のエネルギーを用いて金属層上に第２の物理蒸着工程が行われ、ここで、堆積層は、脆性および塑性表面修正工程の相互作用を受け、基板上にほぼ同形の金属層が形成される。
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【課題】
誘電率を低減したＳｉＣ膜を銅拡散防止膜として用いることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、−ＣＨ_２−結合が環状にＳｉの２つの結合手を接続し、残り２つのＳｉの結合手に官能基Ｒ１，Ｒ２がそれぞれ結合され、官能基Ｒ１、Ｒ２は酸素を含まず２重結合を含む、原料を用いて、半導体基板上方に、酸素を含まない第１のＳｉＣ膜を成膜し、第１のＳｉＣ膜上に第１絶縁膜を成膜して、第１のＳｉＣ膜及び第１絶縁膜を含む層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に銅配線を埋め込み、銅配線を覆って、層間絶縁膜上に、第１のＳｉＣ膜と同じ原料を用いて第２のＳｉＣ膜を成膜する。 （もっと読む）

ルテニウム(Ru)金属の堆積を半導体デバイスの製造に統合することで、銅(Cu)金属のエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーションを改善する方法が供される。本発明の実施例は、NH_x（x≦3）ラジカル及びHラジカルによって、金属層及びlow-k誘電材料を含むパターニングされた基板を処理することで、前記low-k誘電材料に対する前記金属層上でのRu金属キャップ層の選択形成を改善する方法を有する。
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【課題】Ａｌ系薄膜と導電膜が直接接続する構造を備えたものであって、該Ａｌ系薄膜と導電膜の接触抵抗の安定的低減が可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にて、純ＡｌまたはＡｌ合金からなる薄膜（以下「Ａｌ系薄膜」という）と導電膜が直接接続する構造を有する表示装置の製造方法であって、前記Ａｌ系薄膜を形成する工程、該Ａｌ系薄膜上に絶縁膜を形成する工程、該絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、および前記導電膜を形成する工程を含み、前記コンタクトホールを形成する工程の後であって前記導電膜を形成する工程の前に、または、前記導電膜を形成する工程において、前記Ａｌ系薄膜の急速加熱および／または急冷を行って該Ａｌ系薄膜上の自然酸化膜に亀裂を生じさせる工程を含むようにする。 （もっと読む）

【課題】 電気抵抗のさらなる低減化と基板表面に対する銅薄膜の密着性の確保との両方を高いレベルで達成することができ、かつスパッタリングプロセスで用いられる金属ターゲット材のコスト削減やそれを用いたスパッタリングプロセスを中心として全体的な製造プロセスのコスト低減を達成することを可能とした、銅配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 （もっと読む）

本開示は銅処理のためのデバイス、方法およびシステムを含み、具体的には、硫黄プラズマを用いた銅層処理を含む。１つ以上の実施形態は、銅を硫黄を含むプラズマガスと反応させて銅硫黄化合物を形成し、水で銅硫黄化合物の少なくとも一部を除去する方法を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】導電性プラグの上に低誘電率絶縁膜を堆積させる場合、低誘電率絶縁膜の膜厚均一性の悪化による配線のオープン不良もしくはショート不良の発生を抑え、また低誘電率絶縁膜の機械強度や密着性の低下による信頼性の低下を抑えることを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に、第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後に、第１の絶縁膜を貫通する導電性プラグを形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、導電性プラグの上面に保護膜を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、第１の絶縁膜の上および保護膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に、保護膜の上面に達するように第２の絶縁膜を貫通する配線溝を形成する工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、保護膜を除去する工程（ｆ）と、工程（ｆ）の後に、配線溝内に配線を形成する工程（ｇ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性に優れた半導体装置用絶縁膜、当該半導体装置用絶縁膜の製造方法及び製造装置、半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定のアルキルボラジン化合物を気化した原料ガスを含有するガスをチャンバ２内に供給し、誘導結合型プラズマ発生機構（４、５、６）を用いて、チャンバ２内に電磁波を入射して、ガスをプラズマとし、プラズマのプラズマ拡散領域に基板８を配置し、プラズマにより解離されたアルキルボラジン化合物中のボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合し、半導体装置用絶縁膜として基板８に成膜する。 （もっと読む）

【課題】誘電率を維持しつつ、密着性を向上することができる層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１の反応管２内を昇温用ヒータ１２により所定の温度に加熱する。次に、層間絶縁膜が形成された半導体ウエハ１０を収容したウエハボート９を蓋体７上に載置し、ボートエレベータ８により蓋体７を上昇させ、半導体ウエハ１０を反応室内に収容する。続いて、反応管２を所定の圧力に維持し、半導体ウエハ１０に紫外線を照射する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの反り量を低減することにより生産性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウェハ上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第１の配線９を形成する工程と、前記第１の配線及び前記絶縁膜の上に第１のＴＥＯＳ膜１０を成膜する工程と、前記第１のＴＥＯＳ膜上にＳＯＧ膜１１を塗布し、４３５〜４６５℃の温度で熱処理することにより、前記第１のＴＥＯＳ膜上に厚さ４５０〜５５０ｎｍのＳＯＧ膜を形成する工程と、前記ＳＯＧ膜の上に第２のＴＥＯＳ膜１２を成膜する工程と、前記第２のＴＥＯＳ膜上に第２の配線１５を形成する工程と、前記第２の配線及び前記第２のＴＥＯＳ膜の上に窒化シリコンからなる保護膜１６を成膜する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度を向上させることができる半導体装置の製造方法、およびそれにより得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＢ上に、ＳｉＯＣを含有する骨格構造部と、炭化水素化合物を含有する空孔形成材料部とを有するＳｉＯＣ膜である層間絶縁膜３が形成される。層間絶縁膜３に２００ｎｍ以上２６０ｎｍ以下の波長を有する光が照射される。 （もっと読む）

【課題】Ｎ−Ｈ結合を減少させることができ、Ｎ−Ｈ結合の量とＳｉ−Ｈ結合の量とを合計した総膜中水素量を減らすことが可能なプラズマＣＶＤ窒化珪素膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に、珪素含有ガスと、窒素及び水素含有ガスとを導入する工程と、マイクロ波を処理容器１内に放射し、処理容器１内に導入された珪素含有ガス及び窒素及び水素含有ガスをプラズマ化する工程と、プラズマ化された珪素含有ガス及び窒素及び水素含有ガスを、被処理基板Ｗの表面上に供給し、被処理基板Ｗの表面上に窒化珪素膜を成膜する工程と、を備え、窒化珪素膜の成膜条件を、処理温度を３００℃以上６００℃以下、珪素含有ガスと窒素及び水素含有ガスとの流量比を０．００５以上０．０１５以下、マイクロ波パワーを０．５Ｗ／ｃｍ^２以上２．０４５Ｗ／ｃｍ^２以下、処理圧力を１３３．３Ｐａ以上１３３３３Ｐａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に設けたホールパターンに形成された導電体膜の断線を防止できる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１の導電体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜を露出する開口部を有するマスク膜を用いた異方性エッチングにより、開口部に露出した絶縁膜の上部に凹部を形成すると共に、マスク膜の側壁部下部に反応生成物を付着させる。次に、等方性エッチングにより、マスク膜の側壁部を水平方向に後退させると共に、異方性エッチングにより、凹部の底部に露出した絶縁膜を垂直方向に掘り下げながら、マスク膜の側壁部下部に付着した反応生成物を除去する。次に、異方性エッチングにより、凹部の周囲に存在する絶縁膜を鉛直方向に掘り下げて段差部を形成すると共に、凹部の底部を貫通させて第１の導電体膜を露出させる。その後、第１の導電体膜の上に第２の導電体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】パッド電極にかかるオーバーエッチング量を抑制して、後のシンター処理で発生するパッド電極上のＡｌ空洞化によるパッシベーション膜の膜剥がれを低減してパッド電極のボンディング不良を抑える。
【解決手段】パッド電極上の酸化膜、前述した絶縁膜５をウェットエッチングでパッド電極上のみ取り除き、パッド電極のＴｉ系バリアメタル層３のみをドライエッチングで除去することにより、パッド電極のメタル層４に与えるドライエッチングのオーバーエッチによるダメージを大幅に抑える。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止し、この結果、ピンチオフやボイドを発生させることなく凹部内を埋め込むことが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】高融点金属よりなる金属ターゲット９６をスパッタしつつ発生した金属粒子をプラズマでイオン化し、載置台６０上に載置された表面に凹部を有する被処理体２の表面に前記イオン化された金属粒子をバイアス電力により引き込んで高融点金属を含む薄膜を堆積する成膜工程を有する薄膜の形成方法において、被処理体を、堆積されつつある薄膜がフローを生ずるようなフロー温度に加熱した状態に維持するようにする。これにより、表面拡散を生ぜしめて被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】ＮｉＳｉの異常酸化を抑制し、さらにパーティクルの発生を抑制して、半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】ＮｉＳｉを用いる半導体装置の製造プロセスにて、ＮｉＳｉがウェーハ表層にある状態で、縦型の減圧気相成長装置にてＳｉＮ膜を成膜したところ、ボート装入時に予備室内の酸素を反応炉内に巻き込み、反応炉内温度（３００℃）とヒーターの輻射熱を受けてＮｉＳｉと反応し酸化していることにより、ＮｉＳｉが異常酸化し配線抵抗異常が発生した。そして、ヒーターからの輻射熱の影響を無くすために熱量を低くすると炉内の温度が急激に低下して、炉内に堆積したＳｉＮ膜が熱ストレスにより剥がれ、パーティクルが発生することが分かっている。これを解決するために、ＳｉＮ膜を成膜する工程にて、反応炉内温度を制御するヒーターの最大熱量を０．７５ｋＪ／ｓｅｃ以上、１．５ｋＪ／ｓｅｃ以下に制御してボートを装入する。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリア特性を設けた誘電バリアを形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を処理する方法を提供し、この方法は、ケイ素−炭素結合および炭素−炭素結合を備える前駆物質を処理チャンバへ流すステップと、半導体基板上に炭素−炭素結合を有する誘電バリア膜を形成するために、処理チャンバ内において前駆物質の低密度プラズマを生成するステップであって、この前駆物質中の炭素−炭素結合の少なくとも一部は低密度プラズマ中に保存されかつ誘電膜内に組み込まれるステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】銅を含む配線の腐食を抑制できる洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず半導体基板１上に銅を含む配線５ｗが形成される（（Ａ）工程）。配線５ｗ上にエッチングストッパ膜６ｅｓが形成される（（Ｂ）工程）。エッチングストッパ膜６ｅｓ上に絶縁層６が形成される（（Ｃ）工程）。絶縁層６に、エッチングストッパ膜６ｅｓに達するビアホール６ｖが形成される（（Ｄ）工程）。ビアホール６ｖおよび絶縁層６の表面が有機溶剤Ｃで洗浄される（（Ｅ）工程）。配線５ｗが露出するようにエッチングストッパ膜６ｅｓが除去される（（Ｆ）工程）。露出した配線５ｗに電気的に接続する配線６ｗがさらに形成される（（Ｇ）工程）。 （もっと読む）